「ウォール」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体装置は、半導体基板１０の上にゲート絶縁膜１５を介在させて形成され、上部がシリサイド化されたゲート電極１７と、ゲート電極１７の側面上に形成されたオフセットスペーサ２０と、オフセットスペーサ２０の側面上を覆う断面Ｌ字状のサイドウォール２２Ａとを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device includes a gate electrode 17 which is formed on a semiconductor substrate 10 with a gate insulating film 15 in between, with its upper portion being silicided, an offset spacer 20 formed on the side of the gate electrode 17, and a sidewall 22A which covers the side of the offset spacer 20, with its cross section being L-like. - 特許庁

ゲート電極１４、酸化膜サイドウォール１５を形成後、ウエハ全面にアモルファス化のために、ヒ素をエネルギー４０ＫｅＶ、ドーズ量３×１０^14ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2で注入し、ゲート電極１４の表面にアモルファスシリコン層１９ａ、ソース・ドレイン領域の表面にアモルファスシリコン層１９ｂを形成する。例文帳に追加

After the formation of a gate electrode 14 and oxide film sidewalls 15, amorphous silicon layers 19a and 19b are respectively formed on the surfaces of the gate electrode 14 and a source drain region by implanting arsenic ions into the entire surface for making silicon into amorphous form at an energy of 40 keV and a dose of 3×1014 atoms/cm2. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板１０に形成された素子分離領域１２及び素子分離領域１２に囲まれた活性領域１１と、素子分離領域１２及び活性領域１１の上に形成され、フルシリサイド化されたゲート配線１９と、ゲート配線１９の側面を連続的に覆う絶縁性のサイドウォール２１とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device includes an element isolation region 12 formed in a semiconductor substrate 10 and an active region 11 surrounded by the element isolation region 12, the fully silicided gate interconnection 19 formed on the element isolation region 12 and on the active region 11, and an insulating side wall 21 which continuously covers the side face of the gate interconnection 19. - 特許庁

カーテンウォールユニットの製作から取付完了までの工程において、ユニット製作までの輸送効率を高め、搬送・取付にタワークレーンを用いる場合の効率低下と危険性の問題を解消し、製作後の搬送効率と取付効率を高めると共に、排気ガス（NOx,CO_2)と廃棄物の発生量を低減する。例文帳に追加

To improve transport efficiency till manufacture of curtain wall units 1, solve problems of efficiency deterioration and danger in the case of using a tower crane for carrying and installing them, improve carrying efficiency and installation efficiency after manufacturing, and reduce generation quantity of exhaust gas (NOx, CO2) and waste in processes for the units from manufacturing till completion of installation. - 特許庁

トレッド部２からサイドウォール部３を経てビード部４のビードコア５に至るカーカス６と、該カーカス６のタイヤ半径方向外側かつトレッド部２内方に配されるベルト層７と、このベルト層７のタイヤ半径方向外側に配されるバンド層９とを有する空気入りタイヤ１である。例文帳に追加

The pneumatic tire 1 comprises a carcass 6 led from a tread 2 to a bead core 5 of a bead 4 via a sidewall 3, a belt layer 7 arranged on the outer side of the tire radial direction of the carcass 6 and inside the tread 2, and a band layer 9 arranged on the outer side in the tire radial direction of the belt layer 7. - 特許庁

本発明の低燃費ラジアルタイヤＴは、サイドウォール部５のゴム層３が、内層３ａとこの内層３ａの外側に配置される外層３ｂとの２層を含み、前記内層３ａが高伝熱性のゴムで形成されており、前記外層３ｂが高断熱性のゴムで形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

This high mileage radial tire T is characterized in that a rubber layer 3 of a sidewall part 5 includes two layers, an inner layer 3a and an outer layer 3b disposed outside the inner layer 3a, the inner layer 3a is formed of a high heat transfer rubber and the outer layer 3b is formed of a high heat insulating rubber. - 特許庁

ホットウォール加熱方式の反応室１の外側の近傍にプラズマ源２を設け、被処理基板４の表面を挟んで略対向する位置に、プラズマ源２により生成した活性種を供給する活性種供給口２３と、排気口９Ａとを設け、前記活性種を被処理基板４と略平行に流す。例文帳に追加

A plasma source 2 is provided near the outside of a reaction chamber 1 of a hot-wall heating type, and a port 23 for supplying activated species generated by the plasma source 2 is disposed to an exhaust port 9A across the surface of the substrate 4, and the activated species are made to flow nearly in parallel with the substrate 4. - 特許庁

ウエハが変形し微妙な移動によって異物が発生を防止したホット・ウォール型のバッチ式減圧ＣＶＤ炉で成膜される窒化シリコン膜を使用したＭＩＳＦＥＴ素子、フラッシュ・メモリ素子、およびポリシリコン・キャパシタ等の容量素子等を集積したＭＯＳ型半導体集積回路装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a MOS type semiconductor integrated circuit device which integrates a MISFET element, a flash memory element, a capacitance element such as a polysilicon capacitor which use silicon nitride films formed in a hot wall type batch vacuum CVD furnace which prevents the generation of a foreign substance caused by the deformation and minute movement of a wafer. - 特許庁

LAN外のコンピュータは、送信先ポート番号を付してLAN内コンピュータに向けてデータ信号を送信するときに、変更後の送信先ポート番号によりLAN外から送られてきたデータ信号の通過をファイアウォールが許容することになる、変更前の送信先ポート番号を発見する機能をもつ。例文帳に追加

The LAN has another function of finding out the former port number of a receiving end so as to enable the fire wall to allow the data signals accompanied by the current port number of the receiving end to pass when a computer located outside the LAN transmits data signals accompanied by the port number of a receiving end to a computer located inside the LAN. - 特許庁

液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０上の互いに異なる層に夫々形成されており、第２層間絶縁膜４２を介して互いに電気的に絶縁された上部容量電極３００及び下部容量電極７１、サイドウォール９１、接続用導電膜９３、誘電体膜７５及びコンタクトホール８５を備えている。例文帳に追加

A liquid crystal device 1 includes: an upper capacitor electrode 300 and a lower capacitor electrode 71 formed in the respective layers different from each other on a TFT array substrate 10 and electrically insulated by a second interlayer insulating film 42; a side wall 91; a connecting conductive film 93; a dielectric film 75; and a contact hole 85. - 特許庁

薄膜トランジスタは、基板１上に形成された半導体層２と、半導体層２上に形成されたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に形成されたゲート電極４と、ゲート電極４の両側に形成されたサイドウォール膜６ａと、半導体層２にそれぞれ接続されたソース電極７およびドレイン電極８と有する。例文帳に追加

The thin film transistor is equipped with a semiconductor layer 2 formed on a substrate 1, a gate insulating film 3 formed on the semiconductor layer 2, a gate electrode 4 formed on the gate insulating film 3, side wall films 6a formed on both sides of the gate electrode 4, and a source electrode 7 and drain electrode 8 connected with the semiconductor layer 2. - 特許庁

弾性表面波デバイスの電極形成方法において、基板上に、ＡｌとＭｇからなる合金膜を形成する工程と、前記合金膜を選択的にエッチングすることによって、弾性表面波デバイスの電極を形成する工程とを有し、前記弾性表面波デバイスの電極は、サイドウォールを有するように形成することを特徴とすること。例文帳に追加

The electrode forming method for the SAW device has a step for forming the alloy film composed of Al and Mg on a substrate and a step for forming the electrode of the SAW device by selectively etching said alloy film, and the electrode of the SAW device is formed so as to be provided with sidewalls. - 特許庁

本発明は、トレンチの形成後に行われる酸化工程によってトレンチ内側壁のシリコン基板が破れるディスロケーション現象を防止して素子特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及びこれを用いたフラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide the wall oxide film forming method of a flash memory element, and the element isolation film forming method of the flash memory element using this which can improve element property by preventing dislocation phenomenon in which a silicon substrate of trench inner wall is broken by an oxidation process performed after a formation of trench. - 特許庁

半導体ウェーハ４０を加熱するヒータ２０、３０を備えるホットウォール加熱方式の基板処理装置において、ヒータ２０、３０内部に冷却エアーを流すための冷却エアーライン２５、２６、２７、３５、３６、３７を設け、冷却エアーの流れ方向を三方弁５３、５４により、冷却途中に切り替える。例文帳に追加

In this substrate-treating device of a hot wall heating system having heaters 20 and 30 for heating a semiconductor wafer 40, cooling air lines 25, 26, 27, 35, 36 and 37 for allowing cooling air to flow inside the heaters 20 and 30 are provided, and the flow direction of the cooling air is changed by three-way valves 53 and 54 during cooling. - 特許庁

カーカスプライ２が、トレッド部からサイドウォール部を経てビード部まで延在する本体部と、前記ビード部に埋設された、横断面略六角形を有するビードコア４の周りにタイヤ幅方向の内側から外側に向けて巻き返されてなる巻返し部２ｂとで構成された重荷重用空気入りラジアルタイヤである。例文帳に追加

In the pneumatic radial tire for heavy load, a carcass ply 2 is constituted by a body part extending from a tread part to a bead part via a side wall part; and a wound/returned part 2b wound/returned from the inner side to the outside in a tire width direction around a bead core 4 buried in the bead part and having an approximately hexagonal lateral cross section. - 特許庁

比較する際の基準となる基準被検査物（例えば、基準となる文字及び記号がサイドウォールに形成された基準タイヤ４２）の基準領域４４をカメラ１８によって撮影することにより得られた基準領域４４全体に亘って連続した基準画像データを、ＨＤＤ４０ｃに記憶する。例文帳に追加

Standard image data, which are obtained by photographing a standard area 44 of a standard specimen as a standard for comparison (for example, a standard tire 42 formed with a character or symbol as a standard on its sidewall) with a camera 18, and which are continuous over the entire standard area 44, are stored in a HDD 40c. - 特許庁

サイドウォール部１にリムフランジに沿うように延在するリムプロテクトバー２を設けた空気入りタイヤにおいて、リムプロテクトバー２に複数個の窪み部３をタイヤ周方向に分散させて形成し、タイヤ周方向の任意の位置で窪み部３にバランスウェイトを圧入する構造とする。例文帳に追加

The pneumatic tire structured so that a rim protecting bar 2 extending along a rim flange is installed in each side wall part 1, in which the rim protecting bar 2 is furnished with a plurality of dimples 3 dispersed in the tire circumferential direction, and in each dimple 3, a balance weight is fitted by pressure in any position in the tire circumferential direction. - 特許庁

空気入りタイヤは、カーカスと、トレッドと、カーカスより半径方向外側でかつトレッドより半径方向内側に配置されたベルト補強構造と、各々が一対のビード部の一つより半径方向外側に配置された一対のサイドウォール１８と、第１及び第２のインサート４０，５０と、を有している。例文帳に追加

The pneumatic tire has a carcass; a tread; a belt reinforcement structure arranged at an outer side in a radial direction rather than the carcass and at an inner side in the radial direction rather than the tread; a pair of sidewalls 18 which are arranged at an outer side in a radial direction rather than one of a pair of beads; and first and second inserts 40, 50. - 特許庁

タイヤ周方向に対するコード角度が９０°より小さいカーカス層４を備えた空気入りタイヤにおいて、トレッド部１とビード部３との間に延在するサイドウォール部２の表面に、最も近いカーカス層４のコード傾斜方向とは反対方向に傾斜しながら延長する複数本の帯状の突起部１１を設ける。例文帳に追加

In the pneumatic tire provided with a carcass layer 4 in which a cord angle relative to a tire circumferential direction is smaller than 90°, a plurality of band-like projection parts 11 extending while inclined in an opposite direction to a cord inclination direction of the most near carcass layer 4 are provided on a surface of the side wall part 2 extending between a tread part 1 and a bead part 3. - 特許庁

次に、サイドウォールマスク層を除去し、エッチングストッパ膜の上層に第１絶縁膜２３を形成し、高濃度不純物含有領域を露出させるコンタクトホールＣＨを開口し、コンタクトホールの内壁面上に第２絶縁膜（２４ａ，２５ａ）を形成し、コンタクトホール内に埋め込み電極を形成する。例文帳に追加

Then, the sidewall mask layer is removed, a first insulating film 23 is formed on the etching stopper film 21, a contact hole CH is bored to make the heavily- doped region exposed, second insulating films (24a and 25a) are formed on the inner wall of the contact hole CH, and an embedded electrode is formed inside the contact hole CH. - 特許庁

前記各温度センサ(２８）(２９）により検出された温度に基づいて前記建物（１）内の温度が目標温度になるように切換弁及び送風ファン（２５）を作動制御して、ソーラーウォール側給気エア（１３）又は地熱側給気エア（２７）の一方、若しくはこれらの混合気を前記建物（１）内に給気する。例文帳に追加

On the basis of the temperatures detected by the respective temperature sensors 28, 29, the operation of a switching valve and a blower fan 25 is controlled so that the temperature in the building 1 reaches a target temperature, and the solar wall side supplied air 13 or the ground heat side supplied air 27 or mixed air of these is supplied to the interior of the building 1. - 特許庁

平均粒子径が１０〜９５μｍの独立した外殻部分が熱可塑性樹脂である熱膨張マイクロカプセルをゴム成分１００重量部に対して３〜１５重量部、およびチッ素吸着比表面積が４５〜８５ｍ^2／ｇのカーボンブラックを４０〜６０重量部含有するサイドウォール用ゴム組成物である。例文帳に追加

The rubber composition for sidewall comprises 3-15 pts.wt. per 100 pts.wt. of the rubber component, of thermally expansible microcapsules having 10-95 μm of an average particle diameter and an independent outer shell consisting of a thermoplastic resin and 40-60 pts.wt. of carbon black with 45-85 m^2/g of nitrogen adsorption specific surface area. - 特許庁

積層された複数の廃タイヤの上下サイドウォール部同士が気密に接合されてなる積層体２と、該積層体２に形成された貫通孔の上下面開口部７、６を閉鎖する上下の固定板１０と、該固定板１０の一方に設けられた吸気バルブと、を備える廃タイヤ積層構造体１である。例文帳に追加

The waste tire stack structure 1 includes a stack 2 which is made by airtightly joining together upper and lower side walls of stacked waste tires, upper and lower fixing plates 10 which close upper and lower face openings 6 and 7 of a through-hole formed on the stack 2, and an air intake valve formed on one of the fixing plates 10. - 特許庁

シリコン基板１の上で少なくとも制御用ゲート（ポリシリコン８ａ）を含むゲート構造Ａ、金属電極９ａ、ハードマスク１０ａを積層した積層パターンＢの側面に窪み１１ａを形成して、これを埋め込むように積層パターンＢの側面にサイドウォール１３を形成した構造とする。例文帳に追加

A recess 11a is formed in a side of laminated pattern B in which a gate structure A including at least a gate (polysilicon 8a) for controlling, a metal electrode 9a, and a hard mask 10a on a silicon substrate 1; and a side wall 13 is formed in the side of laminated pattern B so that it may be embedded. - 特許庁

トレッド部２からサイドウォール部３を経てビード部４のビードコア５に至るトロイド状のカーカス６と、このカーカス６のタイヤ半径方向外側かつトレッド部２の内部に配されしかも複数枚のベルトプライ７Ａ、７Ｂからなるベルト層７とを具えた空気入りタイヤ１である。例文帳に追加

The pneumatic tire 1 is equipped with a toroidal carcass 6 leading from the tread part 2 to the bead core 5 of a bead part 4 via each side wall part 3, and the belt layer 7 arranged on the outside in the tire radial direction of the carcass 6 and inside the tread part 2 and consisting of a plurality of belt plies 7A and 7B. - 特許庁

ＴＥＯＳシリコン酸化膜１１７を異方性にエッチング（ＲＩＥ）することにより、開口部の側壁にサイドウォール１１９Ａを残すように、また、ＭＯＳトランジスタのゲート部とＰｏｌｙ−Ｓｉ膜との段差部にスペーサ１１９Ｂの形成を行い、さらに全面にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１２０を堆積させる。例文帳に追加

A side wall 119A is left on the side wall of an opening part by ansotropically etching (RIE) a TEOS silicon oxidation film 117, a spacer 119B is formed on a level difference part between the gate part of a MOS transistor and a Poly-Si film, and further the Poly-Si film 120 is accumulated on the whole face. - 特許庁

半導体装置は、直線部分を含むように形成されたゲート電極２と、上記直線部分の延長上の位置において形成されたダミー電極１８と、ストッパ絶縁膜５と、サイドウォール絶縁膜３と、層間絶縁膜と、上から見たときに上記直線部分に平行に延びる直線状コンタクト部１１とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device comprises: the gate electrode 2 so formed as to include a linear portion; dummy electrode 18 formed on an extension line of the linear portion of the gate electrode 2; stopper insulation film 5; side wall insulation film 3; interlayer insulation film; and linear contact section 11 extended in parallel with the linear portion of the gate electrode 2 when viewed from the top. - 特許庁

天然ゴム４０〜７０重量部と高シス−ブタジエンゴム３０〜６０重量部からなるジエン系ゴムに、アルキル−Ｄ−グルコピラノシド（下記一般式（１）、ｎ＝０〜２４）と、所定のヨウ素吸着量及びＤＢＰ吸収量を持つカーボンブラックを配合したタイヤサイドウォール用ゴム組成物である。例文帳に追加

The rubber composition for a tire sidewall is obtained by compounding a diene rubber including 40-70 pts.wt. of a natural rubber and 30-60 pts.wt. of a high cis-butadiene rubber with alkyl-D-glucopyranoside, a compound of general formula (1), wherein n is 0-24, and a carbon black having a predetermined iodine adsorption and DBP absorption. - 特許庁

分離絶縁膜上の配線と、この配線の側面上に形成されたサイドウォールと、配線と活性領域上の不純物拡散とを接続するシェアードコンタクトを備えた半導体装置であっても、シェアードコンタクから半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the generation of its leakage current can be prevented from a shared contact into a substrate, even though it has a wiring present on a separative insulating film, side walls formed on the side surfaces of the wiring, and the shared contact whereby the wiring and an impurity diffusion layer are connected on an active region. - 特許庁

本発明は、例えば、外壁がカーテンウォールである建物において、上階の鉄骨工事とその下階における外壁の取付工事がほぼ同時並行する際に、上階の鉄骨建て方に伴う溶接火花の飛散を防止する火花受け装置に関し、確実に火花の飛散を防止することが課題である。例文帳に追加

To securely prevent the scattering of sparks by a spark shielding device which is adapted to prevent the scattering of soldering sparks involved in erection of steel skeletons of upper floors, when steel work for upper floors and installation work for an exterior wall of the lower floor are carried out simultaneously, in a building having a curtain wall of the exterior wall. - 特許庁

ＩＣ化された半導体集積装置内のアナログ集積回路を除く全ての抵抗（ツェナーザッピング回路内の抵抗をも含む）の各々は、同抵抗として機能するｐ型抵抗層６と、抵抗層６を完全に取り囲むｎ^-型の抵抗島層４Ｎと、抵抗島層４Ｎの全側面を完全に取り囲むｎ^+型のリング状のコレクターウォール層７とを有する。例文帳に追加

All resistors (including resistors in a Zener zapping circuit), except resistors included in an analog integrated circuit in a semiconductor integrated circuit device, are each equipped with a P-type resistive layer 6 which functions as a resistor, an N--type resistive island layer 4N which completely surrounds the resistive layer 6, and an N+-type ring-shaped collector wall layer 7. - 特許庁

タイヤのサイドウォール２の表面２Ｓに設けたセレーション４からなる装飾部５において、この装飾部５の少なくとも一部を、タイヤ回転中心Ｏから位置ずれした偏心中心Ｃからのびる半径方向線Ｊ上で延在するリッジ３Ａによって形成した偏心セレーション部４Ａにより構成する。例文帳に追加

In a decoration part 5 composed of the serration 4 provided on the surface 2S of the side wall 2 of a tire, at least a part of the decoration part 5 is constituted by an eccentric serration part 4A formed by a ridge 3A extending on a line J in the radial direction extending from eccentricity center C deviated from rotation center O of the tire. - 特許庁

連続する凹凸面１４を形成した伝熱板１０を、所定の枚数積層して形成するプレート式熱交換器において、伝熱板１０の耐食性の向上を図るとともに、ダブルウォール式のプレート式熱交換器と比較して生産性に優れ、製作コストが削減可能なプレート式熱交換器を提供する。例文帳に追加

To provide a plate-type heat exchanger improving the corrosion resistance of a heat transfer plate 10, having excellent productivity compared with a double wall plate-type heat exchanger and reducible in manufacturing cost in the plate-type heat exchanger formed by laminating a predetermined number of heat transfer plates 10 formed with continuous uneven surfaces 14. - 特許庁

トレッド部からサイドウォール部を経て両側のビード部に至るとともに、カーカスコード１１の配列体１２をトッピングゴム１３で被覆したカーカスプライからなるカーカスと、カーカスの内側に添設されかつタイヤ内腔面をなす空気非透過性のゴムからなるインナーライナーとを具える空気入りタイヤの製造方法である。例文帳に追加

The pneumatic tire includes: a carcass which extends from a tread to beads of both sides via sidewalls and comprises a carcass ply obtained by covering an array 12 of carcass cords 11 with topping rubber 13; and an inner liner which is arranged additionally at the inside of the carcass and comprises air-impermeable rubber for forming an inner cavity face of the pneumatic tire. - 特許庁

外部ネットワーク内の外部ホストがファイアウォールを越えて内部ネットワーク内の内部ホストとの間でトンネルを構築して通信を行う通信装置であって、前記トンネルを維持するのに必要なタイミングに応じて前記トンネルを維持するための通信路維持データを送信する送信手段と、前記通信路維持データの中に電子署名を施す電子署名手段とを有する。例文帳に追加

The communication apparatus performs a communication after establishing a tunnel from the external host in the external network to the internal host device in the internal network beyond the firewall has a transmitting means for transmitting channel maintenance data for maintaining the tunnel in accordance with timing required to maintain the tunnel, and an electronic signature means for performing an electronic signature in the channel maintenance data. - 特許庁

ゲート電極１５上およびｎ^＋型半導体領域３５上に金属シリサイド膜４３ａ，４３ｂが形成され、金属シリサイド膜４３ａはゲート電極１５の上面上だけでなく、サイドウォールスペーサ３３の側面３４ａうちの凹部３４ｂよりも上部の領域上にも延在している。例文帳に追加

Metallic silicide films 43a, 43b are formed on the gate electrode 15 and the n^+-type semiconductor region 35 while the metallic silicide film 43a is extended not only on the upper surface of the gate electrode 15 but also on the upper region of the recess 34b in the side surface 34a of the side wall spacer 33. - 特許庁

そのサイドウォール９において、半導体基板１の一主面に垂直な方向の断面における濃度分布がポリシリコン９ｂと酸化膜９ａとの界面にピークを有するとともに、このピークの位置より上の位置でポリシリコン９ｂの表面に近傍にさらに濃度のピークを有するように窒素が導入されている。例文帳に追加

The distribution of nitrogen concentration possessed by the side wall 9 in a cross section perpendicular to the one main surface of the semiconductor substrate 1 has a peak at an interface between a polysilicon 9b and an oxide film 9a, and nitrogen is more introduced so as to enable another concentration peak to be located above the above peak and close to the surface of the polysilicon 9b. - 特許庁

セラミック製触媒付きウォールフロータイプのディーゼルパティキュレートフィルタ１において、ディーゼルパティキュレートフィルタ１の排気ガス入口側内面及びセラミック担体２６内部の壁内気孔壁に触媒が担持されるとともに、排気ガス出口側表面には触媒が担持されない、もしくは前記入口側よりも少量の触媒が担持されている。例文帳に追加

The wall flow type-diesel particulate filter 1 includes a ceramic catalyst, wherein the catalyst is supported on an internal surface of the exhaust gas inlet side in the filter 1 and an interwall cell wall inside a ceramic carrier 26, and the catalyst is not supported on a surface of the exhaust gas outlet side or a smaller quantity of the catalyst is supported than on the inlet side. - 特許庁

ウォールフロー型のパティキュレートフィルタを製造するために、隔壁端部を曲げ変形させてハニカム構造における軸線方向空間の端部を閉鎖するパティキュレートフィルタの製造方法において、隔壁端部の曲げ変形を良好なものとして、隔壁の曲げ変形端部の破損等を防止する。例文帳に追加

To prevent failure of the bent and deformed end of a bulkhead by improving the bending deformation of a bulkhead end, in a method for manufacturing a particulate filter in which for manufacturing a wall-flow type particulate filter, the end of an axial space in a honeycomb construction is closed by bending and deforming the bulkhead end. - 特許庁

サイドウォール２７形成後、レジストパターン２８により開口されたＬＤＭＯＳソース領域にあるゲート電極側壁のサイドォールのみを除去し、ＬＤＭＯＳ及び微細ＭＯＳのソース及びドレイン領域の高濃度拡散層を同時形成することにより、工程簡略化を図り、コスト低減を実現する。例文帳に追加

After a sidewall 27 is formed, only a sidewall of a gate electrode sidewall in an LDMOS source region opened corresponding a resist pattern 28 is removed, and high-density diffusion layers of source and drain regions of the LDMOS and the scaled MOS are formed at the same time to simplify the steps, thereby reducing the cost. - 特許庁

従って、基板４の背面側に、ファイヤーウォール、リーンホース、オーディオ装置などの金属製部材が配置されている場合、ＧＰＳ衛星からの電波が金属製部材により反射されてこの基板に反射電波により起電力が生じてもその基板端部に流れる電流を小さくすることができる。例文帳に追加

As a result, when metallic members such as a fire wall, a reinforcement, audio unit or the like, are arranged on the back of the board 4, current flowing at the end of the board 4 is reduced even when an electromotive force is generated on the board 4 by the radio waves from a GPS satellite that are reflected on the metallic members. - 特許庁

サイドウォール部のカーカス層とインナーライナー層との間にランフラット性を付与するための断面三日月形状のサイド補強層を配置した空気入りタイヤにおいて、前記インナーライナー層の厚さ（ｍｍ）と５０％引っ張りモジュラス（ＭＰａ）との積を１０以上とした空気入りタイヤ。例文帳に追加

In this pneumatic tire in which a side reinforcement layer 10 having a crescent shape in section for applying a run flat property is provided between a carcass layer 4 of a side wall part 3 and an inner liner layer 7, a product of a thickness (mm) of the inner liner layer 7 and a 50% tensile modulus (Mpa) is more than 10. - 特許庁

その後は、たとえば第１のゲートエッチング箇所より内側の側壁にサイドウォール絶縁層を形成した後に、第１のゲートエッチング後に残った絶縁膜部分に対し第２のゲートエッチングを行い、絶縁膜５を開口し、この開口から逆導電型の不純物をチャネル形成不純物領域４内に導入して、ゲート不純物領域を形成する。例文帳に追加

Thereafter, a sidewall insulating layer is formed on a sidewall located on an inner side of a first gate etched part, the residual part of the film 5 is subjected to second gate etching to bore an opening in the insulating film 5, and reverse type impurities are introduced into the channel formation impurity region 4 through the opening to form a gate impurity region. - 特許庁

シリコン窒化膜１１０は、ＰＭＯＳ領域１００ｐおよびＮＭＯＳ領域１００ｎにおいて、サイドウォールとしてのシリコン窒化膜１０６の両側壁に形成され（第１のストレスライナー膜）、シリコン窒化膜１１２は、ＮＭＯＳ領域１００ｎにおいて、フルシリサイドゲート電極１０３およびシリコン窒化膜１０６，１１０を覆うように形成される（第２のストレスライナー膜）。例文帳に追加

A silicon nitride film 110 is formed on both sidewalls of a silicon nitride film 106 as a sidewall in a PMOS region 100p and in an NMOS region 100n (a primary stress liner film), and a silicon nitride film 112 is formed in the NMOS region 100n such that it covers a full silicide gate electrode 103 and silicon nitride films 106 and 110 (a secondary stress liner film). - 特許庁

本発明は、カッティングフレームと、カッティングフレームに設置された軸受けブラケットと、カッティングフレームに、軸受けブラケットとは離して設置される駆動装置と、軸受けブラケット内に設置されるトランスミッションまたはギアと、軸受けブラケット内のトランスミッションに駆動トルクを伝える駆動シャフトとを有するトレンチウォールカッタに関する。例文帳に追加

The trench wall cutter comprises a cutting frame, a bearing bracket arranged on the cutting frame, a drive mechanism which is arranged on the cutting frame but is kept away from the bearing bracket, a transmission or a gear arranged in the bearing bracket, and a drive shaft transmitting a drive torque to the transmission in the bearing bracket. - 特許庁