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ウォールを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 3587



例文

このため、ファイヤーウォール50と端末装置10との間にLDAP中継装置20を介在させるだけで、端末装置10と該LDAP中継装置20との間では、LDAPによる通信が確立され、端末装置10からは、専用線を通じてLDAPサーバ70に直接アクセスする場合と全く同様の操作でアクセスすることができる。例文帳に追加

Consequently, communication is established by LDAP between the terminal 10 and the LDAP repeater 20 by simply interposing the LDAP repeater 20 between a firewall 50 and the terminal 10, and it is accessible from the terminal 10 by an operation quite similar to the operation for accessing the LDAP server 70 directly through a leased line. - 特許庁

空気入りタイヤTに所定の荷重を負荷した荷重負荷状態にて、該空気入りタイヤTをドラム上で走行させながら、前記荷重負荷状態においてサイドウォール部Taの外表面が最もタイヤ軸方向外側に突出する最大突出位置Pに向かってオゾンを噴出させる走行工程を具える。例文帳に追加

The crack testing method for pneumatic tires includes a traveling step for traveling a pneumatic tire T on a drum in a load bearing state with a predetermined load applied to the pneumatic tire T and jetting ozone towards a maximum projecting position P where an outer surface of a side wall part Ta in the load bearing state, is maximally projected to a tire axial direction outward. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板101における素子分離領域102によって分離された活性領域104上に形成されたPMOSトランジスタであって、このPMOSトランジスタは、活性領域104上に形成されたゲート絶縁膜105bと、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極106bと、サイドウォール108bと、ソース・ドレイン拡散層領域107bとを備える。例文帳に追加

A semiconductor device is the PMOS transistor formed on an active region 104 of a semiconductor substrate 101 isolated by an element isolation region 102, and the PMOS transistor has a gate insulating film 105b formed on the active region 104, a gate electrode 106b formed on the gate insulating film, a sidewall 108b, and a source/drain diffused layer region 107b. - 特許庁

一対のビード部11内にそれぞれ埋設したビードコア21相互間にわたり、一対のサイドウォール部12およびトレッド部13を補強する1プライ以上のゴム被覆ラジアル配列コードからなるカーカス22と、その外周でトレッド部を強化する少なくとも1層のベルト23a〜23dとを備える大型空気入りラジアルタイヤである。例文帳に追加

The large pneumatic radial tire comprises a carcass 22 consisting of one or more plies of rubber covered radial array cord for reinforcing a pair of a side wall part 12 and a tread part 13 between bead cores 21 which are respectively embedded in a pair of bead parts 11, and at least one layer of belts 23a-23d for reinforcing the tread part on its outer circumference. - 特許庁

例文

また、半導体装置は、シリコン基板1の主面内に選択的に形成されたソース・ドレイン領域7と、シリコン基板1の主面内において、サイドウォール6及びゲート構造から露出するソース・ドレイン領域7の上面から、ゲート構造の端部の下方にまで延在して形成されたCoシリサイド層8とを備えている。例文帳に追加

Furthermore, this semiconductor device comprises a source/drain region 7 selectively formed in the main plane of the silicon substrate 1, and a Co silicide layer 8 formed, so as to extend from the upper plane of the source/drain region 7 exposed from the sidewall 6 and the gate structure downward of an end part of the gate structure, in the principal plane of the silicon substrate 1. - 特許庁


例文

天然ゴム20〜80質量%ならびにエポキシ化天然ゴム、ブタジエンゴムおよびスチレンブタジエンゴムからなる群から選ばれる少なくとも1種のゴム20〜80質量%を含むゴム成分100質量部に対して、シリカ含有率が95質量%以上である表面処理シリカを10〜50質量部含有するサイドウォール用ゴム組成物に関する。例文帳に追加

The rubber composition for a sidewall includes 10-50 pts.mass of surface treatment silica having a silica content of 95 mass% or more, based on 100 pts.mass of rubber component containing 20-80 mass% of natural rubber and 20-80 mass% of at least one type of rubber selected from the group consisting of epoxidized natural rubber, butadiene rubber and styrene-butadiene rubber. - 特許庁

無目を有さずガラスの自重を方立に固定したガラス受け部材を介して支持させるようにしたカーテンウォール構造において、層間変位時にガラスの破損を防止するとともに、上下方向に隣接するガラス間の目地幅を方立、ガラスの温度ムーブメントを考慮した最小寸法とし、かつ方立の見付け幅寸法を小さくする。例文帳に追加

To lessen face width size of a mullion by preventing damage of a glass during interlayer displacement, making the mullion of joint width between the adjacent gasses in upper and lower directions, and making the minimum size considering temperature movement of the glass in a curtain wall structure supported through a glass receiving member fixing self weight of glass without having a transom on the mullion. - 特許庁

薄膜SOIデバイスにおいて、▲1▼超高選択比エッチング条件にてサイドウォールを形成し、SOI層の膜減の量を極力低減すること、▲2▼安定した高い電流駆動能力を持つこと、▲3▼高歩留まりを実現することの可能な電解効果トランジスタの製造方法及びエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a field-effect transistor manufacturing and etching methods that can (1) form a sidewall on condition of very high selective etching and reduce as much film decrease in an SOI layer as possible in a thin film SOI device, (2) have a stable and high current drive capability, and (3) realize a high yield. - 特許庁

タイヤ特性をシミュレーションにより解析するためのタイヤモデル作成方法であって、コード補強材を含むタイヤボディ部を再現したタイヤボディ部要素モデルを作成するステップと、少なくともサイドウォールを含むゴム部を再現したゴム部要素モデルを作成するステップと、前記タイヤボディ部要素モデルと前記ゴム部要素モデルを結合するステップとを含む。例文帳に追加

The tire model generation method for analyzing the tire characteristic with the use of a simulation includes a step for generating a tire body element model which reproduces a tire body comprising a cord reinforcing material, a step for generating a rubber element model which reproduces a rubber comprising at least a side wall, and a step for coupling the tire body element with the rubber element model. - 特許庁

例文

これに続いて、絶縁膜9をエッチングストッパとして、半導体基板1の主面上に堆積した酸化シリコンを主成分とする絶縁膜を異方性のドライエッチングによりエッチバックすることにより、ゲート電極5aの側壁にサイドウォール10を形成し、半導体基板1へのダメージ層の形成を防ぐ。例文帳に追加

In succession, using the insulating film 9 as an etching stopper, an insulating film whose main component is silicon oxide deposited on the main surface of the semiconductor substrate 1 is etched back through an anisotropic dry etching method, whereby a side wall 10 is formed on the side wall of the gate electrode 5a so as to prevent a damage layer from being formed on the semiconductor substrate 1. - 特許庁

例文

天然ゴム30〜70質量部およびブタジエンゴム70〜30質量部からなるジエン系ゴム100質量部に対し、ヨウ素吸着量(IA)が25〜50g/kgのカーボンブラック30〜60質量部およびレシチン0.1〜10質量部を配合してなることを特徴とするタイヤサイドウォール用ゴム組成物。例文帳に追加

The rubber composition for tire sidewall is obtained by blending 30-60 pts.mass of carbon black having an iodine adsorption number (IA) of 25-50 g/kg and 0.1-10 pts.mass of lecithin with respect to 100 pts.mass of diene-based rubber comprising 30-70 pts.mass of natural rubber and 70-30 pts.mass of butadiene rubber. - 特許庁

特定金融機関のウェブ・サーバ20と関連カード会社のウェブ・サーバ38との間のインターネット30経由での情報の送受に、関連カード会社のVPNルータ36と協働してVPN通信を適用するための特定金融機関のVPNルータ26を、ウェブ・サーバ20とは別のセグメントとして外部ファイヤウォール14に接続する。例文帳に追加

A VPN router 26 of a particular financial agency is connected to an external firewall 14 as another segment than a web server 20 in order to apply VPN communication to transmission/reception of information between the web server 20 of the particular financial agency and a web server 38 of a related card company via the Internet 30 in cooperation with a VPN router 36 of the related card company. - 特許庁

本発明のサイドウォール用ゴム組成物は、ゴム成分とポリピロールとを含み、該ゴム成分は、天然ゴム成分を80質量%以上含み、該ポリピロールは、担体に担持されることなく直接的に該ゴム成分中に配合されるものであって該ゴム成分100質量部に対して1質量部以上15質量部以下含まれることを特徴とする。例文帳に追加

This sidewall rubber composition of the present invention contains a rubber component and polypyrrole, the rubber component contains 80 mass% or more of natural rubber component, and the polypyrrole is compounded directly in the rubber component without being carried by a carrier, and is contained at 1 pt.mass or more to 15 pts.mass or less with respect to 100 pts.mass of the rubber component. - 特許庁

本発明は、トレッド部30からサイドウォール部20を通りビードコア40に至るカーカス50と、トレッド部30の下方域に備えられたベルト層60と、カーカス50とベルト層60との間にタイヤ周方向に螺旋巻きされた補強コード71からなる補強層70とを備えている。例文帳に追加

The pneumatic tire is equipped with carcass 50 leading from the tread part 30 to a bead core 40 via a side wall part 20, a belt layer 60 formed in a region under the tread part 30, and a reinforcing layer 70 consisting of cords 71 provided between the carcass 50 and the belt layer 60 in such a way as being wound spirally in the tire circumferential direction. - 特許庁

天然ゴム、イソプレンゴムおよびブタジエンゴムからなる群から選ばれる少なくとも1種のゴム成分100重量部に対して、下記式(式中、mは2〜6の整数、nは2〜400の整数を示す)で表される構造を有するサルファイドポリマーを1.0〜15.0重量部含有するサイドウォールおよび/またはクリンチ用ゴム組成物。例文帳に追加

The rubber composition for sidewall and/or clinch contains 100 pts.wt. of at least one kind of rubber component selected from natural rubber, isoprene rubber and butadiene rubber and 1.0-15.0 pts.wt. of a sulfide polymer having a structure expressed by formula (1) (m is an integer of 2-6; and n is an integer of 2-400). - 特許庁

フッ素イオン注入領域形成用のフッ素イオン注入、p型LDD6形成用のイオン注入後で、かつ、ゲート電極3,23のサイドウォールの形成前に900℃以上の熱処理を行うことにより、フッ素イオン注入による結晶欠陥を回復することが出来,その結果pチャネル型MOSトランジスタのリークレベルを低くすることができ,かつリークのばらつきも小さくできる。例文帳に追加

A crystal defect caused by the implantation of a fluorine ion can be recovered to decrease the leak level of the p-channel MOS transistor and a fluctuation in the leak by the steps of implanting a fluorine ion for forming the fluorine ion implantation region, implanting ion for forming a p-tyep LDD6, and heat treating before forming side walls of gate electrodes 3, 23 at temperatures not less than 900°C. - 特許庁

空気入りタイヤは、カーカスと、トレッドと、カーカスより半径方向外側でかつトレッドより半径方向内側に配置されたベルト補強構造と、各々が一対のビード部の一つより半径方向外側に配置された一対のサイドウォール18と、第1及び第2のインサート40,50と、を有している。例文帳に追加

The pneumatic tire has a carcass; a tread; a belt reinforcement structure arranged at an outer side in a radial direction rather than the carcass and at an inner side in the radial direction rather than the tread; a pair of sidewalls 18 which are arranged at an outer side in a radial direction rather than one of a pair of bead parts; and first and second inserts 40, 50. - 特許庁

製造方法としては、製品タイヤの内面形状にほぼ対応する外周面形状を有する分割タイプの円環状の剛性コア上で生タイヤを形成するにあたり、その剛性コア上に貼着配置したカーカスコードの外側で、剛性コアのクラウン域を隔てた両側部域に、サイドウォール部の配設に先立って、三軸織物からなる補強層素材を配設する。例文帳に追加

In the manufacturing method, a reinforcement layer material composed of three-axis textile is disposed on both side areas across a crown area of a rigid core is disposed on the outer side of a carcass cord affixed to the rigid core before disposing the side wall when forming a fresh tire on the split type annular rigid core having an outer circumferential shape substantially corresponding to the inner surface shape of a product tire. - 特許庁

具体的には、反射防止膜7は、反射防止効果が高くなるように下層絶縁膜3と中間層絶縁膜4の屈折率および膜厚を最適に制御し、かつ、サイドウォール9は、LDD領域を精度良く形成できるように下層絶縁膜4、中間層絶縁膜5および上層絶縁膜6の膜厚を最適に制御する。例文帳に追加

Concretely, in the reflection preventing film 7, refractive index and film thickness of a lower layer insulating film 3 and an intermediate layer insulating film 4 are optimally controlled for raising reflection prevention effect, and in the sidewall 9, the film thickness of the lower layer insulating film 4, the intermediate layer insulating film 5, and the upper layer insulating film 6, is optimally controlled for forming an LDD region accurately. - 特許庁

触媒温度Tが所定上限温度T1以上の高温である場合(ステップS4)には、スプレーガイド方式の成層燃焼を行い(ステップS10)、触媒温度Tが所定下限温度T2以下の低温である場合(ステップS5)は、ウォールガイド方式の成層燃焼を行う(ステップS8)。例文帳に追加

In the case where the catalyst temperature T is high as much as a predetermined upper limit temperature or more (step S4), spray guide system stratified combustion is performed (step S10), and in the case where the catalyst temperature T is low as much as a predetermined lower limit temperature or less (step S5), wall guide system stratified combustion is performed (step S8). - 特許庁

TEOS酸化膜7を所定の膜厚h1だけ残して異方性ドライエッチングした後、圧力、ガス流量等のエッチング条件を、側壁デポを強くする条件に切り換え、さらにTEOS酸化膜7の異方性ドライエッチングを続行することにより、垂直面11を有するサイドウォール8s,8dを形成する。例文帳に追加

Sidewalls 8s and 8d, which have vertical planes are made by switching the etching conditions such as pressure, gas flow, etc., into the conditions for strengthening the sidewall deposit after anisotropically dry-etching the TEOS oxide film 7, leaving it for a specified thickness h1, and then by continuing the anisotropic dry etching of the TEOS oxide film 7. - 特許庁

管理装置(検疫サーバ31+通信制御サーバ32)は、承認端末(承認PC21)から端末情報を受信して検疫を行い、当該検疫結果に応じた通信設定情報を承認端末へ配布し、承認端末による社内業務サーバ11へのアクセスをVPNおよびパーソナルファイアウォールにより制御する。例文帳に追加

A management device (a quarantine server 31 + a communication control server 32) receives terminal information from an approval terminal (approval PC 21) to conduct quarantine, distributes communication setting information, according to a quarantine result to the approval terminal, and controls access to an in-company business server 11 by the approval terminal by a VPN and a personal firewall. - 特許庁

本発明は、例えば、建物の構築中もしくは構築後において、サッシ、手摺またはカーテンウォール等の取付け・補修工事又はリニュアル工事において、溶接機を使用するためのアースを取り出す方法に関し、作業員のケーブルの運搬取り扱いを容易にすること、動力分電盤のコストを削減することが課題である。例文帳に追加

To facilitate transportation and handling of a cable by operators, and reduce costs for a power distribution board in a method of taking out an earth for using a welding machine in fitting/repair works or renewal works for a sash, a hand rail, or a curtain wall, etc., for instance during or after construction of a building. - 特許庁

オンライン契約画面のURL、社員識別情報、およびその画面に含まれている文字列をファイアウォールに組み込んだ特別な仕掛けで解析することにより、契約を結ぼうとしている社員に対し審査部署への審査依頼画面を表示し、審査部署での審査を経てから契約を結ばせるよう強制的に行動させることにより解決する。例文帳に追加

By analyzing a special mechanism having a URL of an online contract screen, employee identification information, and a character string included on the screen, assembled in a firewall, an examination request screen for the examination department is displayed to the employee trying to close a contract, and the employee is forcibly made to close the contract after an examination by the examination department. - 特許庁

hr−ha≧10、 hs×0.67>hr、 Ha>Hr>Hs (ただし、hrはラバーチェーファの高さ(mm)、haはビードエーペックスの高さ(mm)、hsはタイヤ断面高さ(mm)、HaはビードエーペックスのJISA硬さ(゜)、HrはラバーチェーファのJISA硬さ(゜)、HsはサイドウォールゴムのJISA硬さ(゜)である。)例文帳に追加

Provided that hr is height of rubber chafer (mm), ha is height of bead apex (mm), has is height of tire cross section (mm), Ha is JISA hardness (°) of bead apex, Hr is JISA hardness (°) of rubber chafer and Hs is JISA hardness (°) of side wall rubber. - 特許庁

半導体装置100は、シリコン基板10と、シリコン基板10上にゲート絶縁層16を介して形成されたゲート電極21と、シリコン基板10に形成された第1不純物拡散層18および第2不純物拡散層20と、ゲート電極21の側面部に形成されたサイドウォール絶縁層15a,15bとを含む。例文帳に追加

A semiconductor device 100 comprises a silicon substrate 10, a gate electrode 21 formed on the silicon substrate 10 through a gate insulating layer 16, first and second impurity diffusion layers 18 and 20 formed on the silicon substrate 10, and side wall insulating layers 15a and 15b formed on the side surface part of the gate electrode 21. - 特許庁

除塵設備5は、流入水路3底面から突出してその上を水が越すように構成されて重量ゴミ83の通過を阻止する越流せき51と、水路1増水時に水面から所定の深さまで水中に没するように設置されて浮遊ゴミ81の通過を阻止するカーテンウォール53とを具備する。例文帳に追加

The dust removing equipment 5 is comprised of an overflow weir 51 protruding from a bottom surface of the inflow water way 3 such that water flows thereover, to thereby prevent heavy dust 83 from passing therethrough, and a curtain wall 53 set so as to be immersed in water from a water surface to a predetermined depth when the water way 1 is swollen, to thereby prevent suspended dust 81 from passing therethrough. - 特許庁

サイドウォール54は、下方に向けて肉厚が厚くなるようになっているとともに、上端が拡開孔部28の面と滑らか連続するようになっており、角部34において第2金属配線56を形成する金属膜を堆積するときに、金属膜が角部34において薄くならないようにしてある。例文帳に追加

The thickness of the sidewall 54 becomes thicker toward the lower part, and at the same time, the upper end is connected smoothly to the surface of the hole part 28 which opens wide, so that a metallic film does not become thin at an angled part 34, when the metallic film for forming a second metal wiring 56 is formed at the angle part 34. - 特許庁

外部時刻計測装置1は、時刻監査装置4より受信した信頼時刻情報に基づいて時刻を計測し、外部時刻計測装置1は、信頼時刻情報に基づいて計測する外部時刻を、ファイアウォール3を介して内部ネットワーク内へ通信を行う通信手段とは別の第2通信手段を用いて内部時刻計測装置2へ通知する。例文帳に追加

An external time measuring device 1 measures a time based on reliable time information received by a time audit device 4, and the external time measuring device 1 reports an external time measured based on the reliable time information to an internal time measuring device 2 by using the second communication means which is different from a communication means for communicating into an internal network through a fire wall 3. - 特許庁

広告配信サーバが広告原稿データ102Aや102Bを記憶し、ファイアウォール5−j(jは自然数)により外部からのアクセスを制限されたイントラネット6−j内の組織内メールサーバ2−jや組織内ウェブサーバ3−jは、自ら広告配信サーバ1にアクセスして広告原稿データ102Aや102Bを取得する。例文帳に追加

An advertisement distribution server stores advertisement draft data 102A and 102B, and an intra-organization mail server 2-j and an intra- organization web server 3-j access an advertisement distribution server 1 to obtain the advertisement draft data 102A and 102B, within an intranet 6-j in which an access from the outside is limited by a fire wall 5-j (j is a natural number). - 特許庁

カーテンウォールにおける構造物21の水平方向に隣り合う方立22、22および方立22、22間に位置し鉛直方向に隣り合う無目23、23で囲まれた領域には、周縁部が方立22、22および無目23、23に形成されたガラス溝22a、23aに嵌めこまれたパネル材8が設けられている。例文帳に追加

A panel material 8 having the periphery parts fitted in glass grooves 22a and 23a formed in the mullions 22 and 22, and the transoms 23 and 23 is installed in a region surrounded by the mullions 22 and 22 adjacent in the horizontal direction of the structure 21 in the curtain wall, and the transoms 23 and 23 positioned between the mullions 22 and 22 and adjacent to each other in the vertical direction. - 特許庁

キャビティ1の内部に形成され得る最大の内接円の直径をdとし、キャビティウォール部において、隣接する複数のキャビティ1に接する仮想的な最大円柱の直径をDとしたとき、0.250μm≦d<0.325μm、および0.225μm≦D≦0.400μmの関係が成立している。例文帳に追加

When the diameter of the maximum inscribed circle which can be formed inside the cavities 1 is made as d, and the diameter of the virtual maximum column connected to the plurality of adjacent cavities 1 is made as D in the cavity wall part, following relations are established 0.250 μm≤d<0.325 μm, and 0.225 μm≤D≤0.400 μm. - 特許庁

セル構造は、(i)ワードゲートの両サイド上の酸化膜−窒化膜−酸化膜(ONO)の積層膜上にサイドウォール制御ゲートを配設すること、および(ii)自己整合によって制御ゲートおよびビット不純膜を形成し、高集積のために隣接するメモリセル間の制御ゲートおよびビット不純膜を共有することによって実現される。例文帳に追加

A cell structure is realized by (i) providing a side wall control gate on the laminated film of oxide film, nitride film, oxide film (ONO) on both sides of a ward gate, and (ii) forming a control gate and a bit impurity film by self-alignment so that the control gate and the bit impurity film are shared between adjoining memory cells due to high integration. - 特許庁

本発明に係るタービン翼は、翼本体6のうち、腹側4および背側5のそれぞれの中間位置から後縁3に至るまでに翼面粗さ管理領域9を設ける一方、翼本体6の両端を挟設支持するダイアフラム外輪7およびダイアフラム内輪8のそれぞれに翼エンドウォール表面粗さ管理領域10a,10bを設けた。例文帳に追加

This turbine blade is provided with a blade surface roughness managed area 9 from each center position to a trailing edge 3 of a belly side 4 and a back side 5 in a blade body 6 and is provided with blade end wall surface roughness managed areas 10a, 10b on a diaphragm outer ring 7 and a diaphragm inner ring 8 gripping and supporting both ends of the blade body 6. - 特許庁

撮像領域の複数のフォトダイオードとその周辺回路領域の各MOSトランジスタが混載された固体撮像装置10において、フォトダイオード表面の反射防止膜7と、MOSトランジスタのゲート電極3の側壁に設けられるサイドウォール9とを、3層の絶縁膜4〜6を積層してフォトリソグラフィーとドライエッチングにより同時に同一工程で形成する。例文帳に追加

In the solid-state imaging apparatus 10 whereon a plurality of photodiodes in an imaging region and each MOS transistor in its peripheral circuit region are loaded together, a reflection preventing film 7 of a photodiode surface and a sidewall 9 provided to a side wall of a gate electrode 3 of the MOS transistor are formed simultaneously in the same process, by photolithograpy and dry etching by laminating three layers of insulating films 4 to 6. - 特許庁

トレッド部2からサイドウォール部3を経てビード部4のビードコア5に至る本体部6aと、該本体部6aに連なり前記ビードコア5の周りをタイヤ軸方向内側から外側に折り返された折返し部6bとを有する少なくとも1枚のカーカスプライ6Aを具えた空気入りタイヤ1である。例文帳に追加

The pneumatic tire 1 is provided with at least one sheet of carcass ply 6A having a body part 6a reached from a tread part 2 to a bead core 5 of the bead part 4 via a side wall part 3 and a folded/returned part 6b continued to the body part 6a and folded from an inner side in a tire axial direction to an outer side around the bead core 5. - 特許庁

配合する充填剤の種類および組合せによらず、加工性に優れるとともに、加硫処理を施して加硫ゴムとしたときに、ウエットスキッド特性、低ヒステリシスロス性、耐摩耗性、破壊強度のバランスに優れた、低燃費用タイヤ、大型タイヤ、高性能タイヤのトレッド用材料やサイドウォール部材として有用な共役ジオレフィン(共)重合を提供すること。例文帳に追加

To provide a conjugated diolefin (co)polymer which has excellent processability without depending on the kinds and combination of added fillers, is vulcanized to produce the vulcanized rubber having a wet skid characteristic, a low hysteresis loss property, abrasion resistance and a breaking strength in an excellent balance, and is useful as a material for the treads and side walls of low fuel cost tires, large tires and high performance tires. - 特許庁

高層ないし超高層の集合住宅建物において、建物の外周部に外周柱9と外周梁10とによる鉄筋コンクリート造の高剛性の外周ラーメン架構1を設けるとともに、当該建物の中心部を取り囲むように鉄筋コンクリート造の連層耐震壁からなる高剛性のコアウォール2を設ける。例文帳に追加

In this multistory or ultra-multistory multiple dwelling house, a high-rigidity outer peripheral rigid frame structure 1 made of reinforced concrete is formed with outer peripheral columns 9 and outer peripheral beams 10 at the outer peripheral section of the building, and high-rigidity core walls 2 formed with a multi-story shear wall made of reinforced concrete are provided so as to surround the central section of the building. - 特許庁

インナーライナレスのタイヤにおいて、カーカス6のプライ本体部6aとサイドウォールゴムSgとの間に、バットレス部を含む範囲YUに配される外サイド補強ゴム層13Uと、その半径方向内方かつビード部4に至る範囲YLに配される内サイド補強ゴム層13Lとからなる補強部13を設ける。例文帳に追加

An inner liner-less tire is provided with a reinforcing part 13 composed of an outer side reinforcing rubber layer 13 U disposed in a range YU including a buttress part and an inner side reinforcing rubber layer 13L disposed on a range YL up to the radial direction inward and a bead part 4 between a ply body part 6a of a carcass 6 and a side wall rubber Sg. - 特許庁

半導体素子を収納するためのパッケージを構成するリッド、ウォール、キャップ、スティフナーなどの部品において、合成樹脂に磁性材料を60〜99体積%含有し、且つ前記磁性材料が無配向である電磁波抑制体で形成し、その表面あるいは内部に導電層を設けて半導体素子収納用パッケージ部品を構成する。例文帳に追加

Components such as a lid, a wall, a cap and a stiffener for constituting this package for the semiconductor element are formed of the electromagnetic wave suppression material in which a magnetic material is contained for 60-99 volume % in synthetic resin and the magnetic material is non-oriented, a conductive layer is provided on the surface or in the inside and this package component for the semiconductor element is constituted. - 特許庁

トレッド部と、サイドウォール部と、ビード部とからなり、これら各部をビード部内に埋設されたビードコア相互間にわたり補強し、タイヤ赤道面に対して60〜90度をなすコードをゴムで被覆した少なくとも1層のカーカスプライからなるカーカス層と、少なくとも1層のスパイラルベルトを具備する自動二輪車用空気入りタイヤである。例文帳に追加

This pneumatic tire consists of a tread part, sidewall part, and bead part, and includes a carcass layer formed of at least one layer of a carcass ply with a rubber-covered cord forming 60-90° relative to a tire equatorial plane for reinforcing the respective parts between bead cores buried in the bead part, and at least one layer of a spiral belt. - 特許庁

本発明の固体撮像装置の製造方法では、撮像領域であるA領域と、NMOSトランジスタが設けられるB領域とに、ゲート絶縁膜4と、ゲート電極5, 6, 7と、ゲート電極7の側面上に設けられるサイドウォール13と、各不純物拡散層8, 9, 10とを形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the solid-state image pickup device, gate insulating films 4, gate electrodes 5, 6, and 7, side walls 13 provided on the side faces of the gate electrodes 7, and impurity diffusing layers 8, 9, and 10, are formed in an area A which is the image pickup area and another area B in which an NMOS transistor is provided. - 特許庁

ソース、ドレイン領域のゲート電極29の端部から離隔した深い不純物拡散層部分34、35を先に形成し、その後ゲート電極29の側壁に形成した積層構造のサイドウォールスペーサ32の一部を除去し、ゲート電極29に隣接する浅い不純物拡散層36、37を後から形成することにより、不純物拡散層36、37の低温での熱処理を可能とする。例文帳に追加

Deep impurity diffused layer parts 34, 35, isolated from the ends of gate electrodes 29 at source and drain regions, are formed first, then sidewall spacers formed in a laminate structure on the sidewalls of the gate electrodes 29 are partly removed, and shallow impurity diffused layers 36, 37 adjacent the gate electrodes 29 are later formed to allow the diffused layers 36, 37 to be heat treated at low temp. - 特許庁

複数のブロックBが配置されたトレッド部2と、このトレッド部2の両端からタイヤ半径方向の内側に向かってのびる一対のサイドウォール部3とを具えるとともに、トレッド部2のトレッド端2t間のタイヤ軸方向距離であるトレッド幅TWが、タイヤ最大幅をなす不整地走行用の自動二輪車用タイヤ1である。例文帳に追加

The tire for motorcycle 1 for running irregular ground includes a tread 2 in which a plurality of block are arranged; and a pair of sidewalls 3 which extend toward inside of a tire radial direction from both ends of the tread 2, and wherein the tread width TW which is the tire axial direction distance between tread ends 2t of the tread 2 in the tire axial direction makes tire maximum width. - 特許庁

天然ゴム20〜80重量%ならびにエポキシ化天然ゴム、ブタジエンゴムおよびスチレンブタジエンゴムからなる群から選ばれる少なくとも1種のゴム20〜80重量%を含むゴム成分100重量部に対して、シリカ含有率が95重量%以上である乾式シリカを10〜50重量部含有するサイドウォール用ゴム組成物。例文帳に追加

The rubber composition for a sidewall contains 10-50 pts.wt. dry silica containing at least 95 wt.% silica, relative to a 100 pts.wt. rubber component comprised of a 20-80 wt.% natural rubber and at least one sort of rubber of 20-80 wt.% selected from the group consisting of an epoxidized natural rubber, a butadiene rubber, and a styrene-butadiene rubber. - 特許庁

バッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置10において、プロセスチューブ11を封止するキャップ20に保持パイプ52と全反射面57を有した導波棒56とを備えたL字形状の放射温度計50を挿通し、放射温度計50は放射温度計50からの計測温度でヒータ32をフィードバック制御するコントローラ33に接続する。例文帳に追加

In a batch type vertical hot wall heat treatment apparatus 10, an L letter shape radiation thermometer 50 having a holding pipe 52 and a wave guide bar 56 having a total reflection surface 57 is inserted into a cap 20 for sealing a process tube 11 to connect the radiation thermometer 50 to the controller 33 for feedback controlling a heater 32 according to a measured temperature by the radiation thermometer 50. - 特許庁

環状に配列された複数のタービン翼Bのハブ側および/またはチップ側に位置するタービン翼列エンドウォール10であって、前記タービン翼Bの後縁から下流側に向かって、最初は緩やかに、最後は急に下降していくとともに、隣接するタービン翼Bの背面に沿って延びる稜線を有する第1の凸部13が設けられている。例文帳に追加

This turbine blade cascade end wall 10 is positioned on the hub side and/or the tip side of a plurality of turbine blades B arranged in an annular shape, and is provided with a first projection part 13 having a ridgeline lowering gently at first and suddenly in the end, and extending along a back face of the adjacent turbine blades B, toward the downstream side from the trailing edge of the turbine blades B. - 特許庁

触媒層用担体としてカーボンナノウォール(CNW)等のナノサイズ構造を有する炭素系多孔性材料を気相成長させる工程と、触媒成分及び/又は電解質成分を該触媒層用担体上に担持・分散させる工程とを含む燃料電池用触媒層の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the catalyst layer for the fuel cell comprises a process of growing a carbonaceous porous material as a carrier of a catalyst layer having a nano-sized structure like carbon nano-wall (CNW), by vapor deposition; and a process of making the catalytic component and/or the electrolyte component to be carried/dispersed on the carrier of the catalyst layer. - 特許庁

自己整合コンタクト技術を行う半導体装置の製造方法において、オフセット絶縁膜、サイドウォール絶縁膜、エッチングストッパ層等を窒化シリコン膜で形成すると、成膜時に発生した水素によって、ホウ素の基板への突き抜けが生じ、それによって、トランジスタ特性を劣化させていた問題の解決を図る。例文帳に追加

To solve a problem of deterioration of transistor characteristics that a in a method for manufacturing a semiconductor device which carries out a self-aligning contact technique, if an offset insulation film, a side wall insulation film, an etching stopper film and the like are formed with a silicon nitride film, there occurs piercing into a substrate made of boron with hydrogen generated when a film is formed. - 特許庁

例文

ゲート電極脇の半導体基板上にエピタキシャル成長層からなるソース・ドレインを備えた半導体装置の製造方法であって、シリコンからなる半導体基板1上にゲート絶縁膜2aを介してゲート電極3aを形成し、ゲート絶縁膜2aおよびゲート電極3aの側壁にTEOSサイドウォール5を形成する。例文帳に追加

In the manufacturing method of the semiconductor device provided with a source/drain made of an epitaxial growth layer on a semiconductor substrate near a gate electrode, the gate electrode 3a is formed on the semiconductor substrate 1 made of silicon via a gate insulating film 2a, and a TEOS sidewall 5 is formed on the gate insulating film 2a and a side wall of the gate electrode 3a. - 特許庁

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