「ウォール」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体装置の製造方法において、シリコン基板２１に、下から順に第１の酸化膜２２、第１の窒化膜２３、第２の酸化膜２４、第２の窒化膜２５が積層された層状構造２６を形成し、この層状構造２６に窒化膜のサイドウォール２８ａを形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the semiconductor device, a layered structure 26 is formed for which a first oxide film 22, a first nitride film 23, a second oxide film 24 and a second nitride film 25 are laminated in the order from the bottom on a silicon substrate 21, and the sidewall 28a of a nitride film is formed on the layered structure 26. - 特許庁

主に、ウォールペーパーステレオグラムといわれる情報画像複数個を並列配置したものと、プリントして立体容器になつた場合の、情報画像全体の中心位置の対面する場所に、立体画像を出現させる焦点の目やすとして、ポイントマークを、プリントする。例文帳に追加

A plurality of information images, parallely arranged called a wall paper stereogram is mainly printed, and on an opposed place of a central position of the whole information image, upon formation of a three-dimensional vessel by printing, a point mark is printed as a standard of a focus for making the three-dimensional image appear. - 特許庁

隣接する任意の２枚のカーテンウォールユニットＣＵの対向する１対の縦枠２、２、横枠３ａ、３ｂのそれぞれの外側に、縦枠や横枠の間の隙間２０、６１を塞ぐウインドバリアガスケット２２、８０の基端部を装着した縦溝１４ｂ、横溝７１ｂを設ける。例文帳に追加

A vertical groove 14b and a horizontal groove 71b where the base end parts of the wind barrier gaskets 22, 80 blocking the gaps 20, 61 between the vertical frame and the horizontal frame are mounted are provided outside a pair of vertical frames and a pair of horizontal frames 3a, 3b opposite to each other of two arbitrary adjacent curtain wall units CU. - 特許庁

製造工程数が増加するのを抑制しながら、第１素子のゲート電極および第２素子の電極部のそれぞれの側面を覆うサイドウォール絶縁膜の幅を異ならせることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which sidewall insulating films, covering side surfaces of a gate electrode of a first element and an electrode portion of a second element, can be made different in widths, while increase in manufacturing man-hours is suppressed. - 特許庁

半導体基板１０上のＰＭＯＳ領域には第１のゲート絶縁膜１８を介してｐ型ゲート電極１９が形成され、該ｐ型ゲート電極１９の側面には相対的に大きい膜厚を有する第１のサイドウォール２５が形成されている。例文帳に追加

In a PMOS region on a semiconductor substrate 10, a p-type gate electrode 19 is formed via a first gate insulating film 18, with a first sidewall 25 of a relatively thick film formed on the side surface of the p-type gate electrode 19. - 特許庁

社内ネットワーク１とインターネット２との間に接続されたファイヤウォール１０を介して、インターネット２上の端末装置５０と社内ネットワーク１上の業務サーバ４０とが通信を行うネットワークシステムにおいてセキュリティの向上を図る。例文帳に追加

To provide a network system with enhanced security wherein a terminal 50 on the Internet 2 and a job server 40 on an in-house network 1 make communication via a firewall 10 connected between the in-house network 1 and the Internet 2. - 特許庁

サイドウォール１０７が形成されたシリコン基板１０１の素子形成面全面に、Ｎｉ膜１１５を形成した後、シリコン基板１０１を加熱し、ソース・ドレイン領域１０９においてシリコン基板１０１とＮｉ膜１１５とを反応させる。例文帳に追加

After an Ni film 115 is formed to the entire part of the element forming surface of the silicon substrate 101 on which the sidewall 107 is formed, the silicon substrate 101 is heated to react between the silicon substrate 101 and the Ni film 115 in the source-drain region 109. - 特許庁

外装型電磁波シールド建造物、外装型電磁波シールド階層建物、外装型電磁波シールド建造物用型材の製造方法、外装型電磁波シールド建造物の窓部構造、及び外装型電磁波シールドカーテンウォールの腰部構造例文帳に追加

EXTERNAL FACING TYPE ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELD STRUCTURE EXTERNAL FACING TYPE ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELD HIERARCHICAL BUILDING, MANUFACTURING METHOD FOR EXTERNAL FACING TYPE ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELD STRUCTURE FORMED SECTION, WINDOW STRUCTURE OF EXTERNAL FACING TYPE ELECTROMAGETIC WAVE SHIELD STRUCTURE AND EXTERNAL FACING TYPE ELECTROMAGNETIC SHIELD CURTAIN - 特許庁

前記カーカス６は、トレッド部２からサイドウォール部３を経てビード部４のビードコア５に至る本体部６ａに前記ビードコア５の回りを折り返した折返し部６ｂを一体に設けた少なくとも１枚のカーカスプライ６Ａを含む。例文帳に追加

The carcass 6 comprises at least one carcass ply 6A which is a combination of a main part 6a extending from a tread part 2 through a sidewall 3 to a bead core 5 of a bead part 4, and a folded rim part of the bead core 5. - 特許庁

加硫直後の空気入りタイヤをインフレート状態で保持するタイヤ保持手段と、インフレート状態で保持された前記空気入りタイヤの上下のサイドウォール部を、それぞれ冷却水を用いて冷却する冷却手段とを具える。例文帳に追加

The post cure inflator includes: a tire hold means for holding a vulcanized pneumatic tire in an inflation state; and a cooling means for using cooling water to cool down side wall parts at an upper and lower parts of the pneumatic tire held in the inflation state. - 特許庁

ショルダー１８の曲率半径Ｒ１及び平坦部２０の傾斜角度θの数値が入力部によって入力されると、演算部が、平坦部２０の距離Ｌ及び上部サイドウォール２２の曲率半径Ｒ２を算出する。例文帳に追加

When the numerics of a curvature radius R1 of the shoulder 18 and the angle θ of inclination of the flat part 20 are input by an input part, an arithmetic part calculates the distance L of the flat part 20 and the curvature radius R2 of the upper side wall 22. - 特許庁

ｎ型ＭＩＳトランジスタは、半導体基板１０における第１の活性領域１０ａ上に順次形成された第１のゲート絶縁膜１３ａ及び第１のゲート電極１４ａと、第１のゲート電極１４ａの側面上に形成された第１のサイドウォール１６ａとを備えている。例文帳に追加

The n-type MIS transistor includes a first gate insulating film 13a and a first gate insulating electrode 14a which are sequentially formed on a first active region 10a in the semiconductor substrate 10, and a first side wall 16a formed on the side surface of the first gate electrode 14a. - 特許庁

ロータリシャッタ２０は、互いに対向して配置される上シャッタ及び下シャッタと、ロータリシャッタ２０の周壁を構成する合成樹脂製のシャッタウォールと、カートリッジケース１０のガイド孔１２４から突出するように形成されたシャッタノブ２４と、を備えている。例文帳に追加

The rotary shutter 20 includes upper and lower shutters arranged to face each other, a synthetic resin shutter wall constituting the peripheral wall of the rotary shutter 20, and a shutter knob 24 formed to project from the guide hole 124 of the cartridge case 10. - 特許庁

サイドウォール部２（タイヤ本体）の外皮を、ワックス、老化防止剤及びシリコーンオイルを実質的に含まず、かつ、ゴム、カーボンブラック、無機鉱物及びタルクからなる群より選ばれた少なくとも１種の成分を含む被覆層７で覆う。例文帳に追加

An outer skin of a side wall part 2 (a tire body) is covered by a cover layer 7 containing at least one kind of component selected from a group consisting of a rubber, a carbon black, inorganic ores and talc while substantially containing no wax, age resistor or silicone oil. - 特許庁

製造工程を増加させることなく、フォトダイオード表面に設けられた反射防止膜の膜厚およびＭＯＳトランジスタのゲート電極側壁に設けられたサイドウォール厚を適正に制御して、高性能な固体撮像装置を作製する。例文帳に追加

To manufacture a high performance solid-state imaging apparatus by properly controlling the thickness of a reflection preventing film provided to a photodiode surface, and the thickness of a sidewall provided to a gate electrode side wall of an MOS transistor without increasing manufacturing process. - 特許庁

次に、多結晶シリコン膜１１５を堆積し、選択的エッチングによってＰＭＯＳのゲート電極側壁に多結晶シリコン膜１１５のサイドウォールを形成し、ＮＰＮトランジスタの外部ベース領域１２０ａとＰＭＯＳのソース／ドレイン領域１２０ｂを同時に形成する。例文帳に追加

A polycrystalline silicon film 115 is deposited, the sidewall of the polycrystalline silicon film 115 is formed on the gate electrode sidewall of a PMOS through selective etching, and an external base region 120a of the NPN transistor and a source/drain region 120b of the PMOS are formed at the same time. - 特許庁

トレッド部２からサイドウォール部３を通りビード部４のビードコア５に至るカーカス６と、カーカス６の半径方向外方かつ前記トレッド部２の内方に配されたトレッド補強コード層７とを具える自動二輪車用タイヤ１である。例文帳に追加

The tire 1 for a motorcycle is equipped with a carcass 6 extended from a tread part 2 through a sidewall part 3 up to the bead core 5 of a bead part 4, and with a tread reinforcing cord layer 7 disposed both outward in the direction of the radius of the carcass 6 and inward of the tread part 2. - 特許庁

生タイヤの成型に当って、円筒状に形成したカーカスバンド３の、ビードコア２間に位置する中央部分を半径方向外方へ膨出変形させた状態で、その膨出カーカスバンドの外周側に、未加硫ゴムのストリップ４を巻回してサイドウォール７等を形成する。例文帳に追加

In a state wherein the shape of the central portion of a cylindrically formed carcass band 3 positioned between bead cores 2 is changed to swell outward radially, on the occasion of molding a raw tire, a side wall 7 or the like is formed by winding a strip 4 of an unvulcanized rubber around on the outer peripheral side of the swelling carcass band. - 特許庁

配管１０５、１０６を通じてホットウォール炉１０３に供給されたソースガスは、この炉内であらかじめ熱分解され、その分解成分がチャンバ１０１のステージ１０２上に供給されてウエハ１の表面に膜を形成する。例文帳に追加

The source gas which is supplied to the hot wall furnace 103 through pipes 105, 106 is thermally decomposed previously in the furnace, and its decomposed component is supplied above a stage 102 of the chamber 101 and forms a film on the surface of the wafer 1. - 特許庁

トレッド部２からサイドウォール部３を経てビード部４のビードコア５に至るトロイド状のカーカス６と、前記カーカス６の内側に配された断面略三日月状をなすサイド補強ゴム９とを具えたランフラットタイヤ１である。例文帳に追加

The run flat tire 1 is provided with a toroidal carcass 6 formed from a tread part 2 to a bead core 5 of a bead part 4 through a side wall part 3 and a side reinforcing rubber 9 having a nearly crescent cross section and arranged inside the carcass 6. - 特許庁

サイドウォール部に取り付く少なくとも１個の歪センサと、この歪センサのタイヤ軸芯廻りの位相角度θを測定する角度センサとを用い、走行中のタイヤ歪εを測定してセンサ出力波形データＤ（Ｖ、θ）をうる。例文帳に追加

A tire strain ε during travelling is measured to obtain sensor output waveform data D (V, θ) using at least one strain sensor attached to a sidewall and an angle sensor for measuring a phase angle θ around a tire shaft core of this strain sensor. - 特許庁

トレッド部２からサイドウォール部３を経てビード部４のビードコア５に至るトロイド状のカーカス６を具え、かつトレッド部２の内部にタイヤ周方向に延在するパンク防止用のシール剤９を配した空気入りタイヤ１である。例文帳に追加

This pneumatic tire comprises a toroidal carcass 6 extending from a tread 2 to the bead core 5 of a bead part 4 through a side wall part 3 and a puncture preventing sealant 9 arranged within the tread 2 so as to extend in the tire circumferential direction. - 特許庁

上部電極３５ａを構成するＰｔ膜３５の上にコンタクトが設けられておらず、導体サイドウォール４０，ダミー下部電極３３ｂ，ダミーセルプラグ３０及び局所配線２１ｂによって上部電極３５ａが上層配線（Ｃｕ配線４２）に接続されている。例文帳に追加

A contact is not provided on the Pt film 35 constituting the upper electrode 35a, and the upper electrode 35a is connected to upper wiring (Cu wiring 42) by a conductor sidewall 40, a dummy lower electrode 33b, a dummy cell plug 30, and the partial wiring 21b. - 特許庁

大重量であるトレッド部25に形成された周方向溝42に搬送用爪57を挿入することで、未加硫タイヤ41を把持しながら搬送するようにしたので、サイドウォール部24に掛かる荷重が小さくなり、この結果、未加硫タイヤ41の搬送中における垂れ下がり変形が効果的に抑制される。例文帳に追加

Since an unvulcanized tire 41 is fed while grasped by inserting feed pawls 57 in the peripheral groove formed to a tread part 25 large in weight, the load applied to a side wall part 24 becomes little and, as a result, the sagging deformation of the unvulcanized tire 41 during feed is effectively suppressed. - 特許庁

フィルタを介して排ガスが流通するフィルタ経路と、フィルタ経路を迂回するフィルタ迂回経路と、を備えた半フィルタ構造体１を上流側に配置し、ウォールフロー構造のフィルタ触媒２をその下流側に配置した。例文帳に追加

A semi-filter structure 1 having a filter route for flowing exhaust gas therein through a filter and a filter bypass route bypassing the filter route is disposed on the upstream side, and a filter catalyst 2 of wall flow structure is disposed on the downstream side. - 特許庁

それから、絶縁膜４を異方性ドライエッチングすることにより、下部電極配線Ｍ０の上面上の絶縁膜４を除去し、かつ隣り合う下部電極配線Ｍ０間に絶縁膜４の一部をサイドウォールＳＷとして残す。例文帳に追加

Subsequently the insulating film 4 is subjected to anisotropic dry etching, thereby removing the insulating film 4 on the top face of the lower electrode wiring MO, and a part of the insulating film 4 is left undone as a sidewall between the adjacent lower electrode wirings MO. - 特許庁

ネットワーク構成の画像処理システムにおいて、ファイアーウォールを越えてのデータ通信に対応するとともに、画像データに基づいて画像形成したときに得られる印刷結果がユーザにとって見易く、使い易いものとなるようにした画像処理システムを提供することである。例文帳に追加

To provide an image processing system of a network configuration that copes with data communication beyond a firewall whereby a print result obtained in the case of image forming on the basis of image data can be easily viewed and used by a user. - 特許庁

その後、ＴＥＯＳ膜１４、薄いゲート酸化膜５及び厚いゲート酸化膜６をドライエッチングすることにより、ゲート層７，８の側壁にサイドウォール１５を形成すると共に、ＬＯＣＯＳ３に囲まれた領域におけるシリコン基板１のＰウエル２の表面を露出させる。例文帳に追加

The TEOS film 14, a thin gate oxide film 5 and a thick gate oxide film 6 are then dry-etched to form sidewalls 15 on the sidewalls of the gate layers 7, 8 and also expose the front surface of the P well 2 of the silicon substrate 1 in a region surrounded by the LOCOS3. - 特許庁

本発明は、カーテンウォールをファスナーによる取り付け方法によらないで、取付け作業が非常に容易に行え、かつ強耐性に優れたカーテンワォールの建物躯体への取付け方法およびそれに用いるカーテンワォールの取り付け構造を提供するものである。例文帳に追加

To provide a method of mounting a curtain wall to a building skeleton, and curtain wall mounting structure used for the method making curtain wall mounting work extremely easy without using a mounting method by a fastener, and having extremely strong resistance. - 特許庁

カーテンウォール２０は、隣接する複層ガラス間の目地部に、目地部を封止する樹脂製のレインバリアシール３０が設けられ、隣接する複層ガラスの各小口面との間で外部と略等圧な等圧空間３２、３４が形成される。例文帳に追加

This curtain wall 20 is constituted by providing a resin-made rain barrier seal 30 for sealing the joint part in the joint part between adjacent double glazing and forming the pressure equalization spaces 32, 34 having substantially equal pressure to the atmospheric pressure in the outside between each of end surfaces of adjacent double glazing and it. - 特許庁

不織布を構成するフィラメント繊維の表面には、硫黄と反応可能な金属または金属化合物の被膜が形成されており、この被膜がフィラメント繊維と被覆ゴムとの接着性を向上させているので、サイドウォール部１０の耐久性を更に向上することができる。例文帳に追加

The surface of a filament fiber comprising the nonwoven fabric is formed with a metal film or metal compound film capable of reacting with sulfur, the film improves the adhesion performance between the filament fiber and the coating rubber so as to improve the durability of the sidewall part 10. - 特許庁

通信環境が悪化して通信系路上でのパケットの欠落が生じても確実な情報伝達が可能とし、受信データ補間処理によりデータ欠落を防止し、ファイアウォール越えの通信端末との通信を可能にする。例文帳に追加

To provide a voice data transmission reception system which surely transmits information even when missing of packets takes place on a communication system path owing to deteriorated communication environment, and prevents missing of data by received data interpolation processing so as to attain communication with a communication terminal beyond a firewall. - 特許庁

行政機関と一般のボランティア活動参加者と情報交換を実現し、それぞれの情報交換が独自のネットワーク内で行え、かつ混乱を防止する公開情報の制限や外部侵入のファイヤウォールとセキュリティ対策を講じることにある。例文帳に追加

To realize information exchange between an administrative organ and a volunteer activity participant, conduct the information exchange in a peculiar network system, conduct limitation of public open information to prevent confusion, and adopt a firewall against invasion from the outside and a countermeasure for security. - 特許庁

サイドウォール絶縁膜５は、メタルゲート電極４の下層部の側壁に形成された第１絶縁膜６と、第１絶縁膜６の外側であって、メタルゲート電極４の側壁全体に形成された第２絶縁膜７とを有する。例文帳に追加

The side wall insulation film 5 consists of a first insulation film 6 formed on a lower part of the side wall of the metal gate electrode 4, and a second insulation film 7 which is outside the first insulation film 6 and is formed on the overall side wall of the metal gate electrode 4. - 特許庁

トレッド部２からサイドウォール部３をへてビード部のビードコアに至るカーカス６と、このカーカス６の半径方向外側かつトレッド部２の内部に配されるバンド層９とを具える自動二輪車用タイヤ１である。例文帳に追加

A motorcycle tire 1 includes: a carcass 6 leading to a bead core of a bead part through a sidewall part 3 from a tread part 2; and a band layer 9 arranged in the outside of a radial direction of the carcass 6 and the inside of the tread part 2. - 特許庁

ゲート電極３の側壁に設けられたサイドウォールスペーサ９の下に、抵抗層を構成するｎ^+型半導体領域８ｂと同一の相対的に高い不純物濃度と相対的に深い接合深さとを有するｎ^+型半導体領域８ａを設ける。例文帳に追加

There is provided, under a side wall spacer 9 provided in a side wall of a gate electrode 3, an n+ type semiconductor region 8a which is the same as an n+ type semiconductor region 8b constituting a resistance layer, and has relatively high impurity concentration and a relatively deep junction depth. - 特許庁

絶縁性サイドウォールスペーサ１０８Ａの外側で且つ掘り下げ部１２１の底面の近傍に位置する部分の半導体基板１０１中に、低濃度ドレイン領域１０５Ａ２に囲まれるように高濃度ドレイン領域１０９Ａ２が形成されている。例文帳に追加

A high-concentration drain region 109A2 is formed, so as to be surrounded by the low-concentration drain region 105A2, in a region located outside the insulating sidewall spacer 108A and near the bottom surface of the one dug-down portion 121 in the semiconductor substrate 101. - 特許庁

情報端末装置８ａ〜８ｃが、インターネットのネットワーク１０と通信を行う場合には、スイッチング・ハブ５は、ファイア・ウォール６を介して入力したメッセージを、ネットワーク７にのみ出力し、ネットワーク３側には出力しない。例文帳に追加

When the information terminals 8a-8c make communication with the Internet 10, the switching hub 5 outputs a message received via a firewall 6 to only the network 7 but does not output the message to the network 3. - 特許庁

その後、積層膜サイドウォールをＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン形成用注入マスクとして使用した後、第２酸化膜を選択的に除去する際、フッ酸と無機酸（塩酸，硫酸など）とを含む混合水溶液でウェットエッチングする。例文帳に追加

Thereafter, at the time of using the laminated film side wall as an injection mask for forming the source/drain of an MIS transistor and then selectively removing the second oxide film, wet etching is performed with a solution mixture containing hydrofluoric acid and inorganic acid (hydrochloric acid or sulfuric acid or the like). - 特許庁

トレッド部２からサイドウォール部３を経てビード部４のビードコア５に至るカーカス６と、このカーカス６のタイヤ半径方向外側かつトレッド部２の内部に配されたベルト層７とを具えた空気入りタイヤ１である。例文帳に追加

The pneumatic tire 1 includes a carcass 6 leading from a tread part 2 to a bead core 5 of a bead part 4 via a sidewall part 3, and a belt layer 7 arranged on the outer side in the tire radial direction of the carcass 6 and inside the tread part 2. - 特許庁

パッシブソーラーシステムの集熱および排熱層としての機能を持たせ、多様な仕上に対応する外壁の外断熱工法、同工法を用いた外断熱用コンクリート打込み型枠パネル、カーテンウォール工法用外断熱壁パネル例文帳に追加

OUTER THERMAL INSULATING CONSTRUCTION METHOD OF EXTERIOR WALL COPING WITH VARIOUS FINISHING WITH FUNCTION OF HEAT COLLECTING AND HEAT EXHAUST LAYER OF PASSIVE SOLAR SYSTEM, CONCRETE PLACING FORM PANEL FOR OUTER THERMAL INSULATION USING THE CONSTRUCTION METHOD, AND OUTER THERMAL INSULATING WALL PANEL FOR CURTAIN WALL CONSTRUCTION METHOD - 特許庁

従って、ネットワークに直接接続される通信端末に、ＶＰＮ、ファイアウォール、ウィルスチェックなどの機能が備わっていない場合においても、携帯型電子デバイスに搭載されているこれらのセキュリティ確保手段を利用して、安全性の高い通信を行える。例文帳に追加

Consequently, even when the communication terminal to be directly connected to the network is not provided with functions such as a VPN, firewall and virus check, communication with high safety is performed using security means loaded on the portable electronic device. - 特許庁

厚いゲート絶縁膜と著しく薄いゲート絶縁膜を形成し、サイドウォール形成前、厚いゲート絶縁膜は貫通しない第１導電型のイオン注入と、厚いゲート絶縁膜も貫通する逆導電型の斜めイオン注入を行う。例文帳に追加

A thick gate insulating film and a remarkably thin gate insulating film are formed, and ion implantation of a first conductive type which does not penetrate the thick gate insulating film and oblique ion implantation of the opposite conductivity type which also penetrates the thick gate insulating film are performed before formation of the sidewall. - 特許庁

ユーザ端末１から社内ネットワーク１０に対するアクセスを受けると、そのユーザ端末１の端末情報をキーにして、アクセス情報ＤＢ５からユーザ情報を取得し、そのユーザ情報をファイアウォール８に送信して認証の実施を依頼するように構成する。例文帳に追加

This OA management system is constituted so that user information is acquired from an access information DB 5 by using terminal information of a user terminal 1 as a key when access to a corporate network 10 is performed from a user terminal 1, the user information is transmitted to the firewall 8 and execution of the authentication is requested. - 特許庁

次に、積層型ゲート電極２０を覆う第４の絶縁膜の上にＣＶＤ法により第５の絶縁膜を堆積した後、第５の絶縁膜及び第４の絶縁膜に対して異方性エッチングを行なって積層型ゲート電極２０の側面に第１のサイドウォール２７を形成する。例文帳に追加

Next, after a fifth insulating film is deposited by a CVD method on a fourth insulating film covering the laminated gate electrode 20, anisotropic etching is performed for the fifth insulating film and the fourth insulating film and a first side wall 27 is formed on the side of the laminated gate electrode 20. - 特許庁