「ウォール」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

タイヤのサイドウォール部におけるベアを発生させることなく、しかも、そこにおけるスピューの数を最小限に抑え、スピュー切除のための工程を廃止しもしくは短縮化するとともに外観性能向上させることのできるタイヤの製造方法、それに用いられるタイヤ加硫用金型、ならびに、その製造方法によって形成されたタイヤを提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing process of a tire which can improve in appearance and performance while abolishing a process for spew excision or shortening without generating bare in the side wall part of the tire, moreover, the number of spews in there is suppressed to the minimum, and to provide a tire vulcanizing mold used for it as well as the tire formed of the manufacturing process. - 特許庁

スイッチは、第１通話プロセスサーバーアプリケーションと類似している第２通話プロセスサーバーアプリケーションが第１負荷割当てグループサーバーアプリケーションを形成し、通話プロセスサーバーアプリケーションを遂行する通話アプリケーションノードと、ファイアーウォールサーバーアプリケーションを遂行するネットワークアドレス変換ノードとを含む。例文帳に追加

In the switch, a second speech process server application similar to a first speech process server application forms a first load assignment group server application, and a speech application node for executing speech process server application and a network address conversion node for executing speech process server application are included. - 特許庁

本発明のタイヤは、カーカス１０と、クラウン部１４と、ショルダ３０と、サイドウォールと、ビード領域３２と、ビード領域３２内に位置する２つのビード１２と、アラミド繊維、ポリアミド繊維、液晶性芳香族ポリエステル、炭素繊維、ガラス繊維、および金属繊維を含む群のうちの少なくとも２つでなる少なくとも１つのコードと、を含む。例文帳に追加

The tire includes a carcass 10, a crown portion 14, a shoulder 30, a sidewall, a bead region 32, two beads 12 located within the bead region 32, and at least one cord comprising at least two of the group consisting of an aramid fiber, polyamide fiber, liquid crystalline aromatic polyester, carbon fiber, fiberglass, and metallic fiber. - 特許庁

フッ素及び窒素の少なくとも一方を導入する工程の後に、溝１ａ内に位置する第１の絶縁膜２上に、第２の絶縁膜１５を形成する工程と、第２の絶縁膜１５をエッチバックすることにより、溝１ａの側壁の上部を覆うサイドウォールを形成する工程とを具備してもよい。例文帳に追加

The step for introducing at least one of fluorine and nitrogen may be followed by a step for forming a second insulation film 15 on the first insulation film 2 locate in the trench 1a, and a step for forming a sidewall covering the upper part of sidewall of the trench 1a by etching back the second insulation film 15. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタの低濃度拡散層形成のためのサイドウォール状のオフセットスペーサーを形成する際の半導体基板表面の後退を抑え、かつオフセットスペーサーの形成ばらつきを抑えることにより、トランジスタ特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor device in which a deterioration of transistor characteristics is suppressed by controlling the retreat of substrate surface of the semiconductor device when forming a sidewall-like offset spacer to form a low concentration diffusion layer of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor, and by controlling a variation of forming an offset spacer. - 特許庁

一対のドレインコンタクト１０Ｄ間に位置するドレイン領域８Ｄのうち、少なくともドレインコンタクト１０Ｄのゲート電極４側の端部位置とサイドウォールスペーサー７との間の領域に、ドレイン上シリサイド膜５Ｄが形成されていない高抵抗領域３０Ｄが設けられている。例文帳に追加

In the drain region 8D between a pair of drain contacts 10D, a high-resistance region 30D in which the on-drain silicide film 5D is not formed, is provided at least in a region between a terminal position of a drain contact 10D at the side of the gate electrode 4 and the sidewall spacer 7. - 特許庁

本発明は、焼却炉排ガス中の有機ハロゲン化合物を除去する方法において、ウォールフロー型のセラミックフィルタに有機ハロゲン化合物除去用触媒を担持しかつ当該触媒担持セラミックフィルタの平均細孔径が５〜５０μｍである触媒担持セラミックフィルタを用いることを特徴とする焼却炉排ガス処理方法である。例文帳に追加

This method, for removing organohalogen compounds in the exhaust gas form the incinerator, comprises using the catalyst-deposited ceramic filter which is prepared by depositing a catalyst for removing the organohalogen compounds on the wall flow type ceramic filter and has 5-50 μm average pore size. - 特許庁

電子ファイル管理システムは、外部に設置された外部設置サーバおよび該外部設置サーバと通信する内部設置サーバを備える電子ファイル管理システムであって、外部設置サーバは、ブラウザがインターネットを介してアクセスすることができる公開ウェブサーバと、前記公開ウェブサーバにファイアウォールを介して接続されたウェブデータ管理サーバとを備える。例文帳に追加

Concerning the electronic file managing system provided with an externally installed server installed outside and an internally installed server for communicating with the externally installed server, the externally installed server is provided with a disclosed web server, which can be accessed through the Internet by a browser, and a web data managing server connected through a firewall to the disclosed web server. - 特許庁

スズ変性ブタジエンゴム（ａ）及び／又は下記式（１）で表される化合物により変性されたブタジエンゴム（ｂ）と、アルキルフェノール・塩化硫黄縮合物とを含み、上記アルキルフェノール・塩化硫黄縮合物の含有量がゴム成分１００質量部に対して３〜１０質量部であるサイドウォール補強層用ゴム組成物に関する。例文帳に追加

The rubber composition for a sidewall-reinforcing layer contains a tin-modified butadiene rubber (a) and/or a butadiene rubber (b) modified with a compound represented by formula (1), and an alkylphenol-sulfur chloride condensate, wherein the content of the alkylphenol-sulfur chloride condensate is 3 to 10 pts.mass based on 100 pts.mass of a rubber component. - 特許庁

ユーザネットワークに設けたファイアウォールにユーザとインターネットサービス提供者のセキュリティポリシを設定し、ユーザネットワークへの不正アクセスを防御し、インターネットサービス提供者ネットワークへの不正アクセスもユーザネットワークで防御し、不正アクセスのトラヒック増加を防止する。例文帳に追加

To set the security policy of a user and the security policy of an Internet service provider in a firewall set in a user network in order to prevent any unauthorized access to the user network, and to prevent an unauthorized access to the Internet service provider network by the user network, and to prevent the traffic increase of the unauthorized access. - 特許庁

このカーカスプライ形成用の加硫前の生カーカスプライ３０の外面に、実質的に一定の厚さをなすシート状の生サイドウォールゴムＮｓｇを貼り付けて予め複合カーカスプライ３１を形成した後、該複合カーカスプライ３１を成形ドラムＤに巻回して円筒状の複合カーカスプライ巻回体４２を形成する。例文帳に追加

After a compound carcass ply 31 is previously formed by adhering a sheet shaped green side wall rubber Nsg with a substantially fixed thickness to the outer face of a green carcass ply 30 before vulcanized for forming the carcass ply, a compound carcass ply wound body 42 is formed by winding the compound carcass ply 31 on a forming drum D. - 特許庁

変化する攻撃状況への高いフレキシビリティおよび迅速な適応可能性に関して、本方法は、攻撃を表すデータパケットに関する情報が、さらなる分析のために攻撃検出システム（７）または攻撃検出システムと協働するシステムに提供されるように、ファイアウォール（５）が攻撃検出システム（７）によって設定されることを特徴とする。例文帳に追加

Regarding high flexibility and prompt adaptability to changing attacking state, this method is characterized in that the firewall (5) is set by the attack detection system (7) so that information regarding the data packet representing the attack is provided in the attack detection system (7) or a system in cooperation with the attack detection system for further analysis. - 特許庁

収集エージェント１０には、文書収集装置を制御する制御部１と、文書リポジトリ７の文書の文書属性を取得する文書属性取得部２、及び文書情報をファイアウォール１１とインターネット１２を経由して収集サーバ２０に送信する文書属性送信部４と文書送信部５がある。例文帳に追加

A collection agent 10 is provided with a control part 1 for controlling the document collection device, a document attribution acquisition part 2 for acquiring document attribution in a document repository 7, and a document attribution transmission part 4 and a document transmission part 5 which transmit document information to a collection server 20 via the firewall 11 and the Internet 12. - 特許庁

コンピュータ３がネットワーク接続４，５を介してのアクセスに対してファイヤウォール６により守られており、コンピュータ３がデータを伝送しない通信接続２が、コンピュータ３へのアクセス権付与を開始するため、またはコンピュータ３から少なくともコンピュータ１，１１へのデータ伝送をするために設けられている。例文帳に追加

The computer 3 is protected by a fire wall 6 to access through network connections 4 and 5, and a communication connection 2 by which the computer 3 does not transmit data is provided in order to begin investing of access right to the computer 3 or in order to transmit data from the computer 3 to at least the computers 1 and 11. - 特許庁

ゲート電極またはゲート電極を形成するためのダミーゲート電極１１をパターニング後、絶縁膜２０を堆積し、エッチバックによりゲート電極またはダミーゲート電極の上部を露出させたのち、ここに第一の側壁２２を設け、続いてエッチバックを行うことにより、ゲートサイドウォール２０、２１を設ける。例文帳に追加

After a gate electrode or a dummy gate electrode 11 for forming the gate electrode is patterned, an insulation film 29 is deposited, and after the upper part of the gate electrode or the dummy electrode is exposed by an etch-back, a first sidewall 22 is provided there, and successively, gate sidewalls 20, 21 are provided by performing an etching-back. - 特許庁

真空処理容器内に被処理基板１０を搬入し加熱または冷却された処理台１３上に搭載して所定の処理を施すコールドウォール型真空処理を行う半導体製造装置に適用される基板搭載方法であり、被処理基板を処理台上に搭載する前に例えば一時的に停止させる方法である。例文帳に追加

In a substrate mounting method used in a semiconductor producing apparatus for conveying a substrate 10 into a vacuum treatment container and mounting the substrate on a treatment board 13 cooled or heated to perform predetermined treatments for a cold wall vacuum treatment, the apparatus is halted before the substrate to be subjected to the treatment is mounted on the treatment board. - 特許庁

再生紙のような選択された材料内への包み込みが可能でコンベヤー装置上での製造が可能でセッコウ・ウォールボード同様の外観と取り扱いを提供するセッコウボードの様な芯材の創作を目的として制御された発熱性反応を提供するべく各種の充填材と組み合わされる一例がリン酸一カリウムと酸化マグネシウムである新規な結合剤を使用する。例文帳に追加

A new binder consisting in one embodiment of monopotassium phosphate and magnesium oxide and combined with various fillers, is used to provide a controlled exothermic reaction to create a gypsum board-like core which can be wrapped in a selected material such as recycled paper and be produced on a conveyor device to appear and handle like gypsum wallboards. - 特許庁

空気入りタイヤ１０は、ビードコア間にトロイダル状に跨り、側端部分がビードコア１２の周りで半径方向外方に巻き上げられてなる折り返し部分１４Ｅを有するカーカスプライ１４と、サイドウォール部１６のタイヤ内側に設けられ、タイヤ半径方向の断面形状が略三日月状である補強ゴム２０と、を備えている。例文帳に追加

The pneumatic tire 10 is provided with a carcass ply 14 having a fold-back part 14E troidally laid between bead cores and having a side end radially outwardly curled up around the bead core 12; and a reinforcement rubber 20 provided on the tire inner side of the side wall part 16 and having an approximately crescent cross section in a radial direction of the tire. - 特許庁

本発明は、天然ゴム、シリカ及びシランカップリング剤を混練りする工程１と、上記工程１で得られた混練物１、ステアリン酸及び酸化亜鉛を混練りする工程２と、上記工程２で得られた混練物２及びエポキシ化天然ゴムを混練りする工程３とを含むサイドウォール用ゴム組成物の製造方法に関する。例文帳に追加

Provided is the method for producing the rubber composition for the sidewall, which includes: a step 1 for kneading a natural rubber, silica, and a silane coupling agent; a step 2 for kneading a kneaded product 1 obtained by step 1, stearic acid, and zinc oxide; and a step 3 for kneading a kneaded product 2 obtained by step 2 and an epoxidated natural rubber. - 特許庁

シリコン基板１０に電荷転送領域ａを設け、電荷転送領域ａを覆うように電荷転送電極１２と光電変換領域ｂを形成し、遮光膜１４および反射防止膜１５を堆積してから全面エッチバックを行い、電荷転送電極１２の側面に反射防止膜１５のサイドウォール膜１５’を残す。例文帳に追加

A charge transfer region a is provided on a silicon substrate 10, a charge transfer electrode 12 and a photoelectric conversion region b are formed to surround the charge transfer region a, and etchback is performed over the entire surface after a shading film 14 and an antireflection film 15 are deposited to leave the sidewall film 15' of the antireflection film 15 on the side of the charge transfer electrode 12. - 特許庁

この発明は、絶縁膜を形成するのに用いるコールドウォール型熱処理炉１０において、反応管１１内に配置した炭化珪素からなるサセプタ１３を光照射により加熱し、サセプタ１３上に載置した、最上層が炭化珪素である半導体基板１４に熱処理を施して絶縁膜を形成することを特徴としている。例文帳に追加

In a cold-wall-type heat treating furnace 10 used to form an insulating film, a susceptor 13 that is formed of silicon carbide and is disposed in a reaction tube 11 is heated by light irradiation so as to heat-treat a semiconductor substrate 14 which is placed on the susceptor 13 and the top layer of which is formed of silicon carbide, thereby forming an insulating film. - 特許庁

半導体層２は、平面視において、ゲート電極４と重なる第１領域２ｃと、第１領域２ｃの外側に隣接し、かつサイドウォール膜６ａと重なる第２領域と、第２領域の外側に隣接し、かつソース電極７またはドレイン電極８と直接接続されている第３領域とを含む。例文帳に追加

The semiconductor layer 2, in plane view, includes a first area 2c piled on the gate electrode 4, a second area which is adjacent to the outside of the first area 2c and is piled on the side wall films 6a, and a third area which is adjacent to the outside of the second area and is directly connected with the source electrode 7 or the drain electrode 8. - 特許庁

ファイアウォール１２は、モバイル端末３からインターネット２経由でｈｔｔｐと、ホスト名ｒｅｌａｙを含むドメイン名と、サービス名と、マシン名と、特定ポート番号とを含むＵＲＬを指定したアクセス要求が送られると、当該要求をリレーサーバ１３の対応ポートに出力する。例文帳に追加

When an access request is sent from a mobile terminal 3 through the Internet 2 while designating a URL containing an http, a domain name containing a host name relay, a service name, a machine name and a specified port number, a firewall 12 outputs the relevant request to the correspondent port of a relay server 13. - 特許庁

タイヤを製造する方法は、タイヤ組み立てドラムにインナライナを取り付けるステップと、シーラント組成物を先細りのサイドウォールを有するストリップとして押し出すステップと、ストリップを所望の長さに切断するステップと、シーラントを２つまたは３つ以上の区域内でインナライナに取り付けるステップとを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a tire includes the steps of: mounting an inner liner onto a tire building drum; extruding a sealant composition as a strip which has a shrinking sidewall; cutting the strip to a desired length; and attaching the sealant to an inner liner in two, or three or more zones. - 特許庁

キャパシタ下部電極１２１形成前に、深さ方向によってドライエッチングレートが低くなる原子層蒸着で成膜されたシリコン窒化膜を用い、キャパシタ下部電極とスタックセル側壁の間に、上部が正の曲率を有し、下部が負の曲率を有する形状のサイドウォール１１９を形成する。例文帳に追加

Prior to forming the bottom electrode 121 of the capacitor, a side wall 119 having a positive curvature in the upper part while having a negative curvature in the lower part, is formed between the bottom electrode of the capacitor and the stack cell, using a silicon nitride film deposited by atomic layer deposition wherein a dry etching rate becomes lower in the depthwise direction. - 特許庁

複数のガラス板１を１枚ずつ順次揚重して上下の支持枠２ａ、２ｂの間に並べて設置することでガラスカーテンウォールを施工するに際し、揚重した１枚のガラス板を上下の支持枠の間の任意の位置に自立させた状態で装着した後、そのガラス板を上下の支持枠をガイドとして横方向に移動させて設置位置に導き、そこで位置決めを行って固定する。例文帳に追加

A plurality of glass sheets are uplifted one by one in sequence and installed side by side between the upper and lower support frames 2a, 2b to execute a curtain wall. - 特許庁

監視制御用のコマンドやステータスを電子メールで送受信可能な形式に変換することによって、インターネットとファイアウォールを経由して、電子メールの送受信による機器の監視制御を行う遠隔監視制御システムに係り、複数の汎用メール端末、複数の監視制御サイト間の処理を効率的に行えるようにすることことを課題とする。例文帳に追加

To efficiently perform processing among plural general mail terminals and plural supervisory and control sites in a remote supervisory and control system for supervising and controlling equipment by transmitting/receiving electronic mail through the Internet and firewalls by converting a command or status for supervisory and control into a format capable of transmitting/ receiving by electronic mail. - 特許庁

サイドウォール部２に配設されたスチールコードを有するカーカス層４よりタイヤ内側に、電磁波により通信するアンテナ１２を有する送信機１１を配置した空気入りタイヤにおいて、カーカス層４よりタイヤ外側でかつアンテナ１１の近傍に、アンテナ１１から発信される電磁波を受信機に誘導するための誘導アンテナ２０を設置する。例文帳に追加

In the pneumatic tire having the transmitter 11 with antenna 12 communicating through electromagnetic wave provided inside of the tire than a carcass layer 4 including steel cord provided in a side wall part 2, a guide antenna 20 for guiding electromagnetic wave sent from the antenna 11 to a receiver is provided outside of tire than the carcass layer 4 and adjacent to the antenna 11. - 特許庁

ＶＰＮによる暗号化通信とモバイルファイアウォールによるパケットフィルタリングとを同時に利用可能とすることによって、不具合要因となるパケットの排除を行いながら秘匿通信を行うことを可能とし、また、移動通信端末機におけるＶＰＮ機能使用時のユーザの負担軽減及び利便性の向上を図ること。例文帳に追加

To provide a VPN communication system capable of making secret communication while excluding packets causing a defect by utilizing VPN encryption communication and packet filtering by mobile firewall at the same time and relieving a load imposed on users and improving the convenience when mobile communication terminals use the VPN functions, and a VPN tunnel forming method. - 特許庁

この金型２を用いて製造されたタイヤの少なくとも１つのサイドウォールは、米国材料試験協会（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｔｅｓｔｉｎｇ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）の鏡面光沢度規定Ｄ５２３−８９による６０°光沢度を使用して計測したときの表面光沢度が１０よりも大きい表面を備えている。例文帳に追加

At least either sidewall of a tire manufactured in the mold 2 has a surface having a surface glossiness of more than 10 as measured under a 60° gloss reading per the specular gloss designation D523-89 of American Society for Testing and Materials. - 特許庁

本半導体装置のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部４０は、拡散層取り出し電極２２が、第１の層間絶縁膜３８を貫通し、ＳｉＮキャップ層３６で停止する導電性サイドウォール４２を拡散層取り出し電極２２の周りに有することを除いて、従来のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部１０と同じ構成を備えている。例文帳に追加

The TAT DRAM cell portion 40 of the semiconductor device is equipped with the same structure as a conventional TAT DRAM cell portion 10, except that diffusion-layer extracting electrode 22 penetrates a first interlayer dielectric film 38 and has a conductive sidewall 42 stopped at a SiN cap layer 36 around the diffusion-layer extracting electrode 22. - 特許庁

カーカス部６をタイヤのサイドウォール部４とトレッド部３に延出させると共にトレッド部３にはトレッドゴム８を積層した自転車タイヤ１において、前記カーカス部６の外側に気密性を有するアウターライナー７を配置することによってチューブレスタイヤを形成しており、トレッド部３においてはトレッドゴム８がアウターライナー７を兼ねている。例文帳に追加

In this tubeless tire 1 for a bicycle comprising a carcass part extended to a side wall part 4 and a tread part 3, and a tread rubber 8 laminated on the tread part 3, an outer liner 7 having gas tightness is disposed on the outer side of the carcass part 6, where the tread rubber 8 also acts as the outer liner 7. - 特許庁

排ガス入口流路を構成するセルの内表面にアルカリ金属を含まないＮＯｘ捕捉触媒層を設け、排ガス出口流路を構成するセル内表面に少なくともアルカリ金属を含むＮＯｘ捕捉触媒層を設けることを特徴とし、ディーゼル内燃機関の排ガス中のＰＭ，ＮＯｘ，ＨＣ，ＣＯを効果的に浄化できる、ウォールフロー型触媒化モノリスハニカムフィルタ及びそれを用いた浄化装置である。例文帳に追加

A wall flow type catalyzed monolithic honeycomb filter and a purifying apparatus using the filter are provided with a NOx trapping catalyst layer containing no alkali metal on the inner surface of the cell constituting the entrance passage of the exhaust gas, and with a NOx trapping catalyst layer containing at least an alkali metal on the inner surface of the cell constituting the exit passage of the exhaust gas. - 特許庁

開口部１０５に連通するトレンチ１０６ａを第２層間絶縁膜１０６に形成した後、レジストパターン１０７と第１ストッパ層１０５及びサイドウォール２０２ａをマスクにして第１層間絶縁膜１０４をエッチングし、トレンチ１０６ａ下部の第１層間絶縁膜１０４部分に接続孔１０４ａを形成する。例文帳に追加

After a trench 106a, communicating with the aperture 105a, is formed in the film 106, the film 104 is etched using a resist pattern 107, the layer 105 and the sidewall 202a as masks and a connection hole is formed in the part of the film 104 under the lower part of the trench 106a. - 特許庁

非晶質シリコンからなる下部電極２０を多結晶シリコンからなるコンタクト電極１７およびサイドウォール膜１６の上に形成した後、ＮＨ_4 ＯＨとＨ_2 Ｏ_2 とを含む水溶液をエッチング液に用いたウェットエッチングにより下部電極２０をエッチングし、その表面層を除去する。例文帳に追加

A method for manufacturing the capacitor comprises the steps of forming the lower electrode 20 made of an amorphous silicon on the contact electrode 17 made of a polycrystalline silicon and a sidewall film 15, then etching the electrode 20 through wet etching, by using an aqueous solution containing NH4OH and H2O2 as an etching liquid, and removing the surface layer. - 特許庁

ファイアウォールを設定することに伴うデータの重複や無断な処理を回避することができ、しかも正当なクライアントへのサービスの提供を停止することなく、サーバへの意図的な攻撃によって、当該サーバの機能が停止したりするのを防止することが可能な情報処理装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an information processing apparatus, which can avoid data duplication or non-permitted processing accompanied with configuring a firewall, and prevent stop of server functions due to intended attacks to servers without stop of service providing to authorized clients. - 特許庁

サイドウォール部２にランフラット走行を可能にする補強層９を配置し、トレッド部１のカーカス層５の外周側に、タイヤ周方向Ｔに対して傾斜角度αで傾斜配列した補強コードｆ１，ｆ２をタイヤ周方向Ｔに対して逆向きに配列した２層のベルト層１０，１１を配置したランフラットタイヤである。例文帳に追加

In this run-flat tire, a reinforcing layer 9 for enabling run-flat traveling is arranged in a side wall part 2, and two belt layers 10 and 11 in which reinforcing cords f1 and f2 inclined and arrayed at an inclined angle α to a tire peripheral direction T are arrayed in an opposite direction of the tire peripheral direction T are arranged. - 特許庁

ＳＩＰ用に確立した呼接続用チャネルと同一チャネルを使用してＴ．３８データ転送を行っており、ウェルノウンポートを使用してデータ転送することができるので、メモリ等のリソースを軽減できるとともに、ファイアーウォール越しに通信する場合や、あるいは、ネットワーク通信装置がＮＡＴを介して通信する場合でも、適切にＴ．３８データ転送が行えるという効果を得る。例文帳に追加

The same channel as a call connection channel that is established for SIP is used to perform T.38 data transfer and a well known port is used to transfer data, thereby obtaining effects such that resources of memories or the like can be reduced and even in communication over a firewall or even when the network communication device performs communication via NAT, T.38 data transfer can be appropriately performed. - 特許庁

ゴム成分１００質量部と、カーボンブラック５質量部以下と、シリカ１０〜４０質量部と、カーボンブラックおよびシリカの他の１種または２種以上の無機フィラーからなる無機フィラー成分５〜３０質量部と、を含有し、ゴム成分は、天然ゴムおよび変性天然ゴムの少なくともいずれかからなる、サイドウォール用ゴム組成物を提供する。例文帳に追加

This rubber composition for a side wall comprises 100 pts.mass of a rubber component, ≤5 pts.mass of carbon black, 10 to 40 pts.mass of silica, and 5 to 30 pts.mass of an inorganic filler comprising one or more inorganic fillers except carbon black and silica, wherein the rubber component comprises at least one of natural rubber and a modified natural rubber. - 特許庁

サイドウォール部３１の表面に、少なくとも、トレッドリング１７上の点に対応する半径方向位置P_1からタイヤ最大幅に対応する半径方向位置P_xより内側まで、タイヤ子午線面上に延在する複数本の凸条２０が周方向に間隔をおいて配列されたグリーンタイヤＧＴを金型１０のキャビティに配置する。例文帳に追加

A green tire GT is addressed to the cavity of a mold 10 which keeps a plurality of protruded bars 20, extending on a tire meridian line surface with the spacing set circumferentially, arranged at least on the surface of the side wall part 31 from the radial position P_1 corresponding to a point on a tread ring 17 to the inside radial position P_x corresponding to the tire maximum width. - 特許庁

この半導体装置は、半導体層１０に設けられた素子分離膜２０と、素子分離膜２０により区画された素子形成領域と、素子形成領域上及び素子分離膜２０上を延伸しているゲート配線１４０と、ゲート配線１４０の側壁に形成されたサイドウォール１５０と、素子分離膜２０上に位置するゲート配線１４０に接続するコンタクト２００とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes: an element separating film 20 provided in a semiconductor layer 10; an element forming region zoned by the element separating film 20; gate wiring 140 extending over the element forming region and the element separating film 20; a sidewall 150 formed on the sidewall of the gate wiring 140; and a contact 200 connected with the gate wiring 140 positioned on the element separating film 20. - 特許庁

シリコン基板１上にゲート酸化膜３、ゲート電極となるポリシリコン膜４、サイドウォール５を形成し、イオン注入による不純物導入によってソース、ドレイン領域を形成した後、コバルト膜６を堆積し、第１の熱処理で第１相のコバルトシリサイド膜７をシリコン基板１およびポリシリコン膜４上に形成し、未反応のコバルト膜６を除去する。例文帳に追加

A gate oxide film 3, a polysilicon film 4 becoming a gate electrode, and a sidewall 5 are formed on a silicon substrate 1, a source-drain region is formed by introducing impurities by ion implantation, and then a cobalt film 6 is deposited, and a first phase cobalt silicide film 7 is formed by first heat treatment on the silicon substrate 1 and the polysilicon film 4 before the unreactive cobalt film 6 is removed. - 特許庁

ファイアウォールを介して予約管理装置と接続された集配計画作成装置は、集配計画を作成すべき時期が到来すると、予約情報の送信を予約管理装置に要求し、受信した予約情報に基づいて集配計画を作成し、集配対象の貴重品の準備に必要な集配情報のみを予約管理装置へ送信する。例文帳に追加

A collection/delivery plan making device connected to the reservation control device via a fire wall requires transmission of the reservation information for the reservation control device when collection/delivery plan making time arrives, and makes a collection/delivery plan on the basis of the received reservation information, and transmits only collection/delivery information required to prepare the valuables of a collection/delivery object. - 特許庁

ヒューズ素子１１のＭＯＳトランジスタのシリサイド層４７ａ、４７ｂは、サイドウォール４９ａ、４９ｂからそれぞれ所定の間隔を隔てて不純物拡散層４６ａ、４６ｂ上に形成するとともに、シリサイド層４７ｄは、ゲート酸化膜４３上のゲート電極４４上を避けるようにしてゲート電極４４上のコンタクト領域に形成する。例文帳に追加

Silicide layers 47a and 47b of the MOS transistor of a fuse element 11 are formed on impurity diffusion layers 46a and 46b at a predetermined distance from sidewalls 49a and 49b, respectively, and a silicide layer 47d is formed on the contact area of a gate electrode 44 so as to avoid the area of the gate electrode 44 on the a gate oxide film 43. - 特許庁

基板１上にゲート電極６、ゲート電極カバー窒化膜５、窒化膜サイドウォール８を形成し、基板表面領域内にｎ^-型半導体領域７、ｎ^+型半導体領域拡散層９を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。例文帳に追加

A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes. - 特許庁