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該当件数 : 40684



例文

本発明は、酸発生剤を含む乱反射防止膜を利用した超微細パターンの形成方法に関し、過量の酸発生剤を添加した有機乱反射防止膜を用いることにより、光源に対する吸光度が多少高めのフォトレジスト樹脂を用いるとしても垂直のパターンを得ることができるパターンの形成方法に関する。例文帳に追加

In the method for forming an superfine pattern by using an irregular reflection preventing film containing an acid generator, an organic irregular reflection preventing film with addition of an excess amount of an acid generator is used so that a pattern having a vertical profile can be obtained even when a photoresist resin having rather high absorbance for the light from the light source is used. - 特許庁

インストラクションレジスタ12〜14とマイクロコード処理機能を有し、アプリケーションデータ格納用メモリ(DM)2にスタック領域を持たせ、メモリ(DM)に対するアドレス制御は、そのスタック領域をアクセスするためのスタックポインタ(SP)20とアドレスポインタ(DP)22をマルチプレクサ21で選択する。例文帳に追加

This programmable controller has instruction registers 12 to 14 and a microcode processing function, an application data storage memory (DM) 2 is made to have a stack region, and for address control over the memory (DM), a multiplexer 21 selects a stack pointer (SP) 20 and an address pointer (DP) 22 for accessing the stack region. - 特許庁

無機反射防止膜105に対してレジストパターン106をマスクに選択的エッチングを行なって、パターン化された無機反射防止膜を形成した後、有機低誘電率膜104に対してパターン化された無機反射防止膜をマスクに選択的エッチングを行なってパターン化された有機低誘電率膜を形成する。例文帳に追加

The inorganic anti-reflection film 105 is selectively etched with a resist pattern 106 as a mask to form a patterned inorganic anti-reflection film 105, and then the organic low dielectric constant film 104 is selectively etched with the patterned inorganic anti-reflection film as a mask to form a patterned organic low dielectric constant film. - 特許庁

露光により液浸型露光用液体中に生成された不純物やレジスト膜から溶出した不純物を、効率よく除去し、液浸型露光用液体の光学的性質を安定させた上で、露光を用いる電子デバイスの生産過程にかかる効率を低下させることなく、液浸型露光用液体の再利用を、現に可能とする精製器を提供すること。例文帳に追加

To provide a refining device capable of efficiently removing impurities generated in the liquid for liquid immersion exposure by exposure and impurities flowing out of a resist film, stabilizing the optical properties of the liquid for liquid immersion exposure, and reusing the liquid for liquid immersion exposure without reducing efficiency in the production process of an electronic device using exposure. - 特許庁

例文

(A)脂肪族環状炭化水素基を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)特定の窒素含有部分構造を分子内に少なくとも一つ有する含窒素化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。例文帳に追加

The positive type resist composition contains (A) a resin having an alicyclic hydrocarbon group and having a velocity of dissolution in an alkali developing solution increased by the action of an acid, (B) a compound which generates an acid when irradiated with active light or radiation and (C) a nitrogen-containing compound having at least one specified nitrogen-containing partial structure in one molecule. - 特許庁


例文

開口部105に連通するトレンチ106aを第2層間絶縁膜106に形成した後、レジストパターン107と第1ストッパ層105及びサイドウォール202aをマスクにして第1層間絶縁膜104をエッチングし、トレンチ106a下部の第1層間絶縁膜104部分に接続孔104aを形成する。例文帳に追加

After a trench 106a, communicating with the aperture 105a, is formed in the film 106, the film 104 is etched using a resist pattern 107, the layer 105 and the sidewall 202a as masks and a connection hole is formed in the part of the film 104 under the lower part of the trench 106a. - 特許庁

化学増幅型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、かつ解像度が優れるとともに、ドライエッチング耐性、感度、パターン形状等にも優れるのみならず、微細加工時の現像欠陥発生を抑制し、半導体素子の歩留りを著しく向上させることができる感放射線性樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition which, as a chemically amplified resist, is high in transparency to radiation and superior in resolution and is not only superior in dry-etching resistance, sensitivity, and pattern shape or the like, but also remarkably improves the yield of semiconductor elements by suppressing the occurrence of development defects during microfabrication. - 特許庁

プラスチックフィルム基材1の表面に、加水分解性オルガノシランの部分加水分解物及び/又は加水分解物からなるシリコーンレジンと、平均粒子径が5nm〜2μmで且つ外殻の内部に空洞が形成された中空シリカ微粒子とを必須成分とするコーティング材組成物の硬化被膜層2を備える。例文帳に追加

The antireflection film has on the surface of a plastic film substrate 1 a cured coating layer 2 of a coating material composition consisting essentially of a silicone resin comprising a partial hydrolyzate and/or a hydrolyzate of a hydrolyzable organosilane and fine hollow silica particles of 5 nm to 2 μm average particle diameter with a hollow formed in an outer shell. - 特許庁

スイッチング能動素子5とスイッチング能動素子保護膜7が形成されたTFTアレイ基板9上に、カラーフィルタ膜11を形成した後、パターニングされたエッチングレジスト10を用いて、カラーフィルタ膜11とスイッチング能動素子保護膜7を同時にドライエッチングしコンタクト部位6を形成する。例文帳に追加

On a TFT array substrate 9 where the switching active element 5 and a switching active element protection film 7 are formed, a color filter film 11 is formed and then a contact part 6 is formed by processing the color filter film 11 and switching active element protection film 7 at the same time by dry etching using patterned etching resist 10. - 特許庁

例文

このため前記Auメッキ層44をメッキ形成する際に、シアンを含むメッキ液が前記Cuメッキ層43の存在により前記レジスト層42とCu基板40間に浸透せず、スパイラル接触子を所定形状に適切且つ確実に成形でき、またピット等の不具合が生じるのを抑制できる。例文帳に追加

Thus, at the time of forming the Au plating layer 44, the cyanogen-containing plating liquid is not infiltrated between the resist layer 42 and the Cu substrate 40 owing to the presence of the Cu plating layer 43, spiral contacts can suitably and securely be formed into a prescribed shape, and the generation of failures such as pits can be suppressed. - 特許庁

例文

光電変換装置の一部を構成するP型半導体基板上の光センサで受光され、光電変換された電荷を伝達する伝達回路にNchトランジスタのみで構成された光電変換回路とその出力回路をソースフォロア回路を用いて構成し、シフトレジスタからの初期化信号、リセット信号、読み出し信号及びビット選択信号に基づき、シグナル電圧と基準電圧とを出力した。例文帳に追加

A signal voltage and a reference voltage are outputted, based on an initialization signal from a shift resistor, a reset signal, a read signal, and a bit selection signal. - 特許庁

本発明のフォトマスクは、ローカルフレアの原因となるフォトマスク上のパターンのクリアフィールド領域1Aにおける開口部を、フォトレジストが完全に解像することができる透過率を有する半透明膜12で覆い、ダークフィールド領域1Bにおける開口部14においては、半透明膜を形成しない構造とすることを特徴としている。例文帳に追加

The photomask is characterized in that an aperture in the clear field region 1A of a pattern on the photomask causing local flare is covered with a semitransparent film 12 having enough transmittance for complete resolution of a photoresist, while no semitransparent film is formed on an aperture 14 in the dark field region 1B. - 特許庁

」がメニュー画面31に表示されるので、再び続きから再生したい場合に、ユーザは再度メニューキーを押下すれば、レジューム再生に入るということが分かり、これにより、ユーザが関係のない誤操作を行うようなことがなくなり、また、本編再生中などにメニューキーを間違って押下してしまった場合でも容易に復帰でき、したがって、光ディスク再生装置の操作性が向上する。例文帳に追加

recovering can be performed easily, and therefore, the operability of the optical disk recording apparatus is improved. - 特許庁

本発明は感光体上トナー像に対する、ピックアップ時の記録紙スリップ量をキャンセルすることができると共に、大まかに書込みタイミングを合わせるだけなので通常のレジストセンサのような正確な入力監視制御を必要としない作像タイミング制御方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an image formation timing control method which is capable of canceling the amount of slipping of recording paper in picking up the toner image on a photoreceptor and does not require exact input monitor and control like with an ordinary resist sensor as the method simply involves rough matching of the timing for writing. - 特許庁

基板上に、少なくとも感熱層、シリコーンゴム層を有する直描型水なし平版印刷版原版であって、前記シリコーンゴム層がシリコーンレジンを有し、かつ前記シリコーンゴム層が重量平均分子量30万以上の分子量を有する高分子量ポリジメチルシロキサンと15万以下の重量平均分子量を有するポリジメチルシロキサンとを含むことを特徴とする直描型水なし平版印刷版原版。例文帳に追加

The direct patterning original plate has at least a heat sensitive layer and a silicone rubber layer on a substrate and the silicone rubber layer has a silicone resin and contains a high molecular weight polydimethylsiloxane having a weight average molecular weight of300,000 and a polydimethylsiloxane having a weight average molecular weight of150,000. - 特許庁

(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)アルカリに対して不溶性又は難溶性から酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂、並びに(C)特定の窒素含有部分構造を分子内に少なくとも一つ有する含窒素化合物を含有するポジ型フォトレジスト組成物。例文帳に追加

The positive photoresist composition contains a compound (A) generating an acid by the irradiation with active ray or radial ray, a resin (B) made to be alkali soluble from insoluble or hardly soluble in alkali by the action of the acid and a nitrogen-containing compound (C) having at least one specific nitrogen-containing partial structure in the molecule. - 特許庁

レジスタ制御ディレイロックループ及びそこから出力されたDLLクロックを用いる内部回路を備えた半導体デバイスにおいて、半導体デバイスに対する作動信号及び非作動信号に応答して、内部回路に印加されるDLLクロックをイネーブルしたりディスエーブルしたりするクロックイネーブル信号を生成する手段を備える。例文帳に追加

The semiconductor device having a register control delay lock loop and an internal circuit using a DLL clock outputted from it is provided with a means for generating a clock-enable signal enabling and disabling the DLL clock applied to the internal circuit responding to an activation signal and a non-activation signal for the semiconductor device. - 特許庁

完全Cr遮光部はCr後退型、ダイシングマーク部はCr後退型、パターン部はHTパターンという構造を有することによっても、同様にフォトマスクパターン露光後のウェーハ上のレジスト形状を良好にし、かつフォトマスク欠陥検査時における欠陥検出感度を十分に得ることができる。例文帳に追加

Also by the structure that the perfect Cr shading part is the Cr recessing type, the dicing mark part is the Cr recessing type and the pattern part is the HT pattern, the resist shape on the wafer after the photomask pattern exposure is improved and defect detection sensitivity in the photomask defect inspection can be sufficiently obtained too. - 特許庁

演算部40は、プロトコルスタックの違いにより、フィールド位置が異なるパケットに対し、プロトコルスタックの違いに依存せずに同一のプログラムにより、プロトコルスタック位置情報及びフィールド位置情報にもとづき、レジスタアライメントの整形処理をして、対象フィールドのパケット処理を行う。例文帳に追加

An arithmetic part 40 performs packet processing for a packet differing in its field position according to differences of the protocol stack or for the object field by performing shaping processing for register alignment according to the protocol stack position information and field position information by the same program without depending upon the differences of the protocol stack. - 特許庁

第1の露光、現像工程に引き続くの第2露光工程において、照射光R2の光度を、第2フォトレジスト膜3´の照射光R2により照射されたエリアにおいて後順の第2現像工程で溶解除去され得る程度に感光した飽和感光領域d´が、図示されるような断面が台形の先窄み形状となるまで低減させる。例文帳に追加

In a second exposure step following a first exposure and development step, the luminous intensity of irradiation light R2 is decreased to such a degree that a region d' with saturation exposure in the area irradiated with the irradiation light R2 in a second photoresist film 3' to be dissolved and removed in the succeeding second development step has a trapezoidal converged profile in the cross section as shown in the figure. - 特許庁

標準方式では、スクランブル定数保持部13の保持する値と、乱数発生部14が発生する乱数と、これらの値により求めレジスタ15に設定した値と、を利用した暗号化回路16の動作によって、IEEE802.11で規定される仕様に基づくスクランブル多項式を発生させ、これを利用して通信を行う。例文帳に追加

The standard system generates a scramble polynomial based on specifications regulated by the IEEE802.11 by the operation of an encrypting circuit 16 in which a value stored in a scramble constant storage part 13, a random number generated from a random number generation part 14 and a value calculated based on these values and set in a register 15 are utilized and executes communication by utilizing the scramble polynomial. - 特許庁

さらに、上記複数の領域に分けて形成した金属膜および樹脂フィルム上に、所望形状のフォトレジストパターンを形成する工程と、化学エッチング法またはプラズマエッチング法もしくはイオンビームエッチング法により、上記複数の領域に分けて形成した金属膜の一部を除去し、所望形状の金属膜パターンを形成する工程とを含む金属膜の形成方法とする。例文帳に追加

In addition, the metal film forming method includes a process to form a photo resist pattern of a desired shape on the metal film divided into a plurality of areas and the resin film, and a process to form the metal film pattern of a desired shape by removing a part of the metal film divided into a plurality of areas by the chemical etching method, a plasma etching method or the ion beam etching method. - 特許庁

(成分A)カルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位(a1)と、エポキシ基及び/又はオキセタニル基を有するモノマー単位(a2)とを有する重合体、(成分B)光酸発生剤、並びに、(成分C)溶剤、を含むことを特徴とするエッチングレジスト用感光性樹脂組成物。例文帳に追加

A photosensitive resin composition for an etching resist contains (component A) a polymer having a monomer unit (a1) having a residue in which a carboxy group or a phenolic hydroxyl group is protected by an acid-decomposable group and a monomer unit (a2) having an epoxy group and/or an oxetanyl group, (component B) an optical acid-generating agent, and (component C) a solvent. - 特許庁

偏光分離素子等を構成する光学ガラスの熱膨張に起因するレジストレーションずれやフォーカス変動が防止され、表示画像における色むらや輝度むら等が抑えられ、また、鉛を含まない材料を使用することにより、環境問題に対応し、生産性に優れ製造コストが低廉な画像表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image display device in which misregistration and focusing fluctuations are prevented, caused by the thermal expansion of an optical glass composing a polarizing splitting element, etc., nonuniform color, nonuniform brightness, etc., of a display image are also restrained, a material containing no lead is used in order to cope with environmental problems, excellent productivity and low manufacturing costs are also achieved. - 特許庁

第二の構成は、該接着剤組成物を用いて、導電性金属薄膜とプラスチックフイルムをラミネートする工程、金属薄膜面に所定のレジストパターンを形成する工程、非画線部をエッチングする工程及び活性エネルギー線を照射して接着剤組成物層を硬化させる工程をこの順に有することを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。例文帳に追加

The other objective method for producing a flexible board is characterized by comprising the following consecutive steps: a plastic film is laminated with a conductive metallic thin film using the adhesive composition; a specified resist pattern is formed on the surface of the metallic thin film; non-line-drawn parts are etched; and the laminate is irradiated with active energy rays to cure the adhesive composition layer. - 特許庁

メモリ領域10のうちの、パーマネントエリアポインタレジスタ20で指定されるパーマネントエリア10aに、長時間通信に参加しない場合であっても消去したくないサーバ等のアドレスデータを格納し、メモリ領域10中の、パーマネントエリア10aを除くテンポラリエリア10bに、エージング手段30で消去されるアドレスデータを格納する。例文帳に追加

Even when communication is not performed for a long time, address data of server or the like being not desired to erase is stored in a permanent area 10a specified by a permanent area pointer register 20 out of a memory region 10, and address data to be erased by an aging means 30 is stored in a temporary area 10b excluding the permanent area 10 in the memory region 10. - 特許庁

素子分離としてのSTI形成後の半導体基板において、メモリ領域のメモリセル部に対するチャネルドープ工程をゲート酸化前に行い、所定の不純物注入完了後にレジスト付きの状態にてフッ酸含有の溶液によりSTI段差を調整するためウエットエッチングを行い、メモリ領域とロジック領域のSTI突き出し量の差が同程度になるようにした。例文帳に追加

In a semiconductor substrate after STI formation as element isolation, a channel dope step is performed on the memory cell of a memory region before gate oxidation, and wet etching is performed for adjusting an STI step using a hydrofluoric acid containing solution in a state with a resist after a predetermined impurity is completely injected, so that a difference between the STI protruding amounts of the memory region and the logic region becomes approximately equal. - 特許庁

カルボキシル基含有ポリマー(A)、エチレン性不飽和化合物(B)、光重合開始剤(C)及び、ペリレン、ナフト〔2,3−a〕ピレン、ベンゾピレン、ジベンゾ〔b,def〕クリセン、9,10−ジフェニルアントラセンから選ばれる少なくとも1種の化合物(D)を含有してなる感光性樹脂組成物に、露光波長が390〜420nmのレーザー露光機で露光を行うレジストパターン形成方法。例文帳に追加

The resist pattern forming method includes exposing a photosensitive resin composition comprising a carboxyl group-containing polymer (A), an ethylenically unsaturated compound (B), a photopolymerization initiator (C) and at least one compound (D) selected from perylene, naphtho[2,3-a]pyrene, benzopyrene, dibenzo[b,def]chrysene and 9,10-diphenylanthracene with a laser exposer having an exposure wavelength of 390-420 nm. - 特許庁

移動端末装置1はS−CSCF3に移動通知(Suspend+Call Forwarding要求)を行うことで、S−CSCF3へW−CDMA/CS100への移動の通知を可能にするとともに、W−CDMA/CS100側でMSC−IWF2を経由して同一S−CSCF3へレジストレーションを行い、S−CSCF3から再発呼を行う。例文帳に追加

A mobile terminal 1 applies a mobile notice (Suspend + Call Forwarding request) to a S-CSCF 3 to attain a notice of moving to a W-CDMA/CS 100 to the S-CSCF 3, the W-CDMA/CS 100 makes registration to the same S-CSCF 3 via a MSC-IWF 2, and the S-CSCF 3 makes re-calling. - 特許庁

現像後解像性が良好で、現像液分散安定性に優れ凝集物を発生せず、良好なエッジフューズ性と追従性を有する感光性樹脂組成物、及び該組成物からなる感光性樹脂層を有する感光性樹脂積層体を提供すること、ならびに、該積層体を用いたレジストパターンの形成方法、及び導体パターンの製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a photosensitive resin composition which ensures good resolution after development, generates no scum because of excellent dispersion stability in a developer, and has good edge fusion resistance and conformability, and a photosensitive resin laminate having a photosensitive resin layer comprising the composition, and to provide a method for forming a resist pattern using the laminate and a method for producing a conductive pattern. - 特許庁

RTL(レジスタ・トランスファ・レベル)の回路記述を解析して、開始点から終了点までの遅延がクロック周期を越えているマルチサイクルパス候補を検出するRTLタイミング解析部102と、マルチサイクルパス候補と、ゲートレベルのタイミング解析のために指定されるマルチサイクルパス指定・フォールスパス指定とを突き合わせて比較するチェック部103とを具備する。例文帳に追加

This device includes an RTL(register transfer level) timing analysis part 102 which analyzes the circuit description of RTL and detects a multi-cycle path candidate whose delay covering its start point through end point exceeds a clock cycle or not and a check part 103 which collates the multi-cycle path candidate with the multi-cycle path/false path that is designated for analyzing the gate level timing. - 特許庁

初段レジスタ2では、A/Dコンバータ1のデジタル出力D3〜D0に連続して0.5LSB分の値を加算し、このA/Dコンバータ1において平均的に0.5LSB分が切り捨てられたオフセット分を相殺してオフセット補正するので、コスト高を招致することなく、A/Dコンバータ1の出力に含まれるオフセット分を補正することができる。例文帳に追加

The first stage register 2 adds a value by 0.5 LSB continuously to digital outputs D3 to D0 of the analog/digital converter 1 and cancel the offset component resulting from rounding off by the 0.5 LSB in average by the analog/digital converter 1 to correct the offset, then the offset correction device can correct the offset included in an output of the analog/digital converter 1. - 特許庁

書き込みデータを保持する第一データ保持部111と、第一データ保持部とは異なるタイミングで書き込みデータを保持する第二データ保持部112と、第一および第二データ保持部に保持されたデータの一致を比較判別して書き込みデータの誤書き込み防止対象レジスタ12への書き込みを許可する保持データ比較部114とを備える。例文帳に追加

This system comprises: a first data retaining part 111 to retain writing data; a second data retaining part 112 to retain the writing data at a timing different from the first data retaining part; and a retained data comparing part 114 that compares the data retained in the first and second data retaining parts and discriminates their matches to allow writing of the writing data to the register 12 to which incorrect writing is prevented. - 特許庁

レジロール6による用紙Pの移動を禁止した状態で、搬送部3によりトレイ2から複数の用紙Pを取り出してそれぞれ搬送させ、当該複数の用紙PについてCISセンサ7により測定された各位置を平均した位置を、当該トレイ2に対応する基準位置として記憶部13に書き込んで記憶させる。例文帳に追加

A plurality of sheets of paper P are taken out of a tray 2 and conveyed by a conveying part 3 in the movement forbidden state of paper P by a register roll 6, and the average position of respective positions measured by a CIS sensor 7 on the plurality of sheets of paper P is written and stored in a storage part 13 as a reference position corresponding to the tray 2. - 特許庁

コントラスト調整値を補正するための補正パラメータを記憶する補正パラメータレジスタ40と、MPUにより指示されるコントラスト調整値に対して、補正パラメータにより特定される補正値を加算し、補正コントラスト調整値を演算する演算回路50と、補正コントラスト調整値に基づき得られる駆動電圧で表示パネルを駆動する駆動回路とを含む表示ドライバである。例文帳に追加

The display driver comprises a correction parameter register 40 for storing a correction parameter for correcting a contrast adjustment value, an arithmetic and logic unit 50 for adding a correction value specified by the correction parameter to the contrast adjustment value instructed by an MPU and calculating a corrected contrast adjustment value, and a driving circuit for driving a display panel at the driving voltage obtained on the basis of the corrected contrast adjustment value. - 特許庁

データ供給部102において、画像メモリ101から読み出された複数の画素データをレジスタ120〜126に一時的に記憶すると共に一方向に順次シフトしながら出力し、各積和演算器(演算手段)160〜163において、データ供給部102から出力される複数の画素データとフィルターカーネル103aにおけるフィルター係数とを用いた演算処理を並列に行う。例文帳に追加

A data supply unit 102 temporarily stores a plurality of pieces of pixel data read from an image memory 101 in registers 120-126, and outputs the pixel data while shifting the pixel data in one direction, the respective product-sum operators (operation means) 160-163 concurrently perform operation processes using multiple pieces of pixel data output from the data supply unit 102 and filter coefficients in a filter kernel 103a. - 特許庁

レジスト塗布装置群20近傍にウェハWを冷却処理する各種の冷却系処理装置を有する第1冷却処理装置群70及び第2冷却処理装置群80を配置し,現像処理装置群30近傍にウェハWを加熱処理する各種の加熱系処理装置を有する第1加熱処理装置群90及び第2加熱処理装置群100を配置する。例文帳に追加

A first and a second cooling processing device groups, 70 and 80, each possessed of various cooling processing apparatuses that cool down a wafer W are arranged near a resist-applying apparatus group 20, and a first and a second heating processing apparatus group, 90 and 100, each possessed of various heating processing apparatus that heat a wafer W are arranged near to a development processing device group 30. - 特許庁

ガイド板116a、116bによりガイドされて搬送されたフイルムFは、先端部がガイド板116bに近接して配設されたガイドローラ96によってガイド板116a側に強制的に変位された後、レジストローラ94a、94b間の接触ラインに導かれて突き当てられ、搬送方向に対する斜行が矯正される。例文帳に追加

The film F which is guided and conveyed with guide boards 116a, 116b are introduced to the contact line between regist rollers 94a, 94b, abutted to them and the skew relative to the conveyance direction is corrected after it is forcedly displaced to the guide board 116a side with a guide roller 96 of which tip part is disposed in the vicinity of the guide board 116b. - 特許庁

さらに、階調データレジスタ回路14と階調電圧セレクタ回路18との間に設けられ、テストモード時において、両回路間に設けられたビット線に含まれる少なくとも一部の複数ビット線を共通ノードを介して互いに接続し、この共通ノードを流れる電流値に基づいて故障検出を行うテスト回路16を備える。例文帳に追加

The display driver further includes a test circuit 16 that is provided between the gradation data register circuit 14 and the gradation voltage selector circuit 18, the test circuit 16 connecting at least a part of a plurality of bit lines among bit lines provided between both of the circuits through a common node in a test mode, so as to perform failure detection based on a value of current that flows in the common node. - 特許庁

そして、多項式α^i・A(α)の係数系列を継続的にレジスタに保持した状態で、W(α)=t_0+t_1・α+…+t_i・α^iで表現可能なα^iを除くすべての多項式W(α)について、多項式W(α)・A(α)の係数系列が算出されるまで二倍算過程と加算過程と、を交互に実行する。例文帳に追加

With the coefficient series of the polynomial α^iA(α) kept continuously in the register, a doubling process and an adding process are alternately executed until the coefficient series of the polynomial W(α)×A(α) is calculated for every polynomial W(α) except α^i representable by W(α)=t_0+t_1α+...+t_iα^i. - 特許庁

本発明に係る半導体集積回路1は、外部端子11と、通常動作時に外部端子11から信号を受ける機能ブロック14aと、テスト動作時に外部端子11に代わり機能ブロック14aに信号を与えるCPUレジスタ12と、テスト動作時に外部端子11からテスト信号を受ける機能ブロック14bとを備える。例文帳に追加

A semiconductor integrated circuit 1 of the invention includes: the external terminal 11; the functional block 14a for receiving the signal from the external terminal 11 during a test operation; a CPU register 12 for applying the signal to the functional block 14a during the test operation instead of the external terminal 11; and the functional block 14b for receiving the test signal from the external terminal 11 during the test operation. - 特許庁

透過表示領域と反射表示領域に段差があっても、透過表示の着色画素上には所望する高さを有し、表面荒れのない第一配向制御突起が、透明レジスト層上には所望する高さを有し、表面荒れのない第二配向制御突起が形成された半透過型液晶表示装置用カラーフィルタを提供すること。例文帳に追加

To provide a color filter for semi-transmissive liquid crystal display devices, which has a level difference between a transmissive display area and a reflective display area and has a first alignment control projection having a desired height and a not roughened surface formed on a color pixel for transmissive display and has a second alignment control projection having a desired height and a not roughened surface formed on a transparent resist layer. - 特許庁

一旦停止制御部102は、所定の第2の期間(<第1の期間)が経過したとき、中間ローラ8が一旦停止条件を満たす場合、第1の期間経過時に、中間ローラ8の駆動を一旦停止させ、中間ローラ8が一旦停止条件を満たさなくなったとき、中間ローラ8の駆動を再開させると共に、レジストローラ9の駆動を開始させる。例文帳に追加

A once stopping control part 102 stops driving of the intermediate roller 8 once when a first period passes when the intermediate roller 8 satisfies a once stopping condition when a predetermined second period (< the first period) passes, and resumes the driving of the intermediate roller 8, and starts driving of a register roller 9 when the intermediate roller 8 does not satisfy the once stopping condition. - 特許庁

保険会社ホストコンピュータ2とネットワークで接続された代理店端末4又は多機能ATM9から保険契約をオンライン計上することによって保険料から代理店手数料を控除した精算額を即時に確定し、当該精算額の送金を、デビットカード決済、クレジットカード決済、ファームバンキング振込、又は多機能ATM9からの入金によって実行する。例文帳に追加

When an insurance contract is added up online via an agency terminal 4 or a multifunctional ATM 9 connected to an insurance company host computer 2 via a network, a settlement amount found by subtracting the agency commission from the insurance premium is determined instantly, and transfer of this settlement amount is carried out through debit card settlement, credit card settlement, firm banking transfer, or money receipt from the multifunctional ATM 9. - 特許庁

マスク製造の露光工程においてFogging効果によるマスク上レジストパターンのばらつき(パターン疎密による寸法差)を低減し、ウェハ上で露光波長以下の寸法を加工する(MEEFの数値が大きい)光リソグラフィで要求されるレベルの高寸法精度マスクを提供することを目的としている。例文帳に追加

To reduce unevenness in resist patterns on a mask due to a fogging effect in an exposure step in mask production (difference in dimension due to pattern density irregularity) and to provide a mask having high dimensional accuracy required for photolithography by which dimension equal to or below the wavelength of light for exposure (with a large numerical value of MEEF (mask error enhancement factor)) is formed on a wafer. - 特許庁

ウエハ5上のフォトレジスト膜を感光させない2波長以上の連続スペクトル光を照明光源8から縮小投影レンズ3を介してアライメントマークに照射し、そのアライメントマークからの反射光を反射鏡18で縮小投影レンズ系の外部に取り出し、色収差補正レンズ16により色収差の補正を行う。例文帳に追加

An alignment mark is irradiated through a reduction projecting lens 3 with continuous spectrum lights in two or more wavelength for preventing a photoresist film on a wafer 5 from being sensitized from an illuminating light source 8, and reflected lights from the alignment mark are extracted to the outside part of the reduction projecting lens system by a reflecting mirror 18, and chromatic aberration is corrected by a chromatic aberration correcting lens 16. - 特許庁

経時安定性に優れたコーティング性を示し、耐熱性、耐薬品性、電気絶縁性に優れ、はんだフロー時にはんだブリッジ等の発生が無く、さらにはんだとの接触による塗膜へのはんだパウダーの付着のないアルカリ現像可能な光硬化性・熱硬化性の艶消しソルダーレジストインキ組成物と、それを用いたプリント配線板を提供する。例文帳に追加

To provide a photosetting/thermosetting matt solder resist ink composition which shows coating property excellent in aging stability, is excellent in heat resistance, chemical resistance and electrical insulation property and can alkaline develop without adherence of a solder powder to a coating film in contact with the solder without generating a solder bridge, etc., at a solder flow time and to provide a printed circuit board using the same. - 特許庁

信号駆動回路200は直列され、第一クロック信号CLK1と第二クロック信号CLK2だけにより制御される複数のシフトレジスタ20−1、20−2、20−3、20−4からなり、スタートパルスSTPを受信後、対応する駆動パルスout1、out2、out3、out4を順に出力する。例文帳に追加

The signal driving circuit 200 comprises a plurality of shift registers 20-1, 20-2, 20-3, and 20-4 connected in series and controlled only by the first clock signal CLK1 and second clock signal CLK2, wherein the shift registers are operative to output corresponding driving pulses out1, out2, out3 and out4 in turn after receiving the start pulse STP. - 特許庁

レジュームスタンバイモードにおいて、リーク種判定回路7はリーク電流の成分がゲートリークと基板リークが多いと判断すると、VDDRレギュレータ5は電源電圧VDDよりも低い第1の電圧レベルの電源電圧VDDRを生成し、切り替えスイッチ9を介して、電源電圧VDDR1としてSRAMモジュール12に供給する。例文帳に追加

In a resume standby mode, when a leak kind determination circuit 7 determines that the component of leak current includes much gate leak and much substrate leak, a VDDR regulator 5 generates a power supply voltage VDDR of a first voltage level which is lower than a power supply voltage VDD and supplies this power supply voltage as a power supply voltage VDDR1 to an SRAM module 12 via a changeover switch 9. - 特許庁

例文

複数段のリセット・セット型のフリップフロップ(RS−FF)34を備えるシフトレジスタであって、RS−FF34の出力信号Qの出力ノードとLレベルの電源との間に、初期化信号RSTによって導通状態に制御され、上記出力ノードの電圧レベルをLレベルに固定するためのトランジスタTr9を設ける。例文帳に追加

The shift register includes a plurality of stages of reset/set type flip-flops (RS-FF) 34, and a transistor Tr9 disposed between the output node of the output signal Q of the RS-FF34 and the power source of the L level to be controlled to a conductive stage by an initialization signal RST and fix the voltage level of the output node to an L level. - 特許庁

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