「A flash」に関連した英語例文の一覧と使い方(139ページ目) - Weblio英語例文検索

In the phototherapy apparatus 1, a light source is constituted by a xenon flash tube 3, and a spectral filter 7 allows the transmission of primarily fist wavelength components with a wavelength of 280 nm-approximately 400 nm and second wavelength components with a wavelength of more than approximately 740 nm, and substantially cutting off the wavelength components between the first wavelength components and the second wavelength components, at least approximately 400 nm-740 nm.例文帳に追加

光源がキセノンフラッシュランプ３からなり、分光フィルタ７が、主として、波長約２８０ｎｍ〜約４００ｎｍの第１波長成分と、波長約７４０ｎｍ以上の第２波長成分とを透過し、これらの第１波長成分と第２波長成分との間の少なくとも約４００ｎｍ〜約７４０ｎｍの波長成分を実質的に遮断する特性を有する、光線照射治療器１。 - 特許庁

When an operation signal is supplied from a remote controller 1c, the main body CPU 100b refers to a table in the flash ROM 102b to read a posture adjusting parameter corresponding to the kind information, and causes a pan/tilt control section 180b to drive both a tilting motor 181b and panning motor 182b in response to the posture adjusting parameter.例文帳に追加

リモコン１ｃから操作信号が供給されてきたら、本体ＣＰＵ１００ｂは、フラッシュＲＯＭ１０２ｂ内のテーブルを参照してその種別情報に応じた姿勢調整パラメータを読み出し、その姿勢調整パラメータに応じてパン／チルト制御部１８０ｂにチルト用モータ１８１ｂおよびパン用モータ１８２ｂ双方の駆動を行なわせる。 - 特許庁

Though the flow of a resin to a lens part 1a in injection molding is made excellent in the case of providing a gate part at the outer periphery of the flange part 1e of the imaging lens 1, there is a possibility that positioning in a direction perpendicular to an optical axis by using the flange part 1e is adversely affected by burrs and flash caused when cutting the gate part.例文帳に追加

撮像レンズ１のフランジ部１ｅの外周にゲート部を設けた場合、射出成形時におけるレンズ部１ａへの樹脂の流れを良好にできるが、かかる場合、ゲート部をカットする際にバリやカエリが生じると、フランジ部１ｅを用いて光軸直角方向に位置決めするのに悪影響を及ぼす恐れがある。 - 特許庁

When a predetermined print designation file designated to an image photographed and recorded in a flash memory 108 is recorded in a recording medium, only an image print-designated by a system controller 113 is reproduced on a liquid crystal display 112, and print designation is operated by an operation key 115 again.例文帳に追加

撮影されてフラッシュメモリ１０８aに記録された画像に対して指定される所定のプリント指定ファイルを記録媒体に記録される場合に、システムコントローラ１１３によりプリント指定された画像のみを液晶ディスプレイ１１２に再生し、再びプリント指定を操作キー１１５により行う構成を特徴とする。 - 特許庁

A microcomputer has a read-voltage generating circuit 1 generating read-out voltage V1 and a read-voltage generating circuit 2 generating read-out voltage V2 for detecting defect being slightly higher than voltage V1, data are read out from FLASH EEPROM 6 by either voltage selected by a selecting circuit 4, these data are compared by a comparing circuit 5.例文帳に追加

マイクロコンピュータは、読み出し電圧Ｖ１を生成するリード電圧生成回路１と、電圧Ｖ１より若干電圧が高い不良検出用読み出し電圧Ｖ２を生成するリード電圧生成回路２とを有し、選択回路４によって選択されたいずれかの電圧によりＦＬＡＳＨ ＥＥＰＲＯＭ６からデータが読み出され、これらのデータが比較回路５で比較される。 - 特許庁

To solve the problem that when a parison having an outer diameter thinner than an inner diameter of a bellows part is applied to prevent generation of a flash on the bellows part in a case of blow-molding a deformed and hollow duct with the bellows part, the molding itself is impossible since the resin of the parison can not go around the edge portion of the duct.例文帳に追加

解決しようとする課題は、蛇腹部が付随し且つ異型な中空ダクトのブロー成形において、該蛇腹部にバリを生成させないよう該蛇腹部の内径よりも細い外径をもつパリソンを適用した場合、該ダクトの端部には該パリソンの樹脂がまわりきらないので成形そのものができないという点である。 - 特許庁

To provide a capacitive element having improved junction strength and having small variation of capacitive value, capable of preventing short circuit between the capacitive device and adjacent components, short circuit between a first electrode and a second electrode, and the occurrence of metal flash at an end of the second electrode section, when the capacitive element is cut from a mother board with a diamond blade.例文帳に追加

容量素子の接合強度を向上させるとともに、隣接する他の部品と短絡したり第一の電極と第二の電極とが短絡するのを防ぎ、また母基板から容量素子をダイヤモンドブレードによって切断する際に第二の電極端部に金属バリが発生しにくくなり、さらに容量値のバラツキが小さいものとすること。 - 特許庁

Therefore, a CPU 21 determines that rewrite processing (A) is completed if a rewrite processing flag 23a is in a cleared state according to the reset timing determination program 61a, and performs the processing according to a new in-vehicle program 60 transferred to an in-vehicle program storage area 22b of the flash memory 22.例文帳に追加

このためＣＰＵ２１は当該リセット時判断プログラム６１ａにしたがい、書き換え実行中フラグ２３ａがクリア状態になっている場合には、書き換え処理（Ａ）が完了したと判断して、フラッシュメモリ２２の車載プログラム記憶領域２２ｂに転写された新しい車載プログラム６０にしたがい処理を実行する。 - 特許庁

When a CPU 11 selects a broadcast service corresponding to a channel number entered by an IR processing section 12 from the broadcast services stored in the flash memory 13 and the entered channel number is the same as the channel number entered at a previous time, the CPU 11 selects a broadcast service different from the broadcast service selected at the previous time.例文帳に追加

ＣＰＵ１１は、ＩＲ処理部１２によって入力されたチャンネル番号に対応する放送サービスを、フラッシュメモリ１３に記憶された複数の放送サービスの中から選択するときに、入力されたチャンネル番号が前回入力されたチャンネル番号と同じである場合、前回選択された放送サービスと異なる放送サービスを選択する。 - 特許庁

A ring light emission control section 35 controls illumination (extinction), blinking cycles, and a light emission color of a ring light emission section 36 provided around a lens 11 under the control of a control section 30 to inform the subject of an AF state and the remaining time before the shutter is released during self-timer photographing and also use the illumination as flash auxiliary light.例文帳に追加

リング発光制御部３５は、制御部３０の制御の下、レンズ１１の周囲に設けられたリング発光部３６の点灯（消灯）、点滅周期、発光色を制御することにより、被写体にＡＦ状態、セルフタイマ撮影時のシャッターオンまでの残り時間を知らせたり、フラッシュ補助光として用いたりする。 - 特許庁

To execute an instruction to use data written in a vector table region in a loader region in which on-board rewriting is unavailable by realizing the rewriting in the loader region at the time of changing data in the vector table region after a user program is changed in a microcomputer incorporating a flash EEPROM.例文帳に追加

フラッシュＥＥＰＲＯＭ内蔵のマイクロコンピュータにおいて、オンボード書換えができないローダ領域内のベクタテーブル領域に書き込まれているデータを使用する命令を実行するにあたり、ユーザプログラムに変更がありベクタテーブル領域内のデータを変更する必要があっても、ローダ領域であるため書換えできない。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory element capable of improving a difference in an EFH caused by the protrusions of an element isolation layer in each of a high voltage transistor region and a low voltage transistor/cell region, between these regions to ensure the stability of processes thereby promoting the reliability of the element.例文帳に追加

高電圧トランジスター領域及び低電圧トランジスター／セル領域それぞれの素子隔離膜の突出部によってこれらの領域の間に誘発されるＥＦＨ差を改善させて工程の安定性を確保し、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The third insulating film (150) is formed to be used as a top oxide film of a dielectric film between the floating gate and the control gate of a NAND flash device, and in a production process of a capacitor, as an interlayer insulating film between the lower electrode of the capacitor and the upper electrode of the capacitor, preferably formed of an HTO oxide layer.例文帳に追加

第3の絶縁膜(150)は、NANDフラッシュ素子のフローティングゲートとコントロールゲートとの間の誘電体膜の上部酸化膜、キャパシタ製造工程ではキャパシタの下部電極とキャパシタの上部電極との間の層間絶縁膜として用いるために形成され、望ましくはHTO酸化膜で形成する。 - 特許庁

The controller controls a nonvolatile memory system (an example of a nonvolatile memory is a flash memory well-known for skilled in the art) organized into blocks, each block includes a plurality of sector locations for storing the sector information and a particular free block is designated for storing FSInfor sector information.例文帳に追加

そのコントローラは、複数のブロックに区分された不揮発性メモリシステム（不揮発性メモリの例は当業者にとって公知であるフラッシュメモリである）を制御し、各ブロックはセクタ情報を格納するための複数のセクタを含み、特定の空きブロックがＦＳＩｎｆｏセクタ情報を格納するように指定される。 - 特許庁

The light-diffusing warning lamp 1 comprises a plurality of warning lamp units such as a flashing unit 4 irradiating flash light, a rotating light unit radiating rotating light, or the like contained in a transparent globe 3, at least one of which is composed of a plurality of light-emitting diodes in alignment, that is, an LED type unit 5.例文帳に追加

閃光を照射する閃光型ユニット４、回転光を照射する回転光型ユニット等の警告灯ユニットを複数透光グローブ３内に収容して成り、上記複数の警告灯ユニットのうち少なくとも１つは複数の発光ダイオード１３を配列して成るＬＥＤ型ユニット５である散光式警告灯１。 - 特許庁

In flash ROM 2, a mail header memory 3 stores a mail header file including the header portion of the plain text e-mail, and a received mail management table 2t includes the relation of the plain text e-mail and a transfer processing result code indicating whether the plain text e-mail has been transferred to a mail server apparatus 40 or not.例文帳に追加

フラッシュＲＯＭ２において、メールヘッダメモリ３は、上記平文電子メールのヘッダ部を含むメールヘッダファイルを格納し、受信メール管理テーブル２ｔは、上記平文電子メールと当該平文電子メールがメールサーバ装置４０に転送されたか否かを示す転送処理結果コードとの関係を含む。 - 特許庁

The storage controller uses the address conversion information to identify a physical address corresponding to a logical address designated by an I/O request from a higher-order apparatus, and transmits an I/O command having I/O destination information based on the identified physical address to a memory controller in a flash memory module.例文帳に追加

ストレージコントローラが、上位装置からのＩ／Ｏ要求が指定する論理アドレスに対応した物理アドレスを、上記アドレス変換情報を用いて特定し、特定された物理アドレスに基づくＩ／Ｏ先情報を有したＩ／Ｏコマンドを、フラッシュメモリモジュール内のメモリコントローラに送信する。 - 特許庁

To enable framing for making a user check the content of a picture to be photographed by displaying an object picture to be subjected imaged to imaging on a finder even under a low illuminance environment such as in dark place photographing, and to enable correct focusing even when visible light photographing is carried out by flash irradiation or a low-speed shutter thereafter.例文帳に追加

暗所撮影などの低照度環境下であっても、ファインダに撮像対象となる被写体画像を表示させてユーザに撮影画像内容を確認させるフレーミング処理を可能とし、さらに、その後フラッシュ照射や低速シャッタで可視光撮影を行った場合にも、正確なフォーカシングを可能とする。 - 特許庁

To enable proper calculation of a checksum without being conscious of unnecessary data, a free area size or the like before update by making a flash memory store size information about data on a program to be updated and executing the checksum calculation about only a data area of the updated program on the basis of the size information.例文帳に追加

更新するプログラムのデータのサイズ情報をフラッシュメモリに記憶させ、そのサイズ情報に基づいて、更新されたプログラムのデータ領域だけについてチェックサム計算を実行することにより、更新前の不要なデータや空き領域サイズなどを意識せずに的確にチェックサムの計算が行えるようにする。 - 特許庁

The flash memory element includes trenches formed in a predetermined region on the semiconductor substrate with a constant interval, embedded floating gates 112 formed by being embedded in the trenches, a plurality of element isolation films formed between the embedded floating gates, and a dielectric film 114 and a control gate 116 formed in the upper portion of the embedded floating gates 112.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ素子は、半導体基板上の所定の領域に一定間隔で離隔されて形成されたトレンチと、上記トレンチを埋め込んで形成された埋め込みフローティングゲート１１２と、上記埋め込みフローティングゲート間に形成された複数の素子分離膜と、上記埋め込みフローティングゲート１１２の上部に形成された誘電体膜１１４及びコントロールゲート１１６含むものである。 - 特許庁

For the purpose of attaining a high integration of the flash memory to increase a coupling ratio of an interpolysilicon insulating film formed between polysilicons with use for floating and control gates, a second polysilicon film 18 for the floating gate is formed not by etching using a mask but by depositing a first polysilicon film 16 thereunder and selectively growing it.例文帳に追加

フラッシュメモリで高集積化を達成して、フローティングゲートとコントロールゲートに用いられるポリシリコンの間に構成されたインタポリ絶縁膜のカップリング比を高めるために、フローティングゲート用第２ポリシリコン膜１８をマスクを用いた蝕刻で形成せずに、下部に第１ポリシリコン膜１６を蒸着してこれを選択的に成長させ第２ポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

A memory system 1 has: a NAND flash memory 12 having a plurality of memory cells and capable of recording data of one bit, two bits or more in one memory cell; and a duplex conversion circuit 21 for duplexing by assigning input data to a predetermined threshold level and the other threshold level different from the predetermined threshold level.例文帳に追加

メモリシステム１は、複数のメモリセルを有し、１つのメモリセルに１ビット又は２ビット以上のデータを記録することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２と、入力データを所定の閾値レベルと、所定の閾値レベルとは異なる別の閾値レベルとに割り当てることにより二重化する二重化変換回路２１とを有する。 - 特許庁

This method for manufacturing an NAND flash memory element includes a step for providing a semiconductor substrate where a drain select transistor DSL, a source select transistor SSL, and memory cell transistors connected in series between them are formed; and a step for forming an oxide film in the surface of the semiconductor substrate at both sides of the gate of the source select transistor.例文帳に追加

ドレイン選択トランジスタＤＳＬ、ソース選択トランジスタＳＳＬおよびこれらの間に直列に連結されたメモリセルトランジスタが形成された半導体基板を提供する段階と、前記ソース選択トランジスタのゲート両側の半導体基板の表面内に酸化膜を形成する段階とを含む、ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This barcode scanner 1 is compatible with the computer of a PCMCIA standard an integrates a laser beam scanning part 4 which emits a scanning beam through the window of a card housing 2 and obtains barcode information from reflected light obtained from the window 9 into the card housing 2 of a compact flash card size.例文帳に追加

本発明のバーコード走査装置１は、ＰＣＭＣＩＡ規格のコンピュータと互換性を有し、コンパクトフラッシュカード（以下、ＣＦ）サイズのカードハウジング２内に、カードハウジング２の窓を通じて走査ビームを照射し、その窓９から取り込んだ反射光からバーコード情報を得るレーザ光走査部４が組み込まれる。 - 特許庁

If a recording error occurs during recording, an error address and an error code are stored in a flash ROM, and if the recording is stopped and when a loaded optical disk is a DVD-R or a DVD-RW for example, the error address and the error code stored in the above ROM are written in an RMA of the DVD-R or the DVD-RW.例文帳に追加

記録中に記録エラーが発生すると、エラーアドレスとエラーコードをフラッシュＲＯＭに格納し、記録が停止すると、装填されている光ディスクが例えばＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷの場合は、前記ＲＯＭに格納されているエラーアドレスとエラーコードをＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷのＲＭＡに書き込む。 - 特許庁

The file system using the flash memory 2000 includes a circuit for storing the updated data corresponding to a data rewrite instruction in the bank 2300 for updated data, a circuit for selecting the latest updated data for each block among pieces of the updated data stored in the bank 2300 for updated data when a free area disappears in the bank 2300 for updated data and a processing circuit for processing the latest updated data.例文帳に追加

フラッシュメモリ２０００を用いたファイルシステムは、データ書換命令に対応する更新データを更新データ用バンク２３００に格納する回路と、更新データ用バンク２３００に空きがなくなると、更新データ用バンク２３００に格納された更新データの中から各ブロックに対する最新の更新データを選択する回路と、最新の更新データを処理する処理回路とを含む。 - 特許庁

For a registration password registered in a flash memory 24 beforehand and a password required to be entered in authentication or the like, strength of pressing power given to an operating key to be pressed and timing of pressing operation are also made to constitute the registration password and the password to be entered in addition to entry information such as figures assigned to a ten key pad of a key operation part 33.例文帳に追加

予めフラッシュメモリ２４に登録する登録パスワードと、認証処理時などの必要な場合に入力が要求されるパスワードとは、単にキー操作部３３のテンキーなどに割り当てられた数字などの入力情報だけではなく、押圧操作された操作キーに対して加えられた押圧力の大きさや、押圧操作タイミングをも登録パスワード、および、パスワードの構成要素とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device comprises steps of uniformly depositing an amorphous silicon film on a substrate in which a memory cell region and an element region are formed, patterning the amorphous silicon film on the memory cell region while the amorphous silicon film remains coating on the element region on the substrate, and forming a laminated gate electrode or a single layer gate of the flash memory unit.例文帳に追加

メモリセル領域と素子領域とを画成された基板上にアモルファスシリコン膜を一様に堆積し、さらに基板上の素子領域を前記アモルファスシリコン膜で覆ったまま、メモリセル領域において前記アモルファスシリコン膜をパターニングし、フラッシュメモリ装置の積層ゲート電極あるいは単層ゲートを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the flash memory device comprises the steps of forming the dielectric film 25, and then forming an amorphous silicon layer 31 to alleviate a topology generated by patterning a first polysilicon layer 24 in a cell region so that the silicon layer 31 conducts a role of a dielectric film protective layer of the cell region at the time of forming the gate oxide film 26 of the peripheral circuit region.例文帳に追加

誘電体膜２５を形成した後、アモルフォスシリコン層３１を形成してセル領域で第１ポリシリコン層２４のパターニングで発生したトポロジーを緩和させ、アモルフォスシリコン層３１が周辺回路領域のゲート酸化膜２６形成の時にセル領域の誘電体膜保護層の役割をするようにする。 - 特許庁

When an information part 15a is detected by a PI 22, it is recognized by a microcomputer 23 that the information inputting device 1 is loaded in the cartridge chamber, and information recorded by a magnetic information recording part 13 in the information inputting device 1 is read by a magnetic head 24, and then, the read information is stored in a flash memory 23b.例文帳に追加

ＰＩ２２が情報部１５ａを検出すると、マイコン２３はパトローネ室に情報入力装置１が装填されたと認識し、情報入力装置１内の磁気情報記録部１３に記録されている情報を磁気ヘッド２４で読み取り、読み取った情報をフラッシュメモリ２３ｂ内に格納する。 - 特許庁

The NAND flash memory element includes: triple N wells formed in a semiconductor substrate to electrically protect many memory cells in a prescribed region of the semiconductor substrate; at least two or more triple P wells formed inside each of the triple N wells; and a plurality of cell blocks respectively formed on the upper part of the triple P well and each including a plurality of memory cell strings each sharing a plurality of bit lines.例文帳に追加

半導体基板の所定の領域に多数のメモリセルを電気的に保護するために前記半導体基板内に形成されたトリプルＮウェルと、前記トリプルＮウェルの内部に形成された少なくとも２つ以上のトリプルＰウェルと、前記トリプルＰウェルの上部にそれぞれ形成され、それぞれ複数のビットラインを共有する複数のメモリセルストリングを含む複数のセルブロックとを含む。 - 特許庁

The light of an arc light using either discharge lamp of a xenon lamp, a metal halide lamp, a xenon flash tube, a mercury-xenon lamp and a mercury lamp is illuminated to either one of or the both of the generation source generating the odor or an atmosphere including the odor to reduce the odor or deodorize the whole space.例文帳に追加

キセノンランプ，メタルハライドランプ，キセノンフラッシュランプ，キセノンマーキュリーランプ，マーキュリーランプのいずれかの放電管を用いたアークライトの光を，臭いを発生している発生源，臭いを含んでいる雰囲気のいずれか片方，または両方に照射することで，当該臭いを低減，もしくは空間全体の消臭を実現する。 - 特許庁

To form an accurate desired gate electrode by suppressing an electron shading damage and reducing positive charging by a polysilicon electrode, in a manufacturing method for semiconductor memory and an etching method for gate electrode using a plasma dry etching method for flash memory or DRAM, etc., having a floating gate.例文帳に追加

フローティングゲートを有するフラッシュメモリやＤＲＡＭ等のプラズマドライエッチングによる半導体メモリの製造方法及びゲート電極エッチング方法に関し、電子シェーディングダメージを抑制し、ポリシリコン電極が正のチャージングを抑制して正確な所望のゲート電極を形成することを課題とする。 - 特許庁

A comparator of the flash ADC is calibrated in the background by switching the comparator to a feedback loop, determining the comparator's current reference level, and adjusting the comparator's reference level to a target reference voltage by charging a reference capacitor coupled to the comparator.例文帳に追加

フラッシュＡＤＣのコンパレータは、バックグラウンドにおいて、コンパレータをフィードバックループへ切り替え、コンパレータの現在の基準レベルを決定し、コンパレータの基準レベルを目標基準電圧へと調整するようコンパレータに結合されている基準キャパシタを充電することによって、較正される。 - 特許庁

Further, an in-system programming host can effectively execute storage processing for writing the OSD font to the font flash ROM through a serial port and an in-system programming function of a CPU, in addition to the provision of a new programming method replacing a conventional storage means.例文帳に追加

さらに、従来の記憶方法の代りとなる新たなプログラミング方法を提供することに加えて、システム内プログラミングホストは、ＯＳＤフォントをフォントフラッシュＲＯＭにシリアルポートを介して書き込む記憶処理とＣＰＵのシステム内プログラミング機能を効果的に実行することができる。 - 特許庁

When it is confirmed that the purchaser of the firmware to be newly stored in a flash memory 105 has paid for the firmware and a secret number is issued to the purchaser, the purchaser requests the downloading of the firmware to be newly stored from a server device 120 through a personal computer 110.例文帳に追加

フラッシュメモリ１０５に新たに格納されるファームウェアの購入者から該ファームウェアのための代金支払いがなされたことを確認して購入者に秘密番号を交付すると、パーソナルコンピュータ１１０を介して購入者からサーバ装置１２０に前記新たに格納されるファームウェアのダウンロードを要求する。 - 特許庁

The flash memory device includes: a string having at least a string selection transistor, a ground selection transistor and memory cell transistors connected in series between the transistors, the memory cell transistors being connected to a corresponding word line respectively; and bit lines connected to the string.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ装置は、ストリング選択トランジスタ、接地選択トランジスタ、および前記選択トランジスタの間に直列連結されたメモリセルトランジスタを有する少なくとも一つのストリングと、前記メモリセルトランジスタは対応するワードラインに各々連結され、前記ストリングに連結されたビットラインを含む。 - 特許庁

The web client part 25 downloads the selected version of the firmware by accessing a web server on the Internet by using a stored URL and proxy server information, updates, stores the firmware in a flash ROM 21 and informs the web service part 24 of a fact that update of the version of the firmware is completed.例文帳に追加

ウェブクライアント部２５は、自己が記憶しているＵＲＬおよびプロキシサーバ情報を用いて、インターネット上のウェブサーバにアクセスして、選択されたバージョンのファームウェアをダウンロードし、このファームウェアをフラッシュＲＯＭ２１に更新記憶させ、ファームウェアのバージョンの更新が完了した旨をウェブサービス部２４に通知する。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit including the flash-type A/D converter having a comparator group 105 for comparing an analog input signal with the reference voltage and a sample & hold circuit 108 for holding the output of the comparator group is equipped with a means 106 capable of observing each output of the comparator group 105.例文帳に追加

アナログ入力信号を基準電圧と比較するコンパレータ群１０５と、コンパレータ群の出力を保持するサンプル＆ホールド回路１０８とを有するフラッシュ型Ａ／Ｄコンバータを含む半導体集積回路において、コンパレータ群１０５のそれぞれの出力を観測可能にする手段１０６を備える。 - 特許庁

The NAND flash memory includes a memory cell array, a data register for storing data read out from the memory cell array, an address register for designating the data to be transferred from the memory cell array to the data register, and a control circuit having a descending-order read command to allow the address register operate in the descending order.例文帳に追加

メモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたデータを保持するデータレジスタと、前記メモリセルアレイから前記データレジスタヘ転送されるデータを指定するアドレスレジスタと、前記アドレスレジスタを降順に動作させる降順読出しコマンドを持つ制御回路とを具備することを特徴とするＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

In the flash memory, writing is done to each memory cell MC to be written out of a plurality of memory cells MC corresponding to a selected word line WL, verifying is done by using a low word line voltage V_VR than usual, and additional writing is done to all the memory cells MC corresponding to the selected word line WL under the condition that a charge injection rate is lower than usual.例文帳に追加

このフラッシュメモリでは、選択ワード線ＷＬに対応する複数のメモリセルＭＣのうちの書込対象の各メモリセルＭＣに書込を行なうとともに通常よりも低いワード線電圧Ｖ_ＶＲを用いてベリファイを行ない、書込が終了した後に、選択ワード線ＷＬに対応する全メモリセルＭＣに通常よりも電荷注入量が少ない条件で追加書込を行なう。 - 特許庁

The FPGA 20 in the on-vehicle camera device 1 is equipped with a recording signal generator 24 which generates a C signal, a D signal and an S signal of the nonvolatile memory (SPI flash memory) 40, based on the input signals 1 and 2 from a memory rewriting device 4 connected with the existing signal lines 2-1 and 2-2 in place of an operating unit 3.例文帳に追加

車載カメラ装置１内のＦＰＧＡ２０は、操作部３に替えて既存の信号線２−１，２−２に接続されたメモリ書換装置４からの入力信号１，２にもとづき、不揮発性メモリ（ＳＰＩフラッシュメモリ）４０のＣ信号、Ｄ信号、Ｓ信号を生成する記録信号生成部２４を備える。 - 特許庁

The image forming apparatus includes: a fixing means for fixing the toner image by illuminating flash light on the recording medium where the toner image is formed on the one surface; and a supplying means for supplying moisture to partial area of the recording medium based on the information on a supplying target predetermined from the side of the other surface of the recording medium, with the means provided downstream of the fixing means in a transfer direction of the recording medium.例文帳に追加

画像形成装置は、一方の面にトナー像が形成された記録媒体にフラッシュ光を照射して当該トナー像を定着する定着手段と、定着手段の記録媒体の搬送方向の下流側に設けられ、記録媒体の他方の面の側から予め決められた供給対象に関する情報に基づく記録媒体の一部の領域に対し水分を供給する供給手段と、を備える。 - 特許庁

To provide a flash memory element and a method for manufacturing it for configuring a floating gate so that the upper part can be made narrower than the lower part, for reducing the area of the floating gate while maintaining the overlap area between the control gate and the floating gate, and for reducing intercell interference without lowering a program speed.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリ素子及びその製造方法に関するものであり、フローティングゲートを下部より上部が狭くなるように構成し、コントロールゲートとフローティングゲート間のオーバーラップ面積は維持させながらフローティングゲートの面積を減少させてプログラムスピード(program speed)の低下なしにセル間の干渉(interference)を減らすことを目的としている。 - 特許庁

To respond at low cost with flexibility to advanced and complicated requirements from a user by increasing data volume to be stored with efficient use of a flash memory, and the like, and using a storage medium processing method with its device and a card reader/writer.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の記憶手段を効率よく使用して記憶可能なデータ量を増大し、さらにプロトコルの変更やセキュリティシステムの変更等のシステム変更にも柔軟に対応できる記憶媒体処理方法とその装置、及びカードリーダ／ライタを提案し、高度化複雑化する利用者の要求に対して低コストでフレキシブルに対応して利用者の満足度を向上させる - 特許庁