「A flash」に関連した英語例文の一覧と使い方(137ページ目) - Weblio英語例文検索

This controller 100 of a sewing machine is provided with flash memories 12 and 22 for storing various programs for executing control by control means(for example, CPU 11 and 21) for controlling a control object means such as a motor 14 or a control panel 24 and a memory card 3 for storing a program for rewriting.例文帳に追加

モータ１４や操作パネル２４などの制御対象手段の制御を行う制御手段（例えば、ＣＰＵ１１、２１）による制御を実行するための各種のプログラムを記憶するフラッシュメモリ１２、２２と、書換用のプログラムを記憶するメモリカード３と、を備えるミシンの制御装置１００である。 - 特許庁

A method of programming a NAND flash memory includes the steps of applying a program voltage to a selected word line; applying a pass voltage to an non-selected word line; and recovering the selected word line and the non-selected word line to a ground voltage, after lowering the selected word line to the pass voltage.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリのプログラム方法は、選択ワードラインにプログラム電圧を印加し、非選択ワードラインにパス電圧を印加するステップと、選択ワードラインをパス電圧に低下させた後、選択ワードライン及び非選択ワードラインを接地電圧に復旧するステップと、を含む。 - 特許庁

The reception processing for storing data received from a memory reloader 30 into a rotating buffer for reception inside a RAM 14 at a microcomputer 11 is parallelly executed while utilizing time required for write processing for storing these data in a buffer for write inside the RAM 14 as write data and writing them into a flash ROM 13.例文帳に追加

メモリ書換機３０から受信されたデータをマイクロコンピュータ１１のＲＡＭ１４内の受信用ローテーティングバッファに格納する受信処理が、そのデータを書込データとしてＲＡＭ１４内の書込用バッファに格納しフラッシュＲＯＭ１３に書込む書込処理に要する時間を利用し並行に実行される。 - 特許庁

In the flash discharge tube 1, a trigger electrode 14, 15 made of a transparent conductive film is laminated on the outer circumference of the glass bulb 2 in which a rare gas such as xenon gas having a prescribed pressure is filled, and a pair of an anode electrode 5 and a cathode electrode 6 being main electrodes mutually facing each other are sealed at both ends of the glass bulb 2.例文帳に追加

閃光放電管１は、内部に所定圧のキセノンガスのような希ガスが封入されたガラスバルブ２の外周面に、透明な導電性被膜からなるトリガー電極１４，１５が積層され、ガラスバルブ２の両端に互いに対向した一対の主電極であるアノード電極５とカソード電極６とが封止されている。 - 特許庁

When a release switch is depressed to instruct the start of photography, a CPU 23 controls operations of a lighting unit 15 and an image capturing unit 10 to control a lighting photography operation wherein the image capturing unit 15 performs an image capturing operation while the lighting unit 15 performs a lighting operation, thereby performing photography at least once while a flash unit 16 emits lighting light.例文帳に追加

ＣＰＵ２３は、レリーズスイッチが押下されて撮影開始が指示された場合に、照明部１５および撮像部１０の動作を制御し、照明部１５が照明動作を行った状態で撮像部１５が撮像動作を行う照明撮影動作を制御することによって、フラッシュユニット１６が照明光を発光した状態での撮影を少なくとも１回行う。 - 特許庁

Before the step in which the CPU selects the DSP card, the CPU may have further a step to collect card types from a register of a protocol conversion part which the DSP card has; a step to transmit this card type to a remote terminal; and a step to receive information on the DSP card which has the flash ROM to be updated from the remote terminal.例文帳に追加

ＣＰＵが、ＤＳＰカードが有するプロトコル変換部のレジスタからカード種別を収集するステップと；このカード種別を遠隔端末に送信するステップと；遠隔端末から更新すべきフラッシュＲＯＭを有するＤＳＰカードの情報を受信するステップと；をＣＰＵがＤＳＰカードを選択するステップの前にさらに有してもよい。 - 特許庁

If the white blemish correction information is recorded in a flash memory 20d and the temperature of a CCD type image pickup element 13 is not less than a predetermined value, a control unit 20 uses the data of a pixels for correction to correct the data of pixels of the white blemish in an RAW system image data written into a buffer memory 16.例文帳に追加

フラッシュメモリ２０ｄに白キズ補正情報が記録されており、且つＣＣＤ型撮像素子１３の温度が所定値以上である場合、制御部２０は、バッファメモリ１６に書き込まれたＲＡＷ形式の画像データ中の白キズにかかる画素のデータを補正用画素のデータを用いて補正する。 - 特許庁

A telephone number as party specification information for specifying the party of communication, a final call originating date, when a call is finally originated to the party specified by that telephone number, and a final call terminating date, when a call is finally terminated from that party, are correspondently stored and held on the flash memory of a portable telephone terminal.例文帳に追加

通信の相手先を特定するための相手先特定情報としての電話番号と、その電話番号によって特定される相手先に対して最後に発信を行った最後の発信日付と、その相手先から最後に着信があった最後の着信日時とを対応付けて、携帯電話端末のフラッシュメモリに記憶保持する。 - 特許庁

In a flash memory having, for example, a single gate type memory cell consisting of a gate electrode provided through a thin electric charge trap layer on a semiconductor substrate, the device is characterized in that after data is written in the memory cell, a short pulse is applied to the memory cell so that one part of electrons is eliminated from the electric charge trap layer.例文帳に追加

半導体基板上の薄い電荷トラップ層を介して設けられたゲート電極からなる例えば単ゲート型メモリセルを有するフラッシュメモリにおいて、前記メモリセルに対してデータ書込み後、前記電荷トラップ層から電子を一部排除するよう前記メモリセルに対して短パルスを加えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。 - 特許庁

This device is equipped with a flash discharge tube 2, a reflection member 1 forming a reflection surface at the rear of the tube 2, a lens member 4 having a recessed part which the tube 2 freely advances to/retreats from at the center part of the reflection surface, and a driving member 3 driving the tube 2 to advance to/retreat from the recessed part of the member 4.例文帳に追加

本発明のストロボ装置には、閃光放電管(２)と、この閃光放電管の背後で反射面を形成する反射部材(１)と、この反射面の中心部にその閃光放電管が進退自在な凹部を有するレンズ部材(４)と、閃光放電管をレンズ部材の凹部に対して進退させる駆動部材(３)とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing such an additive to a fossil oil and water-mixture fuel as has no separation of a fossil fuel oil and water over a long period, and as water added fossil oil-fuel has the flash point lowered and the combustion flame temperature raised and as causes no increase in carbon dioxide in the atmosphere, and to provide a method for manufacturing a water added fossil oil-fuel.例文帳に追加

長期間にわたり化石燃料油と水とが分離することがなく、しかも、化石油加水燃料の引火点が下がると共に燃焼炎温度が上がり、また、大気中の二酸化炭素を増加させることがない化石油・水混合燃料添加剤の製造方法及び化石油加水燃料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a water-washable water-based penetrant for a liquid penetrant test not having a flash point, capable of suppressing to the utmost generation of excess cleaning when removing an excess penetrant by water washing, and having a similar flaw detection performance to that of a water-washable oil-based penetrant, and a liquid penetrant testing method using the penetrant.例文帳に追加

引火点を有さず、かつ、水洗による余剰浸透液の除去に当たって、過洗浄の発生が可及的に抑制でき、水洗性油ベース浸透液と同等の探傷性能を具備している浸透探傷試験用水洗性水ベース浸透液及び該浸透液を用いる浸透探傷試験方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing system includes a soldering robot 1 to solder electronic components to a printed circuit board, a circuit check unit to inspect the electrical characteristics of the printed circuit board, a ROM writer 3 to write the predetermined data on the flash ROM on the printed circuit board, and a function test unit 4 to perform a final function test.例文帳に追加

本生産システムは、はんだ付けロボット１によりプリント基板上に電子部品をはんだ付けし、サーキットチェック装置によりプリント基板の電気特性を検査した後、ＲＯＭライタ３によりプリント基板上のフラッシュＲＯＭに所定のデータを書き込み、ファンクションテスト装置４により最終的な機能検査を行う。 - 特許庁

During the abbreviation display mode, indications of items relating to a setting state of exposure correction, a focal distance of a photographing lens and a use state of a flash light in photographic information data are abbreviated to reduce display items of the photographic information data, and items displayable on a monochromatic liquid crystal display 31 are displayed not on the color liquid crystal display 24 but on the monochromatic liquid crystal display 31.例文帳に追加

省略表示モードの場合は、撮影情報データのうち露出補正の設定状態、撮影レンズの焦点距離、およびフラッシュライトの使用状態に関する項目の表示を省略することによって撮影情報データの表示項目を減らし、モノクロ液晶ディスプレイ３１に表示可能な項目はカラー液晶ディスプレイ２４でなくモノクロ液晶ディスプレイ３１に表示する。 - 特許庁

A WB correction coefficient calculating part calculates a color change amount of a subject caused by the lighting of the LED from the image data with LED lighted for LED color estimation and the image data with the LED put out for LED color estimation (step S303), and modifies a WB correction coefficient corresponding to a specific light source stored in a flash memory according to the calculated color change amount (step S305).例文帳に追加

ＷＢ補正係数算出部は、ＬＥＤ色推定用ＬＥＤ点灯画像データとＬＥＤ色推定用ＬＥＤ消灯画像データとからＬＥＤの点灯による被写体の色変化量を算出し（ステップＳ３０３）、算出した色変化量に従ってＦｌａｓｈメモリに記憶された特定光源に対応したＷＢ補正係数を修正する（ステップＳ３０５）。 - 特許庁

To provide a variable irradiation angle electronic flash device capable of increasing the degree of light convergence in a telephoto-side state while making a light emission irradiation angle wide in a wide-angle side state, not to mention prevention against generation of iris irregularity caused by prism action of a Fresnel lens even in the wide-angle side state when a light emission part shape is made small.例文帳に追加

発光部形状を小型化した場合のワイド側状態においてもフレネルレンズのプリズム作用に基づく虹むらの発生を防止できるのは勿論の事、ワイド側状態での発光照射角度の広角化を実現しつつ、テレ側状態での集光度を高めることができる照射角可変ストロボ装置を提供する。 - 特許庁

Specified noise to generate a probability resonance phenomenon to a viewer of a lighting fixture is superimposed on a voltage signal to be supplied to the lighting fixture in correspondence with a specified driver's operation or a vehicle state in this lamp device for the vehicle to light or flash the lighting fixture in correspondence with the specified driver's operation or the vehicle state on the vehicle.例文帳に追加

車両において所定の運転者操作又は車両状態に応じて灯具を点灯又は点滅させる車両用灯火装置において、上記所定の運転者操作又は車両状態に応じて上記灯具へ供給される電圧信号に当該灯具の視者に確率共振現象を生じさせる所定の雑音が重畳される。 - 特許庁

In an NAND type flash memory 1, respective control electrodes of a first selection transistor 22 of a plurality of memory cell units 20 adjoining in the extending direction of a data line 50 are united to form a first selection signal line 71, and respective control electrodes of a second selection transistor 23 are united to form a second selection signal line 72.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１において、データ線５０の延在方向に隣接する複数個のメモリセルユニット２０の第１の選択トランジスタ２２の各々の制御電極を一体化し第１の選択信号線７１を構成し、第２の選択トランジスタ２３の各々の制御電極を一体化し第２の選択信号線７２を構成する。 - 特許庁

The flash memory element has the plurality of word lines including a floating gate, a dielectric film and a control gate, and a plurality of selection lines formed where a part of the dielectric film is removed and the floating gate is directly connected to the control gate; wherein the plurality of word lines and the plurality of selection lines are formed with a uniform interval.例文帳に追加

フローティングゲート、誘電体膜及びコントロールゲートを含む複数のワードラインと、前記誘電体膜の一部が除去されフローティングゲートとコントロールゲートとが直接接続された複数のセレクトラインを備え、前記複数のワードラインと前記複数のセレクトラインが均一な間隔で形成されている。 - 特許庁

The operating method comprises a step of determining whether a read error caused during a read operation of the flash memory device is caused by a read disturb, and a step of replacing a memory block having the read error with an empty memory block when the read error is determined to be caused by the read disturb.例文帳に追加

該動作方法はフラッシュメモリー装置の読み込み動作の間に生じた読み込みのエラーが読み込みによるディスターブに起因するものか否かを判別する段階と、前記読み込みのエラーが読み込みによるディスターブに起因するものと判別される場合には、前記読み込みのエラーが発生したメモリーブロックを空のメモリーブロックで置き換える段階とを含む。 - 特許庁

A plurality of DSP (digital signal processors) 1-2, a bus protocol conversion function part 3 connecting data buses of various protocols, and a flash ROM 5 are connected to a data bus 11, and an external storage device 4 including a volatile memory is connected to the bus protocol conversion function part 3 to constitute a DSP card 13.例文帳に追加

複数のＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）１〜２と、種々のプロトコルのデータバスを接続するバスプロトコル変換機能部３と、フラッシュＲＯＭ５がデータバス１１に接続され、揮発性のメモリからなる外部記憶装置４が、バスプロトコル変換機能部３に接続されてDSPカード１３を構成している。 - 特許庁

A mobile educational Web server system and method are concerned with an education system using a mobile flash memory for loading a program for education in a Web server with mobility to enable a teacher to prepare teaching materials as the top manager of the Web server, and to give a lesson to students by way of on/off line.例文帳に追加

本発明は、移動式フラッシュメモリを用いた教育システムに関するものであって、移動性が提供されるウェブサーバに教育用プログラムを搭載して教師がウェブサーバの最高管理者として授業資料を作成し、学生とオン・オフラインで授業できる移動式教育用ウェブサーバシステム及び方法に関する。 - 特許庁

In the memory cell array of this NOR type flash memory, a conductive material is supplied to the cavity 22 formed in the source wiring 21 having a U-shaped structure not only from a hole for source contacting but also from a hole for dummy source contacting in the process of forming a source contact electrode 23 and a dummy contact electrode 24.例文帳に追加

本発明に係るＮＯＲ型フラッシュメモリのメモリセルアレイは、ソースコンタクト電極２３及びダミーコンタクト電極２４を形成する工程においてＵ字構造のソース配線２１に形成された空洞２２にソースコンタクト用のホールに加えてダミーソースコンタクト用のホールからも導電体が供給される。 - 特許庁

An area rewritable by a PC (Personal Computer) and an area unrewritable are formed when connecting the PC by physically dividing an HDD (or a flash memory) recording the content into a first HDD 3a and a second HDD 3b, or logically dividing one HDD 4 into a first partition 4a and a second partition 4b.例文帳に追加

コンテンツを記録するＨＤＤ（またはフラッシュメモリ）を、物理的に第１ＨＤＤ３ａ、第２ＨＤＤ３ｂに分割して、または、一つのＨＤＤ４を論理的に第１パーティション４ａ、第２パーティション４ｂに分割することにより、ＰＣに接続した際該ＰＣから書き換え可能な領域と、書き換え不可能な領域とに分離する。 - 特許庁

A step-down power supply part 8 for generating an internal power source voltage VDDP provided in a flash memory 1 outputs the internal power supply voltage VDDP to a control system circuit 5 by a first step-down power supply circuit 19 in a normal operation mode when about 3. 3V is supplied from the outside as a power supply voltage VCC.例文帳に追加

フラッシュメモリ１に設けられた内部電源電圧ＶＤＤＰを生成する降圧電源部８は、外部から電源電圧ＶＣＣとして、３．３Ｖ程度が供給された場合、通常動作時は、第１降圧電源回路１９によって内部電源電圧ＶＤＤＰが制御系回路５に出力される。 - 特許庁

The flash memory includes an element isolation film and an active region formed at a substrate, a plurality of stacked gates formed on the active region, a deep implant region formed at a lower portion of the element isolation film and the active region between the stacked gates, and a shallow implant region formed at a surface of the active region between the stacked gates.例文帳に追加

基板に形成された素子分離膜及び活性領域と、前記活性領域上に形成された複数のスタックゲートと、前記各スタックゲートの間の素子分離膜の下側及び活性領域に形成された深いインプラント領域と、前記各スタックゲートの間の活性領域の表面に形成された浅いインプラント領域とを含んでフラッシュメモリを構成する。 - 特許庁

To provide a in-mold molding device for manufacturing a foam resin particle moldings, in-mold molding mold for manufacturing the foam resin particle moldings and a manufacturing method for the foam resin particle moldings by which a decrease of a dimensional accuracy by heating is low, no flash-like projection is generated and a molding cycle is short.例文帳に追加

本発明は、加熱による寸法精度の低下が小さく、長期間使用してもバリ状突起が発生することがなく、しかも成型サイクルが短い発泡樹脂粒子成形体製造用の型内成形装置、及び発泡樹脂粒子成形体製造用の型内成形用金型、並びに発泡樹脂粒子成形体の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide compositions for abrasion which is applicable to the process of forming a floating gate in a flash memory, and suitable for a CMP process in which a protrusion on a polysilicon film is flattened and polishing is stopped before exposing a ground.例文帳に追加

フラッシュメモリーにおけるフローティングゲート形成工程などに適用可能な、ポリシリコン膜の凸部を研磨して平坦化し、下地を露出する前に研磨を停止するＣＭＰ工程に適した、研磨用組成物を提供するものであり、これにより、優れた平坦性と残膜厚制御性が得られるため、半導体素子の歩留まり、信頼性の向上が可能となる。 - 特許庁

When a rainfall intensity measured by a rainfall sensor 121 of the slave unit 10 and a wind velocity measured by a wind velocity sensor 122 are respectively not more than a first threshold value and a second threshold value predetermined as decision criterions of registration availability, the acquired voiceprint data of the visitor are registered in the flash ROM 220.例文帳に追加

さらに、子機１０の降雨センサ１２１により測定された降雨強度と、風速センサ１２２により測定された風速が、それぞれ、登録可否の判断基準として予め定められた第１の閾値および第２の閾値以下である場合には、取得された来訪者の声紋データが、フラッシュＲＯＭ２２０に登録される。 - 特許庁

The flash discharge lamp is provided with an arc tube made of a material having a light-transmitting region in a wavelength range of 200 nm or less, and a light-beam absorbing layer having absorption characteristics on light with a wavelength of 200 nm or less with yttrium oxide as a main component is fitted on an outer surface of the arc tube.例文帳に追加

本発明の閃光放電ランプは、２００ｎｍ以下の波長範囲に光透過域を有する材料よりなる発光管を備え、この発光管の外表面に、酸化イットリウムを主成分とする、波長が２００ｎｍ以下の光に対して吸収特性を有する光線吸収層が設けられた構成とされている。 - 特許庁

This NAND flash memory device includes a cell array connected to a plurality of bitlines, a page buffer for storing data to be programmed in the cell array, and a bitline setup circuit for successively setting up the plurality of bitlines with a specified unit in accordance with the data stored in the page buffer.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は複数個のビットラインに連結されるセルアレイと、前記セルアレイにプログラムされるデータを貯蔵するページバッファと、前記ページバッファに貯蔵されたデータに応じて複数個のビットラインを一定の単位で順にセットアップするビットラインセットアップ回路とを含む。 - 特許庁

The disclosed method includes, in a flash memory device comprising a stack gate electrode, a step of performing a radical oxidization process on the entire resulting surface including the stack gate electrode to form a sidewall oxide film on sidewalls of the stack gate electrode, and to maintain the profile of the stack gate electrode before the radical oxidization process.例文帳に追加

スタックゲート電極が備えられたフラッシュメモリ素子において、前記スタックゲート電極の含まれた結果物の全面にラジカル酸化工程を行い、前記スタックゲート電極の側壁に側壁酸化膜を形成すると共に前記ラジカル酸化工程前の前記スタックゲート電極のプロファイルを維持させる段階を含む。 - 特許庁

A clock selection/reset generation circuit 111 generates reset according to the selected system to each of a CPU 114, a flash controller 113 and an encryption circuit 112 for contactless communication and selects either of a clock supplied from the contactless communication circuit 105 or a clock supplied from the VCO 110.例文帳に追加

クロック選択／リセット生成回路１１１は選択された方式に従ってＣＰＵ１１４，フラッシュコントローラ１１３，非接触通信用暗号回路１１２のそれぞれに対しリセットを生成し、非接触通信回路１０５から供給されるクロックとＶＣＯ１１０から供給されるクロックのいずれかを選択する。 - 特許庁

When a user adjustment part 201 requests image quality adjustment in "cinema" mode, or when a cinema detection part 202 detects that input video data are cinema video images, a contrast adjustment part 206 adjusts contrast by the value set in the "cinema" mode, which are read from a flash memory 204 and output by a video mode determination part 205.例文帳に追加

ユーザ調整部２０１が、「シネマ」モードの画質調整を要求した場合、または、シネマ検出部２０２が、入力された映像データがシネマ映像であると検出した場合、コントラスト調整部２０６は、映像モード決定部２０５がフラッシュメモリ２０４から読みだして出力した「シネマ」モードの設定値でコントラストを調整する。 - 特許庁

The electronic flash device includes: an emission section 7; a trigger coil 23 for making the emission section 7 emit light; a hard circuit board 21 on which the trigger coil 23 is mounted; a flexible circuit board 22 electrically connected with the hard circuit board 21; and a trigger cap 27 covering over an output pin 25 of the secondary electrode that is a high voltage section of the trigger coil 23.例文帳に追加

ストロボ装置は、発光部７と、発光部７を発光させるためのトリガーコイル２３と、トリガーコイル２３が実装されるハード回路基板２１と、ハード回路基板２１と電気的に接続されるフレキシブル回路基板２２と、トリガーコイル２３の高電圧部である２次電極の出力ピン２５を覆うトリガーキャップ２７を備える。 - 特許庁

The information processing apparatus includes a main processing device 22, having a disk access checking function for checking the disk access error and an OS emergency dump generation function for generating an OS emergency dump from the OS dump; a main controller 21 that transfers the OS emergency dump to a subcontroller 31; and a flash memory 34 that stores the OS emergency dump transferred to the subcontroller 31.例文帳に追加

ディスクアクセス異常を検出するディスクアクセスチェック機能とＯＳダンプからＯＳ緊急ダンプを作成するＯＳ緊急ダンプ生成機能とをそなえたメインプロセッサ２２と、ＯＳ緊急ダンプをサブコントローラ３１へ転送するメインコントローラ２１と、サブコンローラ３１へ転送されてきたＯＳ緊急ダンプを保存するフラッシュメモリ３４とをそなえる。 - 特許庁

This flash ROM 10 is constituted so as to execute writing and deletion of the data when a prescribed piece of data is written in a prescribed address area and provided with a data bus connecter part 10a to mutually connect a data bus consisting of the prescribed number of data signal lines between the inside and the outside of a package.例文帳に追加

この発明のフラッシュＲＯＭ１０は、所定のアドレス領域に所定のデータが書き込まれたときに、データの書き込みや消去を実行する仕組みとなっており、所定数のデータ信号線からなるデータバスをパッケージの内と外とで相互に接続するためのデータバスコネクタ部１０ａが設けられている。 - 特許庁

The camera is provided with a flashing circuit 48 for making a flashing part flash, a control circuit 41 for controlling this flashing circuit 48, and a temperature detection circuit 46 for detecting the temperature of the flashing circuit 48, and the control circuit 41 controls a flashing time of the flashing part based on the temperature information of the flashing circuit 48.例文帳に追加

カメラは、フラッシュ発光部を発光させるためのフラッシュ発光回路４８と、このフラッシュ発光回路４８を制御するための制御回路４１と、フラッシュ発光回路４８の温度を検出するための温度検出回路４６とを備え、制御回路４１は、フラッシュ発光回路４８の温度情報に基づきフラッシュ発光部の発光時間を制御する。 - 特許庁

When a shutter is released, an exposure time is decided; when the exposure time is shorter than a predetermined exposure time TvTH, exposure before preliminary lighting is carried out to find an external light luminance value Ylight from a luminance value Ylightm before preliminary lighting and also find a preliminary lighting luminance value Yflash from preliminary lighting exposure, thereby computing a flash lighting quantity Lflash.例文帳に追加

シャッターが押されると、露光時間による判別が行われ、露光時間が予め定められている露光時間TvTHより短い場合は、プリ発光前露光が行われ、プリ発光前輝度値Ylightmから外光輝度値Ylightが求められるとともに、プリ発光露光によりプリ発光輝度値Yflashが求められた上で、フラッシュ発光量Lflashが演算される。 - 特許庁

An information processor 10 includes: a flash memory 25 for storing a program code and a first error correction code for correcting the reading error of the program code; an RAM 26 for storing the program code and the first correction code read from the memory 25; and a CPU 21 for executing a program code stored in the RAM 26.例文帳に追加

情報処理装置１０は、プログラムコードとこのプログラムコードの読み出し誤りを訂正するための第１の誤り訂正符号とを記憶するフラッシュメモリ２５と、このメモリ２５から読み出されたプログラムコード及び第１の誤り訂正符号を記憶するＲＡＭ２６と、このＲＡＭ２６に記憶されたプログラムコードを実行するＣＰＵ２１とを備えている。 - 特許庁

A remote operating device has a ROM 112 for storing standard layout informations made previously to correspond at each apparatus, and has a CPU 110 setting layout informations for a display, based on the standard layout informations stored in the ROM 112 and a flash memory 114 for making the set layout informations for the display correspond to the apparatuses and storing the set layout information.例文帳に追加

予め機器ごとに対応付けられた標準レイアウト情報を記憶するためのＲＯＭ１１２を備え、ＲＯＭ１１２に記憶された標準レイアウト情報に基づく表示用レイアウト情報を設定するためのＣＰＵ１１０と、設定された表示用レイアウト情報を、機器と対応付けて記憶するためのフラッシュメモリ１１４とを備える。 - 特許庁

A CPU 11 calculates the actual occupation size occupying a flash memory 18 in the storage of the compressed image data from a cluster size and the file size, and determines a corrected compression rate from the value of the change rate of compression file size in reference to a correspondence table in which the compression rate is preliminarily conformed to the change rate of compression file size.例文帳に追加

ＣＰＵ１１は、圧縮された画像データの保存時にフラッシュメモリ１８を占有する実際の占有サイズを、クラスタサイズとファイルサイズとから算出し、予め圧縮率と圧縮ファイルサイズの変化率とを対応付けた対応テーブルを参照して、圧縮ファイルサイズの変化率の値から、補正圧縮率を求める。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device including a laser radiation process that radiates a laser beam of intensity distribution having the minimum intensity beam or the minimum intensity point optically modulated by an optical modulation element to the crystallized area of a non-single crystal semiconductor thin film to crystallize the same and a heating process that radiates light to the crystallized area by a flash lamp to heat the crystallized area.例文帳に追加

非単結晶半導体薄膜の結晶化領域に、光学変調素子で光変調されて極小光強度線もしくは極小光強度点を有する光強度分布のレーザ光を照射して結晶化するレーザ照射工程と、結晶化された領域にフラッシュランプによる光照射して結晶化された領域を加熱する加熱工程とを包含する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

For instance, the flash memory reads search data corresponding to the storage data stored in the block, from a top page of each block in a reverse consulting search mode and compares these search data with nonsearch data from a controller to send a block address and a page address of the search data coincident with the nonsearch data back to the controller.例文帳に追加

たとえば、フラッシュメモリは、逆引き検索モードにおいて、各ブロックの先頭ページより、そのブロックに記憶された記憶データに対応する検索データを読み出し、その検索データとコントローラからの非検索データとを比較し、非検索データに一致する検索データのブロックアドレスおよびページアドレスをコントローラに送り返す。 - 特許庁

In an engine ECU 11, upon receiving a rewrite start notification from a rewriting tool 19 connected to a vehicular communication line 17, a main microcomputer 21 performs predetermined communication with the rewriting tool 19, and then executes a rewrite process to rewrite control software stored in flash memory 32 to another piece of control software received from the rewriting tool 19.例文帳に追加

エンジンＥＣＵ１１では、メインマイコン２１が、車両の通信線１７に接続された書換ツール１９からの書換開始通知を受けると、該書換ツール１９と所定の通信を行った後、フラッシュメモリ３２内の制御ソフトを書換ツール１９からの制御ソフトに書き換える書換処理を行う。 - 特許庁