「A flash」に関連した英語例文の一覧と使い方(143ページ目) - Weblio英語例文検索

A photocurable ink composition for ink jet recording comprises at least a polymerisable compound having a flash point, an initiator, and water, wherein the polymerisable compound has at least one hydroxy group and is at least one type selected from the group consisting of alkylene glycol monoallyl ether and alkylene glycol monovinyl ether, and the water content is 5-20 mass%.例文帳に追加

引火点を有する重合性化合物と、開始剤と、水と、を少なくとも含み、前記重合性化合物が、水酸基を少なくとも１つ含む、アルキレングリコールモノアリルエーテルおよびアルキレングリコールモノビニルエーテルからなる群から選択される少なくとも１種であり、前記水の含有量が５〜２０質量％である、インクジェット記録用光硬化型インク組成物。 - 特許庁

A digital controller 11 for repairing the chip digitally control the application of heating current pulse from a heating current pulse adjusting device 10 and reverse charge voltage from a reverse charge voltage adjusting device 9 to flash the electron gun chip 3 under heating and repair the shape.例文帳に追加

更に、電子銃チップ３に対する加熱電流パルス調整装置１０からの加熱電流パルスおよび逆電荷電圧調整装置９からの逆電荷電圧の付与をチップ修復ディジタル制御装置１１でディジタル制御することにより、電子銃チップ３に対して加熱フラッシングおよび形状修復が行われる。 - 特許庁

At the time of updating old firmware 51 stored in a flash ROM 50 to new firmware 52, address information indicating the address of a floppy disk device initializing means 511 is stored in an initializing means address storing area 401 of a non-volatile RAM 40 by an address storing means 513.例文帳に追加

フラッシュＲＯＭ５０に格納されている旧ファームウェア５１を新ファームウェア５２に更新する場合に、番地格納手段５１３により、フロッピーディスク装置初期化手段５１１の番地を示す番地情報を、番地格納手段５１３により、不揮発性ＲＡＭ４０の初期化手段番地格納領域４０１に格納しておく。 - 特許庁

In the writing apparatus of a nonvolatile semiconductor memory apparatus for writing data to a flash memory 11 and moreover, verifying written data and rewriting data not correctly written, a write signal-generating means 51 is set for comparing write data of an address where the data is written and verified data and selectively rewriting data to be written.例文帳に追加

フラッシュメモリ１１にデータを書込むと共に、書込んだデータをベリファイし、その結果正しく書込まれないデータを再び書込むための不揮発性半導体記憶装置の書込み装置において、データを書込んだアドレスの書込みデータとベリファイしたデータとを比較し、再書込みするデータのみを選択的に書込む書込信号の生成手段５１を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In a video reproducing device such as a DVD(digital video disk) player, when DVD 11B recording the program for version up is set to a DVD drive 7, CPU 2 updates the control program stored in flash EEPROM 4 to the program for version up read from the DVD 11B.例文帳に追加

ＤＶＤプレーヤなどの映像再生装置において、ＣＰＵ２は、ＤＶＤドライブ７にバージョンアップ用プログラムを記録したＤＶＤ１１Ｂがセットされると、フラッシュＥＥＰＲＯＭ４に格納された制御プログラムを、当該ＤＶＤ１１Ｂから読出したバージョンアップ用プログラムに更新する。 - 特許庁

To provide a flash memory element and program method in which, in a program operation of a multi-level-tip, different voltages corresponding to voltage differences from the threshold voltages are applied to bit lines and program operations having different threshold voltage value sections are simultaneously performed to reduce the program operation frequency and to shorten the program operation time.例文帳に追加

マルチレベルチップのプログラム動作において、ビット線にしきい値電圧との電圧差に相当する異なる電圧を印加し、異なるしきい電圧値区間を有するプログラム動作を同時実行してプログラム動作回数を減らし、プログラム動作時間を短く減らすフラッシュメモリ素子とプログラム方法を提供する。 - 特許庁

In the method of forming a protective film on the surface of metal such as zinc, alloys or plating applied to the above metal or the like subjected to heating treatment, treatment with a water base alkali composition where the above surface is subjected to flash treatment with an alkali metal or the like, acid treatment, and the subsequent application of a protective film agent composition are performed.例文帳に追加

加熱処理が施された、亜鉛その他の金属若しくは合金又は前記金属等に施された鍍金表面の保護皮膜形成方法であって、前記表面にアルカリ金属等でフラッシュ処理する水性アルカリ性組成物による処理と、酸処理とを行った後に、保護皮膜剤組成物の塗布を行うことを特徴とする鋼材表面の保護皮膜形成方法。 - 特許庁

The color toner for flash fixing includes at least a binder resin, a colorant, an infrared absorbing agent and a fluorescent brightening agent, wherein the infrared absorbing agent has at least one or more light absorption peaks in the wavelength range of 750-2,000 nm and the fluorescent brightening agent has an emission peak of fluorescence in the wavelength range of 350-500 nm.例文帳に追加

少なくとも、結着樹脂、着色剤、赤外線吸収剤及び蛍光増白剤を含むフラッシュ定着用カラートナーであって、前記赤外線吸収剤が波長７５０〜２０００ｎｍの範囲に少なくとも１つ以上の光吸収ピークを有しており、前記蛍光増白剤が波長３５０〜５００ｎｍの範囲に蛍光の発光ピークを有することを特徴とするフラッシュ定着用カラートナーである。 - 特許庁

The voltage of the dry battery 13 for allowing the stroboscope to flash is detected, and the power source is switched from the battery 13 to a lithium ion battery 24, for supplying power for making communication by the rechargeable portable telephone, in response to the result that the detected voltage is not greater than a prescribed voltage, thereby turning on a xenon lamp 12.例文帳に追加

ストロボ装置を点灯させるための乾電池１３の電圧を検出し、検出された電圧が所定の電圧以下になったことに応じて、乾電池１３からの電力供給を充電可能な携帯電話機で通話するための電力を供給するリチウムイオン電池２４からの電力供給に切換えてキセノン放電管１２を点灯させる。 - 特許庁

To provide an image forming method that gives sufficient fixing property at a medium to high process rate even in a non-contact fixing method such as flash fixing, laser fixing, microwave fixing and high frequency fixing where toner is selectively heated and quick start can be performed, and that improves stains by toner when a fixed image is rubbed.例文帳に追加

トナーを選択的に加熱し、さらにクイックスタートも可能であるフラッシュ定着やレーザー定着、マイクロ波定着、高周波定着といった非接触定着法においても中〜高速で充分な定着性を与え、かつ定着画像を擦ったときのトナーによる汚れを改善した画像形成方法を提供すること。 - 特許庁

In an image processor 1, BAD BLOCK occurs in writing of data to a NAND type flash memory 17 for performing at least writing and reading of data, a CPU 11 acquires at least one of BAD BLOCK occurrence frequencies and BAD BLOCK occurrence intervals which are BAD BLOCK occurrence-related information on the occurrence of the BAD BLOCK for storing in a NVRAM 14.例文帳に追加

画像処理装置１は、少なくともデータの書き込み及び読み出しの行われるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７へのデータの書き込みにおいてＢＡＤ ＢＬＯＣＫが発生すると、ＣＰＵ１１が、該ＢＡＤ ＢＬＯＣＫの発生に関するＢＡＤ ＢＬＯＣＫ発生関連情報であるＢＡＤ ＢＬＯＣＫ発生回数とＢＡＤ ＢＬＯＣＫ発生間隔のうち少なくともいずれかを取得して、ＮＶＲＡＭ１４に記憶する。 - 特許庁

A slurry composition for chemical mechanical polishing for the polycrystalline silicon and the semiconductor element utilizing it are formed, by a method wherein a trench element separation film is ground with the slurry having the grinding selection ratio with respect to the polycrystalline silicon, which is higher compared with the element separation oxide film of an etching prevention film, to form the self aligned floating gate of the flash memory element.例文帳に追加

本発明は、多結晶シリコン用化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing）のためのスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の形成方法に関し、より詳しくはエッチング防止膜の素子分離酸化膜に比べて多結晶シリコンに対し高い研磨選択比を有するスラリーでトレンチ素子分離膜を研磨し、フラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲート（Self Align Floating Gate）を形成する半導体素子の形成方法に関する。 - 特許庁

An MPU 62 reads the information on the delay from the flash memory 64 in response to the ON/OFF selection of the signal processing function by a user, a time difference of delays generated in the video-signal processing section 6 and the audio-signal processing section 7 is computed and the delay time of a delay section 8 is set at the value for synchronization.例文帳に追加

ユーザによる信号処理機能のＯＮ／ＯＦＦの選択指示に応じて、ＭＰＵ６２はフラッシュメモリ６４から遅延時間の情報を読み出し、映像信号処理部６及び音声信号処理部７で発生する両遅延時間の差を算出し、遅延部８の遅延時間をその値に設定して同期合わせを行う。 - 特許庁

To provide an electronic apparatus provided with a nonvolatile memory capable of rewriting information such as a program even when trouble such as power shut-down of the electronic apparatus is caused during the rewriting of the program or data on the nonvolatile memory such as a flash memory to break down the program on the non-volatile memory.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ上のプログラムやデータを書換えている最中に電子機器の電源断等のトラブルが発生し、不揮発性メモリ上のプログラムが破壊されても、再度プログラム等の情報の書込みを行うことができる、不揮発性メモリを備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

The wall oxide film forming method of the flash memory element comprises a stage of offering a semiconductor substrate in which the trench has been formed, and a stage of forming the wall oxide film in the inner wall of the above-mentioned trench by performing the oxidation process by ISSG oxidation system in an atmosphere of H_2 and O_2.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法は、トレンチの形成された半導体基板を提供する段階と、Ｈ_２とＯ_２の雰囲気でＩＳＳＧ酸化方式によって酸化工程を行って前記トレンチの内側壁にウォール酸化膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

In this digital camera provided with a half mirror for branching an optical path from a photographic lens to an image pickup element and an optical finder for providing reflected light reflected by the half mirror as a visible image, photometric element is arranged inside of the optical finder, and the quantity of light measured by the photometric element is used for controlling exposure in normal photographing and for automatically light adjusting in flash photographing.例文帳に追加

撮影レンズから撮像素子に至る光路を分岐するハーフミラーと、ハーフミラーによる反射光を可視像として提供する光学ファインダとを備えるデジタルカメラにおいて、光学ファインダの内部に測光素子を配置して、測光素子によって測定された光の量を、通常の撮影では露光制御に、フラッシュ撮影では自動調光に用いる。 - 特許庁

In measurement, the sensor 14 outputs a trigger signal for releasing the shutter, when it detects the passage of a golf club, the camera 11 repeatedly releases the shutter 11b on receiving the signal, white the flash lights 13-1 to 13-4 successively emit light which is synchronized with the release, thus taking a plurality of pictures, of the struck golf ball 31 sprinting out within an image frame.例文帳に追加

測定は、ゴルフクラブの通過を検知した打撃速度測定用センサー１４がシャッター開閉用のトリガー信号を出力し、該信号を受けたＣＣＤカメラ１１は多重シャッター１１ｂを連続開閉すると共に当該開閉と同期して各ストロボ１３−１〜４が順次発光して、打撃されて飛び出したゴルフボール３１を一映像フレーム内に複数個撮影する。 - 特許庁

In the obtained electronic material with the tin based plating, with the lapse of time or under reflowing at ≥210°C, the flash copper plating layer is mutually diffused with the nickel plating layer as a substrate, so as to be changed into a barrier layer composed of a copper-nickel alloy layer, and prevents the growth of acicular or columnar crystals caused by intermetallic compounds in the tin or tin alloy plating film.例文帳に追加

得られた錫系めっき付き電子材料は、経時中、または２１０℃以上の温度でのリフロー中に、フラッシュ銅めっき層が下地のニッケルめっき層と相互拡散して、銅−ニッケル合金層からなるバリア層に変化して、錫もしくは錫合金めっき皮膜中に金属間化合物による針状もしくは柱状晶が成長するのを防止する。 - 特許庁

In the floating gate forming method of a flash memory element, by removing an oxynitride film for hard mask through multi-strip, seams are prevented from occurring in poly deposition for the floating gate, and by blank-etching of poly for the foating gate and making the upper end of the poly for the floating gate round, a void is prevented from occurring in poly deposition for a control gate.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法において、ハードマスク用窒化膜をマルチストリップを通じて除去することにより、フローティングゲート用ポリ蒸着時にシームが発生することを防止し、フローティングゲート用ポリをブランクエッチングしてフローティングゲート用ポリの上端の角部を丸くすることにより、コントロールゲート用ポリ蒸着時にボイドが発生することを防止する。 - 特許庁

A CPU once acquiring a drawing command for an icon specifies a collective component constituting the icon on the basis of icon correspondence information 23c, specifies unit components constituting the specified collective component on the basis of collective component correspondence information 23d, and generates the collective component by reading the specified unit components out of the flash ROM 23, thereby generating the icon using the generated collective component.例文帳に追加

ＣＰＵは、アイコンの描画指令を取得すると、アイコン対応情報２３ｃに基づいてアイコンを構成する集合部品を特定し、集合部品対応情報２３ｄに基づいて、特定された集合部品を構成する単位部品を特定し、特定された単位部品をフラッシュＲＯＭ２３から読み出して集合部品を生成し、生成した集合部品を用いてアイコンを生成する。 - 特許庁

The western style toiled device 1 mounted with a rotatable toilet seat 16 on the toilet body 10 having the circumferential wall 13 has a body detection means 23, a lighting lamp 20A is provided to the toilet body 10, and the device is so constituted that the lighting lamp is lit or made to flash when the person is detected by the body detection means 23.例文帳に追加

周壁部１３を有した便器本体１０に回動可能な便座１６を載設した洋風便器装置１であって、人体検知手段２３を設けるとともに、便器本体１０には、照明灯２０Ａが設けられており、人体検知手段２３が人を検知したときに照明灯を点灯または点滅する構成にしている。 - 特許庁

At first, the company was an SME which sold developing fluid, but once it became aware of the problem that “before long, we will enter a period in which it will be difficult for companies to keep confidential materials safe,” the theory of the shredder came in a flash of inspiration. It was in a stand-up noodle bar that the idea that “if paper can also be cut into long fine strips like noodles, it will be impossible to read” presented itself, and the shredder was born.例文帳に追加

同社は、当初、現像液を販売する中小企業であったが、「やがて企業が機密書類の保管に困る時代が来るはず」という問題意識の下、立ち食いそば屋で「紙もうどんのように細長く切れば読めなくなる」とシュレッダーの原理をひらめき、シュレッダーを商品化した。 - 経済産業省

2. Electron accelerators or flash X-ray generators with a beam pulse duration exceeding 1 microsecond, and having a value of 0.25 or more when 1,700 is multiplied by the result of multiplying the peak value of electron kinetic energy expressed in megaelectron volts raised to the 2.65 power is multiplied by the maximum charge quantity of electrons accelerated for 1 microsecond, expressed in coulombs 例文帳に追加

（二）　ビームのパルスの持続時間が一マイクロ秒を超えるものであって、一、七〇〇にメガ電子ボルトで表した電子の運動エネルギーのせん頭値の二・六五乗を乗じたものに、クーロンで表した一マイクロ秒の間に加速することができる電荷量の最大値を乗じた値が〇・二五以上のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

This flash memory comprises a floating gate electrode 3, the polycrystalline inter-gate-electrode insulating film 5 provided on the floating gate electrode 3 whose minimum film thickness being ≥5 nm, and a control gate electrode 4 provided on the polycrystalline inter-gate-electrode insulating film 5.例文帳に追加

フラッシュメモリは、フローティングゲート電極３と、フローティングゲート電極３上に設けられ、最小膜厚が５ｎｍ以上である膜厚分布を有する多結晶のゲート電極間絶縁膜５と、多結晶のゲート電極間絶縁膜５上に設けられたコントロールゲート電極４とを具備している。 - 特許庁

While the data transmission from the router 20 is stopped, the configuration controller reads the configuration data upgraded from a flash memory and transfers the data to the programmable logic circuit (FPGA) after all data stored in a buffer of the programmable logic circuit (FPGA) are sent out.例文帳に追加

ルータ２０からのデータの送信が停止している間、コンフィグレーションコントロール部は、プログラマブル論理回路（ＦＰＧＡ）のバッファに蓄えられている全てのデータを送出させた後、フラッシュメモリからアップグレードされたコンフィグレーションデータを読み出して、プログラマブル論理回路（ＦＰＧＡ）に転送する。 - 特許庁

This slave controller 1 connected to the slave stroboscope used in the wireless multiple flash system consisting of the master stroboscope and the slave stroboscope is provided with a function to intercept a light emission start signal for making the slave stroboscope emit light, which is outputted to the synchro contact of the slave stroboscope.例文帳に追加

本発明は、マスターストロボとスレーブストロボからなるワイヤレス増灯システムに使用するスレーブストロボに接続するスレーブ制御装置１において、スレーブストロボのシンクロ接点へ出力されるスレーブストロボを発光させるための発光開始信号を遮断する機能を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A microcomputer 17 receives detection results of an output current detection circuit 13 and an output voltage detection circuit 14 in predetermined timing, and stores the detection results of load currents flowing to light emitting diodes LED1 and LED2 and load voltages applied to the light emitting diodes LED1 and LED2 in a flash memory 19.例文帳に追加

マイコン１７は、出力電流検出回路１３及び出力電圧検出回路１４の検出結果を所定のタイミングで取り込み、発光ダイオードＬＥＤ１，ＬＥＤ２に流れる負荷電流及び発光ダイオードＬＥＤ１，ＬＥＤ２に印加される負荷電圧の検出結果をフラッシュメモリ１９に記憶させる。 - 特許庁

The housing made of resin is obtained from a polyphenylene sulfide resin composition having thermal conductivity in the thickness direction of 4 W/m×K or more measured by laser flash method, preferably from a polyphenylene sulfide resin composition comprising polyphenylene sulfide, carbon fibers having thermal conductivity of 100 W/m×K or more, and metallic silicon powders, and is suitably used especially for portable apparatuses.例文帳に追加

レーザーフラッシュ法により測定した厚み方向の熱伝導率４Ｗ／ｍ・Ｋ以上のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、好ましくはポリフェニレンスルフィド、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する炭素繊維及び金属ケイ素粉末からなるポリフェニレンスルフィド樹脂組成物よりなり、特に携帯機器用として好ましく用いることが出来る樹脂製筐体。 - 特許庁

To provide a polycarbonate-based resin composition from which, an occurrence of a silver steak or bubbles is prevented when an injection-molded body is obtained, and the molded body which has excellent moldability and is the thin and large-sized injection-molded body which is excellent in impact resistance, in which the generation of flash is prevented and which has excellent external appearance.例文帳に追加

本発明の目的は、射出成形体を得る際に、銀条や発泡の発生が防止され、また成型性に優れたポリカーボネート系樹脂組成物を提供することで、耐衝撃性に優れた薄肉大型の射出成形体であって、かつ、フラッシュ発生が防止され優れた外観を有する射出成形体を得ることである。 - 特許庁

The CPU 11 receives a command which indicates the execution of the program for the inspection through the interface 21, conducts the inspection of the RTC 31 by executing the program for the inspection according to the command, and outputs the inspection result of the RTC 31 through the interface 23 for lamp control signals which controls the flash of a lamp formed in the game machine.例文帳に追加

ＣＰＵ１１は、インターフェイス２１を介して検査用のプログラムの実行を指示するコマンドを受け付け、コマンドにしたがって検査用プログラムを実行してＲＴＣ３１の検査を行い、遊技機に設けられたランプの点滅を制御するランプ制御信号用のインターフェイス２３を介して、ＲＴＣ３１の検査結果を出力する。 - 特許庁

The vapor deposition material for an organic device, used for manufacture of the organic device, is one sublimed and refined vapor by forming an organic layer through vapor deposition based on a flash vapor deposition method, with an average particle diameter expressed in D50% of 10-200 μm, and a uniformity expressed in D60% diameter/D10% diameter of 1.0-4.0.例文帳に追加

有機デバイス用蒸着材料が、有機デバイスの製造に用いられ、フラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成し、昇華精製された蒸着材料であって、Ｄ５０％で表される平均粒径が１０μｍ〜２００μｍであり、かつ、Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度が１．０〜４．０であることを特徴とする。 - 特許庁

Preferably, the UV pulse flash has an integrated radiation amount per unit area that is achieved at a distance of 8 cm from a light source having an integrated output of, for example, 90, 180-7100 or 14200 J, i.e., an integrated radiation amount per unit area of 6, 12-480 or 960 J/cm^2 in terms of an energy originated from the wavelength of UVC.例文帳に追加

上記ＵＶパルスフラッシュは、たとえば積算出力９０または１８０〜７１００または１４２００Ｊの光源から８ｃｍの距離における積算単位面積照射量を有するもの、換言すれば、ＵＶＣの波長に由来するエネルギーとして、６または１２〜４８０または９６０Ｊ／ｃｍ^2の積算単位面積照射量を有するものが好ましい。 - 特許庁

The flash photographing control method is used for the camera equipped with the AF sensor 16 receiving reflected light transmitted through a photographic lens 22 and outputting a signal, an AF control means performing focusing based on the detection signal from the sensor 16, and light emitting parts 27a and 27b radiating the light toward an object.例文帳に追加

閃光撮影制御方法は、撮影レンズ２２を透過した反射光を受光して信号を出力するＡＦセンサ１６と、当該ＡＦセンサ１６からの検出信号に基づいて焦点調整を行うＡＦ制御手段と、被写体に向けて光を照射する発光部２７ａ，２７ｂとを備えるカメラに用いられる。 - 特許庁

When the program processing of the one-chip microcomputer runs away, the contents of the specific address of the RAM 6 are made different from the contents intentionally prepared at the time of initialization, so that even when a rewriting subroutine program instruction is executed in error due to a runaway of program processing, the contents of the flash memory 1 can be prevented from being rewritten in error.例文帳に追加

これにより、１チップマイクロコンピュータのプログラム処理が暴走した時は、ＲＡＭ６の特定番地の内容が初期化時点で意図的に作成した内容とは異なってしまう為、プログラム処理の暴走に伴い書き換え用のサブルーチンプログラム命令が誤って実行されても、フラッシュメモリ１の誤書き換えを防止できる。 - 特許庁

The NOR flash memory reading method is used in an embedded Linux operating system to verify cyclic redundancy check values, and then determine whether repeated readout of journaling file system data is continued, based on a threshold of the number of repeated readout operations set for a counter in advance.例文帳に追加

本発明は、ＮＯＲフラッシュメモリの読み取り方法を提供し、組込み式Ｌｉｎｕｘオペレーションシステムで使用され、巡回冗長検査値を照合し、カウンタに予め設けられた繰り返し読み取り回数の閾値により、ジャーナリングファイルシステムデータの繰り返し読み取りを継続するか否かを決定する。 - 特許庁

A CPU 21 counts the number of sheets of an image photographed after detection of the start of photography break time by turn on power before detection of the end of photography break time by turn off power and stores the count in a flash memory 22, for example, and then displays the number of sheets photographed during that period on an LCD 24.例文帳に追加

ＣＰＵ２１は、本体の電源投入等により撮影区切り時間の開始を検出してから電源ＯＦＦ等の撮影区切り時間の終了を検出するまでの期間に撮影された画像の撮影枚数を計数して例えばフラッシュメモリ２２に記憶させておき、ＬＣＤ２４にその期間の撮影枚数を表示させる。 - 特許庁

The driver such as a pregnant woman is not required to mount the seat belt in the state of an indicator lamp 4 being lit on or flashed, and so a manual switch 5 is operated to make an ECU 21 deenergize the indicator lamp 4 via switching means 6 to forcibly stop the light-on or flash of the indicator lamp 4.例文帳に追加

インジケータランプ４が点灯もしくは点滅している状態で、運転者が例えば妊婦等である場合には、シートベルトの装着が必要でないため、マニュアルスイッチ５を作動させることで、ＥＣＵ２１がスイッチ手段６を介してインジケータランプ４への通電を切ってインジケータランプ４の点灯もしくは点滅を強制的に中止させる。 - 特許庁

A flash memory having hierarchical bit line configuration is provided with column reset/bit line test transistor regions 4a commonly to a plurality of cell blocks 3a sharing upper layer bit lines MBL0, MBL1, etc., so that data lines DL connected with sense amplifiers can be selectively disconnected from the upper layer bit lines.例文帳に追加

階層ビット線構成を有するフラッシュメモリにおいて、上層ビット線ＭＢＬ０，ＭＢＬ１，…を共有している複数のセルブロック３ａに対して共通にカラムリセット兼ビット線テストトランジスタ領域４ａを設け、センスアンプが接続されるデータ線ＤＬを上層ビット線から選択的に切り離し得るようにした。 - 特許庁

Since the recess 62 is formed, light emitted from a halogen lamp HL and a flash lamp FL is prevented from being reflected unevenly at the periphery of the retaining section 7 and entering the semiconductor wafer W; and thereby an in-plane temperature distribution of the semiconductor wafer W can be enhanced at annealing.例文帳に追加

凹部６２が形成されることによって、ハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから出射された光が保持部７の周囲において不均一に反射されて半導体ウェハーＷに入射することが防止され、熱処理時における半導体ウェハーＷの面内温度分布の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide an image pickup device, an image file managing method, and a storage medium which make it easy to manage still picture files by easily grasping the contents of still pictures when the still picture recorded in a flash memory card are browsed and also saves the trouble of operation to rename the file numbers of still picture files in time-series order.例文帳に追加

フラッシュメモリカードに記録された静止画を閲覧する際に、静止画の内容の把握を容易にし、静止画ファイルを管理し易くすると共に、静止画ファイルのファイル番号を時系列順にリネームする作業の手間を軽減可能とした撮像装置、画像ファイル管理方法、記憶媒体を提供する。 - 特許庁

At the time of executing operation (self-programming) for rewriting the contents of the flash EEPROM 3 through the operation of the microcomputer 1, the monitoring circuit 2 con-trols the output/suppression of an abnormality detection signal by a write permission signal for permitting writing in the EEPROM 3 which is inputted from the external and a monitoring circuit operation control signal outputted from the microcomputer 1.例文帳に追加

マイクロコンピュータの動作を介してフラッシュＥＥＰＲＯＭの内容を書き換える動作（セルフ・プログラミング）を実行する際に、監視回路は、外部から入力されるフラッシュＥＥＰＲＯＭへの書き込み許可信号と、マイクロコンピュータから出力される監視回路動作制御信号により、異常検出信号の出力／抑止を制御する。 - 特許庁

The low-viscosity lubricating base oil for producing the automatic transmission fluid is produced by a treating process containing catalytic de-waxing and hydrogenation and finishing steps from a feedstock containing an unconverted oil and has approximately 2.0-2.5 cSt (at 100°C) viscosity, approximately ≤-42°C pour point, ≥90 viscosity index and ≥156°C flash point.例文帳に追加

未転換油を含有する供給原料から触媒脱蝋および水素化仕上げ段階を含む処理工程によって製造され、約２.０〜２.５ｃＳｔ（１００℃）の粘度、約−４２℃以下の流動点、９０以上の粘度指数、および１５６℃以上の引火点を有することを特徴とする、自動変速機油製造用低粘度潤滑基油を提供する。 - 特許庁

When all the bits included in the data read from the flash memory and the coherency code written together with the above data are logically 0, or when they are logically 1, a correction error is determined even when no correction error is detected on the basis of the ECC, and the result is transmitted to a host system.例文帳に追加

そして、そのデータをフラッシュメモリから読み出したときに、そのデータ及びそのデータと共に書き込まれた整合性符号に含まれる全てのビットが論理値０のビットであるとき、又は、その全てのビットが論理値１のビットであるとき、ＥＣＣに基づいて訂正不能エラーの発生が検出されなかった場合でも、訂正不能エラーが発生したと判断し、ホストシステムにその旨を通知する。 - 特許庁

When errors in each operation mode of erasing and writing data in a flash memory 9 are in a range in which errors can be corrected by the error detection/correction unit 7 conforming to some decided algorithm, the error discriminating section 81 permits the error, and functions so that it is regarded that normal erasure or write-in is performed.例文帳に追加

エラー判定部８１は、フラッシュメモリ９におけるデータの消去、書き込みの各動作モードでのエラーが、ある決められたアルゴリズムに従ってエラー検出・訂正ユニット７で訂正できる範囲に収まっていれば、そのエラーを許可し、正常な消去または書き込みがなされたとみなされるよう作用する。 - 特許庁

In this way, since it is not necessary to read corresponding image data from a character ROM 187 composed of a NAND flash memory 187a with slow reading speed when the image is drawn, the time necessary for reading the image data can be omitted, and the image can be immediately dawn to display the drawn image in an auxiliary display part 65.例文帳に追加

よって、画像描画時に読み出し速度の遅いＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８７ａで構成されたキャラクタＲＯＭ１８７から対応する画像データを読み出す必要がないため、その読み出しにかかる時間を省略でき、画像の描画を即座に行って補助表示部６５に描画した画像を表示することができる。 - 特許庁