「Flash」に関連した英語例文の一覧と使い方(197ページ目) - Weblio英語例文検索

When an interrupt occurs during the automatic writing or automatic erasure, a microcomputer with a built-in nonvolatile semiconductor memory temporarily stops automatic writing or automatic erasure by using a microcomputer interrupt request signal as an input from the outside equipment which controls the automatic writing and automatic erasure processing of the flash memory, and automatically performs an operation that receives interrupt processing.例文帳に追加

フラッシュメモリの自動書き込み、自動消去処理を制御する外部からの入力としてマイコンの割り込み要求信号を用いることにより、自動書き込みや自動消去中に割り込みが発生すると自動書き込み、自動消去を一時中断し、割り込み処理を受け付けるといった作業を自動で行うことができる不揮発性半導体メモリ内蔵のマイクロコンピュータを提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the flash memory includes the steps of forming gate patterns for cells and gate patterns for selection transistors on a semiconductor substrate, forming a low dielectric film on a resultant including the gate patterns, and etching the low dielectric film so as to leave the low dielectric film only in a space between the gate patterns for cells.例文帳に追加

半導体基板の上部にセル用ゲートパターン及び選択トランジスタ用ゲートパターンを形成する段階と、前記ゲートパターンを含んだ結果物上に低誘電体膜を形成する段階と、前記低誘電体膜をエッチングして前記セル用ゲートパターン間の空間にのみ前記低誘電体膜を残留させる段階とを含む、フラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The far-position battery contact 282 is energized to the near-position battery contact 280, is equipped with a flash unit reversibly bent from an active position, and is attained by a device using a battery attachably/detachably energized to the contact holding tool 231 by crossing an active battery station with a standby position and separating from the active battery station.例文帳に追加

遠位バッテリ接点２８２は近位バッテリ接点２８０に対して付勢され、遠位バッテリ接点２８２はアクティブ位置から可逆的に曲げられるフラッシュユニットとを具備し、遠位バッテリ接点２８２はアクティブバッテリステーションとスタンバイ位置とを交差させ、かつアクティブバッテリステーションと離間した関係で接点保持具２３１に対して可脱着に付勢されているバッテリを使用する装置により達成される。 - 特許庁

The file system on a flash memory has a block information adding means for adding block information, including a file ID that is added to a file and is unique in the file system, and a block number indicating the order of connection of blocks in a file to the block, and a file organization information reconstruction means for reconstructing file organization information, representing a file organization based on the block information.例文帳に追加

フラッシュメモリ上のファイルシステムであって、ファイルに付与されるファイルシステムで一意のファイルＩＤと、ファイル内のブロックの接続の順番を示すブロック番号と、を含むブロック情報を、ブロックに対して付加するブロック情報付加手段と、ブロック情報に基づいてファイル構成を表すファイル構成情報を再構築するファイル構成情報再構築手段とを有する。 - 特許庁

During the abbreviation display mode, indications of items relating to a setting state of exposure correction, a focal distance of a photographing lens and a use state of a flash light in photographic information data are abbreviated to reduce display items of the photographic information data, and items displayable on a monochromatic liquid crystal display 31 are displayed not on the color liquid crystal display 24 but on the monochromatic liquid crystal display 31.例文帳に追加

省略表示モードの場合は、撮影情報データのうち露出補正の設定状態、撮影レンズの焦点距離、およびフラッシュライトの使用状態に関する項目の表示を省略することによって撮影情報データの表示項目を減らし、モノクロ液晶ディスプレイ３１に表示可能な項目はカラー液晶ディスプレイ２４でなくモノクロ液晶ディスプレイ３１に表示する。 - 特許庁

The flash photographing control method is used for the camera equipped with the multipoint AF sensor 16 receiving reflected light transmitted through a photographic lens 22 by a plurality of detection areas and outputting a signal, an AF control means 11 deciding a focusing area based on the signals from the respective detection areas of the sensor 16, and light emitting parts 27a and 27b radiating the light toward an object.例文帳に追加

閃光撮影制御方法は撮影レンズ２２を透過した反射光を複数の検出エリアで受光して信号を出力する多点ＡＦセンサ１６と、当該多点ＡＦセンサ１６の各検出エリアからの信号に基づいて合焦エリアを決定するＡＦ制御手段１１と、被写体に向けて光を照射する発光部２７ａ，２７ｂを備えたカメラに用いられる。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device capable of improving the operation performance of a memory cell in which a nitride film is first deposited on a semiconductor substrate or a polysilicon film and then an oxide film is formed under the nitride film by an oxidization process using an anneal process, so that a tunnel oxide film or an ONO1 oxide film having a thin thickness and a good film quality can be formed.例文帳に追加

半導体基板またはポリシリコン膜の上に窒化膜をまず蒸着した後、アニール工程を用いた酸化工程によって窒化膜の下方に酸化膜を形成することにより、さらに薄くて優れた膜質を有するトンネル酸化膜またはＯＮＯ１酸化膜を形成してメモリセルの動作性能を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

Since the various kinds of the conditions at the time of performing electronic flash light emission are successively displayed in a scroll state on a display part by rotating a dial and are set in a device by depressing the dial when a condition to be set is displayed, many switches for setting are eliminated, so that the operability at the time of setting the conditions is improved and also the design property is made excellent.例文帳に追加

ストロボ発光時の各種条件をダイアルを回転させることにより、表示部にスクロール的に順次表示させ、設定する条件が表示されたところで、前記ダイアルを押下して装置に設定することにより、多数の設定用スイッチを排除でき、条件設定時の操作性を向上させることができると共に、デザイン的にも優れたものとすることができる。 - 特許庁

If an address book stored in a flash memory of a personal computer 71 is updated during a period from the transmission of the address book to the personal computer 71 up to the reception of an address book updating request from the personal computer 71 when the address book updating request is received from the personal computer 71, an updating failure signal is returned to the personal computer 71 without further updating the address book.例文帳に追加

パソコン７１からアドレス帳更新要求を受信したとき、そのパソコン７１へアドレス帳を送信してから、そのパソコン７１からアドレス帳更新要求を受信するまでの間に、パソコン７１のフラッシュメモリに記憶されているアドレス帳が更新されていたときには、そのアドレス帳を更に更新することなく更新失敗信号をパソコン７１へ返信する。 - 特許庁

A WB correction coefficient calculating part calculates a color change amount of a subject caused by the lighting of the LED from the image data with LED lighted for LED color estimation and the image data with the LED put out for LED color estimation (step S303), and modifies a WB correction coefficient corresponding to a specific light source stored in a flash memory according to the calculated color change amount (step S305).例文帳に追加

ＷＢ補正係数算出部は、ＬＥＤ色推定用ＬＥＤ点灯画像データとＬＥＤ色推定用ＬＥＤ消灯画像データとからＬＥＤの点灯による被写体の色変化量を算出し（ステップＳ３０３）、算出した色変化量に従ってＦｌａｓｈメモリに記憶された特定光源に対応したＷＢ補正係数を修正する（ステップＳ３０５）。 - 特許庁

When a control signal sent from a video game device to inquire the information of a user of a memory card device 3 is received via a transmission/reception section 23 at initialization or the like, a controller 24 controls a signal generating circuit 22, reads the information on the user stored on a flash ROM 21, and feeds the signal indicating the information of the corresponding user to the transmission/reception section 23.例文帳に追加

初期化時などに、ビデオゲーム装置から送信された、メモリカード装置３の使用者の情報を問い合わせる制御信号が送受信部２３を介して受信されたとき、制御部２４は、信号発生回路２２を制御し、フラッシュＲＯＭ２１に記憶されている使用者に関する情報を読み出し、対応する使用者の情報を表す信号を送受信部２３に供給する。 - 特許庁

P-type wells HPW1 to HPW3 are provided separately from each other in the n-type buried well DNW of a semiconductor substrate 1S in a flash memory forming region; and a capacitor unit C, a data writing/erasing electric charge injection/discharge unit CWE, and a data readout MISFET QR are arranged in each of the p-type wells HPW1 to HPW3.例文帳に追加

フラッシュメモリの形成領域の半導体基板１Ｓのｎ型の埋込ウエルＤＮＷ内にｐ型のウエルＨＰＷ１〜ＨＰＷ３を互いに分離した状態で設け、そのウエルＨＰＷ１〜ＨＰＷ３にそれぞれ容量部Ｃ、データ書き込み・消去用の電荷注入放出部ＣＷＥおよびデータ読み出し用のＭＩＳ・ＦＥＴＱＲを配置した。 - 特許庁

To provide a hard vinyl chloride resin sheet for vacuum forming which does not generate a flash in the cut area when notched in its surface, folded along the notch, and Cut and is smooth and, in addition, has an extensibility so as for the resin sheet to extend along a mold to accommodate for vacuum forming, and a softening temperature of ≥55°C so as to retain its shape after molding.例文帳に追加

表面に入れた切り込みに沿って折り曲げて、切断したときに、その切断面にバリが発生せず、平滑であって、しかも、真空成形に適するように、樹脂シートが金型に沿う伸びを有すると共に、成形後にその形状を保持するように、５５℃以上の柔軟温度を有する真空成形用の硬質塩化ビニル樹脂シートとその製造方法を提供する。 - 特許庁

This flash discharge lamp, having an electrode made by sintering powders of a high melting-point metal material and emitter is featured in that the electrode is monolithically sintered with an electrode mandrel made of a high melting point metal and that inner face of the electrode in contact with the mandrel located within the electrode has a region, where nickel is fused and/or permeated.例文帳に追加

高融点金属材料粉末とエミッター粉末とを焼結してなる電極を有する閃光放電ランプにおいて、該電極は高融点金属製の電極芯棒と一体焼結されてなり、該電極内に位置する電極芯棒に接する電極内面にニッケルが融着および／または浸透した領域を有することを特徴とする閃光放電ランプとする。 - 特許庁

In the write operation of the NAND-type flash memory, a row decoder applies a first voltage lower than a voltage applied to a control gate of other memory cells of a NAND string to a control gate of a first memory cell adjacent to a drain side selection gate transistor in NAND strings to cut off an area between the other memory cells of the NAND strings and the drain side selection gate transistor.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み動作時において、ロウデコーダは、ＮＡＮＤストリングのうちドレイン側選択ゲートトランジスタに隣接する第１のメモリセルの制御ゲートに、ＮＡＮＤストリングの他のメモリセルの制御ゲートに印加される電圧よりも低くい第１の電圧を、前記ＮＡＮＤストリングの他のメモリセルと前記ドレイン側選択ゲートトランジスタとの間をカットオフするように、印加する。 - 特許庁

The housing made of resin is obtained from a polyphenylene sulfide resin composition having thermal conductivity in the thickness direction of 4 W/m×K or more measured by laser flash method, preferably from a polyphenylene sulfide resin composition comprising polyphenylene sulfide, carbon fibers having thermal conductivity of 100 W/m×K or more, and metallic silicon powders, and is suitably used especially for portable apparatuses.例文帳に追加

レーザーフラッシュ法により測定した厚み方向の熱伝導率４Ｗ／ｍ・Ｋ以上のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、好ましくはポリフェニレンスルフィド、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する炭素繊維及び金属ケイ素粉末からなるポリフェニレンスルフィド樹脂組成物よりなり、特に携帯機器用として好ましく用いることが出来る樹脂製筐体。 - 特許庁

To provide a vacuum casting apparatus for injection molding of molten metal, which prevents flash from a gap between an injection sleeve and an injection tip or prevents excess lubricants from piling up in a closure, resulting in eliminating the need for cleaning the closure for each injection molding, reducing working processes, and improving working efficiency.例文帳に追加

溶湯の射出成形時において、射出スリーブと射出チップとの隙間から噴出したフラッシュや余剰潤滑材の閉塞部材内部への堆積を防ぐことにより、射出成形ごとに閉塞部材の清掃を行う必要がなく、作業工程を減少させるとともに作業効率を向上させることができる、減圧鋳造装置、及び、減圧鋳造方法を提案する。 - 特許庁

When a controller 3 of a semiconductor storage device 1 receives a grade designation signal to designate a grade from a setting device 11, the controller executes logical block allocation processing so that flash memory chips CP whose numbers correspond to a grade designated by the received grade designation signal can execute data writing processing and data readout processing in parallel.例文帳に追加

この半導体記憶装置１のコントローラ３は、設定装置１１からグレードを指定するためのグレード指定信号を受信すると、当該受信したグレード指定信号により指定されたグレードに対応する個数のフラッシュメモリチップＣＰに対してデータ書込処理及びデータ読出処理を並列的に実行し得るように論理ブロック割当処理を実行するようにした。 - 特許庁

The forging mold 1 includes bends 7 composed of: lower ridges 11 which are first ridges projecting from a lower mold 2 to an upper mold 3 at the sections outside of flash lands 6; and upper ridges 12 which are second ridges projecting from the upper mold 3 to the lower mold 2 at the sections inside of gutters 8 and further outside of the lower ridges 11.例文帳に追加

フラッシュランド６よりも外側において、下型２から上型３に向けて隆起する第一隆起部たる下側隆起部１１と、ガッター８よりも内側で、かつ、下側隆起部１１のさらに外側において、上型３から下型２に向けて隆起する第二隆起部たる上側隆起部１２と、からなる屈曲部７が形成される鍛造用金型１とする。 - 特許庁

The flash memory device includes: a memory cell array having memory cells arrayed on word lines and bit lines; a voltage generating circuit constituted so as to generate a program voltage to be applied to a selected word line; a program voltage controller constituted so as to variably control a start level of the program voltage to be applied to remaining pages of each word line by a programming characteristic of the first page of each word line.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置はワードラインとビットラインに配列されたメモリセルを有するメモリセルアレイと、選択されたワードラインに印加されるプログラム電圧を発生するよう構成される電圧発生回路と、各ワードラインの一番目のページのプログラム特性により、各ワードラインの残りのページに適用されるプログラム電圧の開始レベルを可変制御するよう構成されるプログラム電圧制御器を含む。 - 特許庁

In an NAND type flash memory 1, all contacts formed in a single interlayer dielectric, i.e. bit-line contacts CB and non-bit-line contacts CN are arranged at some of a plurality of lattice points LP of tub-dimension lattice L arrayed at a period P1 in a direction V1 and at a period P2 in a direction V2 crossing the direction V2.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１において、単一の層間絶縁膜中に形成された全てのコンタクト、すなわち、ビット線コンタクトＣＢ及び非ビット線コンタクトＣＮを、方向Ｖ１に沿って周期Ｐ１で配列されると共に方向Ｖ２に対して交差する方向Ｖ２に沿って周期Ｐ２で配列された２次元格子Ｌの複数の格子点ＬＰの一部に配置する。 - 特許庁

The programming operation method for a flash memory device includes: a plurality of multi-level cells connected to a plurality of bit line pairs and a plurality of word lines respectively; and a page buffer circuit including a high-order bit register for storing input data and outputting the input data or inverted input data, and a low-order bit register for receiving the transmission of the input data through the high-order bit register.例文帳に追加

複数のビットライン対と複数のワードラインにそれぞれ連結される複数のマルチレベルセルと、入力データを格納し、前記入力データあるいは反転された入力データを出力する上位ビットレジスタと、前記上位ビットレジスタを介して入力データの伝達を受ける下位ビットレジスタを含むページバッファ回路とを含むフラッシュメモリ装置のプログラム動作方法。 - 特許庁

Preferably, the UV pulse flash has an integrated radiation amount per unit area that is achieved at a distance of 8 cm from a light source having an integrated output of, for example, 90, 180-7100 or 14200 J, i.e., an integrated radiation amount per unit area of 6, 12-480 or 960 J/cm^2 in terms of an energy originated from the wavelength of UVC.例文帳に追加

上記ＵＶパルスフラッシュは、たとえば積算出力９０または１８０〜７１００または１４２００Ｊの光源から８ｃｍの距離における積算単位面積照射量を有するもの、換言すれば、ＵＶＣの波長に由来するエネルギーとして、６または１２〜４８０または９６０Ｊ／ｃｍ^2の積算単位面積照射量を有するものが好ましい。 - 特許庁

Further, a plurality of flash memory cells MCn are provided which each include, at a surface part of the p-type well 12, a gate electrode having a floating gate FG which includes neither a source region nor a drain region, and is provided across a tunnel oxide film 21, and a control gate CG which is provided on the floating gate FG across an insulating film 22 to serve as a word line WL.例文帳に追加

また、そのｐ型ウェル１２の表面部に、ソース領域およびドレイン領域を有さず、トンネル酸化膜２１を介して設けられた浮遊ゲートＦＧと、この浮遊ゲートＦＧ上に絶縁膜２２を介して設けられたワード線ＷＬとなる制御ゲートＣＧとを有するゲート電極を備える、複数のフラッシュメモリセルＭＣｎを設けてなる構成とされている。 - 特許庁

When a control unit 31 detects a state where a GPS unit 45 is connected to an input/output interface "SDIO" by a switch 44 and a predetermined function that the GPS unit 45 includes is operated so as not to use an SD memory card 39 loaded into a card slot 15, a recording destination of captured image data is switched from the SD memory card 39 to a built-in flash memory 51.例文帳に追加

制御部３１が、スイッチ４４により入出力インターフェース“ＳＤＩＯ”にＧＰＳユニット４５が接続されてＧＰＳユニット４５が有する所定の機能が作動し、カードスロット１５に装着されたＳＤメモリカード３９が使用できない状態を検出すると、撮影画像データの記録先をＳＤメモリカード３９から内蔵フラッシュメモリ５１に切り換える。 - 特許庁

The mobile phone 1 includes: a light emitting part 12 for emitting flash light to a subjects's eyeball E; an imaging camera 11 for imaging the subjects's eyeball E; a transmitting/receiving part 14 for transmitting the imaged eyeball E and receiving the determination result of the stress degree; and a display part 13 for displaying the received determination result of the stress degree.例文帳に追加

携帯電話１は、被験者の眼球Ｅに対してフラッシュ光を発光させる発光部１２と、被験者の眼球Ｅの画像を撮像する撮像カメラ１１と、撮像した眼球Ｅの画像をサーバ２に送信したり、ストレス度の判定結果をサーバ２から受信するための送受信部１４と、受信したストレス度の判定結果を表示する表示部１３とを備えている。 - 特許庁

The method for programming the NAND-type flash memory device comprises a first process for applying first voltage to one or more unselected wordlines, a second process for applying a predetermined bitline voltage to an unselected bitline, and a third process for applying a second voltage to the un-selected wordlines and applying a third voltage to a selected wordline out of the wordlines.例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ装置で、プログラミング法は、ワードラインのうち一つ以上の非選択のワードラインに第１電圧を印加する第１過程と、ビットラインのうち非選択のビットラインに所定のビットライン電圧を印加する第２過程と、前記非選択のワードラインには第２電圧、前記ワードラインのうち選択されたワードラインには第３電圧を印加する第３過程とを備える。 - 特許庁

Optimum focus positions corresponding to open F values of the photographic lens 23 and the aperture F value of the AF sensor are calculated in a personal computer 43 on the basis of intervals of the plurality of pairs of pinholes of the Hartman plate 20 and those of a plurality of pairs of pinholes on the CCD 41, and this information is recorded in a flash ROM 31 in a CPU 30.例文帳に追加

そして、ハルトマンプレート２０の複数対のピンホールの間隔とＣＣＤ４１上の複数対のピンホールの間隔とに基づいて、上記撮影レンズ２３の開放Ｆ値に対応する最適焦点位置とＡＦセンサの開口Ｆ値に対応する最適焦点位置をパーソナルコンピュータ４３で算出し、その情報をレンズＣＰＵ３０内のフラッシュＲＯＭ３１に記録する。 - 特許庁

In a liquid crystal panel 11 consisting of switching elements (TFTs) 1, auxiliary capacitors 3, horizontal direction signal lines 4, vertical direction signal lines (source lines) 5 and counter electrodes 6, a partial image display of the screen can be flash-displayed by conducting a switching control for the compensation voltages of liquid crystal voltages supplied from a gate driver 7 using control signals FR.例文帳に追加

スイッチング素子（ＴＦＴ）１、補助容量３、水平方向信号線４、垂直方向信号線（ソース線）５、対向電極６からなる液晶パネル１１おいて、ゲートドライバ７から供給される液晶電圧の補償電圧を制御信号ＦＲを用いた切り替え制御を行うことで、画面の一部分の画像表示を点滅表示することを可能にする。 - 特許庁

Each semiconductor device 1 can be mutually connected by the controller connecting interface 20, and the semiconductor device 1 detects the input condition of a control signal group FC1 and a data bus FIOB1 according to a timing in which a reset signal CRST is released just after power supply, and whether this should be operated as an ATA controller 2 or an extended flash memory is decided.例文帳に追加

コントローラ接続インターフェースによって各半導体装置１を相互に接続することができ、半導体装置１は電源投入直後のリセット信号ＣＲＳＴの解除されるタイミングに従い制御信号群ＦＣ１およびデータバスＦＩＯＢ１の入力条件を検知しＡＴＡコントローラとして動作するか、増設用フラッシュメモリとして動作するかが決定される。 - 特許庁

A continuous buffering from a signal processing means to a first buffer area (a buffer area A) is realized by saving stored data to a second buffer area (a buffer area B) to be a second capacity of a comparatively small capacity, recorded data equivalent to first capacity is made possible to be continuously transferred and recorded to a recording medium (a flash memory).例文帳に追加

比較的小容量である第２の容量となる第２のバッファ領域（バッファエリアＢ）に格納データを退避させることで、信号処理手段から第１のバッファ領域（バッファエリアＡ）への連続的なバッファリングを実現するとともに、第１の容量分の記録データを記録媒体（フラッシュメモリ）に対して連続的に転送し記録させることができるようにする。 - 特許庁

In a flash memory, when plural sectors are erased, erasing stress being strong as normal erosion processing utilizing boosting voltage cannot be applied to the other sectors to be erased by performing pre-erasion processing for the other sectors to be erased while normal erasion processing is performed for a sector having an object to be erased, but erasing stress being weaker than the above can be applied.例文帳に追加

フラッシュメモリにおいて、複数のセクタをイレーズする場合、イレーズ対象のあるセクタに通常のイレーズ処理している間に、他のイレーズ対象セクタにプリイレーズ処理を行うことにより、当該他のイレーズ対象セクタには、昇圧電圧を利用する通常のイレーズ処理ほど強いイレーズストレスをかけることはできないが、それより弱いイレーズストレスをかけることができる。 - 特許庁

The adaptive ISPP method of the flash memory device of this invention includes a first programming stage of executing programming/verifying loops by a first program voltage and first verifying time until at least one passed cell is generated and a second programming stage of executing the programming/verifying loops by a second program voltage and second verifying time after at least one passed cell is generated.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ装置の適応的ＩＳＰＰ方法は少なくとも一つのパスセルが発生するまで、第１プログラム電圧と第１検証時間でプログラム及び検証のループを実行する第１プログラム段階と、少なくとも一つのパスセルが発生した後、第２プログラム電圧と第２検証時間でプログラム及び検証のループを実行する第２プログラム段階を含む。 - 特許庁

A microcomputer has a read-voltage generating circuit 1 generating read-out voltage V1 and a read-voltage generating circuit 2 generating read-out voltage V2 for detecting defect being slightly higher than voltage V1, data are read out from FLASH EEPROM 6 by either voltage selected by a selecting circuit 4, these data are compared by a comparing circuit 5.例文帳に追加

マイクロコンピュータは、読み出し電圧Ｖ１を生成するリード電圧生成回路１と、電圧Ｖ１より若干電圧が高い不良検出用読み出し電圧Ｖ２を生成するリード電圧生成回路２とを有し、選択回路４によって選択されたいずれかの電圧によりＦＬＡＳＨ ＥＥＰＲＯＭ６からデータが読み出され、これらのデータが比較回路５で比較される。 - 特許庁

This semiconductor memory using the flash(F) ROM being non-volatile and programmable semiconductor storage elements is provided with an interface means for forming an interface circuit between the storage elements and outside circuits by using an FPGA capable of loading of a program on a substrate and a program loading means for loading the program corresponding to the FROM to the FPGA at the time of power supply.例文帳に追加

不揮発性でありかつプログラム可能な半導体記憶素子であるフラッシュ（Ｆ）ＲＯＭを使用した半導体記憶装置において、基板上においてプログラムのロードが可能なＦＰＧＡを使用し、前記記憶素子と外部回路とのインターフェイス回路を形成するインターフェイス手段と、電源投入時に、前記ＦＲＯＭと対応したプログラムをＦＰＧＡにロードするプログラムロード手段とを備える。 - 特許庁

When a prescribed IC card 12 is connected to a card interface 11, the processing part 4 requests the authentication of the rewrite of the program to the central computer 10 through the modem 6 and the portable telephone 7 and rewrites the program stored in the flash ROM 3 to the program stored in a memory incorporated in the IC card 12 only when the rewrite authentication is obtained from the central computer 10.例文帳に追加

処理部４は、所定のＩＣカード１２がカードインターフェース１１に接続されると、モデム６および携帯電話７を経由して中央コンピュータ１０へプログラムの書き換えの認証を要求し、中央コンピュータ１０から書き込み認証が得られたときのみ、前記フラッシュＲＯＭ３に格納されたプログラムをＩＣカード１２に組み込まれたメモリに格納されたプログラムに書き換える。 - 特許庁

Immediately before regular photography, logarithmic compression processing is made to a photoelectric current corresponding to the intensity of light from a subject successively generated in a division cell C0 of a photometry sensor 20 at a prescribed interval by a logarithmic compression circuit 22a during the preliminary light emission of the flash for converting to voltage, and the voltage level is output to a first control section 10 as an analog photometry signal LMOUT.例文帳に追加

本撮影直前、フラッシュの予備発光中に、所定の間隔で順次測光センサー２０の分割セルＣ０で発生する被写体からの光の強度に応じた光電流を対数圧縮回路２２ａで対数圧縮処理して電圧に変換し、その電圧レベルをアナログの測光信号ＬＭＯＵＴとして、第１制御部１０に出力する。 - 特許庁

In the method of forming a protective film on the surface of metal such as zinc, alloys or plating applied to the above metal or the like subjected to heating treatment, treatment with a water base alkali composition where the above surface is subjected to flash treatment with an alkali metal or the like, acid treatment, and the subsequent application of a protective film agent composition are performed.例文帳に追加

加熱処理が施された、亜鉛その他の金属若しくは合金又は前記金属等に施された鍍金表面の保護皮膜形成方法であって、前記表面にアルカリ金属等でフラッシュ処理する水性アルカリ性組成物による処理と、酸処理とを行った後に、保護皮膜剤組成物の塗布を行うことを特徴とする鋼材表面の保護皮膜形成方法。 - 特許庁

In the writing apparatus of a nonvolatile semiconductor memory apparatus for writing data to a flash memory 11 and moreover, verifying written data and rewriting data not correctly written, a write signal-generating means 51 is set for comparing write data of an address where the data is written and verified data and selectively rewriting data to be written.例文帳に追加

フラッシュメモリ１１にデータを書込むと共に、書込んだデータをベリファイし、その結果正しく書込まれないデータを再び書込むための不揮発性半導体記憶装置の書込み装置において、データを書込んだアドレスの書込みデータとベリファイしたデータとを比較し、再書込みするデータのみを選択的に書込む書込信号の生成手段５１を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

The flash analog-digital converter comprises a reference ladder 104 composed of mainly resistors, a plurality of comparators 106 respectively connected to different reference voltages on the ladder 104 for comparing a received voltage with the reference voltage levels, generated corresponding to or over a group of the resistors, and variable power sources 302 connected to the reference ladder for varying the reference levels generated from the ladder.例文帳に追加

フラッシュ・アナログ・ディジタル変換器が、主に抵抗器から成る基準ラダー１０４と、各々が基準ラダー上の異なる基準電圧に接続され、受信電圧を、対応する抵抗器または抵抗器のグループに渡り生成される基準電圧レベルと比較する複数の比較器１０６と、基準ラダーに接続され、ラダーから生成される基準レベルを可変する可変電源３０２とを含む。 - 特許庁

On receipt of a grade designation signal for designating a grade from a set unit 11, a controller 3 of a semiconductor memory unit 1 executes logic block assignment processing so that the data write processing and the data read processing can be executed in parallel to a flash memory chip CP of which the number corresponds to a grade designated by the received grade designation signal.例文帳に追加

この半導体記憶装置１のコントローラ３は、設定装置１１からグレードを指定するためのグレード指定信号を受信すると、当該受信したグレード指定信号により指定されたグレードに対応する個数のフラッシュメモリチップＣＰに対してデータ書込処理及びデータ読出処理を並列的に実行し得るように論理ブロック割当処理を実行するようにした。 - 特許庁

A compact flash disk is a CF disk 2 with a password function, a BIOS 1 stored in a nonvolatile memory of the industrial computer is provided with password information 1A same as one written to the CF disk and custom software 1B for transmitting the password information to the CF disk and starting an OS 3 when an access permission is obtained from the CF disk.例文帳に追加

コンパクトフラッシュディスクはパスワード機能付きＣＦディスク２とし、工業用コンピュータの不揮発性メモリに格納されるＢＩＯＳ１は、ＣＦディスクに書き込まれたパスワードと同じパスワードにしたパスワード情報１Ａと、このパスワード情報をＣＦディスクに送信し、ＣＦディスクからアクセス許可の応答が得られたときにＯＳ３の起動処理に入るカスタムソフトウェア１Ｂを備える。 - 特許庁

When a release switch is depressed to instruct the start of photography, a CPU 23 controls operations of a lighting unit 15 and an image capturing unit 10 to control a lighting photography operation wherein the image capturing unit 15 performs an image capturing operation while the lighting unit 15 performs a lighting operation, thereby performing photography at least once while a flash unit 16 emits lighting light.例文帳に追加

ＣＰＵ２３は、レリーズスイッチが押下されて撮影開始が指示された場合に、照明部１５および撮像部１０の動作を制御し、照明部１５が照明動作を行った状態で撮像部１５が撮像動作を行う照明撮影動作を制御することによって、フラッシュユニット１６が照明光を発光した状態での撮影を少なくとも１回行う。 - 特許庁

To provide a photographing device which prevents part of a hand of a photographer from shielding the optical paths of a photographic lens and an electronic flash by mounting a member which restricts the positions of the fingers of the photographer on only a photographing device with special specifications when a photographing device with standard specifications and the photographing device with special specifications are made as common as possible and produced in combination.例文帳に追加

標準的な仕様の撮影装置と超広角レンズ若しくは薄型レンズを装着した特殊な仕様の撮影装置とをできるだけ共通化して併産するとき、特殊な仕様の撮影装置にのみ撮影者の指の位置を規制する部材を装着し、撮影者の手の一部が撮影レンズやストロボの光路を遮蔽することを防止した撮影装置。 - 特許庁

In a flash memory comprising four banks BANK0-BANK3, a sequence control circuit WSC serving as a substantial write control circuit, a write time control circuit WTC, a verify circuit VF and a write voltage generating circuit VWG are provided for each bank in a specified combination or they are provided commonly to all banks thus imparting a write interleave function.例文帳に追加

例えば４個のバンクＢＡＮＫ０〜ＢＡＮＫ３を備えるフラッシュメモリ等において、実質的な書き込み制御回路となる書き込みシーケンス制御回路ＷＳＣ，書き込み時間制御回路ＷＴＣ，ベリファイ回路ＶＦならびに書き込み電圧発生回路ＶＷＧを、所定の組み合わせでバンクごとに設け、あるいは全バンク共通に設けて、書き込みインターリーブ機能を持たせる。 - 特許庁