「Flash」に関連した英語例文の一覧と使い方(198ページ目) - Weblio英語例文検索

A type of the fluid corresponding to the detected level VL is read out from a flash ROM which stores a corresponding relationship table that relates the range of the level VL of the output signal waveform determined dependently on the conductivity of the ink or cleaning liquid with the type of the fluid (ink or cleaning liquid), whereby the type of the fluid ejected from the nozzle 23 is recognized.例文帳に追加

そして、インクや洗浄液の導電率に依存して決定される出力信号波形のレベルＶＬの範囲と流体の種類（インク、洗浄液）とを対応づけた対応関係テーブルを記憶しているフラッシュＲＯＭから、検出されたレベルＶＬに対応する流体の種類を読み出すことにより、ノズル２３から吐出された流体の種類を認識する。 - 特許庁

When the black mark is detected by the sensor 18, a CPU 101 refers to the flag set in the RAM 103, determines whether the black mark is a cut identification mark or a near end identification mark, refers to a control data stored in the flash ROM 102 in accordance with the determination result, and informs the host computer 100 and the user of cut or near end of the rolled paper.例文帳に追加

ＣＰＵ１０１は、センサ１８でブラックマークを検出した際に、ＲＡＭ１０３に設定されたフラグを参照して、ブラックマークがカット識別マークとニアエンド識別マークのいずれであるかを判定し、判定結果に応じてフラッシュＲＯＭ１０２に格納された制御データを参照して、ロール紙のカット、又は、ニアエンドのホストコンピュータへの通知およびユーザに対する通知を行う。 - 特許庁

When the title is reproduced and the reproduction elapsed time becomes the caption display start time, the caption information and caption position information are read out of the flash memory, and the display of the caption shown by the caption information is started at a position shown by the caption position information on the reproduction screen and the display of the caption is finished when the reproduction elapsed time becomes the end time of the caption display.例文帳に追加

そのタイトルが再生されると、再生経過時間が字幕表示開始時間になったときにフラッシュメモリから字幕情報と字幕位置情報を読み出して字幕情報が示す字幕を再生画面上の字幕位置情報が示す位置に表示を開始させ、再生経過時間が字幕表示終了時間になったときに字幕の表示を終了させる。 - 特許庁

While storing first data that are data corresponding to any logical page into a first data storage area that is any data storage area, concurrently, second data corresponding to the same logical page as the first data are read from a flash memory, and the read second data are stored in a second data storage area that is a data storage area different from the first data storage area.例文帳に追加

いずれかの論理ページに対応するデータである第１のデータを、いずれかのデータ格納領域である第１のデータ格納領域に格納するのに並行して、第１のデータと同じ論理ページに対応する第２のデータがフラッシュメモリから読み出され、読み出された第２のデータが、第１のデータ格納領域とは異なるデータ格納領域である第２のデータ格納領域に格納される。 - 特許庁

In this image forming device of a structure making the color toner image on transfer paper fixed on transfer paper by means of light emission of a flash lamp, the image forming device and method therefor stand for so as to include at least the black toner in the toner forming the color toner image, and a colorant composing the above black toner is, the colorant adopted for cyan toner, magenta toner, and yellow toner.例文帳に追加

転写紙上のカラートナー画像をフラッシュランプの発光により転写紙上に定着させる構成の画像形成装置において、カラートナー画像を形成しているトナーに少なくともブラックトナーを含み、且つ、該ブラックトナーを構成する着色剤が、シアントナー、マゼンタトナー及びイエロートナーに用いられる着色剤であることを特徴とする画像形成装置、及び画像形成方法。 - 特許庁

In this system, a service provider stores license information and a program for using service into the memory card having an interface controller, a flash memory and an IC card chip, and the user can select specification of the server PC according to the license information and can use the server PC maintained by the service provider by use of the memory card by remote control.例文帳に追加

本発明では、サービス提供者がＩＣカードチップとフラッシュメモリとインターフェースコントローラを有するメモリカードにサービスを利用するためのプログラムとライセンス情報を格納し、ユーザは前記ライセンス情報に応じてサーバＰＣのスペックを選択可能であり、前記メモリカードを用いてサービス提供者が整備するサーバＰＣを遠隔操作で利用可能なシステムを提供する。 - 特許庁

When all the bits included in the data read from the flash memory and the coherency code written together with the above data are logically 0, or when they are logically 1, a correction error is determined even when no correction error is detected on the basis of the ECC, and the result is transmitted to a host system.例文帳に追加

そして、そのデータをフラッシュメモリから読み出したときに、そのデータ及びそのデータと共に書き込まれた整合性符号に含まれる全てのビットが論理値０のビットであるとき、又は、その全てのビットが論理値１のビットであるとき、ＥＣＣに基づいて訂正不能エラーの発生が検出されなかった場合でも、訂正不能エラーが発生したと判断し、ホストシステムにその旨を通知する。 - 特許庁

Each semiconductor device 1 can be connected to each other by the controller connecting interface, and the semiconductor device 1 detects input conditions of a control signal group FC1 and a data bus FIOB1 according to the timing of releasing a reset signal CRST just after power-ON to determine operation as an ATA controller or operation as an extension flash memory.例文帳に追加

コントローラ接続インターフェースによって各半導体装置１を相互に接続することができ、半導体装置１は電源投入直後のリセット信号ＣＲＳＴの解除されるタイミングに従い制御信号群ＦＣ１およびデータバスＦＩＯＢ１の入力条件を検知しＡＴＡコントローラとして動作するか、増設用フラッシュメモリとして動作するかが決定される。 - 特許庁

The hydrocarbon oil has ≥40°C flash point, ≥145 to ≤195°C initial boiling point, ≤220°C 95 vol% distillation temperature, ≥+25 Saybolt color, ≤1 corrosiveness to a copper strip, ≤0.5 mass ppm of sulfur content, ≤25 mass% of the component ratio of 13C hydrocarbons and ≥1.95 molar ratio of hydrogen element to carbon element.例文帳に追加

引火点が４０℃以上、初留点が１４５℃以上１９５℃以下、９５容量％留出温度が２２０℃以下、セーボルト色＋２５以上、銅板腐食１以下、硫黄含有量が０．５質量ｐｐｍ以下、炭素数１３の炭化水素の成分割合が２５質量％以下、水素元素と炭素元素のモル比が１．９５以上である炭化水素油が上記課題を解決できる。 - 特許庁

The flash memory device includes a memory cell array comprising memory cells arranged in rows and columns, a page buffer circuit having a single latch structure and configured to read data from a selected memory cell in the memory cell array, and a controller controlling the page buffer circuit having the single latch structure so as to detect a memory cell in which electric charges loss is caused out of memory cells of the selected row.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置は、行と列で配列されたメモリセルを含むメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの選択されたメモリセルからデータを読み出すように構成されたページバッファ回路と、前記選択された行のメモリセルのうち、電荷損失が生じたメモリセルを検出するように前記単一のラッチ構造を有する前記ページバッファ回路を制御する制御器と、を含む。 - 特許庁

In an 8-valued NAND type multivalued flash memory designed to execute the multivalued parallel write with the bit line voltage set according to write data, a pulse-like word line voltage is applied to a word line to write while the pulsewidth of an effective word line voltage corresponding to the time taken for substantially writing data in memory cells to be written is controlled according to the write data.例文帳に追加

書き込みデータに応じてビット線電圧を設定し、多値並列書き込みを行うようにした８値のＮＡＮＤ型多値フラッシュメモリにおいて、ワード線にパルス状のワード線電圧を印加して書き込みを行い、この際、書き込み対象のメモリセルに実質的にデータの書き込みがなされる時間に対応する実効的なワード線電圧のパルス幅を書き込みデータに応じて制御する。 - 特許庁

A supplying source A of software has functions of supplying a USB memory 5 provided with a flash memory or the like connectable to a USB interface 20 of a PC 1, which contains the software body 3 and authentication information 9, and loading the software body 3 to a main memory 15 of the PC 1, and supplies a CD-ROM 2 containing a software loader 4 including authentication information 8 of software.例文帳に追加

ソフトウェアの供給元Ａは、ＰＣ１のＵＳＢインタフェース２０に接続可能なフラッシュメモリ等を備えるＵＳＢメモリ５にソフトウェア本体３と認証情報９とを格納して供給し、同時に、ソフトウェア本体３をＰＣ１の主メモリ１５上にロードする機能を持ち、ソフトウェアの認証情報８を含むソフトウェアローダ４をＣＤ−ＲＯＭ２に格納して供給する。 - 特許庁

In the start control system, an inputted accessory relay cut signal and an inputted starter relay signal are outputted to an accessory relay and a starter relay respectively so that the time from when a contact of the accessory relay is made open state until a contact of the starter relay is made closed state, becomes within a predetermined allowable time based on a cut signal transmission time memorized in a flash memory.例文帳に追加

始動制御システムにおいては、フラッシュメモリに記憶されたカット信号伝送時間に基づいて、アクセサリリレーの接点が開状態にされてからスタータリレーの接点が閉状態にされるまでの時間が、予め設定された許容時間内になるように、入力したアクセサリリレーカット信号およびスタータリレー信号を、アクセサリリレーおよびスタータリレーに対してそれぞれ出力する。 - 特許庁

This flash memory device includes a cell array including a plurality of memory cells belonging to either of a first region and a second region, and a read-out voltage adjusting part which decides read-out voltage for reading first data stored in the memory cell belonging to the first region while referring to the second data read from the memory cell belonging to the second region.例文帳に追加

本発明によるフラッシュメモリ装置は、第１領域及び第２領域のうち、何れか一つに属する複数のメモリセルを含むセルアレイと、前記第２領域に属するメモリセルから読み出された第２データを参照して前記第１領域に属するメモリセルに格納された第１データを読み出すための読み出し電圧を決める読み出し電圧調整部と、を含む。 - 特許庁

The resin composition curable with active energy beams and having ≥45°C flash point contains a resin obtained by adding an alicyclic epoxy- containing ethylenically unsaturated compound to part of the carboxyl groups of a carboxyl-containing (meth)acrylic resin and neutralizing at least part of the carboxyl groups of the resulting modified copolymer with an amine or an alkali compound and a mixed solvent comprising water and an organic solvent.例文帳に追加

カルボキシル基含有（メタ）アクリル系樹脂のカルボキシル基の一部に脂環式エポキシ基含有エチレン性不飽和化合物を付加反応させた変性共重合体のカルボキシル基の少なくとも一部を、アミン又はアルカリ化合物で中和してなる樹脂と、水／有機溶媒の混合溶媒とを含有することを特徴とする引火点が４５℃以上の活性エネルギー線硬化性樹脂組成物。 - 特許庁

The method for manufacturing silica particles comprises: hydrolyzing/condensing alkoxy silane to obtain a dispersion liquid containing a silica particle precursor; subjecting the dispersion liquid to flash drying or spray drying to obtain dried silica particles; burning the dried silica particles to obtain dried silica particles; surface treating the burned silica particles with a silane coupling agent; and pulverizing and classifying the obtained surface-treated silica particles.例文帳に追加

アルコキシシランを加水分解・縮合させて、シリカ粒子前駆体を含有する分散液を得て、前記分散液を気流乾燥または噴霧乾燥して、乾燥シリカ粒子を得て、前記乾燥シリカ粒子を焼成して、焼成シリカ粒子を得て、前記焼成シリカ粒子をシランカップリング剤で表面処理して、得られた表面処理シリカ粒子を解砕および分級するシリカ粒子の製造方法。 - 特許庁

The flash memory includes an element isolation film and an active region formed at a substrate, a plurality of stacked gates formed on the active region, a deep implant region formed at a lower portion of the element isolation film and the active region between the stacked gates, and a shallow implant region formed at a surface of the active region between the stacked gates.例文帳に追加

基板に形成された素子分離膜及び活性領域と、前記活性領域上に形成された複数のスタックゲートと、前記各スタックゲートの間の素子分離膜の下側及び活性領域に形成された深いインプラント領域と、前記各スタックゲートの間の活性領域の表面に形成された浅いインプラント領域とを含んでフラッシュメモリを構成する。 - 特許庁

To provide a in-mold molding device for manufacturing a foam resin particle moldings, in-mold molding mold for manufacturing the foam resin particle moldings and a manufacturing method for the foam resin particle moldings by which a decrease of a dimensional accuracy by heating is low, no flash-like projection is generated and a molding cycle is short.例文帳に追加

本発明は、加熱による寸法精度の低下が小さく、長期間使用してもバリ状突起が発生することがなく、しかも成型サイクルが短い発泡樹脂粒子成形体製造用の型内成形装置、及び発泡樹脂粒子成形体製造用の型内成形用金型、並びに発泡樹脂粒子成形体の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Light irradiation by a flash lamp takes place in a short time from a side of a processed surface on a material to be processed placed in a processing chamber for carrying out the processing by means of plasma discharge, and high temperature heat treatment in an extremely short time takes place in an atmosphere containing highly concentrated radicals and ions to obtain formation and reformation of a thin film.例文帳に追加

プラズマ放電を用いた処理を行っている処理チャンバ内に配置された被処理体に対して、フラッシュランプによる短時間の光照射を処理面側から行い、高密度のラジカルとイオンを含む雰囲気下で極短時間の高温熱処理を行って薄膜形成及び薄膜改質を実現する半導体装置の製造方法及び製造装置である。 - 特許庁

To provide a flash A/D converter including a plurality of differential amplifier circuits and a plurality of voltage comparator circuits, in which a A/D conversion accuracy is increased by making an output dynamic range for the differential amplifier circuits accurately match an input dynamic range for the voltage comparator circuits even if the input dynamic range for the voltage comparator circuits is narrowed due to reduction in a power supply voltage.例文帳に追加

複数個の差動増幅回路及び複数個の電圧比較回路を持つフラッシュ型のＡ／Ｄ変換器において、電圧比較回路の入力ダイナミックレンジが低電源電圧化に伴い狭くなっても、差動増幅回路の出力ダイナミックレンジを前記電圧比較回路の入力ダイナミックレンジと精度良く一致させて、Ａ／Ｄ変換精度を向上させる。 - 特許庁

The flash memory element includes trenches formed in a predetermined region on the semiconductor substrate with a constant interval, embedded floating gates 112 formed by being embedded in the trenches, a plurality of element isolation films formed between the embedded floating gates, and a dielectric film 114 and a control gate 116 formed in the upper portion of the embedded floating gates 112.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ素子は、半導体基板上の所定の領域に一定間隔で離隔されて形成されたトレンチと、上記トレンチを埋め込んで形成された埋め込みフローティングゲート１１２と、上記埋め込みフローティングゲート間に形成された複数の素子分離膜と、上記埋め込みフローティングゲート１１２の上部に形成された誘電体膜１１４及びコントロールゲート１１６含むものである。 - 特許庁

A flash lamp 10 comprises a tube type luminous tube 11 consisting of quartz glass inside which xenon gas is sealed in, electrodes 13 and 17 disposed oppositely inside at both ends of the luminous tube, and metal lead rods 14 and 18 whose tips are joined to the electrodes, whose middle parts are hermetically sealed in at end portions of the luminous tube, and whose ends are led out to the outside of the luminous tube.例文帳に追加

フラッシュランプ１０は、内部にキセノンガスが封入された石英ガラスから成る管型発光管１１と、発光管の両端部の内側に対向配置された電極１３，１７と、電極に先端が接合され中間が発光管の端部に気密封止されて基端が発光管の外側に導出する金属製電極リード棒１４，１８とを備える。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave heating device, a sheath for heating used in the electromagnetic heating device, and a method of manufacturing ceramics, by using the same, capable of performing the flash heating without generating breaking and cracking by eliminating the difference between inside and outside temperatures of a processed member when the processed member is heated by using the electromagnetic heating device, and stabilizing a temperature raising speed of the processed member.例文帳に追加

電磁波加熱装置を用いて被処理体を加熱するのに際し、被処理体の内外温度差を無くすことで割れやクラックが発生しない急速加熱を可能とし、且つ、被処理体の昇温速度を安定させることができる、電磁波加熱装置、電磁波加熱装置に用いる加熱用サヤ及びそれらを用いたセラミックスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The NAND flash memory element includes: triple N wells formed in a semiconductor substrate to electrically protect many memory cells in a prescribed region of the semiconductor substrate; at least two or more triple P wells formed inside each of the triple N wells; and a plurality of cell blocks respectively formed on the upper part of the triple P well and each including a plurality of memory cell strings each sharing a plurality of bit lines.例文帳に追加

半導体基板の所定の領域に多数のメモリセルを電気的に保護するために前記半導体基板内に形成されたトリプルＮウェルと、前記トリプルＮウェルの内部に形成された少なくとも２つ以上のトリプルＰウェルと、前記トリプルＰウェルの上部にそれぞれ形成され、それぞれ複数のビットラインを共有する複数のメモリセルストリングを含む複数のセルブロックとを含む。 - 特許庁

In measurement, the sensor 14 outputs a trigger signal for releasing the shutter, when it detects the passage of a golf club, the camera 11 repeatedly releases the shutter 11b on receiving the signal, white the flash lights 13-1 to 13-4 successively emit light which is synchronized with the release, thus taking a plurality of pictures, of the struck golf ball 31 sprinting out within an image frame.例文帳に追加

測定は、ゴルフクラブの通過を検知した打撃速度測定用センサー１４がシャッター開閉用のトリガー信号を出力し、該信号を受けたＣＣＤカメラ１１は多重シャッター１１ｂを連続開閉すると共に当該開閉と同期して各ストロボ１３−１〜４が順次発光して、打撃されて飛び出したゴルフボール３１を一映像フレーム内に複数個撮影する。 - 特許庁

In the obtained electronic material with the tin based plating, with the lapse of time or under reflowing at ≥210°C, the flash copper plating layer is mutually diffused with the nickel plating layer as a substrate, so as to be changed into a barrier layer composed of a copper-nickel alloy layer, and prevents the growth of acicular or columnar crystals caused by intermetallic compounds in the tin or tin alloy plating film.例文帳に追加

得られた錫系めっき付き電子材料は、経時中、または２１０℃以上の温度でのリフロー中に、フラッシュ銅めっき層が下地のニッケルめっき層と相互拡散して、銅−ニッケル合金層からなるバリア層に変化して、錫もしくは錫合金めっき皮膜中に金属間化合物による針状もしくは柱状晶が成長するのを防止する。 - 特許庁

The file system using the flash memory 2000 includes a circuit for storing the updated data corresponding to a data rewrite instruction in the bank 2300 for updated data, a circuit for selecting the latest updated data for each block among pieces of the updated data stored in the bank 2300 for updated data when a free area disappears in the bank 2300 for updated data and a processing circuit for processing the latest updated data.例文帳に追加

フラッシュメモリ２０００を用いたファイルシステムは、データ書換命令に対応する更新データを更新データ用バンク２３００に格納する回路と、更新データ用バンク２３００に空きがなくなると、更新データ用バンク２３００に格納された更新データの中から各ブロックに対する最新の更新データを選択する回路と、最新の更新データを処理する処理回路とを含む。 - 特許庁

In the floating gate forming method of a flash memory element, by removing an oxynitride film for hard mask through multi-strip, seams are prevented from occurring in poly deposition for the floating gate, and by blank-etching of poly for the foating gate and making the upper end of the poly for the floating gate round, a void is prevented from occurring in poly deposition for a control gate.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法において、ハードマスク用窒化膜をマルチストリップを通じて除去することにより、フローティングゲート用ポリ蒸着時にシームが発生することを防止し、フローティングゲート用ポリをブランクエッチングしてフローティングゲート用ポリの上端の角部を丸くすることにより、コントロールゲート用ポリ蒸着時にボイドが発生することを防止する。 - 特許庁

For a registration password registered in a flash memory 24 beforehand and a password required to be entered in authentication or the like, strength of pressing power given to an operating key to be pressed and timing of pressing operation are also made to constitute the registration password and the password to be entered in addition to entry information such as figures assigned to a ten key pad of a key operation part 33.例文帳に追加

予めフラッシュメモリ２４に登録する登録パスワードと、認証処理時などの必要な場合に入力が要求されるパスワードとは、単にキー操作部３３のテンキーなどに割り当てられた数字などの入力情報だけではなく、押圧操作された操作キーに対して加えられた押圧力の大きさや、押圧操作タイミングをも登録パスワード、および、パスワードの構成要素とする。 - 特許庁

A CPU once acquiring a drawing command for an icon specifies a collective component constituting the icon on the basis of icon correspondence information 23c, specifies unit components constituting the specified collective component on the basis of collective component correspondence information 23d, and generates the collective component by reading the specified unit components out of the flash ROM 23, thereby generating the icon using the generated collective component.例文帳に追加

ＣＰＵは、アイコンの描画指令を取得すると、アイコン対応情報２３ｃに基づいてアイコンを構成する集合部品を特定し、集合部品対応情報２３ｄに基づいて、特定された集合部品を構成する単位部品を特定し、特定された単位部品をフラッシュＲＯＭ２３から読み出して集合部品を生成し、生成した集合部品を用いてアイコンを生成する。 - 特許庁

A flash memory precharges each bit-line GBL corresponding to a memory cell MC of a writing target, discharges each bit-line GBL corresponding to a memory cell MC of a writing non-target, verifies the bit-line GBL to detect a memory cell MC of a low threshold voltage (S7) and additionally performs writing to the detected memory cell MC (S8, S9).例文帳に追加

このフラッシュメモリでは、初期書込の終了後に（Ｓ１〜Ｓ６）、書込対象のメモリセルＭＣに対応する各ビット線ＧＢＬをプリチャージするとともに書込非対象のメモリセルＭＣに対応する各ビット線ＧＢＬをディスチャージしてベリファイを行なって低しきい値電圧のメモリセルＭＣを検出し（Ｓ７）、検出したメモリセルＭＣに追加書込を行なう（Ｓ８，Ｓ９）。 - 特許庁

A data storage section 31 stores an image signal received by a flash detection unit 21, an average separation residual calculation section 32 calculates an average separation residual corresponding to frames and an average separation residual corresponding to fields in units of macro blocks, a field average separation residual calculation section 33 calculates a field average separation residual, and a frame average separation residual calculation section 34 calculates a frame average separation residual.例文帳に追加

データ保持部３１は、フラッシュ検出装置２１に入力された画像信号を保持し、平均値分離残差算出部３２は、フレームに対応する平均値分離残差およびフィールドに対応する平均値分離残差をマクロブロック単位で算出し、フィールド平均値分離残差算出部３３は、フィールド平均値分離残差を算出し、フレーム平均値分離残差算出部３４は、フレーム平均値分離残差を算出する。 - 特許庁

This furnace body water cooling structure for the flash smelting furnace is characterized in that a copper-made water-cooled jacket 10 where a pipe member 17 for flowing of cooling water in the interior is cast is hung down and supported on the triangular ceiling part A of a settler 3, and the water-cooled jacket 10 is divided into one or more parts, and disposed on the triangular ceiling part A.例文帳に追加

自溶炉１のシャフト２近傍に位置するセットラ３の三角天井部Ａを冷却するための自溶炉の炉体水冷構造は、内部に冷却水を流すためのパイプ部材１７を鋳込んだ銅製の水冷ジャケット１０をセットラ３の三角天井部Ａに吊下げ支持して配置したことを特徴とし、水冷ジャケット１０は１又は複数に分割されて三角天井部Ａに配置されてなる。 - 特許庁

The CPU 210 stores the initial setting information stored in the flash ROM 230 upon start-up, rewrites the initial setting information stored in the RAM 240 (initial setting information rewriting means), executes the predetermined process as a effective or ineffective process in accordance with the initial setting information stored in the RAM 249, and executes printing in accordance with the received print data (control means).例文帳に追加

ＣＰＵ２１０は、起動時にフラッシュＲＯＭ２３０に記憶された初期設定情報をＲＡＭ２４０に記憶するとともに、ＲＡＭ２４０に記憶された初期設定情報を書換える（初期設定情報書換手段）とともに、ＲＡＭ２４９に記憶された初期設定情報に応じて所定の処理を有効または無効として実行し、受信した印刷データに基づき印刷を実行する（制御手段）。 - 特許庁

The fiber can be produced by a flash spinning method, and is constituted so that the first fibrillated fiber comprising the olefinic polymer component and the second fibrillated fiber comprising the ester-based polymer component, mutually having no compatibility may be present in a mixed state regulated so that the mixing ratio of the olefinic polymer component to the polyester-based polymer component may be (5/95)-(95/5) by weight.例文帳に追加

この繊維は、フラッシュ紡糸法にて得られるとともに、互いに相溶性を有さないオレフィン系重合体成分からなる第１のフィブリル繊維とエステル系重合体成分からなる第２のフィブリル繊維とが混合状態で存在するように構成され、かつオレフィン系重合体成分とエステル系重合体成分との混合比が重量比で５／９５から９５／５の範囲である。 - 特許庁

The temperature of a semiconductor integrated circuit 10 is detected with a temperature detecting means 15 in a write tool 13 (or in the semiconductor integrated circuit 10), the discrimination level of write/erase having high stability is obtained by correcting the pulse width or the level of the voltage of a write/erase pulse for rewriting operation of a flash ROM 11, and the write/erase operation is performed stably.例文帳に追加

書込ツール１３内（または半導体集積回路１０内）の温度検知手段１５によって半導体集積回路１０の温度を検知し、検知温度に基づいて、フラッシュＲＯＭ１１の書き換え動作のための書込／消去パルスのパルス幅または電圧のレベルを補正することにより、安定性の高い書込／消去の判定レベルを得て、書込／消去の動作を安定的に遂行する。 - 特許庁

The memory controller is equipped with a table creation means of creating an address conversion table for a zone composed of a plurality of blocks of flash memories and an access control means of controlling access to the zone by using the address conversion table, and the table creation means creates the address conversion table according to a table creation management table showing the creation advance state of the address conversion table.例文帳に追加

フラッシュメモリの複数ブロックで構成されたゾーンに対するアドレス変換テーブルを作成するテーブル作成手段と、前記アドレス変換テーブルを用いて前記ゾーン対するアクセスを制御するアクセス制御手段を備えたメモリコントローラであって、前記テーブル作成手段が、前記アドレス変換テーブルの作成進行状況を示したテーブル作成管理テーブルに基づいてアドレス変換テーブルを作成する。 - 特許庁

The apparatus for refining opportunity crude includes: an opportunity crude storage tank which stores opportunity crude; a vacuum distillation column which receives opportunity crude stored in the opportunity crude oil storage tank, removes a low boiling point component under vacuum, and produces bunker C oil which is a heavy oil of a flash point of 70°C or higher; and a storage unit which stores the bunker C oil produced from the vacuum distillation column.例文帳に追加

機会原油の精製装置は、機会原油を貯蔵する機会原油貯蔵タンクと、該機会原油貯蔵タンクに貯蔵された機会原油を受け取ってその低沸点成分を真空で除去すると共に、引火点７０℃以上の重油であるバンカーＣ油を生産する真空蒸留塔と、該真空蒸留塔から生産されたバンカーＣ油を貯蔵する貯蔵部と、を含む構成である。 - 特許庁

A memory(Flash ROM) 20 connected to a system control part 14 of a player 10 is provided with a plurality of decoding software areas, and in the case of non-corresponding decoding software, a decoding software distribution server 33 is accessed through a router 30 and a WWW 32, and a decoding software module is automatically acquired, and downloaded to the decoding software area of the memory 20, and the content is reproduced.例文帳に追加

プレイヤ１０のシステムコントロール部１４に接続されているメモリ（Ｆｌａｓｈ ＲＯＭ）２０に複数の復号化ソフトウェアエリアを設け、未対応復号化ソフトウェアの場合には、ルータ３０、ＷＷＷ３２を介して復号化ソフトウェア配信サーバ３３にアクセスして、復号化ソフトウェアモジュールを自動的に取得してメモリ２０の復号化ソフトウェアエリアにダウンロードすると共にコンテンツの再生を行なう。 - 特許庁

The advertisement providing method obtained by taking into a user terminal environment includes a step for confirming environment information of a user terminal, and a step for controlling the creative form of advertisement content in accordance with the environment information of the user terminal, wherein the environment information can use at least one from among a version of a flash player set to the user terminal, the type and version of an Internet browser and monitor resolution.例文帳に追加

ユーザ端末機環境を考慮した広告提供方法は、ユーザ端末機の環境情報を確認するステップと、ユーザ端末機の環境情報に応じて広告コンテンツのクリエイティブ形態を制御するステップとを含み、環境情報は、ユーザ端末機に設定されたフラッシュプレイヤのバージョン、インターネットブラウザの種類およびバージョン、モニタ解像度のうちの少なくとも１つを用いることができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device including a laser radiation process that radiates a laser beam of intensity distribution having the minimum intensity beam or the minimum intensity point optically modulated by an optical modulation element to the crystallized area of a non-single crystal semiconductor thin film to crystallize the same and a heating process that radiates light to the crystallized area by a flash lamp to heat the crystallized area.例文帳に追加

非単結晶半導体薄膜の結晶化領域に、光学変調素子で光変調されて極小光強度線もしくは極小光強度点を有する光強度分布のレーザ光を照射して結晶化するレーザ照射工程と、結晶化された領域にフラッシュランプによる光照射して結晶化された領域を加熱する加熱工程とを包含する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A data recording device for the recording medium having a flash memory allowing writing of data with a block comprising a prescribed number of bytes as a unit, and having a function to use a part of all the blocks as the alternative block for a defect block not capable of being written with normal data transmits the data to the recording medium as a part of a data file with a data amount corresponding to a prescribed number of blocks as a writing unit.例文帳に追加

所定数のバイトからなるブロックを単位としてデータの書き込みが可能なフラッシュメモリを有し、全ブロックのうちの一部を正常なデータの書き込みができなくなった不良ブロックの代替ブロックとして用いる機能を有する記録媒体のためのデータ記録装置は、所定数のブロックに対応するデータ量を書き込み単位として、データファイルの一部としてデータを記録媒体へ送信する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a flash memory which holds a vendor code of a MAC address (Media Access Control address) and a MAC address conversion routine; and a CPU which reads the chip ID of a microcomputer and generates a serial number of the MAC address based on the chip ID according to the MAC address conversion routine, and generates the MAC address by combining a vendor code and the serial number.例文帳に追加

ＭＡＣアドレス（Ｍｅｄｉａ Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｎｔｒｏｌ ａｄｄｒｅｓｓ）のベンダコード、及びＭＡＣアドレス変換ルーティンを保持するフラッシュメモリと、マイコンのチップＩＤを読み込み、ＭＡＣアドレス変換ルーティンに従い、チップＩＤに基づいてＭＡＣアドレスのシリアル番号を生成し、ベンダコードとシリアル番号とを組み合わせてＭＡＣアドレスを生成するＣＰＵとを具備する半導体装置により解決する。 - 特許庁

In the flash memory, writing is done to each memory cell MC to be written out of a plurality of memory cells MC corresponding to a selected word line WL, verifying is done by using a low word line voltage V_VR than usual, and additional writing is done to all the memory cells MC corresponding to the selected word line WL under the condition that a charge injection rate is lower than usual.例文帳に追加

このフラッシュメモリでは、選択ワード線ＷＬに対応する複数のメモリセルＭＣのうちの書込対象の各メモリセルＭＣに書込を行なうとともに通常よりも低いワード線電圧Ｖ_ＶＲを用いてベリファイを行ない、書込が終了した後に、選択ワード線ＷＬに対応する全メモリセルＭＣに通常よりも電荷注入量が少ない条件で追加書込を行なう。 - 特許庁

By configuring the metal deposition film capacitor in this way, when the capacitor is used in a lighting circuit, or the like, of a flash lamp, even in tens of thousands of charging and discharging cycles, a dielectric barrier electric discharge generated between the metal deposition films of the capacitor element formed by wounding a metal deposition film arranged inside the metal deposition film capacitor is suppressed, and thus the electrostatic capacitance can be prevented from attenuating.例文帳に追加

金属蒸着フィルムコンデンサーをこのように構成することによって、フラッシュランプの点灯回路等に使用した際、数万回といった充放電の繰り返しによっても、金属蒸着フィルムコンデンサー内部に配置された金属蒸着フィルムを巻回し形成したコンデンサー素子の金属蒸着フィルム間に生じる誘電体バリア放電を抑制し、静電容量の減衰を防止することができる。 - 特許庁