「PLASMA」に関連した英語例文の一覧と使い方(551ページ目) - Weblio英語例文検索

This plasma treatment device 1 includes: a treatment chamber 11; a base 15 whereupon a silicon substrate K is to be mounted; a gas supply device 23 for supplying a treatment gas into the treatment chamber 11; a coil 26; a high-frequency power supply 27 for the coil; and a heating apparatus 30 for heating an annular member 13a of the treatment chamber 11.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１と、シリコン基板Ｋが載置される基台１５と、処理ガスを処理チャンバ１１内に供給するガス供給装置２３と、コイル２６と、コイル用高周波電源２７と、処理チャンバ１１の環状部材１３ａを加熱する加熱装置３０とを備える。 - 特許庁

In the method for producing a substrate 20 with an ITO transparent electrically conductive film in which an indium oxide vapor depositing material contg. tin oxide is irradiated with arc discharge plasma, and the vapor depositing material is evaporated to coat the surface of a transparent substrate 21 with an ITO film, the gas atmosphere is composed of the one contg. gaseous xenon, gaseous krypton or the gaseous mixture thereof.例文帳に追加

酸化錫を含有する酸化インジウム蒸着材料にアーク放電プラズマを照射して蒸着材料を蒸発させ、透明基板上にＩＴＯ膜を被覆するＩＴＯ透明導電膜付き基板の製造方法で、ガス雰囲気をキセノン、クリプトンまたはそれらを混合しガスを含むガス雰囲気とする。 - 特許庁

The method for removing B in the molten silicon 3 by blasting an Ar-5.0%-H_2O gas to the bath surface 3a of the molten silicon 3 accommodated in a crucible 1 as the container to plasma arc melt the molten silicon 3, wherein the molten silicon 3 accommodated in the crucible 1 is stirred at a rate of 250 rpm using a propeller 2.例文帳に追加

容器としてのルツボ１内に収容された溶融シリコン３の浴面３ａにＡｒ−５．０％Ｈ_２Ｏガスを吹き付けてプラズマアーク溶解しながら溶融シリコン３中のＢを除去する方法であって、ルツボ１内に収容された溶融シリコン３を、プロペラ２を用いて周方向に２５０ｒｐｍの速度で攪拌する。 - 特許庁

To provide a vacuum ultraviolet-excited fluorescent substance capable of extremely heightening the ultraviolet emission intensity, hardly causing the reduction of the emission intensity when the fluorescent substance is used as a fluorescent substance layer of a light-emitting device such as a plasma display, and hardly causing the deterioration of color characteristics with time, and further to provide the light-emitting device by using the fluorescent substance.例文帳に追加

紫外発光強度を大幅に高めることが可能であり、プラズマディスプレイなどの発光装置の蛍光体層として使用した場合に、発光効率の低下が少なく、まだ色度特性の経時劣化が少ない真空紫外線励起紫外蛍光体およびそれを用いた発光装置を提供する。 - 特許庁

The plasma display panel is provided with a sustain discharge cell 61 and a priming discharge cell 62, equipped with a discharge space 33a and a discharge space 33b, respectively, made by having a discharge space 33 between a front substrate 21 and a rear-face substrate 28 opposed to it zoned by a barrier rib 31 fitted at the rear-face substrate 28.例文帳に追加

前面基板２１とそれに対向する背面基板２８との間の放電空間３３が背面基板２８に設けられた隔壁３１によって区画されてなる放電空間３３ａおよび放電空間３３ｂをそれぞれ有する維持放電セル６１およびプライミング放電セル６２を備える。 - 特許庁

The quartz glass crucible that a luminous point occurs in a heated region after heating the internal surface of the crucible at 800-1500°C is held at <1500°C, while the internal surface of the crucible is exposed to local heating at 1850-2400°C by an oxyhydrogen flame or a plasma flame, thus removing the luminous point by remelting its region.例文帳に追加

石英ガラスルツボの内周面を８００℃〜１５００℃に加熱し、加熱領域に輝点が生じたものについて、ルツボ外表面を１５００℃未満に維持する一方、酸水素炎またはプラズマ炎によってルツボ内表面を１８５０℃〜２４００℃に局部加熱し、輝点発生部分を再溶融させて輝点を除去する。 - 特許庁

In a method for manufacturing the optical waveguide device, an under clad layer 2 and a core layer 3 are deposited on a quarts substrate 1 and further a cap layer 4 whose refractive index is equal to that of the under clad layer 2 is deposited on the core layer 3 successively under the same value of high frequency power by the use of a plasma CVD(chemical vapor deposition) device.例文帳に追加

本発明に係る光導波路デバイスの作製方法によれば、プラズマＣＶＤ装置を用いて、高周波電力値同一の下で、石英基板１上にアンダークラッド層２とコア層３と、さらにコア層３の上に、屈折率がアンダークラッド層２と等しいキャップ層４とが順次形成される。 - 特許庁

To provide a coating liquid applying device, a method of applying a coating liquid, and a method of manufacturing a base material for a plasma display panel, capable of preventing application omission (color omission) when applying the coating liquid onto the base material formed with a lattice-like groove on a surface, and capable of drawing-forming surely a desired paste pattern on the base material surface.例文帳に追加

表面に格子状の溝部が形成された基材に塗液を塗布するに際しても、塗布抜け（色抜け）を防止し、基材表面に所望のペーストパターンを確実に描画形成できる塗液の塗布装置および塗布方法、ならびにプラズマディスプレイパネル用基材の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

The in-mold decorating method of the molded product has a step for forming a primer layer on an in-mold decorating side of the molded product made of the unsaturated polyester resin and an in-mold decorating step for forming the in-mold decorating layer on this primer, wherein at least the in-mold decorating side of the molded product is plasma-treated before the primer layer is formed.例文帳に追加

不飽和ポリエステル樹脂製の成形品の加飾面にプライマー層を形成する工程と、このプライマー層の上に加飾層を形成する加飾工程とを備える成形品の加飾方法において、プライマー層形成前に成形品の少なくとも加飾面をプラズマ処理することを特徴としている。 - 特許庁

The base-metal restoration (72) is applied by furnishing a source of a structural material that is compatible with the base metal, and depositing the source of the structural material overlying the initially exposed base-metal flow-path surface (70) of the stationary shroud (24) by plasma transferred arc welding to form a repaired base-metal flow-path surface (76).例文帳に追加

該母材修復材（７２）は、ベースメタルと相容性がある構造材料源を供給し、プラズマ移行性アーク溶接によって固定シュラウド（２４）の初期露出母材流路表面（７０）上に位置させて構造材料源を溶着して、修理された母材流路表面（７６）を形成することによって施される。 - 特許庁

In the aging process in which a display drive is carried out by applying a prescribed voltage to the plasma display panel 1 having a display region (inside region of the boundary line 26) in which an image is displayed, and a non-display region (outside region of the boundary line 26) in which the image is not displayed, the non-display region is made to be heated.例文帳に追加

画像が表示される表示領域（境界線２６の内側の領域）と画像が表示されない非表示領域（境界線２６の外側の領域）とを有するプラズマディスプレイパネル１に所定の電圧を印加して表示駆動を行うエージング工程において、前記非表示領域を加熱するようにする。 - 特許庁

A second magnetic field forming means 18 is introduced in a first magnetic field forming means which is formed by solenoid coils 17, the distribution of plasma radiation in the direction of the magnetic flux in the surface of a plane plate 2 is controlled by a composite magnetic field using these first and second magnetic field forming means, and the distribution of the quantity of interaction between the magnetic field and electromagnetic waves is controlled.例文帳に追加

ソレノイドコイル１７により形成される第１の磁場形成手段に対し、第２の磁場形成手段１８を導入し、この第１および第２の磁場形成手段による合成磁場で平面板２表面での磁力線方向の分布を制御し、磁場と電磁波の相互作用量分布を制御する。 - 特許庁

In the parallel plate plasma processing system applying RF to both an upper electrode 14 and a lower electrode 18, a metal plate 31 having a ground potential and including a plurality of openings H within the range of a specified area is placed between the upper electrode 14 and a wafer 16 mounted on the lower electrode 18.例文帳に追加

上部電極１４と下部電極１８との両方にＲＦを印加する平行平板型プラズマ処理装置において、上部電極１４と下部電極１８に搭載されたウェーハ１６との間に、接地電位を有し所定の面積の範囲に複数の開口部Ｈを含む金属板３１を設置する。 - 特許庁

In the dry etching of an insulating film 10 containing silicon and carbon formed on a wafer 4 (substrate 9), a plasma 3 is generated from a gas mixture containing a first molecule gas containing carbon and fluorine and a second gas containing nitrogen, and RF bias of 2 MHz or lower is applied to an electrode 5 which installs the wafer 4.例文帳に追加

ウエハ４（基板９）上に形成された、シリコンと炭素とを含む絶縁膜１０のドライエッチングにおいて、炭素と弗素とを含む第１の分子ガスと窒素を含む第２の分子ガスとを含む混合ガスからプラズマ３を生成し、且つ、ウエハ４を設置する電極５に２ＭＨｚ以下のＲＦバイアスを印加する。 - 特許庁

In the boundary part between the sintered body 15 and a base material, by continuously changing the component ratio between powder 10 for nickel- phosphorus sintering used for discharge plasma sintering and sintered iron powder 44 constituting the base material 44, the sintered body 15 and the base material 44 are joined together slantingly.例文帳に追加

このとき、焼結体１５と母材４１との境界部分では、放電プラズマ焼結するのに用いたニッケル−リン系の焼結用粉末１０、および母材４１を構成する鉄系の焼結粉末４４の成分比を連続的に変えることにより、焼結体１５と母材４１とを傾斜接合させる。 - 特許庁

In this way, when dielectric material is inserted between a discharge space and the electrode in which plasma has been formed and when a dielectric capacity impedance is formed, according as the concentration of ion and electron inside the discharge space becomes higher than a specified concentration, the more the electric current flow becomes adversely interfered by the dielectric capacity impedance.例文帳に追加

このように、プラズマが形成された放電空間と電極との間に誘電体を挿入し、誘電容量インピーダンスを形成する場合、放電空間内のイオン及び電子濃度が指定された濃度より高くなるほど誘電容量インピーダンスにより電流の流れが逆に妨害される。 - 特許庁

To obtain a vacuum ultraviolet-excitable phosphor capable of effectively raising the emission luminance even under vacuum ultraviolet excitation, improving the emission luminance with slight deterioration of chromaticity characteristics with time when used as a phosphor layer of a light-emitting apparatus such as a plasma display, and to provide a light-emitting apparatus for using the same.例文帳に追加

真空紫外線励起下において発光輝度を効果的に高めることが可能であり、プラズマディスプレイなどの発光装置の蛍光体層として使用した場合に、発光輝度を向上させることができ、また色度特性の経時劣化が少ない真空紫外線励起蛍光体およびそれを用いた発光装置を提供する。 - 特許庁

The plasma display device is connected with a switch S3 for power recovery between a capacitor C1 and an address electrode to an address electrode driving section 300 for driving an address electrode and is connected with a switch S1 for driving between a power supply for supplying a Va voltage and the address electrode.例文帳に追加

本発明のプラズマ表示装置は、アドレス電極を駆動するアドレス電極駆動部３００に電力回収用キャパシタＣ１とアドレス電極との間に電力回収用スイッチＳ３が連結され、Ｖａ電圧を供給する電源とアドレス電極との間に駆動用スイッチＳ１が連結される。 - 特許庁

In manufacturing of a front plate composing the plasma display panel, after providing a protective layer made of magnesium oxide in a protective film forming chamber 1, a fluorocarbon protective film is formed on the surface of the protective layer in a fluorocarbon protective film forming chamber 3 without bringing the protective layer into contact with moisture and carbon dioxide.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルを構成する前面板の作製において、保護膜形成室１において酸化マグネシウム製の保護層を設けたのち、その保護層を水分および二酸化炭素に接触させることなく、フルオロカーボン保護膜形成室３において上記保護層の表面にフルオロカーボン保護膜を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic electroluminescent element comprises a process of forming the inorganic sealing layer having an inorganic sealing film composed of either a silicon oxide, a silicon nitride, or a silicon oxynitride on the second electrode, and a process of applying a plasma treatment on a surface of the inorganic sealing film by using fluorine-containing gas.例文帳に追加

第二電極上に形成する無機封止層が、酸化ケイ素、又は窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のいずれか一つからなる無機封止膜を形成する工程と、該無機封止膜の表面にフッ素含有ガスを用いたプラズマ処理をおこなう工程とにより形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

A protective film is formed on the substrate 9 in a protective film forming chamber 15, the substrate 9 is cleaned by plasma ashing in a first cleaning chamber 22, the substrate is cleaned by gas blow in a second cleaning chamber 23 and burnished in a vacuum in a burnish chamber 24 while being conveyed from the magnetic film forming chamber 14 to the lubricant layer forming chamber 25.例文帳に追加

磁性膜作成チャンバー１４から潤滑層形成チャンバー２５に搬送される間、基板９は、保護膜作成チャンバー１５で保護膜が作成され、第一クリーニングチャンバー２２でプラズマアッシングによりクリーニングされ、第二クリーニングチャンバー２３でガスブローによりクリーニングされ、バーニッシュチャンバー２４で真空中でバーニッシュされる。 - 特許庁

In a process for forming the silicon nanocrystal structure, a nanometer-thick silicon thin film comprising silicon crystallites and amorphous silicon is formed on the substrate by heating the substrate to a predetermined temperature in a plasma-treatment chamber, controlling the atmosphere inside the chamber to achieve a vacuum atmosphere containing at least a hydrogenated silicon gas and a hydrogen gas and applying a high-frequency electric field.例文帳に追加

基板をプラズマ処理チェンバ内で所定の温度にした後、プラズマ処理チェンバ内を少なくとも水素化シリコンガスと水素ガスとを含む減圧雰囲気に制御し、高周波電界を印加してナノメータスケール厚のシリコン微結晶とアモーファスシリコンからなるシリコン薄膜を基板上に形成する。 - 特許庁

The driving method of plasma display panel is characterized in that discharge cells arranged on positions adjacent to at least one discharge cell to be address-discharged in accordance with an input video signal (pixel driving data) are forcibly address-discharged among respective discharge cells belonging to a display line as an address object just in front of the display line to which the one discharge cell belongs.例文帳に追加

入力映像信号（画素駆動データ）に従ってアドレス放電されるべき少なくとも１の放電セルが属する表示ラインの直前でアドレス対象となる表示ラインに属する放電セル各々の内で、上記１の放電セルに隣接した位置に配置されている放電セルを、強制的にアドレス放電させる。 - 特許庁

The method for processing a workpiece comprises a step for coupling the RF power with plasma at a first VHF frequency f1 through one electrode of a chamber, and a step for providing an RF current flowing directly between a ceiling electrode and a workpiece support electrode with a grounded center return path at the frequency f1.例文帳に追加

この方法は、チャンバの電極の１つを介して、第１のＶＨＦ周波数ｆ１でＲＦ電力を、プラズマに結合する工程と、周波数ｆ１について、天井電極とワークピースサポート電極の間を直接流れるＲＦ電流に、中心接地リターンパスを提供する工程とを含む。 - 特許庁

In this color plasma display device, a light-shielding layer of a laminated structure comprising a first light-shielding layer 9 and a second light-shielding layer 10 laminated thereon having a narrower width than the first layer is formed in a gap between color filter layers 8R, 8G, 8B formed in an inner surface of a front substrate 1.例文帳に追加

開示されるカラープラズマディスプレイ装置は、前面基板１の内面に形成される各カラーフィルタ層８Ｒ、８Ｇ及び８Ｂの間隙には、第１の遮光層９とこの第１の遮光層９上に積層されてそれよりも幅の小さい第２の遮光層１０とから成る積層構造の遮光層が形成されている。 - 特許庁

To hasten a flow of a plasma air flow by throwing a high speed rectification gas into an arc surrounding; to strengthen an electromagnetic force and a magnetic field that act on the arc to improve an arc energy density and arc directivity and rigidity to thereby enable to perform high-speed welding; and moreover to improve a shield effect to enable to perform a high-quality welding.例文帳に追加

アーク周囲に高速整流ガスを流してプラズマ気流の流れを速め、アークに作用する電磁力及び磁界を強化してアークのエネルギー密度、アークの指向性及び硬直性を高めて高速溶接を行えるようにし、また、シールド効果を高めて高品質な溶接を行えるようにする。 - 特許庁

The film thickness distribution k(x, y) of a sample 13 is monitored by a distribution monitoring section 18 during operating a film deposition process by a plasma P and a gap distribution control section 15 is controlled by a control section 19 so as to control a non-uniform gap distribution g(x, y) according to the monitoring result.例文帳に追加

プラズマＰによる膜形成プロセスの稼動中に、分布モニタリング部１８が試料１３の膜厚分布ｋ（ｘ、ｙ）をモニタリングし、モニタリング結果に基づいて、制御部１９が、ギャップ分布調整部１５を制御して、不均一なギャップ分布ｇ（ｘ、ｙ）を調整するので、予備的な実験・評価を繰り返す必要がない。 - 特許庁

In the formula, D_1(μm) is a thickness of the plasma anti-corrosion layer on the surface of the ceramic base plate, D_2(mm) is a thickness of the ceramic base plate, and Ry(μm) is a maximum height based on JIS B 0601 showing surface roughness of the ceramic base plate.例文帳に追加

０．０１５（ｍｍ）≦ Ｄ_１×Ｄ_２／Ｒ_ｙ ≦２００００（ｍｍ）・・・（１）（式（１）中、Ｄ_１（μｍ）は、セラミック基板の表面における前記プラズマ耐食層の厚さであり、Ｄ_２（ｍｍ）は、セラミック基板の厚さであり、Ｒｙ（μｍ）は、セラミック基板の表面粗さを示すＪＩＳ Ｂ ０６０１に基づく最大高さである。） - 特許庁

A method of forming the insulation film buried structure comprises a step for forming a nitride film in the recess formed in a semiconductor substrate, a step for forming an electrification preventing insulation film on the nitride film by a thermal CVD method, a step for forming a buried insulation film on the electrification preventing insulation film so as to fill the recess by a high density plasma CVD method.例文帳に追加

半導体基板に形成された凹部内に窒化膜を形成する工程と、この窒化膜上に熱ＣＶＤ法により帯電防止絶縁膜を形成する工程と、高密度プラズマＣＶＤ法によりこの帯電防止絶縁膜上に前記凹部を埋め込むように埋込絶縁膜を形成する工程を実施する。 - 特許庁

A print coil 2 consisting of a coil conductor 6, provided on the surface and a printed circuit board furnished with peripheral circuits, is installed near the arc tube 1, and inside the tube 1, a high-frequency plasma tube is produced by a high-frequency electromagnetic field generated around the print coil 2, and the ultraviolet rays emitted causes the phosphor to excite and emit light.例文帳に追加

表面にコイル導体６、および、その周辺回路が形成されたプリント基板により構成されるプリントコイル２が発光管１に近接して配置され、プリントコイル２に発生する高周波電磁界により、発光管１内部に高周波プラズマ管が生成され、放出される紫外線が蛍光体を励起発光させる。 - 特許庁

To obtain a sealing material satisfactory fluidized at ≤530°C and further hard to be deformed in an evacuation stage at 450 to 500°C, so as to improve the characteristics of a PDP (plasma display panel) or the like and production efficiency in a sealing material comprising bismuth based glass powder and refractory filler powder.例文帳に追加

本発明は、ビスマス系ガラス粉末と耐火性フィラー粉末を含有する封着材料において、５３０℃以下の温度で良好に流動するとともに、４５０〜５００℃の真空排気工程で変形し難い封着材料を得ることにより、ＰＤＰ等の特性および製造効率を向上させることを技術的課題とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magnetic recording medium 1 for successively laminating at least a magnetic film 5, the protective film 6 and the lubricating layer 7 on a non-magnetic substrate 2, before depositing a lubricant on the protective film 6 and forming the lubricating layer 7, the surface of the protective film 6 is processed by using dry etching such as plasma etching.例文帳に追加

非磁性基板２上に少なくとも磁性膜５、保護膜６および潤滑層７を順次積層する磁気記録媒体１の製造方法において、潤滑剤を保護膜６上に蒸着し潤滑層７を形成する前に、保護膜６の表面をプラズマエッチングなどのドライエッチングを用いて処理する。 - 特許庁

Thus the oxidation of the face coated with the metallic plate 61 can be prevented even when thermal expansion and contraction of the furnace bottom electrode fire brick 60A and the peripheral fire brick are repeated by repeated increase and decrease of the temperature in the plasma furnace, and the clearance is formed between the furnace bottom electrode fire brick 60A and the peripheral fire brick.例文帳に追加

プラズマ炉内の温度上昇下降が繰り返されることにより炉底電極耐火煉瓦６０Ａや周囲の耐火煉瓦の熱膨張収縮が繰り返され、炉底電極耐火煉瓦６０Ａと周囲の耐火煉瓦間に間隙が形成されても、金属板６１により覆われた面の酸化防止がされる。 - 特許庁

The dielectric device manufacturing method comprises the steps of: forming a dielectric layer 3 made of an oxide on a first electrode layer 2 made of a metal; forming an etching mask 4 on the dielectric layer 3; and etching the dielectric layer 3 through the etching mask 4 by means of plasma of CHF_3-containing etching gas to expose the first electrode layer 2.例文帳に追加

金属からなる第１の電極層２の上に酸化物からなる誘電体層３を形成し、誘電体層３の上にエッチングマスク４を形成し、ＣＨＦ_３を含むエッチングガスのプラズマによってエッチングマスク４を介して誘電体層３をエッチングすることで、前記第１の電極層２を露出させる。 - 特許庁

In this method, the silicon/silicon carbide/graphite combined sintered compact having self-lubrication is manufactured by sintering the powdery mixture prepared by blending mesophase carbon powder or carbon black powder and graphite powder with silicon power under a pressure or vacuum at 1,200-1,300°C by a discharge plasma sintering method.例文帳に追加

珪素粉末に、メソフェーズカーボン粉末又はカーボンブラック粉末、及び黒鉛粉末を配合した粉末混合物を、放電プラズマ焼結法により、加圧下、真空中で温度１２００〜１３００℃にて焼結することを特徴とする、自己潤滑性を有する珪素・炭化珪素・黒鉛複合焼結体の製造方法。 - 特許庁

The production process comprises arranging a handicraft made of pottery or porcelain in a chamber filled with hydrocarbon plasma and baking diamond-like carbon of 0.05-5 μm thickness on a part or the whole of the surface of the handicraft 2 by applying a high pulse voltage of 10 Hz to 10 kHz frequency.例文帳に追加

その製造は、陶磁器製工芸品を炭化水素プラズマで満たされたチャンバー内に配置し、その陶磁器工芸品の表面に１．０〜５ｋＶ、周波数１０Ｈｚ〜１０ｋＨｚの高圧のパルス電圧を印加することにより、陶磁器工芸品の表面の一部又は全部に厚みが０．０５〜５μmのダイアモンドライクカーボン層を焼き付ける。 - 特許庁

To prevent a rise of a methemoglobinizing rate of a blend after thawing in a method for once freeze-preserving after removing plasma, leukocytes and blood platelets from a red-blood concentrate when extracting to purify a hemoglobin material of an artificial oxygen carrier of a hemoglobin base from the red-blood concentrate.例文帳に追加

ヘモグロビンベースの人工酸素運搬体のヘモグロビン原料を赤血球濃厚液から抽出精製する時、赤血球濃厚液から血漿、白血球、血小板を出来る限り除去した後、一旦、凍結保存する方法において、解凍後の混合物のヘモグロビンメト化率の上昇を防止する。 - 特許庁

When a single crystal thin film of diamond is formed on the surface of a diamond substrate by plasma CVD using a mixture gas of carbon source and hydrogen as material gas, the diamond substrate is mounted on a substrate holder constituted of carbon.例文帳に追加

原料ガスとして炭素源と水素の混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによりダイヤモンド基板表面にダイヤモンド単結晶薄膜を形成する際に、炭素を構成元素とする基板ホルダにダイヤモンド基板を載せて、ダイヤモンド単結晶薄膜を形成することを特徴とするダイヤモンド単結晶薄膜の製造方法。 - 特許庁

The plasma display panel is provided with a first substrate 1a equipped with a plurality of first electrodes 9 existing in extension in a row direction and second electrodes 10 parallel with the first electrodes 9, and a second substrate 1b equipped with third electrodes 6 crossing the first and the second electrodes 9, 10 in a display cell.例文帳に追加

行方向に延在する複数の第１の電極９と第１の電極９に対し平行な第２の電極１０とを有する第１の基板１ａと、第１及び第２の電極９，１０に対し表示セルにおいて直交する第３の電極６を有する第２の基板１ｂを備える。 - 特許庁

In sustaining electrodes of this plasma display panel including transparent electrodes 16, 17 and metal electrodes 16', 17' plural ones of which form couples on one of two substrates to be mutually coupled and which are used for sustaining initially generated light by mutual discharge for a certain period, plural passing holes 18 are formed in the transparent electrodes.例文帳に追加

相互結合する二つの基板の一方の基板に複数個が一対を成し、相互放電によって初期発生した光を一定の期間維持する透明電極と金属電極とが含まれるプラズマディスプレイパネルの維持電極において、前記透明電極は複数個の通過ホールが形成されることを特徴とする。 - 特許庁

A static eliminator 34 having a plurality of needle electrodes connected to an AC power source 55 and a plus DC power source 56 is disposed nearby a carry-in/out opening of a processing furnace 16 wherein substrates 18 are plasma-processed, and the electrostatically charged substrates 18 carried out of the processing furnace 16 by a boat elevator 22 are discharged.例文帳に追加

基板１８にプラズマ処理を行う処理炉１６の搬入出口の近傍に、交流電源５５および正極の直流電源５６を接続した複数の針電極を備えた除電装置３４を配置し、ボートエレベータ２２により処理炉１６から搬出された帯電基板１８を除電する。 - 特許庁

Substrate treatment equipment is provided with a reaction tube 30 which forms a substrate treatment region for treating a wafer W, the furnace throat flange 4 which supports the reaction tube 30, a gas supply line 7 which is arranged in the furnace throat flange 4 and supplies gas inside the reaction tube 30, and an electrode 32a and a ground electrode 32b which generate plasma.例文帳に追加

基板処理装置は、ウェーハＷを処理する基板処理領域を形成する反応管３０と、反応管３０を支持する炉口フランジ４と、炉口フランジ４に設けられて反応管３０内にガスを供給するガス供給管７と、プラズマを生成する電極３２ａとアース電極３２ｂとを備える。 - 特許庁

The flow rate load of gas is detected by the mass flow controllers, presence/absence of the plasma generated in the processing chamber is detected by the monochrometer, these detection signals are transmitted to the CPU and a control valve is controlled so that pressure of the processing chamber is at a specified level based on a control signal from the CPU.例文帳に追加

マスフローコントローラによってガスの流量負荷を検知すると共に、モノクロメータによって処理室に生成されるプラズマのプラズマ生成有無を検知し、これら検知信号をＣＰＵに伝達すると共に、ＣＰＵからの制御信号に基づいて処理室が所定圧力になるようにコントロールバルブを制御する。 - 特許庁

The colored mirrors (16, 17) are manufactured by continuously performing two steps for depositing the reflection layer 20 and the coloring layer 21, and a plasma-polymerizing step for forming the protective membrane 22 inside the same chamber 24, and the pigment is deposited by a resistance-heating deposition using a color pigment chip 26 and a filament heater 27.例文帳に追加

着色反射鏡（１６，１７）の製造は、反射層２０及び着色層２１の二つの蒸着工程と、保護膜２２を形成するプラズマ重合工程を同一のチャンバー２４の内部で連続的に行い、顔料の蒸着は、カラー顔料チップ２６とフィラメントヒーター２７を利用した抵抗加熱蒸着により行う。 - 特許庁

In this method for manufacturing a semiconductor device, the wiring interlayer insulating film 34 is formed by making either alkoxy compound having a Si-H bond or siloxane having a Si-H bond and a film forming gas composed of either one of oxygen-containing gas, O2, N2O, NO2, CO, CO2 or H2O into plasma and react each other.例文帳に追加

配線層間絶縁膜３４を、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンの何れか一と、Ｏ_2、Ｎ_2Ｏ、ＮＯ_2、ＣＯ、ＣＯ_2、又はＨ_2Ｏの何れか一の酸素含有ガスとからなる成膜ガスをプラズマ化し、反応させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法による。 - 特許庁