Patternedを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 3854件
A method includes: forming an insulation film 13 composed of SiO_2 film or SiN film according to a sputtering method on the common electrode 12; and forming the patterned pixel electrode 14 on the insulation film 13, whereby liquid crystal 8 is arranged on the pixel electrode 14 and the alignment of the liquid crystal 8 is changed by parallel electric field formed in the liquid crystal 8 to display letters and images.例文帳に追加
共通電極12上に、スパッタリング法によってSiO_2膜又はSiN膜から成る絶縁膜13を形成し、その絶縁膜13上にパターニングした画素電極14を形成し、画素電極14上に液晶8を配置し、液晶8中に形成する平行電界によって液晶8の配向を変え、文字や画像を表示する。 - 特許庁
An insulating film 12 is formed on a silicon substrate 11 made of single-crystal silicon, an opening 12a is formed in the insulating film 12, and an amorphous silicon film is formed on the insulating film 12 in contact with the silicon substrate 11 through the opening 12a, and subjected to solid-phase epitaxial growth starting at the silicon substrate 11 as a starting point, and then patterned.例文帳に追加
単結晶のシリコンからなるシリコン基板11上に絶縁膜12を形成し、絶縁膜12に開口部12aを形成し、絶縁膜12上に開口部12aを介してシリコン基板11と接触するようにアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜をシリコン基板11を起点として固相エピタキシャル成長させて、その後パターニングする。 - 特許庁
While the bumps 21 abut against the 1st metallic film 11, one or both of the 1st metallic film 11 and 2nd metallic film 12 are patterned to partially expose the surface of the 1st resin film 16 In this state, a heat treatment is carried out to emit a solvent and moisture from the exposed part, thereby hardening the 1st resin film 16.例文帳に追加
第1の金属膜11にバンプ21が当接した状態で、第1の金属膜11又は第2の金属膜12のいずれか一方又は両方をパターニングし、第1の樹脂フィルム16の表面を部分的に露出させた状態で熱処理し、溶剤や水分を露出部分から放出させ、第1の樹脂フィルム16を硬化させる。 - 特許庁
A probe 5, a terminal 6, and a ground pattern 7 are patterned severally at one side of a dielectric substrate 2, and also this ground pattern 7 is led conductively through a ground pattern 9 and a plurality of through holes 10 made at the other side of the dielectric substrate 2, and this dielectric substrate 2 is arranged in parallel with its tube axis, within a waveguide conduit 1.例文帳に追加
誘電体基板2の片面にプローブ5と終端部6およびアースパターン7をそれぞれパターン形成すると共に、このアースパターン7を誘電体基板2の他面に形成したアースパターン9と複数のスルーホール10を介して導通し、この誘電体基板2を導波管路1の内部にその管軸と平行に配設した。 - 特許庁
In the manufacturing method of the magnetic recording medium, the magnetic film is formed on a substrate, a resist is applied on the magnetic film, a stamper is imprinted to the resist to transfer a rugged pattern and the magnetic film is worked by ion-milling to form a magnetic film pattern while the resist residue is left in the recessed part of the patterned resist after the stamper is removed.例文帳に追加
基板上に磁性膜を形成し、前記磁性膜上にレジストを塗布し、前記レジストに対してスタンパをインプリントして凹凸パターンを転写し、前記スタンパを除去した後、パターン化されたレジストの凹部にレジスト残渣を残したままイオンミリングにより前記磁性膜を加工して磁性膜パターンを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁
The image recorder comprises the intermediate transfer member where an ink-philic part and ink-phobic part are patterned depending on the resolution of a recording image, a means for ejecting ink to the intermediate transfer member depending on the recording image, and a means for transferring the ink, ejected from the ink ejecting means to the intermediate transfer member, to a recording medium.例文帳に追加
親インク部および撥インク部が、記録画像の解像度に応じてパターンニングされた中間転写体と、記録画像に応じて中間転写体にインクを吐出するインク吐出手段と、インク吐出手段から中間転写体に吐出されたインクを、被記録媒体に転写する転写手段とを有することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁
When solid-state imaging devices 10, 10A, or 10B having pixel portions separated by an element area region 13 is manufactured, a part to become an active region is patterned and ion injection using the active pattern as a mask 19 is performed on a semiconductor substrate 11 to form a part or the whole of the ion injection region as the element separation region 13.例文帳に追加
素子分離領域13により画素部間が分離された固体撮像装置10、10Aまたは10Bを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク19として半導体基板11上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域13とする。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for manufacturing a liquid drop jet head that can prevent electrostatic destruction of a driving circuit, by suppressing an electrostatic level of the driving circuit provided on a silicon substrate when the liquid drop jet head is manufactured by spraying particles on the face of the substrate having a mask layer of an organic material patterned thereon beforehand.例文帳に追加
予めパターニングされた有機材料のマスク層を有する基板の基板面に粒子を吹き付けることによって、液滴吐出ヘッドを製造する際、シリコン基板等の基板上に設けられた駆動用回路の帯電位を低減し、駆動用回路の静電破壊を防止することのできる液滴吐出ヘッドの製造方法および装置を提供する。 - 特許庁
The present invention uses, as a decorative synthetic resin panel, the insert molding 1 obtained by insert-molding a laminate member 2 formed by lamination with a transparent film 4 onto a surface of a polyester cloth 3 patterned in an unwoven-fabric fashion, or a polyester cloth 3 printed with a decorative pattern such as a woodgrain sheet.例文帳に追加
不織布状模様に加工されたポリエステル生地3や、あるいは木目板等の装飾模様を印刷したポリエステル生地3の表面に、透明フィルム4でラミネート加工を施して形成されたラミネート部材2をインサート成形して、該成形して得られたインサート成形体1を装飾用合成樹脂パネルとして使用することができるようにしたものである。 - 特許庁
The transflective color filter has a transparent substrate and a transparent film pattern region where a transparent film pattern layer consisting of a transparent film formed on the transparent substrate in a patterned shape and a coloring layer formed so as to cover the transparent film pattern layer are laminated.例文帳に追加
本発明は、透明基板と、前記透明基板上に透明膜がパターン状に形成されてなる透明膜パターン層と、前記透明膜パターン層を覆うように形成された着色層とが積層されてなる透明膜パターン領域を有することを特徴とする半透過半反射型カラーフィルタを提供することにより上記目的を達成するものである。 - 特許庁
Consequently, a discrete track medium (DTM) and a patterned medium (PM), with which recording corresponding to the pattern formed with thermal imprinting is feasible, are manufactured without performing processes such as etching and ashing (that is, without preparing equipment for performing these processes), the magnetic disk with which high density recording is feasible is manufactured with simplicity and at a low cost.例文帳に追加
したがって、熱インプリントで形成されたパターンに応じた記録が可能なディスクリート・トラックメディア(DTM)やパターンドメディア(PM)が、エッチングやアッシングなどの処理を行うことなく(すなわち、これらの処理を行うための設備を用意することなく)製造できるので、高密度記録が可能な磁気ディスクを簡易かつ低コストで製造することができる。 - 特許庁
To provide a molding substrate for an optical recording medium for simply producing the optical recording medium of a patterned medium type at low costs and a method of manufacturing the molding substrate precisely and inexpensively, and to provide the optical information recording medium constituted by using the molding substrate and having reduced cross light, crosstalk or cross erase and a manufacturing method of the optical recording medium.例文帳に追加
パターンドメディアタイプの光情報記録媒体を、低コストで簡易に作製できる光情報記録媒体用成形基板とその成形基板を精密かつ安価に製造する方法、ならびに当該成形基板を用いて構成したクロスライト、クロストークあるいはクロスイレースの少ない光情報記録媒体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
(1) This colored and patterned nonwoven fabric having at least one surface partially colored with a pigment and/or a dye to form and fix a pattern, and wholly colored by the dye, and comprising a synthetic fiber having bonds strengthened by uniformly arranged partial concave parts has 0.2-2 mm thickness and ≥120 mm bending properties.例文帳に追加
(1) 少なくとも片面が、顔料および/または染料により部分着色模様が形成、固着され、かつ染料で全面が着色されている、均等に配置された部分凹部により結合が強化された合成繊維からなる着色模様不織布であって、該着色模様不織布の厚みが0.2-2mm で、かつ剛軟性が120mm 以下である着色模様不織布。 - 特許庁
To provide a positive photosensitive composition which gives extremely excellent adhesiveness when applied under conditions of 25 to 60% humidity without requiring burning, which is developable with low alkali intensity and can be developed while keeping high sensitivity and producing no residue, which can be patterned with a sharp outline and gives a hard resist film with improved scratch resistance for handling prior to development.例文帳に追加
バーニング不要で湿度が25〜60%の条件で塗布して非常に優れた密着性が得られ、低いアルカリ強度で現像が可能であり、高感度が保たれ残渣が生じない現像ができて、シャープな輪郭で切れ、レジスト膜が非常に硬くて現像前の取り扱いにおける耐傷性が向上するポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁
This inkjet recording paper is formed by coating an emulsion type cationic polymer including a styrene-acrylic acid copolymer as an anionic polymer and a polyamine as a cationic polymer on at least one side of a base paper made of patterned paper, color impregnated coating paper or mixedly made paper under the condition that its coating weight is 0.1 to 7.0 g/m^2.例文帳に追加
本発明に係るインクジェット記録用紙は、模様紙もしくは色含浸塗工紙または混抄紙の少なくとも原紙の一方の面に、スチレン−アクリル酸共重合体であるアニオン性ポリマーとポリアミンであるカチオン性ポリマーとを含有しているエマルジョンタイプのカチオン性樹脂を塗布し、かつ、その塗工量が0.1〜7.0g/m^2の範囲にあることを特徴とする。 - 特許庁
A second base film 44b is patterned to form a first hole 92a, a barrier wall 46 defining the outline of the first hole, and a concave 93a, and thereon a film of a metal material such as aluminum having conductivity and light reflectivity is formed by using a CVD method to form a conductive reflective material 73a before a flattening step.例文帳に追加
第2下地膜44bをパターニングすることによって、第1穴部92a、第1穴部の輪郭を規定する隔壁46、及び凹部93aとを形成し、その上面にCVD法を用いて導電性及び光反射性を有するアルミニウム等の金属材料を成膜することによって、平坦化前の導電性反射材料73aを形成する。 - 特許庁
This manufacturing method of the semiconductor device comprises (a) a step of forming the rare metal layer on a semiconductor substrate provided with the semiconductor device, (b) a step of forming a TaO film on the rare metal layer, (c) a step of patterning the TaO film using a resist pattern, and (d) a step of patterning rare metal layer using the patterned TaO film.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、(ア)半導体素子を形成した半導体基板上にレアメタル層を形成する工程と、(イ)前記レアメタル層上にTaO膜を形成する工程と、(ウ)前記TaO膜をレジストパターンを用いてパターニングする工程と、(エ)前記パターニングされたTaO膜を用いて前記レアメタル層をパターニングする工程とを含む。 - 特許庁
To provide a patterned composite resin molded object having a pattern formed by a material itself, not losing a flat grain pattern even if a surface is abraded because the pattern is formed in the direction right-angled to an extrusion direction to reach up to a depth direction and imparting appearance near to that of natural wood, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
材料自体によって模様が形成されていると共に、押出方向に対して直角方向に模様があり、さらには該模様が深さ方向にまで及ぶため、表面が摩耗しても板目模様が消去せず、天然の木材に近い外観を与える模様付複合樹脂成形体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The optical element (light controlling element) 11 has first regions 14 patterned between a pair of transparent base materials 12 ans 13 and composed of a light transmissible material and second regions 15 disposed between the first regions and comprising a liquid crystal material by which a light transmitting state and a light scattering or absorbing state can be selectively switched.例文帳に追加
本発明に係る光学素子(光線制御素子)11は、一対の透明基材12,13間にパターン形成された透光性材料からなる第1の領域14と、第1の領域の間に配置され透光状態と散乱又は吸収状態とが選択的に切り換えられる液晶材料を含んだ第2の領域15とを有する。 - 特許庁
The disclosure is directed to a method for forming nanostructures on a substrate including silicon comprising the steps of: (a) depositing a layer of transition metal on the surface of the substrate; (b) annealing the layer of the transition metal to form a patterned transition metal layer; and (c) etching the substrate to form the nanostructures on the substrate surface.例文帳に追加
本開示は、ケイ素を含む基板上にナノ構造を提供する方法であって、(a)前記基板の表面上に遷移金属の層を堆積させるステップと、(b)前記遷移金属の層をアニールして、パターン化遷移金属層を形成させるステップと、(c)前記基板をエッチングして、前記基板表面上にナノ構造を形成させるステップとを含む方法に関する。 - 特許庁
The patterned magnetic recording medium is provided with: a substrate; and a recording layer formed on the substrate, having a plurality of sides with planar shapes inclined in a down track direction, a first width part of a cross track direction, and a second width part smaller than the first width part of the cross track direction, and including recording bits constituting projecting patterns.例文帳に追加
基板と、前記基板上に形成され、平面形状がダウントラック方向に対して傾斜する複数の辺と、クロストラック方向の第1の幅の部分と、クロストラック方向の第1の幅よりも狭い第2の幅の部分とを有し、凸パターンをなす記録ビットを含む記録層とを具備したことを特徴とするパターンド磁気記録媒体。 - 特許庁
Stacked capacitor lower electrodes 7 of the memory cells of a dynamic semiconductor semiconductor memory device(DRAM) are patterned, and an insulating oxide film 9 is filled into a gap between the lower electrodes 7 to be flush with the top surface of the lower electrode 7, and then a rugged polysilicon (HSG-Si) 7a is formed on the top surfaces of the lower electrodes 7.例文帳に追加
ダイナミック型半導体記憶装置(DRAM)のメモリセルのスタックキャパシタ下部電極7をパターニング後、隣接するスタックキャパシタ下部電極7間にキャパシタ下部電極7の上面と同一高さに絶縁酸化膜9を埋設し、次いでスタックキャパシタ下部電極7上面にポリシコンからなる凹凸ポリシコン(HSG−Si7a)の形成する。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive composition having high radiation sensitivity and a development margin that achieves formation of a preferable pattern feature even a developing time exceeds the optimum developing time in a developing process, and capable of forming a patterned thin film with excellent adhesiveness, and to provide an interlayer insulating film and a microlens formed from the composition.例文帳に追加
高い感放射線感度を有し、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような現像マージンを有し、密着性に優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる感放射線性組成物およびそれから形成された層間絶縁膜およびマイクロレンズを提供することにある。 - 特許庁
The distance T2 of a pixel electrode 103 from wiring 102 and a lower electrode 107 is designed smaller than the maximum dimensional change quantity T1 of a resin substrate 106 during manufacturing a liquid crystal display device, and the wiring 102, lower electrode 107 and pixel electrode 103 are patterned at a time in one photoetching process based on the design.例文帳に追加
配線102および下部電極107と画素電極103との間隔T2を、液晶表示装置の製造程時における樹脂基板106の最大寸法変化量T1よりも小さく設計し、この設計に基づいて、配線102と下部電極107と画素電極103とを、一回のフォトエッチング工程によって同時にパターン形成する。 - 特許庁
The semiconductor device has an evaluating element 5ab for inspection which is formed by double exposure by second exposure on a peripheral edge of at least one chip region 1 patterned by first exposure in a wafer-like semiconductor substrate, and electrically measures the alignment shift amount in horizontal and vertical directions in the first and second exposures.例文帳に追加
半導体装置は、ウェハ状の半導体基板における、第1の露光でパターニングされる少なくとも1つのチップ領域1の周縁部に、第2の露光によって二重露光されてなり、第1の露光及び第2の露光における縦方向又は横方向の互いの位置の合わせずれ量を電気的に測定する検査用評価素子5abを有している。 - 特許庁
A liquid crystal composition for a patterned retardation film contains (A) 70-99 pts.wt of polymerizable liquid crystal monomer, (B) 1-30 pts.wt of polymerizable non-liquid crystal monomer, (C) 0.1-10 pts.wt of photopolymerization initiator, and (D)0.01-1 pts.wt of a surfactant including fluorine.例文帳に追加
パターン位相差フィルム用液晶組成物に、(A)重合性液晶モノマー70重量部以上99重量部以下と、(B)重合性非液晶モノマー1重量部以上30重量部以下と、(C)光重合開始剤0.1重量部以上10重量部以下と、(D)フッ素を含む界面活性剤0.01重量部以上1重量部以下とを含有させる。 - 特許庁
The transparent conductive film 10 comprises the patterned transparent conductive layer 3 formed on the single face of a transparent film substrate 1, and a colored layer 5 provided on at least one of the transparent conductive layer 3 on the opposite side to the transparent film substrate 1 and the transparent film substrate 1 on the opposite side to the transparent conductive layer 3.例文帳に追加
本発明の透明導電性フィルム(10)は、透明フィルム基材(1)の片面にパターン化された透明導電層(3)が形成されており、透明導電層(3)における透明フィルム基材(1)とは反対側、及び透明フィルム基材(1)における透明導電層(3)とは反対側の少なくとも一方に設けられた着色層(5)を含む。 - 特許庁
The heat control apparatus for wafer treatment has (a) a platform for placing heating objects in various size, (b) at least one shaft extending approximately perpendicular to the platform, and (c) a plurality of resistance heating elements patterned into a plurality of circuits defining at least one zone for independently performing controlled heating to the objects having different sizes on the platform.例文帳に追加
a)加熱される様々なサイズの対象物を載せるためのプラットフォームと、b)このプラットフォームとほぼ垂直に延びる1以上のシャフトと、c)プラットフォーム上の異なるサイズの対象物を独立に制御加熱するための、1以上のゾーンを画成する複数の回路にパターン化された複数の抵抗加熱素子とを備えるウェハ処理用熱制御装置。 - 特許庁
A metal base layer 12, that serves as the catalyst of a reduced metal wet process of electroless plating, is formed on a diode chip to be formed with a metal layer or on a predetermined section of a wafer 10, a resist layer 16 for determining a metal layer pattern 18 is provided thereon, and a patterned metal layer 14 is formed by the reduced metal wet process.例文帳に追加
金属層を形成しようとするダイオードチップ或いはウエハ10の所定区域に無電解メッキの還元金属湿式プロセスの触媒となる金属下地層12を形成し、その上に金属層パターン18を定めるレジスト層16を設けて還元金属湿式プロセスにより、パターン化された金属層14を形成する。 - 特許庁
The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of forming an amorphous silicon layer 13 on a substrate such as a plastic substrate 11, a process of patterning the amorphous silicon layer 13 and forming a prescribed pattern to be a thin film transistor, and a process of crystallizing the patterned amorphous silicon layer 13 thereafter, and the semiconductor device provided with the thin film transistor is manufactured.例文帳に追加
プラスチック基板11等の基板上にアモルファスシリコン層13を形成する工程と、アモルファスシリコン層13をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層13を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁
The patterned magnetic recording medium has a substrate, a ferromagnetic recording layer formed on the substrate and formed in projecting patterns and the non-magnetic embedding layer embedded in recessed parts between the projecting patterns of the ferromagnetic recording layer and composed of an SiOC film containing Si, O and C and having ≤0.05at% C content.例文帳に追加
基板と、前記基板上に形成された、凸パターンをなす強磁性記録層と、前記凸パターンをなす強磁性記録層の間の凹部に埋め込まれた、Si、O、およびCを含有し、Cの含有量が0.05at%以下であるSiOC膜で形成された非磁性埋め込み層とを具備したことを特徴とするパターンド磁気記録媒体。 - 特許庁
To use traffic prediction information, immediately after allowing a user to get on and starting a navigation system by finding a start prediction time and a destination on the basis of patterned life information of a user and preparing the traffic prediction information, corresponding to the time range including the start prediction time and a geographical range including the destination.例文帳に追加
パターン化されたユーザの生活情報に基づいて出発予測時刻及び目的地を求め、前記出発予測時刻を含む時間的範囲及び前記目的地を含む地理的範囲に対応した交通予測情報を作成することによって、ユーザが乗車してナビゲーション装置が起動した後、直ちに交通予測情報を使用することができるようにする。 - 特許庁
The ombre-patterned plush fabric essentially comprises nonshrinkable fibers and 25-75 wt.% of shrinkable fibers ≥20% in shrinkage dyeable with a dye of a different kind from that for the nonshrinkable fibers, wherein part of the shrinkable fibers is such that the tip thereof differs in color from the foot thereof.例文帳に追加
少なくとも非収縮性繊維および該繊維とは異なる種類の染料で染色可能であり且つ収縮率が20%以上の収縮性繊維25〜75重量%で構成される立毛を有する立毛布帛において、該収縮性繊維の一部は繊維の先端部分と根元部分で異なる色を有していることを特徴とするぼかし柄立毛布帛。 - 特許庁
Afterwards, an upper electrode layer 5 is deposited on the ferrodielectric film 3, and the upper electrode layer 3, the ferrodielectric film 3 and the lower electrode layer 2 are successively patterned, and a capacitor 10a having the thick ferrodielectric film 3a is formed in the region formed into a thin film and a capacitor 10b having a thick ferrodielectric film 3b is formed in a region whose etching is not carried out.例文帳に追加
その後、強誘電体膜3の上に上部電極層5を堆積し、上部電極層3、強誘電体膜3及び下部電極層2を順次パターニングして、薄膜化した領域に厚い強誘電体膜3aを有するキャパシタ10aを、エッチングされない領域に厚い強誘電体膜3bを有するキャパシタ10bを形成する。 - 特許庁
Alternatively, a silicon oxide of having a thickness becoming a gap is formed by thermal oxidation on a silicon wafer where impurities are implanted heavily to the diaphragm substrate 1 on the side being bonded to the electrode substrate 2 and then it is patterned into a desired shape before being bonded to the electrode substrate 2.例文帳に追加
第2実施例)振動板基板1に半導体基板の電極基板2の接合面側に高濃度の不純物が注入されたシリコンウエハを用いて、このシリコンウエハに熱酸化によってギャップとなる厚さのシリコン酸化膜を形勢した後、接合面側のシリコン酸化膜を所望の形状にパターニングして電極基板2と接合した。 - 特許庁
In an exposure method in which a resist layer is selectively exposed with UV and patterned in a prescribed shape, a polymeric material having an introduced adamantane group in which two or more hydrogen atoms have been replaced with at least one selected from a fluorine atom, a trifluoromethyl group and a difluoromethylene group is used as a polymeric material forming the resist layer.例文帳に追加
レジスト層に選択的に紫外線で露光して所定の形状にパターニングする露光方法において、上記レジスト層を構成する高分子材料として、2以上の水素原子がフッ素原子、トリフロロメチル基、ジフロロメチレン基から選ばれる少なくとも1種により置換されたアダマンタン基が導入された高分子材料を用いる。 - 特許庁
In an exposure method in which a resist layer is selectively exposed with UV and patterned in a prescribed shape, a polymeric material having an introduced cyclopentane group in which one or more hydrogen atoms have been replaced with at least one selected from a fluorine atom, a trifluoromethyl group and a difluoromethylene group is used as a polymeric material forming the resist layer.例文帳に追加
レジスト層に選択的に紫外線で露光して所定の形状にパターニングする露光方法において、上記レジスト層を構成する高分子材料として、1以上の水素原子がフッ素原子、トリフロロメチル基、ジフロロメチレン基から選ばれる少なくとも1種により置換されたシクロペンタン基が導入された高分子材料を用いる。 - 特許庁
The semiconductor etching method has a process of forming a metal fluoride layer at a temperature of not less than 150°C as at least one part of an etching mask 3 to be formed on a semiconductor layer 2; a process of patterning the metal fluoride layer; and a process of etching the semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer 3 as a mask.例文帳に追加
半導体層2上に形成されるエッチングマスク3の少なくとも一部として、金属フッ化物層を150℃以上の温度で形成する工程と、この金属フッ化物層をパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層3をマスクとして、前記半導体層をエッチングする工程とを有する半導体層のエッチング方法。 - 特許庁
Insulation layers are formed among the patterned pixel electrodes on the substrate, and the hole transport layer is formed by printing hole transport ink prepared by dissolving or stably dispersing a hole transport material in a solvent on the pixel electrodes located among the insulation layers from projecting parts of a relief printing plate by a relief printing method.例文帳に追加
基板上のパターニングされた画素電極の間に絶縁層を形成し、凸版印刷法により正孔輸送材料を溶媒に溶解または安定に分散させた正孔輸送インキを凸版の凸部から絶縁層の間にある画素電極に印刷し正孔輸送層を形成することにより、上記課題を解決することができた。 - 特許庁
To provide a blank suitable for the manufacture of a halftone type phase shift mask having a halftone type phase shift film which has a refractive index and an extinction coefficient for exposure light satisfying the requirements as a phase shift mask, which has controlled reflectance for the exposure light and controlled transmittance at the inspection wavelength and which is accurately patterned, and to provide a halftone type phase shift mask.例文帳に追加
位相シフトマスクとして露光光での屈折率及び消衰係数が満たされ、露光光での反射率や検査波長での透過率が制御され、正確なパターニングがされたハーフトーン型位相シフト膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造に好適なハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス、及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供すること。 - 特許庁
To provide a plastic film on which a metal film used for forming the electrode of an electronic part by transferring is formed or an electronic part metal film transfer film which is equipped with the plastic film that can be easily released from a metal film or a patterned release layer which is much improved in shape transfer accuracy.例文帳に追加
電子部品を構成する電極を転写によって形成する金属膜を成膜したプラスチックフィルムを提供することであり、特にプラスチックフィルムと金属膜との離型性、すなわちパターン形状を有する離型層の形状転写精度が著しく向上する特徴を有する電子部品用金属膜転写フィルムを提供する。 - 特許庁
To provide a composition for forming a layer to be plated which is superior in plating deposition characteristics and achieves high adhesion to a plated layer (metal film) formed thereon, and also on which a polymer layer that may achieve a superior reliability for insulating patterned metal wiring formed on the surface thereof is formed.例文帳に追加
本発明の目的は、めっき析出性に優れると共に、その表面上に形成されるめっき膜(金属膜)と高密着性を達成し、さらにその表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性を達成しうるポリマー層を形成する被めっき層形成用組成物を提供することにある。 - 特許庁
The liquid crystal display device, which includes first and second substrates, open portions located on the second substrate and corresponding to pixel regions, a black matrix having holes disposed adjacent to the open portions, color filter layers formed on the black matrix, and patterned spacers located between the first and second substrates so as to correspond to the holes, is provided.例文帳に追加
第1基板、第2基板と;前記第2基板上に位置して、画素領域に対応するオープン部と、前記オープン部に近接するように位置するホールがあるブラックマトリックスと;前記ブラックマトリックス上に形成されたカラーフィルター層と;前記第1基板、第2基板間で、前記ホールと対応するように位置するパターン化スペーサーを含む液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
The problem is solved by providing lithographic equipment which comprises a lighting system for supplying a projection beam of radiation, a projection system for projecting a patterned beam on a target position of a substrate, a substrate table for holding the substrate, and a controller for adjusting the spectrum distribution of radiation intensity of the projection beam.例文帳に追加
本発明は、放射の投影ビームを提供するための照明システムと、パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、基板を保持するための基板テーブルと、投影ビームの放射強度のスペクトル分布を調整するためのコントローラとを備えたリソグラフィ装置を提供することによってこの問題に対処している。 - 特許庁
This gradation blow molding container A is a blown container, which is manufactured by an injection blowing system and patterned by shade of color due to partially different wal thicknesses t1, t2 and t3 by blowing a parison of a semitransparent and colored resin and injected in advance so as to have partially different wall thicknesses T1, T2 and T3.例文帳に追加
本発明にかかるグラデーションブロー容器Aは、インジェクションブロー方式で製造されるブロー容器であって、半透明の有色樹脂による射出にパリソン51に予め肉厚差T1、T2、T3を設け、その後ブローすることにより、部分的に肉厚t1、t2、t3を異ならせて色の濃淡による模様を付けることにより上記課題を解決する。 - 特許庁
Alternatively, a nitride film is formed in contact with an organic insulating film having an opening, the nitride film is patterned to expose a semiconductor film or a conductive film underlying the nitride film, a first conductive layer having barrier properties is formed in contact with the nitride film, and a second conductive film containing aluminium is formed in contact with the first conductive film.例文帳に追加
又は、開口部が形成された有機絶縁膜に接するように窒化膜を形成し、窒化膜の下層の半導体膜又は導電膜が露出するように窒化膜をパターニングし、窒化膜に接するようにバリア性を有する第1の導電膜を形成し、第1の導電膜に接するようにアルミニウムを含む第2の導電膜を形成する。 - 特許庁
A substrate of an electrooptical device has: a substrate 20 facing a substrate 10 on which switching elements are mounted; a patterned light shading film 23 formed on the above substrate 20; a film 83 with a flattened surface formed on the above substrate 20 which includes the light shading film 23; and the electrodes 21 formed on the above planarized film 83.例文帳に追加
スイッチング素子が形成された基板10に対向する対向基板20と、前記基板20上に形成されるパターン化された遮光膜23と、前記遮光膜23を含む前記基板20上に形成されて、表面が平坦化された平坦化膜83と、前記平坦化膜83上に形成される電極21とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁
By an imaging method using the lithography system, a desired pattern printed onto a substrate is decomposed into at least two constituting subpatterns that can be decomposed optically by the lithography system, and the piled-up body of two sacrifice hard masks is applied onto the substrate at the upper portion of a target layer patterned by a desired dense line pattern.例文帳に追加
リソグラフィ・システムを使用するイメージング方法は、基板上に印刷される所望のパターンを、リソグラフィ・システムによって光学的に分解することが可能な少なくとも2つの構成サブパターンに分解すること、所望の密なライン・パターンでパターニングされる標的層の上部において、2つの犠牲ハード・マスクの積重体を基板にコーティングすることを含む。 - 特許庁
An upper part photoresist layer 18 which is relatively thin is patterned with an improved resolution and, next, an intermediate metal or a ceramic layer 16 is stipulated by using the upper part photoresist layer 18 as a reactive ion etching(RIE) mask and the lowermost thick photoresist layer 14 is stipulated in a second RIE process by using the intermediate layer as an etching mask.例文帳に追加
改良された解像度で比較的薄い上部フォトレジスト層(18)がパターニングされ、次に上部フォトレジスト層を反応性イオンエッチング(RIE)マスクとして利用し中間金属またはセラミック層(16)が規定され、次に中間層をエッチングマスクとして使用して、最下層の厚いフォトレジスト層(14)が第2のRIEプロセスにおいて規定される。 - 特許庁
After a resist film 8 is removed, the second resist film 13 is deposited over the entire surface and is patterned, in correspondence with the channel region of a memory cell transistor regions A to form holes 13a corresponding to the channel regions of the memory cell transistor region A in the second resist film 13, and then the second resist film 13 is cured with heat and ultraviolet rays.例文帳に追加
レジスト膜8を除去した後、全面に第2のレジスト膜13を堆積し、メモリセルトランジスタ領域Aのチャネル領域に対応させて第2のレジスト膜13をパターニングし、第2のレジスト膜13にメモリセルトランジスタ領域Aのチャネル領域に対応するホール13aを形成し、第2のレジスト膜13を熱及び紫外線により硬化させる。 - 特許庁
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