「V-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

In Fig. 9, the corrected output voltage value V(t)' is shown as a characteristic K2.例文帳に追加

図９には、補正後の出力電圧値Ｖ（ｔ）’が特性Ｋ２として表されている。 - 特許庁

As shown by a curve (a) in the graph, the group V/III ratio is set at about 5 to 9.例文帳に追加

たとえばグラフ中のａに示されるようにＶ／ＩＩＩ比を５〜９程度の値とする。 - 特許庁

In addition, a groove 6 is formed in the end while each plate 1 of the plurality of plates is projected in a V-shape in the advancing direction.例文帳に追加

さらに、前記複数のそれぞれの板１が進行方向にＶ字に突き出した形状で端部に溝６が取り付けられている。 - 特許庁

The bag is bent by a bending device with a central location in a forward or rearward direction being protruded in a V-shape in a downward direction in respect to a tray transferred tray.例文帳に追加

折り曲げ装置にて搬送途中のトレーに対し、前後方向の中心部位が下に凸となるＶ字状に折り曲げる。 - 特許庁

When a total liquid amount of the ink present in a circulation route is made V [liter] and a circulation liquid amount by a circulating means is made (a) [liter/min], the inkjet recording apparatus is configured to satisfy (6×V>a>V÷6).例文帳に追加

循環経路中に存在するインクの総液量をＶ［リットル］、前記循環手段による循環液量をａ［リットル／分］とした際に、「６×Ｖ＞ａ＞Ｖ÷６」を満たすことにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

A rate of strength values LOG(V) larger than the knocking determination level V(KD) is counted as a knocking ratio KC, and a determination value V(KX) is reduced and increased in response to the knocking ratio KC.例文帳に追加

ノック判定レベルＶ（ＫＤ）よりも大きい強度値ＬＯＧ（Ｖ）の割合がノック占有率ＫＣとしてカウントされ、ノック占有率ＫＣに応じて判定値Ｖ（ＫＸ）が小さくされたり大きくされたりする。 - 特許庁

Six switching elements U+, V+, W+, U-, V- and W- are alternately switched on/off in accordance with a rotor phase of the brushless DC motor M, and the rotor is rotated by alternately passing a current to a plurality of coils 37(U), 37(V) and 37(W) corresponding to the elements.例文帳に追加

ブラシレス直流モータＭのロータの位相に応じて６個のスイッチング素子Ｕ＋，Ｖ＋，Ｗ＋，Ｕ−，Ｖ−，Ｗ−を交互にオン・オフし、対応する複数のコイル３７（Ｕ），３７（Ｖ），３７（Ｗ）に交互に通電することによりロータを回転させる。 - 特許庁

In addition, sticking the flat substrate 3 and the V groove substrate 2 together may also be carried out, with a dummy optical fiber placed on each of the prescribed V grooves 2a among those of the V groove substrate 2.例文帳に追加

さらに、平基板３とＶ溝基板２との貼り合せに際しては、Ｖ溝基板２の複数のＶ溝２ａのうちの所定のＶ溝２ａの各々にダミーの光ファイバを載置させた状態で実行してもよい。 - 特許庁

Since a voltage loaded to a gate of a transistor in an output buffer circuit 10 is 1.65 V, 1.65 V or more is enough for gate voltage resistance of transistors Tn20, Tp22 and it does not exceed an amplitude 3.3 V of signal output.例文帳に追加

出力バッファ回路１０のトランジスタのゲートに掛かる電圧は１．６５Ｖであるため、トランジスタＴｎ２０，Ｔｐ２２のゲート耐圧は、１．６５Ｖ以上あればよく、信号出力の振幅３．３Ｖを超えない。 - 特許庁

To use a relay for 14 V system in a 42 V system power source without using any special relay for 42 V system, and to quickly apply a brake when a motor stops.例文帳に追加

４２Ｖ系用の特殊なリレーを用いることなく、１４Ｖ系用のリレーを４２Ｖ系の電源で利用することができ、しかもモータ停止時に迅速にブレーキをかけることができる電源供給装置を提供する。 - 特許庁

This electrolyte for extraction analysis of the deposit and/or the inclusion in steel is characterized by using alcohol as a solvent, and containing 0.2-0.4 v/v% acetylacetone, and 0.5-2 w/v% tetramethylammonium chloride.例文帳に追加

アルコールを溶媒とし、アセチルアセトンを０．２〜０．４ｖ／ｖ％、テトラメチルアンモニウムクロライド０．５〜２ｗ／ｖ％を含有することを特徴とする鋼中析出物及び／又は介在物の抽出分析用電解液。 - 特許庁

The neutral-point voltage adding section 107 has a phase decision section 1071 deciding the maximum phase Vmax_-phase and the minimum phase Vmin_-phase of a voltage command value in three-phase voltage command values vu^*"V", vv^*"V" and vw^*"V".例文帳に追加

また、中性点電圧加算部１０７は、３相電圧指令値ｖｕ^＊［Ｖ］、ｖｖ^＊［Ｖ］、ｖｗ^＊［Ｖ］のうち電圧指令値の最大相Ｖｍａｘ＿ｐｈａｓｅおよび最小相Ｖｍｉｎ＿ｐｈａｓｅを判定する相判定部１０７１を備える。 - 特許庁

Positive - negative judgment is conducted by calculating a vector v[jV] from a given point P to a vertex jV, and calculating inner product (v[jV],n[iS]) of the v[jV] and a normal n[iS] of a an iS-th face in step S106.例文帳に追加

与えられた点Ｐから頂点ｊ_ｖへのべクトルｖ［ｊ_ｖ］を計算し、ステップＳ１０６ではｖ［ｊ_ｖ］とｉ_Ｓ番目の面の法線ｎ［ｉ_Ｓ］との内積（ｖ［ｊ_ｖ］，ｎ［ｉ_Ｓ］）を計算し、正負判定を行う。 - 特許庁

A part of the curved surface r (u, v) represented by the formula (1) corresponding to an area in the parameter space (u, v) which is surrounded with two lines given by v=±utanθ and an ellipse given by u2/(1-R)+v2/(-(s+R))=R is obtained.例文帳に追加

また、２直線“ｖ＝±ｕtanθ”、および、楕円“ｕ^2／（１−Ｒ）＋ｖ^2／（−（ｓ＋Ｒ））＝Ｒ”によって囲まれたパラメータ空間（ｕ，ｖ）内の領域に対応する式（１）の曲面ｒ（ｕ，ｖ）の部分を求める。 - 特許庁

To provide a lubricating device of a V-belt type continuously variable transmission, which can optimally control the oil supply amount in accordance with the heat emitting condition of V-belt and can enhance the durable reliability of the V-belt and pulleys.例文帳に追加

Ｖベルトの発熱状態に応じて潤滑油供給量を最適に制御し、Ｖベルトおよびプーリの耐久信頼性を向上させることができるＶベルト式無段変速機の潤滑装置を提供すること。 - 特許庁

Then, a regulated voltage (V) is set in response to the temperature of the battery having the highest temperature, after charging up to the voltage (V) by a constant current, the 102% of discharged amount is recharged by the voltage (V).例文帳に追加

そして、最も温度の高い制御弁式鉛蓄電池の温度に応じて規定電圧（Ｖ）を設定し、規定電圧（Ｖ）まで定電流で充電した後、該規定電圧で放電量の１０２％を充電する。 - 特許庁

This manufacturing method is characterized by diffusing and infiltrating V, or V and Al into a Ni substrate to form the alloy phase, or diffusing and infiltrating one or more of Ni and Al in a V substrate to form the alloy phase.例文帳に追加

Ｎｉ基材中にＶまたはＶとＡｌを拡散浸透させて合金相を形成するか、あるいはＶ基材中にＮｉおよびＡｌの１種以上を拡散浸透させて合金相を形成する。 - 特許庁

In a state that the target vehicle speed V* is set, when a driver steps on a brake pedal, and then releases the brake pedal, the vehicle speed V at that time is set to the target vehicle speed V* (S510), and the constant-speed traveling is restarted.例文帳に追加

目標車速Ｖ＊が設定されているときに運転者がブレーキペダルを踏み込み、その後にブレーキペダルを離したときには、そのときの車速Ｖを目標車速Ｖ＊に設定し（Ｓ５１０）、定速走行を再開する。 - 特許庁

A work 1 (thin linear member) is placed in the V-groove 4 in parallel to the axial direction of the V-groove 4, and positioning in the surface vertical to the axial direction is carried out, and positioning in the axial direction is also carried out.例文帳に追加

ワーク１（細線状部材）を、Ｖ溝４の中にＶ溝４の軸方向に対して平行に置き、軸方向に対して垂直な面内での位置決めを行うとともに、上記軸方向での位置決めを行う。 - 特許庁

To prevent the development of crack at the time of applying the width reduction, even in the case of containing Nb, Ti, V, N in a cast slab by applying the reduction having ≥3% draft in the thickness direction of a steel plate, prior to the reduction of the cast slab in the width direction.例文帳に追加

鋳片を幅方向に圧下するに先だって、鋼板の厚み方向に圧下率3%以上の圧下を加えることにより、鋳片内にNbやTi,V,Nを含有する場合にも、幅圧下時に割れの発生を防止する。 - 特許庁

V grooves 51-58 and 61-68 different in depth are formed in an optical fiber array tool 10, and grooves 71-78 and projected lines 81-88 are formed in a pressing plate 9 in accordance with the different depths of the V grooves.例文帳に追加

光ファイバ配列具１０には、深さの異なるＶ溝５１，５２…，５８および６１，６２，…，６８を形成し、押さえ板９にはＶ溝の異なる深さに対応して溝７１，７２，…，７８と突条８１，８２，…，８８とを形成する。 - 特許庁

With a movement velocity (v) of a mobile station in the range of a lower limit velocity (vmin) and an upper limit velocity (vmax) (No in S1 and No in S3), a loop bandwidth (Bl) of a DLL is increased in proportion to the movement velocity (v) (S6).例文帳に追加

移動局の移動速度（ｖ）が下限速度（ｖmin）と上限速度（ｖmax）との間の範囲内のときには（Ｓ１のＮｏ，Ｓ３のＮｏ）、ＤＬＬのループ帯域幅（Ｂl）を移動速度（ｖ）に比例して増加させる（Ｓ６）。 - 特許庁

Especially, in the hydroponic method of a carrot, the culture solution is 50-200% concentration aqueous solution of the Ensi(Horticultural research station) formulation liquid aqueous solution that has an essential element composition defined in table 1, and the inorganic agricultural material has the porosity of 87 (v/v%) or more and the solidus rate of less than 13 (v/v%).例文帳に追加

本発明は、特に、前記培養液が、表１に規定する必須元素組成を有する園試処方液水溶液の５０〜２００％濃度水溶液であり、かつ、前記無機質農業用資材の孔隙率が８７（ｖ／ｖ％）以上、固相率が１３（ｖ／ｖ％）未満である、ニンジンの養液栽培方法に関する。 - 特許庁

In this case, in order to almost overlap the zigzag stitch 4 on the V stitch 3, the size of the V stitch 3 is set slightly smaller than the zigzag stitch 4, the start point and advancing direction of the V stitch 3 are set the same as the zigzag switch 4 and the pitch of the V stitch 3 is set to the integral multiple of the zigzag stitch 4.例文帳に追加

この場合、Ｖステッチ３の上にジグザグステッチ４が略重なるように、Ｖステッチ３の大きさをジグザグステッチ４よりも若干小さく設定し、Ｖステッチ３の開始点及び進行方向をジグザグステッチ４と同じに設定し、Ｖステッチ３のピッチをジグザグステッチ４の整数倍に設定する。 - 特許庁

A lamp drive board 532 makes a light emitting means emit light using a voltage of positive 18 V in the first system generated with a positive 18 V generation circuit 131b of a power source board 131 and a voltage of positive 18 V in the second system generated with a lamp drive series regulator 532e for positive 18 V of the lamp drive board 532.例文帳に追加

ランプ駆動基板５３２は、電源基板１３１の＋１８Ｖ作成回路１３１ｂで作成した第１系統の電圧である＋１８Ｖと、ランプ駆動基板５３２の＋１８Ｖ用ランプ駆動シリーズレギュレータ５３２ｅで作成した第２系統の電圧である＋１８Ｖと、を用いて発光手段を発光させている。 - 特許庁

As the vehicle speed V increases after start, the connection state is changed to the "OUT-connection state" when the vehicle speed V passes through a boundary line L1, to the "IN-connection state" when the vehicle speed V passes through a boundary line L2, and to the "neutral state" when the vehicle speed V passes through a boundary line L3.例文帳に追加

発進後、車速Ｖが増加していく過程にて、車速Ｖが境界線Ｌ１を通過すると「ＯＵＴ接続状態」へ、車速Ｖが境界線Ｌ２を通過すると「ＩＮ接続状態」へ、車速Ｖが境界線Ｌ３を通過すると「ニュートラル状態」へ各切り替えが行われる。 - 特許庁

In the epitaxial growth of a III-V group compound semiconductor thin film laminate wafer using an organic metallic material, the semiconductor thin film is epitaxially grown at a low temperature by a highly efficient V group material decomposition process by the mutual chemical reaction process of ammonia and triethylamine (ETA).例文帳に追加

有機金属材料を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程により高効率なV族材料の分解工程により半導体薄膜を低温度で結晶成長させる。 - 特許庁

To provide a method of growing a III-V compound semiconductor capable of reducing piling-up of nitrogen composition in the vicinity of an interface when the III-V compound semiconductor containing a nitrogen element and an arsenic element as V-family configuration elements is grown on the foundation III-V compound semiconductor.例文帳に追加

Ｖ族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体を下地のIII−Ｖ化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁

A side face orthogonal to a V-groove where a coated optical fiber 10 of a V-groove block 20 is set as a light reflecting face 22, precisely vertical to the length direction of the V-groove, and the V-groove block 20 is placed on an inclined unit 30, capable of inclining in each direction of three axes orthogonal each other.例文帳に追加

Ｖ溝ブロック２０の光ファイバ心線１０がセットされるＶ溝に直交する側面を、そのＶ溝の長さ方向に精密に垂直な光反射面２２として形成し、このＶ溝ブロック２０を直交３軸の各方向に傾斜可能な傾斜ユニット３０上に設置する。 - 特許庁

When a +30 V power supply voltage (VSL) becomes lower than +22 V, the low level is latched in a latch circuit 981, and when the +30 V power supply voltage (VSL) becomes lower than +20 V, the output (power supply interruption signals) of an IC 903 for monitoring power supply becomes the low level and thus the output of an OR circuit 982 becomes the low level.例文帳に追加

＋３０Ｖ電源電圧（ＶSL）が＋２２Ｖを下回ると、ラッチ回路９８１においてローレベルがラッチされ、＋３０Ｖ電源電圧（ＶSL）が＋２０Ｖを下回ると電源監視用ＩＣ９０３の出力（電源断信号）がローレベルになるので、ＯＲ回路９８２の出力がローレベルになる。 - 特許庁

In an engine ECU, a program is executed including a step S202 of calculating a knocking determination level V(KD) by using all strength values LOG(V) below a median VMED of strength values LOG(V) calculated from detected strength V based upon a signal transmitted from a knocking sensor.例文帳に追加

エンジンＥＣＵは、ノックセンサから送信された信号に基づいて検出される強度Ｖから算出される強度値ＬＯＧ（Ｖ）のうち、中央値ＶＭＥＤ以下の全ての強度値ＬＯＧ（Ｖ）を用いてノック判定レベルＶ（ＫＤ）を算出するステップ（Ｓ２０２）を含むプログラムを実行する。 - 特許庁

Thus, a detection signal is detected as a single '+V' or '-V' detection signal even such a case when the detection signal corresponding to '+V' or '-V' is detected during two sampling periods in succession due to the dullness of the rear edge of detection outputs from the comparators 17 and 18.例文帳に追加

これにより、たとえ比較器１７，１８からの検出出力の後縁の鈍りによって、２サンプリング期間連続して“＋Ｖ”または“−Ｖ”に対応する検出信号が出力されるような場合でもそれは１つの“＋Ｖ”または“−Ｖ”の検出信号として検知される。 - 特許庁

A flat substrate 3 and a V groove substrate 2 with a plurality of V grooves 2a are stuck together, and then a blade 7 with an inclined tip end face 7c is set in the arraying direction 7a of the V grooves 2a of the stuck end faces, chamfering the flat substrate end and exposing a part of the V grooves 2a on the stuck end face.例文帳に追加

平基板３と複数のＶ溝２ａを有するＶ溝基板２とを貼り合せ、先端面７ｃが傾斜したブレード７を、貼り合せ端面のＶ溝２ａの列び方向７ａに送って平基板側を面取りし、Ｖ溝２ａの一部を貼り合せ端面に露出させる。 - 特許庁

When a Pachinko ball flows in a generator area 38A with wing members 68 opened, this game machine allows the movement of a V zone which is fixed conventionally and sets two V zones (a first V winning hole 76 and a second V winning hole 78) vertically.例文帳に追加

羽根部材６８の開放中に役物領域３８Ａ内にパチンコ球が流入した場合において、従来固定的であったＶゾーンを移動可能とすると共に、縦方向に２個のＶゾーンを設定した（第１のＶ入賞口７６、第２のＶ入賞口７８）。 - 特許庁

In supplying power from the 36[V] battery to the 12[V] battery, by selecting an energizing direction change-over switch 15, 36[V] is converted to 12[V] by the switching of a switching device 10a, counter electromotive force of an inductance 12, and the rectification of a parasitic diode 11b.例文帳に追加

３６［Ｖ］バッテリから１２［Ｖ］バッテリへ電力を供給する場合は、通電方向切り替えスイッチ１５の選択により、スイッチング素子１０ａのスイッチングとインダクタンス１２の逆起電力、及び寄生ダイオード１１ｂの整流作用により、３６［Ｖ］を１２［Ｖ］へ変換する。 - 特許庁

This method for manufacturing the carrier for ligand binding, which includes gelatine and gum arabic, is characterized by comprising a process for preparing the carrier for ligand binding by mixing the gelatine and gum arabic in a water solution containing water-soluble organic solvent at a concentration of 20 to 40 (v/v)%.例文帳に追加

ゼラチンおよびアラビアゴムを含むリガンド結合用担体の製造方法であって、水溶性有機溶媒を２０〜４０（v/v）％の濃度で含む水溶液中でゼラチンおよびアラビアゴムを混合し、リガンド結合用担体を調製する工程を含むことを特徴とする方法。 - 特許庁

In the fluorescent lamp lighting apparatus mounting a lighting device (inverter) which can correspond to continuous voltages from 100 to 200 V or a plurality of voltages 242 V, 254 V, or 265 V, the power source voltage condition is detected and the condition is displayed by the terminal board 1.例文帳に追加

電源電圧が１００Ｖから２００Ｖあるいは２４２Ｖ、２５４Ｖ、２６５Ｖまで連続又は複数の電圧に対応可能な点灯装置（インバータ）を搭載した蛍光灯照明器具において、端子台１にて電源電圧状態を検知しその状態を表示する。 - 特許庁

A ratio V/W of an occupation volume V (cm^3) of the reinforcing cord 4 in the bobbin cheese 2 arranged in the spiral device 1 to a wind weight W (g) of the same is established in the range from 1.24 to 1.34 (cm^3/g).例文帳に追加

スパイラル装置１に配置された糸巻きチーズ２における補強コード４の占有体積Ｖ（ｃｍ^3 ）と巻き重量Ｗ（ｇ）との比Ｖ／Ｗを１．２４〜１．３４（ｃｍ^3 ／ｇ）に設定した。 - 特許庁

The squeegee 20 provided in the cream solder printer has a square bar-like protrusions 24I to 24K formed along a squeegee surface in a direction perpendicular to a width direction V at both ends in the width direction V.例文帳に追加

クリーム半田印刷装置に設けられたスキージ２０は、幅方向Ｖの両端部に、幅方向Ｖと直交する向きでスキージ面に沿って角棒状の突出部２４Ｉ〜Ｋが形成されている。 - 特許庁

To provide a method in which a beautiful V-shaped channel is implemented in high productivity in processing for molding the V-shaped channel when hinge structure is given to a thick foam sheet, and to provide an apparatus for the method.例文帳に追加

厚手の気泡シートにヒンジ構造を与える場合に行なう、Ｖ字溝を成形する加工において、美麗なＶ字溝を高い生産性をもって実施する方法と、装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing thick Mirin (sweet Sake for seasoning) raised in extract content (soluble solid content) compared to conventional ones and limited in alcohol concentration to <14% (v/v), capable of simplifying labors in cooking.例文帳に追加

従来のみりんよりもエキス分（可溶性固形分）を高め、かつ、アルコール濃度を１４％（ｖ／ｖ）未満に抑制した、調理時の手間を簡略化できる濃厚みりんの製法を提供する。 - 特許庁

Additionally, it is possible to restrain sudden increase of tramp of the polyethylene V belt due to resonance in the idle rotating neighbourhood large in rotational variation by moving characteristic frequency of the polyethylene V belt in the periphery of the generator.例文帳に追加

また、発電機周辺のポリＶベルトの固有振動数をずらすことにより、回転変動の大きいアイドル回転付近での共振によるポリＶベルトのばたつきの急増を抑止することができる。 - 特許庁

The current transmission circuit 3 copies the current signal ID received in time series from the V-I conversion circuit 2 in response to a timing signal of a timing control circuit 4 and outputs it to integral storage circuits INT1-INTn in parallel.例文帳に追加

電流伝達回路3はタイミング制御回路4のタイミング信号でV-I変換回路2から時系列に入力される電流信号IDを複製し、各々積算記憶回路INT1〜INTnへ並列出力する。 - 特許庁

Then, this substrate is disposed in an atmosphere containing the same single group V metal as the group V metal contained in the compound semiconductor layer, and the compound semiconductor layer is annealed in the atmosphere.例文帳に追加

次に、その化合物半導体層に含まれるＶ族金属と同じ単体のＶ族金属を含む雰囲気中にこの基板を配置し、その雰囲気中で化合物半導体層をアニールする。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁