「array of」に関連した英語例文の一覧と使い方(333ページ目) - Weblio英語例文検索

This memory is provided with a memory cell array 11 having a ferroelectric storage element C and a transistor T for switch, and a low voltage write-in circuit 12 in which polarization quantity of a ferroelectric film of each memory cell is set to a lower value than a value at normal write-in and acceleration of imprint is reduced.例文帳に追加

強誘電体記憶素子Ｃとスイッチ用トランジスタＴとを有するメモリセルのアレイ11と、各メモリセルの強誘電体膜の分極量を通常書込み時より低く設定し、インプリントの加速を低減する低電圧書込み回路12を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory cell array MA in which memory cells MC in which diodes Di and variable resistance elements VR are connected in series respectively are arranged at cross parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines, and a control circuit for driving selectively the bit line Bl and the word line WL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ダイオードＤｉと可変抵抗素子ＶＲとが直列接続されたメモリセルＭＣが複数のビット線ＢＬ及び複数のワード線の交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡと、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬを選択駆動する制御回路とを備える。 - 特許庁

To obtain a high-output semiconductor laser light emitter which is separated into a plurality of semiconductor laser light emitting elements arranged in an array state in a state of being secured to a support plate so that emission directions of laser beams are aligned and thermal stress is relieved, and has high reliability.例文帳に追加

支持板上に固着した状態で、アレイ状に配列された複数の半導体レーザ発光素子に分離することで、レーザ光の射出方向をそろえ、熱応力を緩和して、信頼性の高い、高出力の半導体レーザ発光装置を得ることを可能とする。 - 特許庁

As the initial threshold electric voltage or the threshold electric current of each switching element T can be suppressed by the resistance element, fluctuation of the threshold electric voltage or the threshold electric current of the switching element itself generated when a switching element array 13 is manufactured can be decreased.例文帳に追加

各スイッチ素子Ｔの、初期のしきい電圧またはしきい電流を、抵抗素子によって抑制することができるので、スイッチ素子アレイ１３を作製するときに発生するスイッチ素子自体のしきい電圧またはしきい電流のばらつきを低減することができる。 - 特許庁

The interrupt signal is asserted based on receipt of the identifier field and cause register ID field by the interrupt collector, and shifting of the cause value field into a cause array within the interrupt collector occurs while the microprocessor services the receipt of the identifier field and cause register ID field.例文帳に追加

前記割込み信号は、前記割込みコレクタによる前記識別子フィールドと要因レジスタＩＤの受信するとアサートされ、前記マイクロプロセッサが識別子フィールド及び要因レジスタＩＤフィールドの受信をサービスしている間に、前記割込みコレクタ内の要因アレイへの前記要因値フィールドのシフトされる。 - 特許庁

Namely, when the battery charger 26 is consumed and the output voltage Vout becomes the threshold or lower, the battery charger 26 is charged using the output of a thermoelectric element array 202 which generates thermoelectric power based on a body temperature of a human body, thereby prolonging the service life of the battery charger.例文帳に追加

つまり、充電池２６が消耗して出力電圧Ｖｏｕｔが閾値以下なると、人体の体温に基づき熱電発電する熱電素子アレイ２０２の出力を用いて充電池２６を充電するので、充電池の使用寿命を延ばすことが可能になる。 - 特許庁

After that, a long linear concave part 218 in a narrow direction of a gap between the capacitors 216 two dimensionally arranged in the memory cell array region is formed on the insulating film 217 so as to run through on the plurality of capacitors 216, and then the surface of the insulating film 217 is made flat by the CMP method.例文帳に追加

次に、メモリセルアレイ領域において2次元状に配置されているキャパシタ216同士の間隔が狭い方向に長いライン状の凹部218を、複数のキャパシタ216上を通るように、絶縁膜217に形成した後、絶縁膜217の表面をＣＭＰ法により平坦化する。 - 特許庁

Therefore, when a projection light from the LED array 21 passes through the transparent liquid crystal panel 26, the transparency of each of the areas 26a-26y is adjusted so as to achieve uniform illuminance in the main scanning direction so that it is possible to prevent occurrence of the variation in illuminance in the main scanning direction.例文帳に追加

このため、ＬＥＤアレイ２１からの出射光が透過型液晶パネル２６を透過した時に、主走査方向で均一な照度が得られるように各エリア２６ａ〜２６ｙの透過率を調整することにより、主走査方向での照度ムラが発生することを防止できる。 - 特許庁

To perform optical dot formation (optical scanning) on a scanned surface without using mechanical optical scanning means such as rotating polygonal mirror by forming an image of light beams from a semiconductor laser array light source formed of semiconductor laser elements arranged in a row on a photosensitive surface by use of an image forming lens.例文帳に追加

列状に半導体レーザ素子を配列してなる半導体レーザアレイ光源からの各光束を結像レンズを用いて感光面上に結像せしめることにより、回転多面鏡等の機械的光走査手段を用いることなく被走査面上での光ドット形成（光走査）を行う。 - 特許庁

A first terminal array 5 consisting of first side first class terminal 5a and a first side second class terminal 5b one of which functions as a power supply terminal and the other functions as a ground terminal, and a first side signal terminal 5s is formed on the first major surface side of the substrate core 100.例文帳に追加

該基板コア１００の第一主表面側には、一方が電源端子、他方がグランド端子として機能する第一側第一種端子５ａ及び第一側第二種端子５ｂと、第一側信号端子５ｓとからなる第一端子アレー５が形成されている。 - 特許庁

By this arrangement, the high luminance can be achieved as the common electrode is made of a transparent material, and also the ununiformity which is caused due to the asymmetry of the parasitic capacitance can be prevented, thereby manufacturing the array substrate of in-plane switching mode liquid crystal display device that achieves high picture quality.例文帳に追加

このようにすると、共通電極が透明な材質であるので、高輝度を具現化でき、また寄生容量の非対称によって発生する不均一を防げるので、高画質を具現化可能な横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板を製作することができる。 - 特許庁

In the circuit 5, the pixel data A of the solid-state image pickup element 7 are divided in an effective pixel data region except a black reference data region in response to the array of the photoelectric conversion cells on the basis of the shading correction pixel data, and a predetermined offset is inputted to perform shading correction.例文帳に追加

データ処理回路５において、シェーディング補正用画素データＢを基に固体撮像素子７の画素データＡから、光電変換セルの配列に対応して黒基準データ領域を除く有効画素データ領域にて除算し、一定のオフセットを入力してシェーディング補正を行う。 - 特許庁

In an array substrate of the liquid crystal display, a colored resin layer 24 which constitutes a color filter layer has a peripheral part 24E along the periphery of each pixel and an effective part 24X formed on the inner side enclosed by the peripheral part 24E and having film thickness thinner than that of the peripheral part 24E.例文帳に追加

液晶表示装置のアレイ基板においては、カラーフィルタ層を構成する着色樹脂層２４は、各画素の周縁に沿った周縁部２４Ｅ及びこの周縁部２４Ｅで囲まれた内側に周縁部２４Ｅより薄い膜厚の有効部２４Ｘを有している。 - 特許庁

The louver door structure 4 is attached to each side face of the outer housing 3 by adjusting the attaching angle of each louver plate according to a side face orienting angle so as not to array the louver plates parallel to a sunlight incident direction to shield the sunlight incident upon the inside of the outer housing 3.例文帳に追加

この鎧戸構造４は、外部筐体３の各側面に、側面が向く方角に応じて鎧板の取り付け角度を調整して取り付け、太陽光の入射方向と鎧板とが平行にならないようにして、太陽光の外部筐体３内部への入射を遮断する。 - 特許庁

As the result of such a second image game, when the winning pattern is arranged at a prescribed fixed position 1a in the quasi winning pattern array 1 by the balance of the seesaw 2 and large winning display is formed, the special prize of opening and closing a variable winning device 50 for 16 times at maximum is generated.例文帳に追加

このような第２画像遊技の結果、当たり図柄がシーソー２のバランスにより、準当たり図柄配列１中の所定の定位置１ａに配置されて大当たり表示が形成されると、可変入賞装置５０が最大１６回開閉する特賞が発生する。 - 特許庁

The device (100) generates a reference signal which can be used for deciding a resistance state of each memory cell in an array independently of fluctuation of a resistance value caused by the other factors such as errors in manufacturing, temperature gradient, electromagnetic interference, and secular change.例文帳に追加

該デバイス(100)は、製造誤差やアレイ全体にわたる温度勾配、電磁干渉、及び経時変化といった他の因子に起因する抵抗値の変動にもかかわらず、アレイ中の各メモリセルの抵抗状態を決定するために使用することが可能な基準信号を生成する。 - 特許庁

In the disk array device having two kinds of parity data P and Q and a plurality of data restoration methods, a data restoration method capable of removing a degenerated magnetic disk 113 and a magnetic disk 114 with a maximum load from the use for the data restoration processing is selected in a single magnetic disk failure.例文帳に追加

２種類のパリティデータＰおよびＱと複数のデータ復旧方式と有するディスクアレイ装置で、単一磁気ディスク障害の場合、縮退した磁気ディスク１１３と最大負荷の磁気ディスク１１４とをデータ復旧処理への使用から外しえるデータ復旧方式を選択する。 - 特許庁

The elements 11, 12 are oppositely arranged so that their optical axes are symmetrical about the center of their array and a 1/2 wavelength plate for rotating the polarization direction of light of a center optical path by 90° is arranged between the elements 11, 12 to constitute an optical circulator.例文帳に追加

第１及び第２の光路制御用複屈折素子は、光学軸がそれらの配列中心に関して対称となるように対向設置し、それらの間に、中央光路の光の偏波方向を９０度回転する１／２波長板を設置して光サーキュレータを構成する。 - 特許庁

While there are provided common ink channels 56Y and 56M for supplying ink separately to discharge opening arrays 58A and 58B of an orifice plate 58 respectively, a channel cross section of a branching ink channel 58p is set in accordance with the discharge amount of each discharge opening array 58A, 58B.例文帳に追加

オリフィスプレート５８の各吐出口列５８Ａおよび５８Ｂにそれぞれインクを個別に供給する共通インク流路５６Ｙおよび５６Ｍが形成されるもとで、分岐インク流路５８ｐの流路断面積がそれぞれ、各吐出口列５８Ａおよび５８Ｂの吐出量に応じて設定されるもの。 - 特許庁

A plurality of nozzles arranged in an array, a cavity plate 10 provided with pressure chambers for respective nozzles, a piezoelectric actuator 20 for imparting ejection energy to ink in each pressure chamber, and a flexible flat cable 40, are laid in layers on the front surface of a front head unit 6 which is then mounted on the surface of a jig 42.例文帳に追加

前面に列状の複数個のノズルと、この各ノズル毎に圧力室を備えたキャビティプレート１０と、圧力室毎にインクに噴射エネルギーを付与する圧電アクチュエータ２０と、フレキシブルフラットケーブル４０とを積層したフロントヘッドユニット６を、治具４２の表面に載置する。 - 特許庁

This semiconductor memory device is constructed in such a manner that a memory cell array formed by arraying a plurality of memory cells is divided into a plurality of groups 1a and 1b along at least one of a bit line direction and a word line direction, and individual source lines SL (a) and SL (b) are commonly connected for each group.例文帳に追加

半導体記憶装置において、複数のメモリセルを配列して成るメモリセルアレイは、ビットライン方向、またはワードライン方向の少なくとも一方に沿って複数のグループ１ａ、１ｂに分割されており、各グループ毎に個別のソースラインＳＬ（ａ）、ＳＬ（ｂ）が共通接続されている。 - 特許庁

An electro-optic device is configured such that a sensor array region 12 in which a large number of pixels 20 having a photoelectric conversion section 22 and a switching element section 21 are formed is formed on the front surface 11a side of a substrate 11, and a conductor layer 16 for shielding is formed on the back surface 11b side of the substrate 11.例文帳に追加

基板１１の表面１１ａ側に光電変換部２２及びスイッチング素子部２１を有する画素２０が多数形成されたセンサアレイ領域１２を形成し、前記基板１１の裏面１１ｂ側にシールド用導電体層１６を形成した構成を有する。 - 特許庁

In the DRAM 1, the gate insulating film (not shown in the figure) of each transistor in a memory cell array block 11 and an I/O circuit block (I/O circuit area) 13 constituting the memory cell area of the DRAM 1 is formed thicker in thickness than the gate insulating film of each transistor in the peripheral circuit block (peripheral circuit area) 12.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１において、メモリセル領域を構成するメモリセルアレイブロック１１およびＩ／Ｏ回路ブロック１３（Ｉ／Ｏ回路領域）の各トランジスタのゲート絶縁膜（図示せず）を、周辺回路ブロック１２（周辺回路領域）のトランジスタのゲート絶縁膜よりも厚く形成したものである。 - 特許庁

A cylindrical array, which is arrayed in the direction perpendicular to respective optical axes and has a plurality of crosswise cylindrical lens parts L1 and L2 and at least one line of lengthwise cylindrical lens parts L3 and L4, is arranged on and under a partition frame 1 at a pitch according to the focal lengths of respective cylindrical lens parts.例文帳に追加

各々の光軸に対して垂直方向に配列され、複数の横シリンドリカルレンズ部Ｌ１，Ｌ２と少なくとも一列の縦シリンドリカルレンズ部Ｌ３，Ｌ４とを有するシリンドリカルレンズアレイを、仕切枠１の上下に各シリンドリカルレンズ部の焦点距離に応じた間隔で配置する。 - 特許庁

Thus, even if respective dimensions of the roof surface 16 are made various, the interval between the edge 51 of the solar battery array 50 and the declining ridge 13 always becomes equal to the predetermined dimension (a), and therefore ridge coping members 13A having the same width dimension can be used, to thereby prevent increase in kind of the coping members 13A.例文帳に追加

これにより、屋根面16の各寸法が相違しても、太陽電池アレイ50の当該端縁51と下り棟13との間隔が常に所定寸法ａとなるので、幅寸法が同じ下り棟用笠木部材13A が利用でき、当該笠木部材13A の種類の増大を防止できる。 - 特許庁

A focus data creating part 3 creates focus data relative to the transmission of inside the two-dimensional array 2 and focus data relative to the receiving of the inside of the sub arrays SA(n), and the data are stored in data storage means D(n, i) and supplied to the transmission circuits P(n, i) and the receiving sub beam formers RB(n).例文帳に追加

フォーカスデータ発生部３は、２次元アレイ２の内部の送信に関する相対のフォーカスデータと、サブアレイＳＡ（ｎ）の内部の受信に関する相対のフォーカスデータを発生し、データ記憶手段Ｄ（ｎ、ｉ）に記憶され、送信回路Ｐ（ｎ、ｉ）と受信サブビームフォーマＲＢ（ｎ）に供給される。 - 特許庁

The process for producing the microlens array includes a stage for forming color pattern layers 20 segmented to plural pixel parts 21, 22, 23 of prescribed arrangement on a light transparent substrate 10 and a stage for curving the surfaces of the respective pixel parts 21, 22, 23 of the color pattern layers 20 in correspondence to the lens surfaces.例文帳に追加

マイクロレンズアレイの製造方法は、光透過性の基板１０上に、所定配列の複数の画素部２１、２２、２３に区画された色パターン層２０を形成する工程と、色パターン層２０の各画素部２１、２２、２３の表面をレンズ面に対応して湾曲させる工程と、を含む。 - 特許庁

A server computer 11 is connected to a first power-down signal from the power supply device 115 or a second power-down signal from the power supply device 215 of an expansion HDD device 21, and a logical sum signal of the power-down signal is input in a RAID (Redundant Array of Independent Disks) controller 113.例文帳に追加

サーバコンピュータ１１においては、電源装置１１５からの第１のパワーダウン信号と拡張ＨＤＤ装置２１の電源装置２１５からの第２のパワーダウン信号とがＯＲ接続されており、それらパワーダウン信号の論理和信号がＲＡＩＤコントローラ１１３に入力される。 - 特許庁

Since the two-input/two output optical signal processor capable of having a wide rectangular transmission spectrum is used in both a transmission band and a rejection band, an extinction band of the adjacent channel of the optical multiplexer/demultiplexer which synthesizes the array waveguide grating with a waveguide type circulating filter is widened.例文帳に追加

透過域、阻止域共に広い矩形状の透過スペクトルを持つことができる二入力二出力光信号処理器を用いているので、アレイ導波路格子と導波路型周回性フィルタとを合成した光合分波器の隣接チャンネルの消光帯域を広げることができる。 - 特許庁

When a write request issued from the host computer 20 according to an application program 21 conforms to prescribed timing, a first redundant code of write data written in a cache memory of the disk array device 10 according to the request is generated by unit of data block (B1, B2).例文帳に追加

アプリケーションプログラム２１に従ってホストコンピュータ２０から発行されたライト要求が所定タイミングに合致する場合、当該要求に応じてディスクアレイ装置１０のキャッシュメモリに書き込まれたライトデータの第１の冗長コードをデータブロック単位に生成する（Ｂ１，Ｂ２）。 - 特許庁

The three light emitting element array boards 1A, 1B, 1C are staggered in two rows so that a desired writing width can be obtained and adjacent boards are linked through connecting members 8a, 8b in the vicinity of switching positions D01, D02 of the writing dots of respective light emitting elements.例文帳に追加

その３つの発光素子アレイ基板１Ａ，１Ｂ，１Ｃを、所望の書込幅が得られるように、２列にジグザグ状に配置し、それらの隣り合うものを、それぞれ発光素子の書込ドットの切り替わり位置Ｄo1とＤo2の近傍で接続部材８ａ，８ｂにより連結する。 - 特許庁

A plurality of scanning lines 3 and a plurality of data lines 6 that cross one another are arranged on an FET array substrate for composing this optoelectronic device, a TFT 30 and a pixel electrode 9 are arranged at each crossing part, and further capacitors 3b are arranged nearly in parallel for each of the scanning lines 3.例文帳に追加

電気光学装置を構成するＴＦＴアレイ基板上には、互いに交差する複数の走査線３と複数のデータ線６とが配置され、各交差部にはＴＦＴ３０および画素電極９が配置され、更に走査線３毎に、ほぼ平行に容量３ｂが配置されている。 - 特許庁

By applying a power supply voltage Vdd to the gates of isolators BLIt, BLIb, the power supply voltage Vdd is clamped by the isolators BLIt, BLIb, and the internal voltage of an array is set to 0.8 V which is lower than the power voltage Vdd by the threshold values of the transistors N3 to N6.例文帳に追加

アイソレータＢＬＩｔ，ＢＬＩｂのゲートには電源電圧Ｖｄｄを与えることにより、電源電圧ＶｄｄをアイソレータＢＬＩｔ，ＢＬＩｂでクランプし、アレイの内部電圧を電源電圧ＶｄｄよりもトランジスタＮ３〜Ｎ６のしきい値電圧だけ低い０．８Ｖにする。 - 特許庁

To provide a phase-shift quantity correction device and a phase-shift quantity correction system capable of correcting properly deviation from a theoretical output, of an output from a phase shifter generated from an individual difference of the phase shifter carried by a phased-array radar, even when a beam is directed in a direction other than the front direction.例文帳に追加

フェイズドアレイレーダが有する移相器の個体差により生ずる移相器からの出力の理論出力からのずれを、正面方向以外にビームを向ける場合にも適正に補正することができる移送量補正装置及び移送量補正システムを提供することを目的とする。 - 特許庁

The light beam (30) emitted from the facet of a first selected optical fiber (22a) is refracted by one of the lenses (24a), reflected by the mirror (28), returns to the lens array (24), is refracted by another lens, and focused on the facet of a selected second optical fiber (22b).例文帳に追加

選択された第１の光ファイバ（２２ａ）の切子面から発した光ビーム（３０）は、レンズ（２４ａ）の一つにより屈折され、ミラー（２８）により反射されてレンズ列（２４）へ戻り、他の一つのレンズにより屈折され、選択された第２の光ファイバ（２２ｂ）の切子面に合焦される。 - 特許庁

A lens sheet 50 has a lens layer 51 having a lens array 59 formed thereon, on the lower surface of a translucent substrate 55 and has a light diffusing layer 53 which includes light diffusing material particles 57 and a translucent resin 56 and has a rugged surface and has a haze of 60 to 95%, on the upper surface of the translucent substrate.例文帳に追加

レンズシート５０は、透光性基材５５の下面に、レンズ列５９が形成されたレンズ層５１を付し、更に、上面に、光拡散材粒子５７と透光性樹脂５６とを有し凹凸表面を持ちヘーズが６０％以上９５％以下の光拡散層５３を付してなる。 - 特許庁

A camera 12 for recording an image in the arrival electric wave direction is connected to a side surface of an array antenna 11 for receiving an arriving electric wave to input an output of the antenna 11 into a frequency conversion part 13 while an output of the conversion part 13 is inputted into an A/D conversion part 14.例文帳に追加

到来電波を受信するアレーアンテナ１１の側面に到来電波方向の映像を記録するカメラ１２が接続され、アンテナ１１の出力は周波数変部１３に入力され、周波数変換部１３の出力はA/D変換部１４に入力される。 - 特許庁

One part of this signal is applied through a transmission side SPNT switcher 18 to a frequency multiplier 26 by a directivity connector 14, and radiated from the traveling wave antenna for transmission of an array antenna 24 after the frequencies (f) are turned into frequencies 2f, and the other one part of this signal is inputted to a 45° phase shifter 20.例文帳に追加

この信号は、方向性結合器１４によって一部が、送信側ＳＰＮＴ切替え器１８を介して周波数逓倍器２６に与えられ、周波数２ｆにされてアレイアンテナ２４の送信用進行波アンテナから放射され、他の一部が４５度位相シフタ２０に入力される。 - 特許庁

Since the masking layer 40 having approximately the same height as that of the color filter 11 is interposed between the self-adhesive layer 20 and a TFT array 12 to support the overhanging part 14, even if a cavity is formed in the vicinity of the overhanging part 14, the structure prevents cracks and damage of the overhanging part 14.例文帳に追加

カラーフィルタ１１と略同じ高さのマスキング層４０が自己粘着層２０とＴＦＴアレイ１２の間に介在し、オーバーハング部１４を支持するので、例えオーバーハング部１４の付近に空洞が形成されていても、オーバーハング部１４が割れて損傷することがない。 - 特許庁

Since the A/D converter 210 of each column corresponds to the photodetector 120 for ach column, number of transmission lines between the photodetector array 11 and the parallel processing unit 14 is less, the both are manufactured and placed separately, degrees of integration are optimized, multi-pixels are attained and the sensor is stably manufactured.例文帳に追加

また、Ａ／Ｄ変換器２１０を各列ごとに対応させたため、受光素子アレイ１１と並列処理機構１４間の伝送路が少なく、両者を分離して製造・配置でき、集積度の最適化、多画素化と同時に、安定した製造が行える利点がある。 - 特許庁

A memory cell array of the non-volatile semiconductor memory comprises memory cells 1 arranged in two-dimensional matrices, a plurality of memory word lines 2 which are arranged in rows and are connected to the gates of the memory cells 1, main bit lines 6 arranged in columns, and sub-bit lines 3, and source lines 11.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイは、２次元の行列状に配置されたメモリセル１と、行方向に配置され、メモリセル１のゲートに接続された複数のメモリワード線２と、列方向に配置された主ビット線６，副ビット線３及びソース線１１とを備える。 - 特許庁

To provide such a CT imaging system (10) and method as collects projection data by connecting a group of the adjacent detector elements (22) of a detection array (18) in an (x)-direction and scanning a patient (22) by using the connection group (60) of the adjacent detector elements.例文帳に追加

検出器アレイ（１８）の隣接する検出器素子（２０）からなるグループをｘ方向に連結すると共に、隣接する検出器素子の連結グループ（６０）を用いて被検体（２２）をスキャンして投影データを収集しているようなＣＴイメージング・システム（１０）及び方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce the number of manufacturing processes and to prevent generation of additional failure due to the reduction of the manufacturing processes with respect to an array substrate for a planar display device having a light-transmitting thick resin film, a light-shielding film on TFTs and columnar spacers.例文帳に追加

透光性厚型樹脂膜、ＴＦＴ上の遮光膜、及び柱状スペーサを備える平面表示装置用アレイ基板において、製造工程数を少なくすることができるとともに、製造工程数の削減によって他の不良を発生させることのないものを提供する。 - 特許庁

The light-receiving/emitting integrated element array L includes a substrate 1, a plurality of light-receiving elements 2 disposed in a row and provided on the substrate 1, and a plurality of light emitting elements 3 disposed in a row along the arranged direction of the light-receiving elements 2 and provided on the substrate 1.例文帳に追加

本発明に係る受発光一体型素子アレイＬは、基板１と、基板１上に列状に配置して設けられた複数の受光素子２と、基板１上に、受光素子２の配列方向に沿って、列状に配置して設けられた複数の発光素子３と、を備えている。 - 特許庁

An erase voltage Vers (-8 V) is applied to a dummy main bit line DMBL0 of a dummy cell array region 20 via an erase voltage supply transistor 2, and a negative voltage (-8 V) is applied to the drains of dummy cells DCELL0, DCELL0,... and sources of dummy cells DCELL1, DCELL1,... in the BLOCKn through the dummy sub-bit line DSBL.例文帳に追加

ダミーセルアレイ領域２０のダミーメインビット線ＤＭＢＬ０に消去電圧供給トランジスタ２を介して消去電圧Ｖｅｒｓ（−８Ｖ）を印加して、ダミーサブビット線ＤＳＢＬを通じてＢＬＯＣＫｎ内のダミーセルＤＣＥＬＬ０，ＤＣＥＬＬ０・・・のドレイン及びダミーセルＤＣＥＬＬ１，ＤＣＥＬＬ１・・・のソースに負電圧（−８Ｖ）を印加する。 - 特許庁