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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > beam patternに関連した英語例文

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beam patternの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2381



例文

The division pixel is compared with a reference division pixel; and if the division pixel is found larger, the charged particle beam is made to repeatedly scan a plurality of times in the first scanning direction by using the data corresponding to the pattern in the scanning line portion of the pattern data without aligning the scanning start positions of the charged particle beam in the same division pixel.例文帳に追加

基準分割画素と分割画素とを比較し、分割画素が大きい場合、同じ分割画素内で荷電粒子ビームの走査開始位置を一致させることなく、パターンデータのうち、走査線部分のパターンに相当するデータを用いて、荷電粒子ビームを第1の走査方向に複数回繰り返し走査させる。 - 特許庁

To provide a charged particle beam exposure method and a device, where image forming conditions can be efficiently corrected on shape astigmatism caused by a pattern distribution difference between sub-fields in a charged particle beam exposure method of a split transfer system, and resultantly, a pattern of high resolution and high accuracy can be projected for exposure and transferred.例文帳に追加

分割転写方式の荷電ビーム露光において、各サブ・フィールド内のパターン分布の相違に起因する形状非点収差等の結像条件の補正を効率良く実行でき、結果的に高解像・高精度のパターン転写露光を実現できる荷電ビーム露光方法及び荷電ビーム露光装置を提供する。 - 特許庁

The lithographic apparatus is operable in a substrate exposing configuration to expose a substrate W with a pattern of radiation and a radiation beam inspection configuration in which the pattern of radiation that would be exposed on the substrate W if the lithographic apparatus was in the substrate exposing configuration is inspected by a radiation beam inspection device 10.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、基板Wが放射のパターンで露光される基板露光構成と、リソグラフィ装置が基板露光構成で構成された場合に基板Wに露光されることになる放射のパターンが放射ビーム検査装置10によって検査される放射ビーム検査構成で動作させることができる。 - 特許庁

The electron beam irradiation matrix is set to include a plurality of pixels to be irradiated with the electron beam among the pixels included in the two-dimensional pattern, and such that two-dimensional patterns whose number is equal to the number of the pixels included in the two-dimensional pattern are formed into time-series two-dimensional patterns independent from each other.例文帳に追加

この電子線照射行列は、2次元パターンに含まれるピクセルのうち、電子ビームが照射されるピクセルを複数含むように設定されるとともに、2次元パターンに含まれるピクセル数と等しい数の2次元パターンを、互いに独立した2次元パターンの時系列となるように設定される。 - 特許庁

例文

Since the electron beam shielding area 12 is stuck close to the pattern formation layer 2 by the slight adhesive effect of the slight adhesive layers 15 stuck close to the pattern formation layer 2, the incidence of electron beams on the area for shielding electron beams from oblique directions can be prevented even if a general and inexpensive electron beam irradiation apparatus is used.例文帳に追加

パターン形成層2に密着する微粘着層15の微粘着効果により、パターン形成層2に電子線遮蔽領域12が密着するので、汎用型の安価な電子線照射装置を使用しても、電子線を遮蔽する領域に電子線が斜め方向から入射することがない。 - 特許庁


例文

To secure a sufficient amount of light for a part close to a cutoff line in a low-beam light distribution pattern and enhance a faraway visibility even if a reflector is small across its width, in a head light for a car configured to effect a low-beam irradiation in a light distribution pattern having a horizontal cutoff line and an oblique cutoff line.例文帳に追加

水平カットオフラインおよび斜めカットオフラインを有する配光パターンでロービーム照射を行うように構成された車両用前照灯において、たとえそのリフレクタの左右幅が小さい場合であってもロービーム配光パターンにおけるカットオフライン近傍部分の光量を十分に確保して遠方視認性を高める。 - 特許庁

To enable to secure sufficient brightness at the portion near the lower part of a cut-off line in the right and left diffusion area of a low-beam light distribution pattern, even when a light source is arranged at the position separated from an optical axis downward in a vehicle headlamp of projection type constituted so as to form the low-beam light distribution pattern.例文帳に追加

ロービーム用配光パターンを形成するように構成されたプロジェクタ型の車両用前照灯において、光源が光軸から下方に離れた位置に配置されている場合であっても、ロービーム用配光パターンの左右拡散領域におけるカットオフラインの下方近傍部分の明るさを十分に確保可能とする。 - 特許庁

As a more concrete mode, a focus adjustment method of carrying out focus adjustment as well as pattern measurement by alternately arranging (each other, or each several) beam scanning position(s) for obtaining signals for focus adjustment and for obtaining signals for pattern measurement in the same FOV, and the charged particle beam device are proposed.例文帳に追加

より具体的な一態様として、同じFOV内にて、フォーカス調整用信号を得るためのビーム走査位置と、パターン測定用信号を得るためのビーム走査位置を交互(1本ごと、或いは複数本ごと)に配置して、焦点調整とパターン測定を実行する焦点調整方法、及び荷電粒子線装置を提案する。 - 特許庁

Droplets 30 are discharged from a droplet discharge head 23 to form the film pattern 40A having a prescribed form and the advancing direction of a laser beam is changed by the cylindrical lens 52 so that the laser beam is made incident on each position on the outside surface of the film pattern 40A in the normal direction.例文帳に追加

そして、液滴吐出ヘッド23から液滴30を吐出して所望の形状の膜パターン40Aを形成するとともに、その膜パターン40Aにシリンドリカルレンズ52によってその進行方向を同膜パターン40Aの外形表面上の各位置に対して法線方向に入射するように変更した。 - 特許庁

例文

Moreover, the manufacturing method is provided with the processes that the insulators between the external layer terminals 1, 1 provided at the position where the internal layer wiring pattern 2 becomes as a stopper of the laser beam is irradiated with a laser beam and the internal layer wiring pattern 2 as the internal layer terminal 5 forms the groove 4 exposed at the bottom part.例文帳に追加

また、本発明の製造方法は、外層端子1、1間の絶縁部であって、内層配線パターン2がレーザー光のストッパーとなる位置にレーザー光を照射し、内層端子5となる内層配線パターン2がその底部に露出している溝4を形成する工程を備える製造方法である。 - 特許庁

例文

When a wiring pattern 5a is formed by etching a metal foil 2 on the surface of a laminate 1, a cut pattern 3a is previously formed around the wiring pattern 2a, a wear plate 10 is superposed on the under surface of the laminate 1, and the laminate 1 is irradiated with a laser beam along the cutting pattern 3a, from the side above the top surface of the laminate 1.例文帳に追加

積層板1の表面の金属箔2をエッチングして配線パターン5aを形成する際に、配線パターン2aの回りに切断パターン3aを形成しておき、積層板1の下面側に当板10を重ねた状態で積層板1の上面側から切断パターン3aに沿ってレーザー光線を照射することにより切断する。 - 特許庁

In the electron beam-plotting technique for independently turning on and off each of a plurality of electron beams for scanning to plot a desired pattern on a sample, the deviation between a pattern that is plotted by each of the plurality of electron beams and the desired pattern to be plotted is controlled by shifting the position of pattern data that are drawn by each of the plurality of electron beams.例文帳に追加

複数の電子ビームの各々を独立にオンオフし走査して試料上に所望のパターンを描画する電子ビーム描画方法において、前記複数の電子ビームの各々が描くパターンと描画すべき前記所望のパターンとのずれを、前記複数の電子ビームの各々が描くパターンのパターンデータの位置をシフトすることにより制御する。 - 特許庁

An electric load is applied to a circuit pattern by a step of irradiating an electron beam for a predetermined time period to a wafer including the circuit pattern in a semiconductor manufacturing process to charge the circuit pattern to a predetermined charge voltage (Step 99), and a step of controlling a region surrounding the circuit pattern to a predetermined temperature by laser irradiation or the like (Step 106).例文帳に追加

半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程(ステップ99)と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程(ステップ106)とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。 - 特許庁

Then an auxiliary channel beam output in a form of covering an antenna pattern of the main antenna 1 is obtained by applying weighting of amplitude and phase or only the phase to the aperture separation signals Xl, Xr, Xu, Xd and applying beam composition to the result.例文帳に追加

そして、開口分割信号Xl、Xr、Xu、Xdに、振幅および位相、または位相のみの重み付けを施してビーム合成することにより、主アンテナ1のアンテナパターンを覆う形状の補助チャネルビーム出力を得る。 - 特許庁

The lighting apparatus unit 16 that emits a light beam forward in a low beam light distribution pattern P having a hot-zone HZ is constituted of a lighting apparatus unit body 18 and a pair of second reflectors 20L, 20R provided on both left and right sides thereof.例文帳に追加

ホットゾーンHZを有するロービーム配光パターンPで前方へビーム照射を行う灯具ユニット16を、灯具ユニット本体18と、その左右両側に設けられた1対の第2リフレクタ20L、20Rとで構成する。 - 特許庁

The light source module 3 has a light source for emitting a laser beam, and an optical lens for forming a concentrical shape of interference pattern on an object, by transmitting the laser beam emitted from the light source through different optical paths.例文帳に追加

光源モジュール3は、レーザ光を放射する光源、およびこの光源から放射されたレーザ光を異なる光路を通過させることにより同心円的な形状の干渉模様を対象物に形成する光学レンズを有する。 - 特許庁

According to the method for manufacturing a thin-film magnetic head, an electron beam resist 49 is irradiated with an electron beam to form a resist layer 70 having a main pattern 72 and a plurality of projected parts 74 extended from its outer edge to the surroundings.例文帳に追加

本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、電子ビームレジスト49に電子ビームを照射して、主パターン72と、その外縁部から周囲に向かって延びる複数の突部74とを有するレジスト層70を形成する。 - 特許庁

To prevent generation of defects by easily sensing intensity decline of a light beam supplied from the light source at drawing a pattern on a substrate while modulating the light beam supplied from the light source with a spatial light modulator.例文帳に追加

光源から供給された光ビームを空間的光変調器により変調して基板にパターンを描画する際に、光源から供給された光ビームの強度の低下を容易に検出して、不良の発生を防止する。 - 特許庁

A polarization filter 34 is arranged downstream of the display unit, and hinders either the modulated or non-modulated part of the laser beam from transmission so as to form an image beam with a specific pattern.例文帳に追加

前記ディスプレイ装置の下流側には、偏光フィルタ34が配置されており、この偏光フィルタは、前記レーザービームの前記変調部分と前記非変調部分とのいずれかの透過を妨げて特定のパターンを有した画像ビームを形成する。 - 特許庁

The substrate 1 on which photoresist is applied is mounted on the chuck 10 and the substrate 1 is scanned with the light beam from a light beam irradiating device 20 while the chuck 10 is moved by an X stage 5 to draw a pattern on the substrate 1.例文帳に追加

フォトレジストが塗布された基板1をチャック10に搭載し、Xステージ5によりチャック10を移動しながら、光ビーム照射装置20からの光ビームにより基板1を走査して、基板1にパターンを描画する。 - 特許庁

When the prescribed voltage is applied to transparent electrodes 15a, 15b, a diffraction pattern causing the prescribed diffracted light for a light beam for a DVD and a light beam for a CD is formed in the transparent electrode 15a.例文帳に追加

透明電極15aには、透明電極15a、15bに所定の電圧を印加した場合に、DVD用の光ビームとCD用の光ビームとに対して所定の回折光を生じる回折パターンが形成されている。 - 特許庁

To provide an electric charge beam exposing method, and a method for manufacturing a semiconductor device using the beam, wherein a predetermined fine pattern is transferred on the entire face of a substrate without causing reduction of an exposure positional accuracy or an occurrence of particle.例文帳に追加

露光位置精度の低下やパーティクルの発生を伴わずに、基板の全面に所定の微細パターンを転写することのできる荷電粒子ビーム露光方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The equipment comprises a pattern forming array 104, a first irradiating system 124 giving a first beam with respect to the array 104, a second irradiating system 360 giving a second beam from different direction, a projecting system 108, and a detector 342.例文帳に追加

パターン形成アレー104と、そのアレー104に対して第一ビームを与える第一照射系124と、異なる方向から第二ビームを与える第二照射系360と、投影系108と、検出器342とを含む。 - 特許庁

To provide a laser beam machining method and a laser beam machining apparatus for smoothly removing a Low-k film on streets formed on a semiconductor substrate and a metal pattern for testing partially disposed on the street.例文帳に追加

半導体基板に形成されたストリート上のLow−k膜およびストリート上に部分的に配設されたテスト用の金属パターンを円滑に除去することができるレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。 - 特許庁

A wireless communication apparatus, which has received the beam learning signal transmitted on the basis of the second communication mode, observes a receiving status for each beam pattern, generates and transmits response information on the basis of a result of observing the receiving status.例文帳に追加

第2の通信方式で送信されたビーム学習信号を受信した無線通信装置は、ビームパターン毎の受信状況の観測を行い、受信状況の観測結果に基づいて応答情報を生成して送信する。 - 特許庁

To provide a mirror electron projection type ( including an MPJ type (also including an SEPJ type)) electron beam inspection device which is made possible to optimize a condition and a pattern defect inspection method and system by using the above electron beam inspection device.例文帳に追加

条件出しができるようにした写像投影型(MPJ型(SEPJ)型も含む))電子線検査装置並びにこれら電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法及びそのシステムを提供することにある。 - 特許庁

Next, the orientation direction of the nanowires is controlled so as to be along in a longitudinal direction of an anisotropic pattern of light 14 in an irradiation region while irradiating the anisotropic pattern light 14 obtained by making bichromatic flux 13 of a laser beam interfere with each other (B).例文帳に追加

次に、レーザーの二光束13を干渉させて得られる異方性パターン光14を照射し、照射領域内においてナノワイヤの配向方向を光14の異方性パターンの長手方向に沿うように制御する(B)。 - 特許庁

In the laser deposition process, a film pattern 40 containing a functional liquid material is formed on a substrate 21 and irradiated with a laser beam, and a wiring pattern is formed with heat generated through photothermal transformation caused by absorbing laser light.例文帳に追加

レーザ成膜方法は、機能性液状材料を含む膜パターン40を基板21上に形成し、膜パターン40にレーザ光を照射し、レーザ光の吸収による光熱変換で発生する熱で配線パターンを形成する。 - 特許庁

To realize highly reliable insulation of a processed portion by irradiation of high-energy beam, in a circuit pattern forming method using an aluminum nitride as a substrate material and a circuit board on which the circuit pattern is formed using the forming method.例文帳に追加

窒化アルミニウムを基板材として用いた回路パターン形成方法及び該形成方法を用いて回路パターンが形成された回路板において、高エネルギビームの照射による加工部分に信頼の高い絶縁性を実現する。 - 特許庁

The electron beam is thereby blanked in an interval from the drawing finish position of the pattern to the drawing start position of the next pattern, based on the drawing clock signal Bclk, and the patterns are drawn sequentially along the spiral track STr.例文帳に追加

これにより、この描画クロック信号Bclkに基づいて、あるパターンの描画終了位置から次のパターンの描画開始位置までの間に電子線がブランキングされ、スパイラルトラックSTrに沿って順次パターンが描画される。 - 特許庁

Also, a hologram pattern on the optical recording medium 18 is irradiated by reading beams 16, and a beam splitter 17 having a half mirror surface 17a for image forming diffracted light from the hologram pattern onto the imaging device 19 is provided.例文帳に追加

また、読み取りビーム16を光記録媒体18上のホログラムパターンに照射し、ホログラムパターンからの回折光を撮像素子19に結像させるためのハーフミラー面17aを有するビームスプリッタ17が設けられている。 - 特許庁

Each light distribution pattern formed of each optical unit 4a to 4c is set up by changing materials of projection lenses 7a to 7c and their curvatures, and the low-beam light distribution pattern is formed by synthesizing the light distribution patterns.例文帳に追加

各光学ユニット4a〜4cで形成される夫々の配光パターンは投影レンズ7a〜7cの材質及びその曲率を変えることで設定され、それら配光パターンの合成によってすれ違いビーム用配光パターンが形成される。 - 特許庁

The location of the base pattern in a substrate 1 is detected all over the substrate 1, and drawing data supplied to a drive circuit of a light beam irradiation apparatus 20 are created according to the location of the detected base pattern in the substrate 1.例文帳に追加

下地パターンの基板1内での位置を、基板1全体に渡って検出し、検出した下地パターンの基板1内での位置に応じて、光ビーム照射装置20の駆動回路へ供給する描画データを作成する。 - 特許庁

The light-propagating layer 2 is formed by forming a reflection film mask pattern 3A which reflects a laser beam on the surface of a glass 1 and irradiating the inner part of the glass 1 with femtosecond laser beams 7 through the reflection film mask pattern 3A.例文帳に追加

ガラス1の表面にレーザビームを反射する反射膜マスクパターン3Aを形成することにより、ガラス1の内部に反射膜マスクパターン3Aを介してフェムト秒レーザビーム7を照射して光伝搬層2を形成する。 - 特許庁

This lithography device is provided with a projection system for forming the image of a pattern on a negative resist layer configured so that the pattern-formed beam can be projected to the target section of the substrate to which the negative resist layer is attached.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、さらに、パターン形成されたビームをネガ型レジスト層が付着している基板の目標部分に投影するように構成された、ネガ型レジスト層上にパターンのイメージを形成するための投影システムを備えている。 - 特許庁

After a cholesteric liquid crystal layer 16 provided on a temporary substrate 10 is laminated on a substrate 22, the cholesteric liquid crystal layer 16 is heated up to a prescribed temperature and exposed to an active light beam using a pattern at this temperature to form a first pattern.例文帳に追加

仮支持体10に設けたコレステリック液晶層16を、基板22にラミネートしてコレステリック液晶層16に対して、所定の温度に加熱し、この温度条件下で活性光線をパターン露光して第一のパターンを形成する。 - 特許庁

Since the melting temperature of a resist material 2, which is irradiated with laser beam energy, lowers, the resist material 2 melts at a relatively low temperature and the space of the resist pattern 2a becomes narrow and a fine resist pattern 2b can be formed precisely.例文帳に追加

レーザ光エネルギが照射されたレジスト材2は、溶融温度が低下するので、比較的低温度でこのレジスト材2が溶融し、レジストパターン2aの間隔が狭くなり、微細なレジストパターン2bを精度よく形成することができる。 - 特許庁

In response to the code signal, it is discriminated whether the code signal shown by another pattern in the taken image is changed or not to authenticate and confirm whether another pattern is resulted from the laser beam irradiated by another vehicle.例文帳に追加

そして、そのコード信号に応答して、撮像画像中の他パターンにより示されるコード信号が変更されか否かを判別し、他パターンが他車両の照射したレーザビームによるものであるか否かの認証確認を行う。 - 特許庁

To provide a vehicle head lamp of projector type to form a light distribution pattern for a low beam, which can form a light distribution pattern bright enough even if a lighting device of side inserting type is used.例文帳に追加

ロービーム用配光パターンを形成するように構成されたプロジェクタ型の車両用前照灯において、側方挿入型の灯具構成を採用した場合においても十分に明るい配光パターンを形成可能とする。 - 特許庁

Demultiplexers 400 and 401 select one of 64 registers by the input of control data 201 and index data 202, and read an image split pattern stored as the drive pattern of laser beam from the selected register.例文帳に追加

デマルチプレクサ400、401は制御データ201、インデックスデータ202の入力によって64個のレジスタの中から一つを選択し、選択したレジスタからレーザ光の駆動パターンとして格納された画像分割パターンの読み出しを行う。 - 特許庁

An electron beam source 1 is constituted of a transparent substrate 2, a photoelectric cathode film 3 formed on the transparent substrate 2, and a mask film 4 formed on the photoelectric cathode film 3 and equipped with the reversed pattern of a pattern to be transferred.例文帳に追加

電子線源1は、透明基板2と、透明基板2上に成膜された光電陰極膜3と、光電陰極膜3上に成膜され、転写すべきパターンの反転パターンを有するマスク膜4から構成される。 - 特許庁

A correcting time for a shot time of the electron beam is obtained on a line width correction volume (loading correction volume) obtained through a conversion formula of the ratio of a pattern area rate to the line width correction volume previously obtained on the basis of the calculated area of the pattern.例文帳に追加

計算されたパターン面積に基づき、あらかじめ求めてあるパターン面積率対線幅補正量の換算式によって求めた線幅補正量(ローディング補正量)から、電子ビームのショット時間の補正時間を求める。 - 特許庁

In this method of evaluating laser beam welding, a first normalized value is beforehand calculated from the waveform pattern of an output signal for reference and also a second normalized value is separately calculated from the waveform pattern of the output signal for measurement.例文帳に追加

このレーザ溶接評価方法では、基準用の出力信号の波形パターンから第1の正規化値を予め算出すると共に、測定用の出力信号の波形パターンから第2の正規化値を別途に算出する。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition having high transparency particularly to ArF excimer laser beam and high resolution and capable of forming a resist pattern excellent in pattern shape, dry etching resistance and adhesion to a substrate.例文帳に追加

特にArFエキシマレーザー光に対して透明性が高く、かつ高解像性を有すると共に、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び基板との密着性に優れるレジストパターンを形成しうるポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

This lithography device is provided with a supporting structure configured to hold a phase shift mask configured so that any unpolarized radiation beam can be pattern-formed according to a desired pattern and a substrate table configured to hold a substrate.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、所望のパターンに従って非偏光放射のビームをパターン形成するように構成された位相シフト・マスクを保持するように構成された支持構造と、基板を保持するように構成された基板テーブルとを備えている。 - 特許庁

To provide a photomask blank which does not cause accumulation of charges on the blank coated with a resist when a pattern is drawn with electron beams using a high acceleration voltage electron beam drawing machine, and to provide a photomask with excellent pattern position accuracy.例文帳に追加

高加速電圧の電子ビーム描画機を用いて電子ビーム描画する際レジストコートしたブランクス上で電荷のチャージアップをおこさないフォトマスク用ブランクス及びパターン位置精度の優れたフォトマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁

By radiating an ultraviolet ray UV or an electron beam EB through a transparent body 1 having a mosaic pattern, a curing lowering part 5 whose curing degree is partially lowered correspondingly to the mosaic pattern is formed in the Fresnel lens part 11.例文帳に追加

モザイク模様を有する透明体1を介して紫外線UVまたは電子線EBを照射することによって、フレネルレンズ部11に、前記モザイク模様に対応して部分的に硬化度の低下した硬化低下部5が形成されている。 - 特許庁

Then, a second EB projection exposure 12B is carried out under the condition that a beam blur and a focus position are set at 20 nm and 21 μm, respectively, through the intermediary of a second mask 14 where a second mask pattern continuously joined to the first mask pattern is formed.例文帳に追加

次に、第1のマスクパターンと連続する第2のマスクパターンが形成された第2のマスク14を介して、ビームブラー:20nmで且つ焦点位置:21μmの条件で第2回目のEBプロジェクション露光12Bを行なう。 - 特許庁

On the light path from a light source to an objective lens, there is arranged an optical element that converts a pattern expanding in the radial direction of reflected light of the main beam reflected from an optical recording medium, to a pattern expanding linearly in a prescribed direction.例文帳に追加

光記録媒体から反射したメインビームの反射光の半径方向に拡がるパターンを所定の方向の直線上に拡がるパターンに変換する光学素子を光源から前記対物レンズに至る光路上に配置する。 - 特許庁

例文

At the time of an exposure of the pattern of a reticle R, the reticle R is illuminated with exposure light IL1 consisting of pulsed light of a wavelength of 193 nm from an ArF excimer laser beam source 1 and the pattern of the reticle R is transferred on a wafer W via a projection optical system PL.例文帳に追加

露光時にはArFエキシマレーザ光源1からの波長193nmのパルス光よりなる露光光IL1でレチクルRを照明し、レチクルRのパターンを投影光学系PLを介してウエハW上に転写する。 - 特許庁




  
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