「ceramic substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a compact semiconductor device, its packaging structure, and a method for manufacturing a ceramic substrate used for the compact semiconductor device for improving the connection reliability at the connection part between a printed wiring board and the compact semiconductor device that changes due to usage environment or the like, in the compact semiconductor device that is surface-mounted on a printed wiring board.例文帳に追加

プリント配線板に表面実装する小型半導体装置において、使用環境などによって変化するプリント配線板と小型半導体装置との接続部における接続信頼性を高める、小型半導体装置および小型半導体装置の実装構造ならびに小型半導体装置に使用するセラミック基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a glazed substrate in which a glazed layer 2 is formed on a ceramic base 1 and in addition, a resist film 3 with a specified pattern is formed thereon and after an etching treatment, the resist film 3 is removed, by spraying sodium bicarbonate particles with a particle diameter of at most 250 μm with at least a pressurized liquid from a nozzle 5.例文帳に追加

セラミック基板１上にグレーズ層２を形成し、さらにその上に所定パターンのレジスト膜３を形成して、エッチング処理後にレジスト膜３を除去するグレーズ基板の製造方法において、ノズル５から粒子径が２５０μｍ以下の炭酸水素ナトリウム粒子を少なくとも加圧液体と共に吹付けてレジスト膜３を除去する。 - 特許庁

Lands of the wiring board are formed on upper surfaces of a first active metal layer 5a formed in a first region positioned at a surface center portion of a via conductor 1 and a second active metal layer 5b formed in a second region positioned apart from the first region and from an outer peripheral part of the via conductor 1 to an upper surface of a ceramic substrate.例文帳に追加

配線基板のランドは、ビア導体１の表面中央部に位置する第１領域に形成される第１活性金属層５ａと、第１領域と離れているとともに、ビア導体１の外周部からセラミック基板の表面にかけて位置する第２領域に形成された第２活性金属層５ｂの表面に形成されている。 - 特許庁

In a ceramic multilayer substrate consisting of a laminate 33 having a surface electrode 30 on the main surface thereof, constraint layers 26 are formed inside the laminate 33 one on top of another as viewed from a laminated direction of the laminate 33, the area of the main surface of each constraint layer 26 being twice or less that of the surface electrode 30.例文帳に追加

表面電極３０を主面に備えた積層体３３からなるセラミック多層基板において、表面電極３０に対して、積層体３３の積層方向から見て重なるように積層体３３の内部に拘束層２６が形成されており、拘束層２６の主面の面積は、表面電極３０の主面の面積の２倍以下である。 - 特許庁

To provide a method of forming an SiC thin film free from the occurrence of crack even on a coarse surface of a porous substrate or the like by using a mixed polymer material prepared by mixing polycarbosilane (PCS) with other silicon-based polymer material in the optimum mass ratio to improve the coating performacne and the conversion yield to a ceramic to reduce the shrinkage factor.例文帳に追加

本発明の目的は、PCSに他のケイ素系高分子材料を最適な質量比で混合した混合高分子材料を出発物質として用いることにより、塗布性やセラミックスへの転換収率を改善して収縮率を低下させ、多孔質基材のような粗い表面でもクラック形成の無いSiC薄膜を製造することにある。 - 特許庁

The connection electrodes 12c and 13c and lead electrodes 14a and 15a arranged on the lower face of the AT cut crystal substrate 110 and pad electrodes 4 which are arranged in positions corresponding to the connection electrodes 12c and 13c and lead electrodes 14a and 15a respectively, on the inside bottom face of a recessed part 2 provided in a ceramic package 1 are subjected to face down bonding.例文帳に追加

前記ＡＴカット水晶基板１１０の下面に配設する接続電極１２ｃ、１３ｃ及び前記リード電極１４ａ、１５ａとセラミックパッケージ１に備える凹陥部２の内底面に接続電極１２ｃ、１３ｃ及びリード電極１４ａ、１５ａとそれぞれ対向する位置に配設するパッド電極４とをフェースダウンボンディングする。 - 特許庁

There is provided a ceramic package using the improved lid 31 for improving the structure of the lid 31 covering the upper surface of a package substrate and transferring the heat via the lid 31 in place of realizing transfer of heat by forming a via hole to radiate the heat generated during operation of a chip type element such as a SAW filter.例文帳に追加

本発明はＳＡＷフィルターのようなチップ型素子の動作時に発生する熱を放出するためにバイアホールを形成して熱伝導を図る代わりに、パッケージ基板の上部面に被せるリード３１の構造を改善させ、リード３１を通して熱伝導を行う改善されたリード３１を用いるセラミックパッケージを提供する。 - 特許庁

Precious metal ink 2 (e.g. it is composed of one or more elements selected from gold, silver, platinum, and palladium and one or more elements selected from aluminum, titanium, manganese, chrome, copper, zinc, zirconium, molybdenum, tin, and rhodium) containing an inorganic binder is printed on a ceramic substrate 1, and ink 3 formed of only precious metal is applied on the printing region.例文帳に追加

セラミックス基板１に無機結合剤を含む貴金属インク２（例えば、金、銀、プラチナ、パラジウムの中から選んだ１種以上の元素と、アルミニウム、チタン、マンガン、クロム、銅、亜鉛、ジルコニウム、モリブデン、錫、ロジウムの中から選んだ１種以上の元素からなる）を印刷し、その印刷領域上にさらに、この貴金属のみからなるインク３を上塗りする。 - 特許庁

The thick film conductor or the thick film resistor are formed by a coating process for applying the conductor paste or the resistor paste on the inside of the recess 4 and on the surface of the ceramic substrate by a screen printing method, a drying process for drying the applied conductor paste and resistor paste, and a baking process for baking the dried conductor paste or resistor paste.例文帳に追加

厚膜導体や厚膜抵抗体は、スクリーン印刷法により導体ペーストや抵抗体ペーストを凹部４の内部およびセラミック基板表面上に塗布する塗布工程と、塗布した導体ペーストや抵抗体ペーストを乾燥する乾燥工程と、乾燥した導体ペーストや抵抗体ペーストを焼成する焼成工程とから形成される。 - 特許庁

The method for producing the bonded material comprises laminating a metal foil to a soldering alloy foil with an organic adhesive, sticking the outer surface of the laminated soldering alloy foil to at least one side of a ceramic substrate with an organic adhesive to give a laminate, and subjecting the laminate to a heat treatment step in a non-oxidative atmosphere with an oxygen concentration of 50 ppm or lower.例文帳に追加

金属箔とロウ材合金箔とを有機系接着剤を用いて張り合わせ、そのロウ材合金箔面をセラミックス基板の片面又は両面に有機接着剤を用いて張り合わせられてなる積層体を、酸素濃度５０ｐｐｍ以下の非酸化性雰囲気下で熱処理工程を経由させることを特徴とする接合体の製造方法である。 - 特許庁

After performing hot pressure forming of a coating material 6A of the elongated lead wire 6 connected to a this film resistor 3 on a square ceramic substrate 2 and a molding material M of the element 1 as a tetrafluoroethylene resin film or tube, right and left side edges 13, 14 and a tip part 15 or only the tip part are cut to acquire a square plate-shaped product 8.例文帳に追加

方形セラミック基板２上の薄膜抵抗体３に接続された延長リード線６の被覆材６Ａと素子１のモールド材Ｍを共に四弗化エチレン樹脂フィルム又はチューブとして加熱加圧成形した後、左右側縁１３、１４と先端部１５或いは先端部のみを裁断して方形平板状の製品８とする。 - 特許庁

It is preferable that at least one through-hole forming the conductive through-hole is formed by performing a mechanical fabrication or laser fabrication to the ceramic substrate after heat treatment for hardening, or by including a conductor wiring pattern electrically connected to the conductive through-hole.例文帳に追加

導電性貫通孔をなす貫通孔の少なくとも一つが、硬化のための熱処理を行った後のセラミック基板に対して、機械加工またはレーザー加工を行うことで形成されたものであったり、セラミック基板の少なくとも一方の主面に、導電性貫通孔と電気的に接続された導体配線パターンを備えたりすることが好ましい。 - 特許庁

The optical module 100 includes: a ceramic housing 10 having a base 12 and a frame 14 installed on the base; an optical element 30 provided inside the frame; a housing cover member 40 made of a transparent substrate; and a lens-attached connector 50 installed so that a lens is arranged in the upper part of the housing.例文帳に追加

本発明に係る光モジュール１００は、ベース部１２と、当該ベース部上に設けられた枠部１４とを有し、セラミックスからなる筐体１０と、前記枠部の内側に設けられている光素子３０と、透明基板からなる前記筐体の蓋部材４０と、前記筐体の上方にレンズが配置されるように設けられたレンズ付コネクタ５０と、を含む。 - 特許庁

To provide a ceramic substrate for devices for manufacturing and inspecting of semiconductor that has volume resistivity of at least 108 Ω.cm at high temperatures and also can secure thermal conductivity of at least 60 W/m.K at high temperatures, and further can assure shielding properties, large amount of radiant heat, and measurement accuracy by a thermo viewer.例文帳に追加

高温時での体積抵抗率が少なくとも１０^8 Ω・ｃｍ以上で、しかも高温時の熱伝導率として６０Ｗ／ｍ・ｋ以上を確保することができ、更には隠蔽性、大輻射熱量、および、サーモビュアによる測定精度を保証することができる半導体製造・検査装置用セラミック基板を提供すること。 - 特許庁

In the process for producing a multilayer ceramic substrate by sintering a multilayer sheet body formed by laying a plurality of green sheets in layers, the multilayer sheet body before sintering has the basic shape of two-dimensional plane, i.e. a square shape formed by cutting four corners of a square shape.例文帳に追加

複数枚のセラミックグリーンシートを積層することにより形成されたシート積層体物を焼成してなる積層セラミック基板の製造方法であって、該方法は、焼成前のシート積層体物の形状を、２次元平面の基本形状である四角形状に対して、四角形状の四隅部分を切り欠いて形成したような角欠き形状として構成される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor chip 1, a stud bump 3 formed on the chip 1, an insulative resist film 4 as an insulative supporting thin film formed on the chip 1 so as to surround the bump 3, and a ceramic substrate 5 with a metal terminal 6 fixed to the chip 1 through the bump 3 by a ultrasonic bonding.例文帳に追加

半導体チップ１と、半導体チップ１に形成されたスタッドバンプ３と、このスタッドバンプ３を取り囲むように、半導体チップ１上に形成した絶縁性支持薄膜である絶縁性レジスト膜４と、スタットバンプ３を介して半導体チップ１と超音波接合で固着された金属端子６付きセラミック基板５とで構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein breakdown of a semiconductor element by thermal stress is prevented effectively, and primary packaging reliability and secondary packaging reliability can be ensured simultaneously in a semiconductor device in which a semiconductor element, especially a semiconductor element which uses silicon as semiconductor material is mounted on a wiring board having a ceramic insulating substrate, and to provide its packaging structure.例文帳に追加

半導体素子、特にシリコンを半導体材料として用いた半導体素子がセラミック絶縁基板を有する配線基板上に搭載された半導体装置において、熱応力による半導体素子の破壊が有効に防止され、１次実装信頼性と、２次実装信頼性とを同時に確保できる半導体装置とその実装構造を提供する。 - 特許庁

A ceramic substrate 1 comprising metal elements, in which Ti occupies not less than 20 mol% thereof, comprises a wiring conductive layer having a consecutive lamination of a contact metal layer 2 consisting of Cr or Ta2N, a diffusion preventing layer 3 consisting of one selected from Cr, Pd, Pt, Ni, Ni-Cr, Ti and Ti-W, and a main conductive layer 4 consisting of Au or Cu.例文帳に追加

含有された金属元素のうち２０ｍｏｌ％以上がＴｉであるセラミック基板１上に、ＣｒまたはＴａ_2Ｎからなる密着金属層２、Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔｉ−Ｗのうちのいずれか１種からなる拡散防止層３、ＡｕまたはＣｕからなる主導体層４が順次積層されて成る配線導体層が形成されている。 - 特許庁

A ceramic substrate 32, at least one side (selected from front side and rear side) of which is integrated with a thin metallic film 2, is positioned inside and outside a cavity 38 of transfer molds so that the thin metallic film 2 is at positions where the top mold 30 and bottom mold 31 come into contact with each other.例文帳に追加

セラミック基板(32)の周囲で、かつ表面側及び裏面側から選ばれる少なくとも一方の面に一体化した金属薄膜(2)を備えた前記セラミック基板を、トランスファーモールド金型のキャビティ(38)の内部と外部とにまたがって配置するとともに、前記金型の上金型(30)と下金型(31)とが当接する位置に前記金属薄膜(2)を配置する。 - 特許庁

To provide an electrically and mechanically stable laminated ceramic electronic part by preventing variations in composition due to diffusion of constitutive elements, warping, delamination and deterioration of strength of a substrate due to difference of thermal expansion coefficient or sintering behavior among the layers when burning a laminate made of different composite layers, and its manufacturing method.例文帳に追加

異なる組成を有する材料を積層して焼成するときに起こる構成元素の拡散による組成変動と、熱膨張係数や焼結挙動の違いによる基板の反り、層間剥離、機械的強度の低下を抑制して電気的、機械的に安定な積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The thermal conductivity detector is configured to detect a thermal conductivity of a gas, on the basis of a resistance value change in a filament arising from a contact of the gas with the heated filament, wherein the filament and a diffusion means for diffusing the gas are disposed in a gas channel formed in a ceramic substrate.例文帳に追加

加熱されたフィラメントにガスが接することにより発生するフィラメントの抵抗値の変化に基づきガスの熱伝導度を検出するように構成された熱伝導度検出器であって、前記フィラメントおよび前記ガスを拡散する拡散手段がセラミック基板に形成されたガス流路内に設けられていることを特徴とするもの。 - 特許庁

In the circuit board, at least a metal circuit layer principally comprising Cu out of the metal circuit layer and a heat dissipation layer is bonded onto a ceramic substrate through a solder material comprising 6.0-60% of Sn, 2.0-9.5% of at least one kind of Ti, Nb, Hf and Zr, and the remainder of Cu and not containing Ag.例文帳に追加

本回路基板はセラミック基板上にＣｕを主成分とした金属回路層及び放熱層のうちの少なくとも金属回路層がろう材によって各々接合されており、上記ろう材は、６．０〜６０％のＳｎ、２．０〜９．５％のＴｉ、Ｎｂ、Ｈｆ及びＺｒのうちの少なくとも１種、及び残部Ｃｕとからなり、Ａｇを含有しない。 - 特許庁

This solventless photo-curing conductor paste is used for forming a conductor film on a ceramic substrate such as a green sheet, and prepared by mixing an organic vehicle containing a photo-polymerizing compound and a phtopolymerization starting agent with a conductor forming powder material mainly containing conductive powder, and does not substantially contain any solvent.例文帳に追加

本発明のペーストは、グリーンシート等のセラミック基材に導体膜を形成するためのものであって、光重合性化合物および光重合開始剤を含有する有機ビヒクルと、導電性粉末を主体とする導体形成用粉末材料とを混合してなり、実質的に溶剤を含有しない無溶剤型光硬化性導体ペーストである。 - 特許庁

In a support container 10 for supporting a ceramic substrate 21, a flat body 12 is provided integrally or separately inside an outer frame 11, a coolant supply pipe 14 is fixed to the flat body 12, and at the same time an opening 20 is formed in the flat body 12 around the coolant supply pipe 14.例文帳に追加

セラミック基板２１を支持する支持容器１０であって、外枠１１の内側に板状体１２が一体又は別個に設けられ、前記板状体１２に冷媒供給管１４が固定されるとともに、前記冷媒供給管１４の周囲の板状体１２に開口２０が形成されていることを特徴とする支持容器。 - 特許庁

To provide a chuck top for a wafer prober using a ceramic substrate which is capable of preventing a malfunction of a integrated circuit caused by noise by removing noise occurring from a resistance heating element or the like, and correctly determining if the integrated circuit or the like is nor mally operating by a continuity test.例文帳に追加

セラミック基板を用いたウエハプローバ用チャックトップにおいて抵抗発熱体等から発生するノイズを除去することにより、ノイズに起因する集積回路の誤動作を防止するとともに、導通テストにより集積回路等が正常に動作しているか否かについて、正確な判定を行うことができるウエハプローバ用チャックトップを提供すること。 - 特許庁

Thus, the number of times of baking is lessened one time less than that in conventional method, and also the thick resistor 22 can be printed, bringing a screen mask closer to the surface of the ceramic substrate 21 than conventional one at printing of the thick resistor 22, the thickness of the thick resistor 22 can be stabilized, and the dispersion of a resistance value is lessened.例文帳に追加

このようにすれば、焼成回数を従来よりも１回少なくできると共に、厚膜抵抗体２２の印刷時にスクリーンマスクを従来よりセラミック基板２１の表面に近付けて厚膜抵抗体２２を印刷することができ、厚膜抵抗体２２の印刷膜厚を安定させることができて、抵抗値のばらつきを少なくすることができる。 - 特許庁

A cooling member 5 wherein an electronic cooling element 5e is arranged between the ceramic substrates 5b, 5c is brazed to the inner side of a hole 1a of a frame-like substrate 1.例文帳に追加

上面側のセラミック基板５ｂの上面に光半導体素子４を載置し、下面側のセラミック基板の下面を外部に露出させ、少なくとも一方のセラミック基板の側面にメタライズ層５ｄを設け、これらセラミック基板の間に電子冷却素子５ｅを配設した冷却部材５を、枠状の基体１の孔部１ａの内側にロウ付けした光半導体素子収納用パッケージである。 - 特許庁

As a circuit layer 7, a clad material obtained by laminating two or more layers including a first layer 11 composing an electronic component mounting surface 7a where the purity of aluminum is 99.0-99.95 mass%, and a second layer 12 where the purity of aluminum is 99.99 mass% or higher is used, and the second layer 12 is bonded to a ceramic substrate by brazing.例文帳に追加

回路層７として、電子部品搭載面７ａを構成するアルミニウム純度が質量％で９９．０％以上９９．９５％以下の第１層１１と、アルミニウム純度９９．９９％以上の第２層１２とを含む２以上の層を積層してなるクラッド材を用い、その第２層１２をセラミックス基板３にろう付けにより接合する。 - 特許庁

The electrode for electrolysis is formed by the steps of: preparing a substrate mainly made from an electroconductive ceramic which contains any one or more elements of titanium nitride, titanium boride, zirconium nitride and zirconium boride; adding a metal catalyst which contains ruthenium singly or a ruthenium-containing alloy as a main component, and/or an oxide catalyst made from ruthenium oxide; and sintering the mixture.例文帳に追加

本発明の電気分解用電極は、窒化チタン、ホウ化チタン、窒化ジルコニウム、ホウ化ジルコニウムのいずれか１種又はこれらを主成分とする導電性セラミックスからなる基材に、ルテニウム単体又はルテニウムを主成分とする合金からなる金属触媒、及び／又は、ルテニウム酸化物からなる酸化物触媒を添加したものを焼結することにより形成される。 - 特許庁

The light emitting device 100 includes an LED chip 60 formed on a ceramic substrate 10 and a seal for embedding the LED chip 60, wherein the seal contains a fluorescent-substance and it is separated into a first fluorescent-substance-containing resin layer 40 and a second fluorescent-substance-containing resin layer 50 by a first resin ring 20 and a second resin ring 30.例文帳に追加

本発明に係る発光装置１００は、セラミック基板１０上に形成されたＬＥＤチップ６０と、ＬＥＤチップ６０を埋め込む封止体とを備えており、封止体は蛍光体を含有し、第１樹脂リング２０および第２樹脂リング３０によって第１蛍光体含有樹脂層４０および第２蛍光体含有樹脂層５０に分離されている。 - 特許庁

Electro-migration is effectively eliminated by providing a buffer zone for reducing an electric field arising between two silver conductors 10, 20 formed on a flat ceramic surface by means of an upward vertical barrier 16 formed on the surface of a substrate or a groove formed on the surface to reduce the speed of particle migration such as silver electro-migration to almost zero.例文帳に追加

平坦なセラミック表面上に形成された２つの銀導体１０，２０の導体間で、基板表面上に形成された上方に垂直な障壁１６、または表面内に形成された溝によって、導体間に生じる電界を低減させるバッファ・ゾーンを設けて、銀エレクトロマイグレーションなどの粒子マイグレーション速度をほぼゼロとすることにより、エレクトロマイグレーションを効果的に抑制する。 - 特許庁

The in-plane distribution of the heat characteristics of the metal/ceramic bonded substrate is measured by measuring the plane distribution of transient temperature time change generated by radiating the high output laser pulse of the output of 100 W or more and the pulse length of 10-500 milliseconds so as to be exposed to the entire main surface of a subject, with a high speed infrared camera of the sampling rate of 0.01 second or lower.例文帳に追加

出力１００Ｗ以上、パルス長１０〜５００ミリ秒の高出力レーザーパルスを被検体の一つの主面全体にあたるように照射することで生じた、過渡的な温度の時間変化の面分布をサンプリングレート０．０１秒以下の高速赤外線カメラにより計測することで、金属／セラミックス接合基板の熱特性の面分布を測定する。 - 特許庁

A real-time clock module 100 includes: a ceramic multilayer substrate 105 which has a cavity 110a having an opening turned upward in a mounting state and a down cavity 110b having an opening turned downward in the mounting state; and a full solid secondary battery 10 and a real-time clock IC 101 which are mounted in the cavity 110a and the down cavity 110b respectively and are sealed by sealing members 104 and 108.例文帳に追加

リアルタイムクロックモジュール１００は、実装状態で開口部が上向きとなるキャビティ１１０ａと開口部が下向きとなるダウンキャビティ１１０ｂとを有するセラミック多層基板１０５と、キャビティ１１０ａおよびダウンキャビティ１１０ｂ内にそれぞれ搭載された全固体二次電池１０およびリアルタイムクロックＩＣ１０１を備え、封止部材１０４、１０８により封止されている。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus for processing a substrate to be processed, a space for plasma excitation and a plasma gas introducing path for the same are separated from each other by a porous medium such as a porous ceramic material, thereby: preventing the plasma excitation in the plasma introducing path; and exciting uniform plasma of high density in a desired plasma excitation space.例文帳に追加

被処理基板を処理するプラズマ処理装置において、プラズマを励起するための空間と、プラズマを励起するためのプラズマガス導入経路を多孔質媒体、たとえば多孔質セラミック材料で分離することにより、前記プラズマガス導入経路でのプラズマの励起を防止して、所望のプラズマ励起空間において高密度かつ均一なプラズマを励起させることが可能とする。 - 特許庁

The surface of the amorphous alumina film 2 formed on a Al2O3-TiC based ceramic substrate 1 is subjected to polishing treatment using a polyester based polishing pad 11 by CMP while supplying cerium oxide slurry to the surface to smooth the surface roughness of the amorphous alumina film 2 to be <1 Å arithmetic average roughness (Ra) and <20 Å maximum height (Ry).例文帳に追加

Ａｌ_2Ｏ_3−ＴｉＣ系セラミック基板１上に成膜したアモルファスアルミナ膜２の表面を酸化セリウムスラリーを供給しながらポリエステル系の研磨パッド１１を用いてＣＭＰによって研磨加工することにで、アモルファスアルミナ膜２の表面粗度を算術平均粗さ（Ｒａ）で１Å未満、最大高さ（Ｒｙ）で２０Å未満と非常に平滑にする。 - 特許庁

In the electrode structure 20 including a conductive layer 30 provided on a ceramic substrate 12, and an electrode 40 fixed to the conductive layer 30, the conductive layer 30 is at least partially porous and has minute recessions and protrusions on a surface making contact with the electrode 40, and the electrode 40 has anchors 46 set in the recessions 31 of the recessions and protrusions on the conductive layer 30.例文帳に追加

セラミックス基材１２上に設けられる導電層３０と、導電層３０に固定される電極４０とを有する電極構造２０において、導電層３０は、少なくとも一部が多孔質であって、電極４０と接触する表面に微細な凹凸を有し、電極４０は、導電層３０の凹凸の凹部３１に入り込んだアンカー部４６を有する。 - 特許庁

This composite dielectric substrate contains the filler comprising a ceramic dielectric powder and a matrix comprising a resin material in which the filler is dispersed, wherein the filler has first and second peaks in its particle size distribution, so that the first peak exists in a range of 0.1-1.0 μm and the second peak is larger than the first peak.例文帳に追加

本発明は、セラミックス誘電体粉末からなるフィラーと、フィラーが分散する樹脂材料からなるマトリックスと、を備える複合誘電体基板であって、フィラーは、粒度分布に第１及び第２の２つのピークを有し、第１のピークは０．１〜１．０μｍの範囲内にあり、かつ第２のピークは第１のピークよりも大きいことを特徴とする複合誘電体基板である。 - 特許庁

The method for producing a ceramic film comprises a step for preparing an article being treated 100 where a substrate is coated with a material containing a composite oxide, and a step for holding the article being treated 100 in a chamber 200 and heat treating it under a specified pressure in treating gas pressurized to 2 atm or above and containing at least an oxidative gas thus crystallizing the material.例文帳に追加

セラミックスの製造方法は、複合酸化物を含む原材料体が基体に塗布された被処理体１００を準備すること、被処理体１００をチャンバ２００内に保持し、２気圧以上に加圧され、かつ少なくとも酸化性ガスを含む処理ガス中において所定圧力で熱処理することにより、原材料体を結晶化させること、を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the semi-conductive nanotube includes at least a process for distributing and arranging the nanotube mixture on a ceramic substrate 2 arranged in a nanotube classification apparatus 1 under an atmosphere 4 of a gas in which oxygen concentration is adjusted and irradiating the mixture with a microwave 8 which is the AC electromagnetic field 28 to selectively destroy or immobilize metallic carbon nanotube contained in the nanotube mixture 3.例文帳に追加

酸素濃度を調整したガス雰囲気４のナノチューブ選別装置１の中に配置したセラミック基板２の上にナノチューブ混合物３を分散配置し、これに交流電磁界２８であるマイクロ波８を放射することで、ナノチューブ混合物３に含まれる金属性のカーボンナノチューブを選択的に破壊あるいは不動化させ、半導体性のナノチューブを得る工程を少なくとも含む。 - 特許庁

Functional chips 106a and 106b having one or more bare chip IC's 108 on ceramic substrates 107 are mounted on a modular board 101, obtained by bonding together a multilayer glass epoxy substrate 103 having a metal layer 104 as circuit wiring and through holes 110 and a metal plate 102 so that the bare chip ICs 108 facing the through holes 110.例文帳に追加

セラミック基板１０７に少なくとも１つ以上のベアチップＩＣ１０８を有する機能チップ１０６ａ、１０６ｂを実装し、これを回路配線としての金属層１０４及び貫通穴１１０を有する多層ガラスエポキシ基板１０３と金属板１０２とを張り合わせたモジュール基板１０１に、ベアチップＩＣ１０８が貫通穴１１０と面するように実装する。 - 特許庁

On the ceramic substrate for semiconductor manufacturing/ inspecting device where a resistance electrical heating element consisting of one or at least two circuits is provided, an external terminal is connected to the end of the circuit, a lead wire in connected to the external terminal, and the connection part between the external terminal and the lead wire is covered with an insulation covering material.例文帳に追加

セラミック基板に、１または２以上の回路からなる抵抗発熱体が配設された半導体製造・検査装置用セラミック基板において、上記回路の端部に外部端子が接続され、上記外部端子にはリード線が接続され、上記外部端子とリード線との接続部分は、絶縁性被覆材で被覆されてなることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。 - 特許庁

To provide a ceramic substrate which has an improved sintering property, can prevent curvature and the deterioration of heat conductivity at high temperature, has a low heat capacity, can give a practically uniform temperature distribution to a wafer-loading surface, can prevent the breakage or the like of a semiconductor wafer caused by the ununiformity of temperature on the wafer-loading surface, and is used for an instrument for producing or inspecting semiconductors.例文帳に追加

焼結性を向上させて高温時の反りや熱伝導率の低下を防止し、さらに、熱容量を低下させて、実用的に均一な温度分布をウエハ載置面に与え、半導体ウエハ等の被加熱物をこのセラミック基板に載置した際に、ウエハ載置面の温度の不均一性に起因する破損等を防止することができる半導体製造・検査装置用セラミック基板を提供する。 - 特許庁

A surface layer containing alginic acid or a resin-based adhesive is formed on the substrate surface comprising wood, paper, cotton, fiber, resin, stone, metal, nonferrous metal, glass, ceramic, plastic, processed goods thereof, combination thereof, laminate thereof, woven fabric thereof, nonwoven fabric thereof or a part or whole thereof, and a surface layer containing apatite is formed thereon.例文帳に追加

木、紙、綿、繊維、樹脂、石、金属、非鉄金属、ガラス、セラミックス、プラスチック又は、それらの加工品、それらの組合せ、それらの積層体、それらの織物、それらの不織布、若しくは、それらの一部又は全部を含有してなる基材表面に、アルギン酸又は樹脂系接着剤を含有してなる表面層が形成され、更にその上にアパタイトを含有する表面層を形成する。 - 特許庁

In the circuit board, wherein a metal circuit board is formed on one face of a ceramic substrate, and a metal heat dissipating board is formed on the other face, the thickness T1 of the metal heat dissipating board 4 is thicker than the thickness T2 of the metal circuit board 3, and at least one or more slits 6 are formed at the metal heat dissipating board 4 in the thickness direction.例文帳に追加

セラミックス基板の一方の面に金属回路板が形成され、他方の面に金属放熱板が形成された回路基板であって、前記金属放熱板４の厚みＴ１が前記金属回路板３の厚みＴ２よりも大きく、かつ前記金属放熱板４に少なくとも一つ以上のスリット６が厚さ方向に形成されているセラミックス回路基板。 - 特許庁

When an insulating layer 5 as the protecting film for the heating element 8 constituted of a heating resistance layer 3 and a wiring electrode 4 layered on an Si substrate 1 is formed by a dry film formation method such as CVD with the use of ceramic aluminum nitride which shows the crystal orientation dependency of a thermal conductivity, the thermal conductivity is made anisotropic by orienting and forming thin the film by an electronic shower method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に積層する発熱抵抗層３と配線電極４で構成される発熱素子８の保護膜としての絶縁層５を、熱伝導率の結晶方向依存性を示すセラミックス窒化アルミニウムを用いてＣＶＤ等の乾式成膜法で成膜する際に、電子シャワー法により配向薄膜化して熱伝導率に異方性をもたせる。 - 特許庁