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device arrayの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5973



例文

The packet transmission device 5 includes a packet arranging means 51 of arranging an array of packet signals arranged at equal intervals in slots, a protective encoding means 53 of encoding packets by an error correction code system predetermined for the slot, and a mapping means 57 of mapping the encoded packets on a modulation axis of a carrier.例文帳に追加

パケット送信装置5は、等間隔に配置されたパケット信号列をスロットに配置するパケット配置手段51と、パケットをスロットに定められた誤り訂正符号方式により符号化する誤り保護符号化手段53と、符号化された符号化パケットを搬送波の変調軸上にマッピングするマッピング手段57と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A converter 53 applies arithmetic processing to a signal from each energy conversion device in the unit of a sensor block 52 comprising a prescribed number of adjacent energy conversion devices among a plurality of energy conversion devices to generate a plurality of conversion signals in processing signals obtained from a sensor array 51 including a plurality of the energy conversion devices.例文帳に追加

複数のエネルギ変換素子を含むセンサアレイ51より得られる信号を処理するにおいて、変換器53は、上記複数のエネルギ変換素子において隣接する所定数のエネルギ変換素子からなるセンサブロック52を単位として、各エネルギ変換素子からの信号に演算処理を施して複数の変換信号を生成する。 - 特許庁

At the time of initialization, configuration data prepared for all areas of the configuration memory (RAM) 153 built in the field programmable gate array(FPGA) 150 and previously stored in a file storage device 140 are downloaded to the RAM 153 through a system memory 120 and then only configuration data necessary for data processing are downloaded to a part of the RAM 143.例文帳に追加

初期化時に、ファイル記憶装置140に予め格納されているフィールド・プログラマブル・ゲートアレイ(FPGA)150内のコンフィグレーション用メモリ(RAM)153全領域分のコンフィグレーション・データを、システムメモリ120を介してRAM153にダウンロードし、その後、データ処理に必要なコンフィグレーション・データのみをRAM153の一部にダウンロードする。 - 特許庁

To provide a droplet discharge head capable of reducing a manufacturing cost for the droplet discharge head by making pitch units between nozzles equal to array pitch units such as filter elements and picture pixels by using an existing, commonly distributed droplet discharge head, and to provide a droplet discharge device, and a pattern forming base manufacturing method.例文帳に追加

一般に流通している既存の液滴吐出ヘッドを用いて、ノズル間ピッチ単位をフィルタエレメントや絵素ピクセル等の配列ピッチ単位と等しくなるようにして液滴吐出ヘッドの製作コストの低減を図ることができる液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置及びパターン形成基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

例文

This manufacturing method for the electrooptical device includes a forming process for forming a pattern including wires, TFTs, etc., on the TFT array substrate, a process for flattening the top surface of a laminated body on the substrate including the pattern, and a process for forming the projections by processing the flattened top surface by photolithography and etching.例文帳に追加

このような電気光学装置の製造方法は、TFTアレイ基板上に、配線やTFT等を含むパターンを形成する形成工程と、このパターンを含む基板上の積層体の上面を平坦化する工程と、この平坦化された上面に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを行うことにより、凸部を形成する工程とを含む。 - 特許庁


例文

The optical signal measuring device is equipped with a wavelength dispersion element of diffractive grating and the like dispersing optical signal of a measuring object for each wavelength and a PDA (photodiode array) 21 receiving light dispersed for each wavelength by the wavelength dispersion element, at a plurality of PD (photodiode) 21a to 21d arranged in the dispersive direction of the wavelength dispersion element.例文帳に追加

光信号測定装置は、測定対象の光信号を波長毎に分散させる回折格子等の波長分散素子と、波長分散素子で波長毎に分散された光を、波長分散素子の分散方向に配列された複数のPD(フォトダイオード)21a〜21dで受光するPDA(フォトダイオードアレイ)21とを備える。 - 特許庁

The information input device comprises a body part 101 having an array of operation elements 11 operable for information input, and a support part 102 mounted with the body part 101 to support the body part 101 for sliding motion in a depth direction and to tilt the body part 101 as lifting the back of the body part when the body part 101 is slid in the depth direction.例文帳に追加

情報入力操作用の操作子11が配置された本体部101と、本体部101が載置されてその本体部101を奥行き方向にスライド自在に支持し、本体部101を奥行き方向にスライドさせたときに、本体部101を、本体部奥側が持ち上がるように傾動させる支持部102とを備えた。 - 特許庁

The electro-optical device includes , on a TFT array substrate 10, a pixel electrode, a TFT 30 connected thereto, light shielding layers 73, 6a covering at least a channel region of the TFT, and light absorbing layers 72, 71a which are arranged between the light shielding layers and the TFT and are made principally from a main material for forming the channel region.例文帳に追加

電気光学装置は、TFTアレイ基板10上に、画素電極と、これに接続されたTFT30と、このTFTの少なくともチャネル領域を覆う遮光層73、6aと、この遮光層とTFTとの間に配置されておりチャネル領域を形成する主材料を主材とする光吸収層72、71aとを備える。 - 特許庁

To provide a light condensing element capable of forming a spot with high contrast as in a case of using a coherent light source when diffracting emission light from a light emitting element by a hologram element and condensing on an exposed surface, irrespective of whether or not the light emitting element is a coherent light source, and to provide a light condensing element array, an exposure device and an image forming apparatus.例文帳に追加

発光素子が可干渉性光源か否かに拘わらず、発光素子からの射出光をホログラム素子で回折して被露光面に集光した場合に、可干渉性光源を用いた場合と同様にコントラストの高いスポットを形成することができる集光素子、集光素子アレイ、露光装置及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

例文

This tissue array preparation device using at least one donor block 2 including an examination tissue 3 and a sample support 22 wherein one labeled tissue fragment of the examination tissue 3 is arranged, and having a constitution including a hollow needle 5 for collecting a sample from the examination tissue 3 has a sighting device 12 for positioning the hollow needle 5 over the donor block 2.例文帳に追加

被検組織(3)を含む少なくとも1つの供与体ブロック(2)と、該被検組織(3)の標識された1つの組織断片が配される試料支持体(22)とを用いると共に、該被検組織(3)から試料を採取するための中空ニードル(5)を含んで構成される、組織アレイの作製装置において、前記供与体ブロック(2)の上方において前記中空ニードル(5)を位置決めするために、照準装置(12)を有することを特徴とする。 - 特許庁

例文

A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array. 例文帳に追加

第1のMIS素子(Qw11)と、第1のMIS素子(Qw11)のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第1のMIS素子(Qw11)の上に積み重ね形成された第2のMIS素子(QR11)と、この第2のMIS素子(QR11)のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ(Cs11)とを有したメモリセル(C11)をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第1のMIS素子(Qw11)のドレインを第2のMIS素子(QR11)のドレインと電気的に結合して、……、データ線(D1)をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線(S1)及びワード線(W1)に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁

In a semiconductor device where a large-scale pixel array is made by planarly laminating plural sheets of semiconductor chips 16 having pixel arrays which is manufactured using semiconductor films made on insulating substrates 11 for the semiconductor film near the boundary face of the above lamination, the treatment of inactivating the property of the semiconductor is applied to it before the semiconductor chip 15 is cut out.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された半導体薄膜を用いて製造した画素アレーを有する半導体チップを複数枚平面的に貼合せて大規模画素アレーを形成する半導体装置において、前記貼合せ境界面近傍の半導体薄膜は、前記半導体チップが切出される前に前記半導体の性質を不活性化する処理が施されていることを特徴とする。 - 特許庁

The erasion operation control device 10 of a flash memory is provided with a common discharge circuit section 20 connecting electrically and directly at least one out of a source part CSL, a drain part CBL, and a substrate part CWL constituting respective cell MC00-MCmn constituting a cell array 9 of a flash memory circuit, and a gate part WL during erasion operation in the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリ回路のセルアレイ9を構成するそれぞれのセルMC00〜MCmnを構成するソース部CSL、ドレイン部CBL及び基板部CWLの少なくとも一つと、ゲート部WLとを当該フラッシュメモリに於ける消去動作中に電気的に直接接続させる共通放電回路部20が設けられているフラッシュメモリの消去動作制御装置10。 - 特許庁

This two-dimensional array machining device is provided with a main spindle fixing the workpiece to its end and rotating controllably a rotating angle, a moving mechanisms attached to except for the main spindle and moving the workpiece in two directions orthogonal to the axial direction of the rotary shaft of the main spindle, and a machining means relatively moving to the rotary shaft of the main spindle and machining the workpiece.例文帳に追加

本発明の2次元アレイ加工装置は、加工物を端部に固定し、回転角度の制御可能な回転する主軸と、主軸外に取り付けられ、主軸の回転軸の軸方向に対して直交する2方向に加工物を移動させる移動機構と、主軸の回転軸に対して相対的に移動し、加工物の加工を行う加工手段とを有する。 - 特許庁

To implement more efficient power saving control of a disk array device by shortening the time in which physical disks are switched to a power saving mode on completion of tasks in host devices and the time in which the physical disks in the power saving mode are returned to "operation" at an I/O command from the host devices to the physical disks, and preventing unnecessary power saving mode cancellation.例文帳に追加

ディスクアレイ装置の省電力制御において、上位装置の業務完了から物理ディスクが省電力モードに切り替わるまで、および省電力モードの物理ディスクに対して上位装置のI/O指示が生じてから物理ディスクを「動作中」へ戻すまでの時間を短縮し、さらに、不必要な省電力モード解除を防止して、より効率的な省電力制御を実行する。 - 特許庁

The fuel/oxidant premixing device 102 includes an annular array of Coanda profiled fuel injected airfoils 106 configured to receive a fluid stream containing an oxidant, wherein each one of the airfoils comprises a leading edge 120, a trailing edge 122 and a fuel injection opening 124 configured for introducing fuel 32 to produce a Coanda effect around the leading edge 120.例文帳に追加

本燃料/酸化剤予混合装置(102)は、酸化剤を含む流体ストリーム(20)を受けるように構成されたコアンダ輪郭燃料噴射翼形部(106)の環状配列を含み、翼形部の各1つは、前縁(120)と、後縁(120)と、前縁(120)の周りにコアンダ効果を生じさせるように燃料(32)を導入するように構成された燃料噴射開口部(124)とを含む。 - 特許庁

To provide a condensing element capable of improving the light utilization efficiency by forming a large hologram element irrespective of a spreading angle of reference light, when condensing light on the surface to be exposed by diffracting the read-out light emitted from a light-emitting element, and also capable of extending an operating distance; to provide a condensing element array; and to provide an exposure device and image forming apparatus.例文帳に追加

発光素子から射出された読み出し光をホログラム素子で回折して被露光面に集光する場合に、参照光の拡がり角に拘わらず大きなホログラム素子の形成を可能として、光利用効率を向上させると共に、作動距離を長くすることができる集光素子、集光素子アレイ、露光装置及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

An exposure device is provided with a luminous matter array constituted of at least an anode layer 3, a cathode layer 6 and a plurality of luminous elements formed of one or a plurality of organic compound layers 7 clamped between the anode layer and the cathode layer and formed on a base 1, and quantities of light emitted by respective luminous elements are uniformized by the adjustment of light emitting characteristics of respective luminous elements.例文帳に追加

基板上1に、少なくとも陽極層3及び陰極層6と、これらの間に挟持された一層または複数層の有機化合物層7より構成される発光素子が複数配列された発光体アレイを有する露光装置であって、各発光素子の発光特性の調整により各発光素子の発光光量が均一化されている露光装置。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array with a plurality of blocks each being the erasing unit; a ready/busy control circuit that outputs a busy signal when an internal operation is being done to the blocks; and a control unit that registers the blocks as defective blocks when the ready/busy control circuit outputs the busy signal in receiving an input of a bad block command.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、消去単位であるブロックを複数有するメモリセルアレイと、ブロックに対する内部動作の実行期間中は、ビジー信号を出力するレディ/ビジー制御回路と、バッドブロックコマンドの入力を受けた時に、レディ/ビジー制御回路がビジー信号を出力している場合は、ブロックを不良ブロックとして登録する制御部と、を具備する。 - 特許庁

An I/C control part of the disk array subsystem divides write data received from a host device into partial data of data duplication units, determines whether data corresponding to the partial data are duplicated in the second volume or not, reads out the partial data and the data corresponding thereto from the first volume, when determined not to be duplicated, and determines whether the data matches the partial data or not.例文帳に追加

ディスクアレイ・サブシステムのI/O制御部は、上位装置から受信したライトデータをデータ複製の単位の部分データに分割し、その部分データに対応するデータが第2のボリュームに複製されているか否かを判断し、複製されていないと判断した場合、部分データと対応するデータを第1のボリュームから読み出し、当該データが部分データと一致するか否かを判断する。 - 特許庁

The array substrate for the lateral type liquid crystal display device is manufactured through four-mask steps: in a structure wherein a semiconductor layer is exposed at both sides of a data line, a first blocking pattern which blocks light is formed under the semiconductor layer, and second blocking pattern which blocks influence of the semiconductor layer is formed over the data line, while being brought into contact with the data line.例文帳に追加

横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、4マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、半導体層の下部に光を遮断する第1遮断パターンを構成して、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第2遮断パターンを構成する。 - 特許庁

The transmission module 1 of the active phased array antenna device in the radar system includes a dual-mode traveling-wave tube 3 which amplifies an inputted excitation signal and outputs it to an antenna, and a control circuit 2 which performs control to switch the driving voltage impressed on the dual-mode traveling-wave tube 3 over to the voltage corresponding to a radar mode action and an interference mode action.例文帳に追加

レーダシステムにおけるアクティブフェーズドアレイアンテナ装置の送信モジュール1であって、入力される励振信号を増幅してアンテナへ出力するデュアルモード進行波管3と、このデュアルモード進行波管3に対して印加する駆動電圧を、レーダモード動作と妨害モード動作に対応した電圧に切替制御する制御回路2とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the LED irradiation device 1 which is equipped with LEDs 6 for irradiating ultraviolet rays and cures the ink by illuminating the ink printed on a recording medium with ultraviolet rays by the LEDs 6, a plurality of the LEDs 6 are arranged on a substrate 8 in an array in a feed direction so that a peak illuminance becomes almost flat continuously in the feed direction of the recording medium.例文帳に追加

紫外線を照射するLED6を備え、このLED6によって記録媒体に印刷したインクに紫外線を照射し、インクを硬化させるLED照射装置1において、基板8上に、記録媒体の送り方向においてピーク照度が連続して略平坦となるように、複数のLED6を送り方向に列に配置する構成とする。 - 特許庁

The array sensor device 1 reads out a differential signal of sensor outputs from a voltage-to-current converter 4 alternatively to a first read-out circuit 11 and a second read-out circuit 12 with alternatively changing between a sensor element Pn connected to a first input terminal In+ and a sensor element Pn connected to a second input terminal In- of the voltage-to-current converter 4 in order per read-out processing.例文帳に追加

アレイセンサ装置1は、読出処理ごとに、電圧電流変換器4における第1の入力端In+に接続されるセンサ要素Pnと第2の入力端In−に接続されるセンサ要素Pnとを交互に順次変化させながら、電圧電流変換器4から出力される両センサ出力の差分信号を第1読出回路11と第2読出回路12に交互に読み出す。 - 特許庁

The flash memory device includes: a memory cell array having memory cells arrayed on word lines and bit lines; a voltage generating circuit constituted so as to generate a program voltage to be applied to a selected word line; a program voltage controller constituted so as to variably control a start level of the program voltage to be applied to remaining pages of each word line by a programming characteristic of the first page of each word line.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置はワードラインとビットラインに配列されたメモリセルを有するメモリセルアレイと、選択されたワードラインに印加されるプログラム電圧を発生するよう構成される電圧発生回路と、各ワードラインの一番目のページのプログラム特性により、各ワードラインの残りのページに適用されるプログラム電圧の開始レベルを可変制御するよう構成されるプログラム電圧制御器を含む。 - 特許庁

A device includes one microphone array composed of a plurality of microphones, a plurality of frequency area converting units, a process target signal producing unit, a direct/reverberant sound ratio estimating unit, an object signal adjusting unit, and a reverse frequency area converting unit, wherein the process target signal producing unit produces a process target signal by combining signals of a frequency area outputted by the plurality of frequency area converting units.例文帳に追加

複数のマイクロホンから成る1個のマイクロホンアレーと、複数の周波数領域変換部と、処理対象信号生成部と、直間比推定部と、対象信号調整部と、逆周波数領域変換部とを備え、処理対象信号生成部は、複数の周波数領域変換部の出力する周波数領域の信号を合成して処理対象信号を生成する。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a memory cell array MA having memory cells MC arranged therein at respective intersections between bit lines BL and word lines WL, a plurality of memory blocks 1 in which the memory cell arrays MA are laminated, and a control circuit configured to apply a voltage to a selected memory cell MC positioned at an intersection between the selected bit line BL and the selected word line WL so that a certain potential difference is applied thereto.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルMCがビット線BL及びワード線WLの交差部に配置されたメモリセルアレイMAと、メモリセルアレイMAが積層された複数のメモリブロック1と、選択ビット線BL及び選択ワード線WLの交差部に配置された選択メモリセルMCに所定の電位差がかかるよう電圧を印加する制御回路とを備える。 - 特許庁

DC power is obtained from microwaves emitted from an opening 1b in a waveguide by a microwave conversion means (for example, a rectenna array 2) arranged in a heating chamber 1a in the high-frequency heating device (microwave oven 1), and the DC power is stored by a DC power storage means (for example, a charger 3) arranged inside or outside the heating chamber 1a.例文帳に追加

高周波加熱装置(電子レンジ1)の加熱室1a内に配設されたマイクロ波変換手段(例えばレクテナアレイ2)によって、導波管の開口部1bから照射されるマイクロ波から直流電力を得て、加熱室1a内或いは加熱室1a外に配設された直流電力蓄電手段(例えば充電装置3)によって、その直流電力を蓄電することを特徴とする。 - 特許庁

When system constitution is changed due to a change in a host computer to be connected and initialization is required in a disk array device 10 capable of connecting plural host computers 8-1 to 8-3 or data shared for respective host computers are changed, a disk area to be a copy destination is found out on the basis of management information 30 and master data are copied.例文帳に追加

複数のホスト計算機8−1〜8−3を接続可能なディスクアレイ装置10において、接続されるホスト計算機の変更によりシステム構成に変更が生じ初期設定が必要な場合、または、各ホスト計算機で共通に利用されるデータに変更が生じた場合、管理情報30に基づいて複写先となるディスク領域を求めてマスタデータの複写を行う。 - 特許庁

The TFT array inspection device includes the energy filter for energy-selecting and a secondary electron detector for detecting secondary electrons which pass through the energy filter.例文帳に追加

TFTアレイ基板に駆動信号を供給して駆動し、これによって駆動されたTFTアレイ基板のピクセルに電子線を照射して得られる二次電子をエネルギー選別して検出し、得られた二次電子信号強度によってTFTアレイ基板の欠陥を検出するTFTアレイ検査装置であり、エネルギー選別を行うエネルギーフィルタと、エネルギーフィルタを通過した2次電子を検出する2次電子検出器とを備える。 - 特許庁

The optical frequency distribution device distributes optical signals to a plurality of output ends by demultiplexing an optical frequency multiplex signal in which optical signals in different frequency bands are multiplexed and input in an input end by an optical frequency multiplexer/demultiplexer such as an array waveguide lattice, selecting, multiplexing, and outputting a singular or a plurality by an optical path converter such as an optical matrix switch.例文帳に追加

異なる周波数帯の光信号が多重され入力端に入力した光周波数多重信号を、アレー導波路格子などの光周波数合分波器で分波して、単数あるいは複数を光マトリックススイッチなどの光経路変換器で選択して合波し、出力することで光信号を複数の出力端に分配する光周波数分配装置とする。 - 特許庁

When a first time has passed after the shut-down instruction is made to the data controller 11, a power source control server 14 performs control so that power supply to the data controller 11 is stopped, and when a second time has passed after the lapse of the first time, the power source control server 14 performs control so that power supply to the disk array device 12 is stopped.例文帳に追加

電源制御サーバ14は、データ制御装置11へのシャットダウン指示を行ってから第1の時間が経過したときにデータ制御装置11への電源供給を停止させるように制御するとともに、第1の時間が経過してから更に第2の時間が経過したときにディスクアレイ装置12への電力供給を停止させるように制御する。 - 特許庁

This device consists of a cell array consisting of unit pages, and a plurality of unit page buffers respectively corresponding to the unit pages, and it includes a page buffer for storing data, a selection circuit for selecting one or more unit page buffers to be initialized among the above unit page buffers and a controller for generating a signal to control the page buffer and the selection circuit.例文帳に追加

単位ページからなるセルアレイと、前記単位ページに各々対応する複数の単位ページバッファからなり、データを貯蔵するページバッファと、パーシャルコピーバック動作時、前記単位ページバッファのうち初期化しようとする一つ、またはそれ以上の単位ページバッファを選択する選択回路と、前記ページバッファ及び選択回路を制御する信号を発生する制御装置とを含む。 - 特許庁

This flash memory device includes a cell array including a plurality of memory cells belonging to either of a first region and a second region, and a read-out voltage adjusting part which decides read-out voltage for reading first data stored in the memory cell belonging to the first region while referring to the second data read from the memory cell belonging to the second region.例文帳に追加

本発明によるフラッシュメモリ装置は、第1領域及び第2領域のうち、何れか一つに属する複数のメモリセルを含むセルアレイと、前記第2領域に属するメモリセルから読み出された第2データを参照して前記第1領域に属するメモリセルに格納された第1データを読み出すための読み出し電圧を決める読み出し電圧調整部と、を含む。 - 特許庁

To display an image with uniform brightness irrespective of the surface shape of the display surface in an array type display device of this invention wherein a plurality of arc tubes having phosphor layers inside are arranged, discharge is generated in the plurality of arc tubes for making the phosphor layers in the arc tubes emit light to display an image when image data showing a uniform image is inputted.例文帳に追加

本発明は、内部に蛍光体層を有する複数の発光管を並べておき、それら複数の発光管内部で放電を生じさせて発光管内部の蛍光体層を発光させることにより画像を表示するアレイ型表示装置に関し、一様画像を表わす画像データを入力したとき、表示面の面形状にかかわらず一様な輝度の画像を表示する。 - 特許庁

To provide a matrix array substrate which is used for a plane display device, etc., includes contact holes integrally penetrating gate insulating films and interlayer insulating films and patterns for forming auxiliary capacitors(Cs) to be superposed on scanning lines 11 and is capable of preventing the shorting between pixel electrodes 52 and the scanning line 11 and between the pixel electrodes 52 and preventing the fluctuation in the auxiliary capacitors.例文帳に追加

平面表示装置等に用いられるマトリクスアレイ基板であって、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜を一括して貫くコンタクトホールと、走査線11に重ねられる補助容量(Cs)形成用パターンとを含むものにおいて、画素電極52と走査線11との間や画素電極52間における短絡を防止でき、かつ、補助容量の変動を防止できるものを提供する。 - 特許庁

To provide a toner consumption calculation method where the toner consumption required for image formation can be calculated more accurately than that when calculated based on only the image data, or can be more accurately calculated taking account of at least an array (density) of two or more dots in at least sub-scanning direction, and to provide a toner consumption calculating device and an image forming apparatus having the same.例文帳に追加

画像形成時に消費されるトナーの消費量算出を、画像データだけに基づいて算出した場合よりも精度良く行う、または、少なくとも副走査方向2ドット以上の配列(密集度)を考慮して、精度良く行うことができるトナー消費量算出方法、トナー消費量算出装置、及び、これを備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

This TFT array inspection device 1 extracts the defective data from two-dimensional measuring data, and comprises a searching means 6 for selecting the measuring data assigned to the pixel from the two-dimensional measuring data; a storage means 7 for storing a retrieving result; and an assigning means 8 for assigning the measuring data to an unassigned pixel by referring to the retrieving result.例文帳に追加

TFTアレイ検査装置1は、二次元の測定データから欠陥データを抽出するTFTアレイ検査装置であり、二次元の測定データからピクセルに割り付ける測定データを選択する探索手段6と、探索結果を記憶する記憶手段7と、探索結果を参照して未割り付けのピクセルに測定データを割り付ける割り付け手段8とを備えた構成とする。 - 特許庁

A byte memory cell which constitutes a memory cell array is a semiconductor memory device, which forms a 1-byte memory transistor, arranged long in one direction and of which each junction region and channel region are formed in an active region, and a byte-selecting transistor which is formed in the active region and of which each junction region is directly connected to each junction region of the 1-byte memory transistor.例文帳に追加

メモリセルアレイを構成するバイトメモリセルは、一方向に長く配列されて活性領域にそれぞれの接合領域及びチャンネル領域が形成されている1バイトメモリトランジスタと、活性領域に形成されており、接合領域が1バイトメモリトランジスタにそれぞれの接合領域と直接連結されているバイト選択トランジスタとを含む半導体メモリ装置である。 - 特許庁

The MRE driving device performs calibration of an image formation using MRE driving as a preliminary scanning of MRE pulse sequence in each strain wave in MRE driving converter before scanning and adjusts the actual scanning by obtaining information to properly drive each converter array obtained in the preliminary scanning during MRE scanning thereafter.例文帳に追加

MRE駆動変換器アレイにおけるそれぞれの変換器によって作成された歪み波がMREパルスシーケンスの予備走査としてMRE駆動を利用して画像形成される較正処理が、走査に先立って実行され、その後のMRE走査の間に予備走査で得られたそれぞれの変換器アレイが適切に駆動されるよう情報を取得し本スキャンを調整する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for preparing a firm macrochip 11, a step for preparing an IC chip 10 having an area 13 for mounting the firm macrochip and an area 15 where a gate array is formed, and a step for mounting the firm macrochip 11 in the mounting area 13 of the IC chip 10.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ファームマクロが作り込まれたファームマクロチップ11を準備する工程と、前記ファームマクロチップを搭載するための搭載領域13及びゲートアレイが形成された領域15を有するICチップ10を準備する工程と、前記ICチップ10における搭載領域13に前記ファームマクロチップ11を実装する工程と、を具備するものである。 - 特許庁

The array substrate and the liquid crystal display device with the same have a signal line GL, a 1st insulating film 122 which is formed on the signal line GL, and a pixel electrode 150 which is formed on the 1st insulating film 122 to overlap with the signal line GL and also electrically connected to the signal line to discharge a signal provided from outside through the signal line.例文帳に追加

アレー基板及びこれを有する液晶表示装置において、信号線GL、前記信号線GL上に形成された第1絶縁膜122、前記第1絶縁膜122上に前記信号線GLとオーバーラップされて形成され、外部から提供された信号を、前記信号線を通じて放電させるために前記信号線と電気的に連結される画素電極150を有する。 - 特許庁

The device 80 for inputting energy to a printing ink carrier 10 is equipped with a plurality of individually controllable laser light sources 82 arranged as an array 84 in a modular form by a subarray 86 and further provided with a rotation axis 88 and the ink carrier 10 capable of generating a plurality of image points 810 of the laser light sources on the surface thereof.例文帳に追加

印刷インキ担体10にエネルギーを注入する装置80は、個別に制御可能な複数のレーザ光源82を備えており、このレーザ光源はサブアレイ86でモジュール形式に構成されるアレイ84として配置されており、さらに、回転軸88が付属し、表面にレーザ光源の複数の画点810を生成可能である印刷インキ担体10を備えている。 - 特許庁

The low-heat-contraction silicon-rich silicon-nitride film can be used for forming a spacer in a CMOS device, used as a part of a dielectric stack to prevent short circuit in a densely mounted SRAM array, or used in the BiCMO treatment to form a base nitride layer and/or a nitride spacer for insulating a base from an emitter.例文帳に追加

低熱収支シリコンリッチ窒化ケイ素膜は、CMOS装置にスペーサを形成するために使用することが可能であり、密に実装されたSRAMアレイにおける短絡を防止するために、誘電体スタックの一部として使用することが可能であり、ベースをエミッタから絶縁するベース窒化物層および/または窒化物スペーサを形成するために、BiCMO処理において使用することが可能である。 - 特許庁

The liquid crystal display device 1 is characterized by making a corner part of the light shielding layer 250 have a shape to which stress concentration hardly occurs so as to prevent the light leakage to the outside from the effective display region 102 comprising a liquid crystal layer 410 disposed between the array substrate 200 and the counter substrate 400 or the light entering in the effective display region from the outside.例文帳に追加

この発明の液晶表示装置1は、アレイ基板200と対向基板400との間に液晶層410が設けられている有効表示領域102から外部に光が漏れることあるいは外部から有効表示領域内に光が入ることを阻止するために、遮光層250の角部を応力集中が生じにくい形状としたことを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device of LGA (land grid array) structure, a semiconductor integrated circuit chip is mounted on the substrate surface side, lands composing a signal terminal are located on the substrate back side in grid, and electrodes composing a power source terminal for providing a power source voltage and a ground potential are located on both sides of the substrate, respectively.例文帳に追加

LGA(ランド・グリッド・アレイ)構成からなる半導体集積回路装置において、基板表面側に半導体集積回路チップを搭載し、信号用端子を構成するランドを上記基板裏面側にグリッド状に面配置し、電源電圧及び接地電位を供給するための電源用端子を構成する電極をそれぞれ上記基板側面側に設けるようにする。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes: a plurality of banks; a global I/O commonly arranged for the banks; local I/O arranged at each sub-array in each bank; an IO switch control circuit for connecting the global I/O to the local I/O in response to an IO switch timing signal SWIO; and a timing control circuit for turning on/off the IO switch timing signal.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数のバンクと、複数のバンクに共通に設けられたグローバルI/Oと、複数のバンクの各々において複数のサブアレイ毎に設けられたローカルI/Oと、IOスイッチタイミング信号SWIOに応答してグローバルI/OとローカルI/Oとを接続するIOスイッチ制御回路50と、IOスイッチタイミング信号をON/OFFするタイミング制御回路とを備える。 - 特許庁

This device is provided with a field programmable gate array 11 which is rewritable in on-board state, is provided with a main function as a programmable controller and performs processing to a sequence instruction and a microprocessor 3 which has a network interface function executable parallelly with the operation of the main function of the programmable controller and performs processing to a microprocessor instruction besides a sequence instruction.例文帳に追加

オンボードにて書替え可能であり、プログラマブルコントローラとしての主要機能を備え、シーケンス命令に対する処理を行うフィールドプログラマブルゲートアレイ11と、前記プログラマブルコントローラとしての主要機能の動作と並列的に実行可能なネットワークインタフェース機能を有し、前記シーケンス命令以外のマイクロプロセッサ命令に対する処理を行うマイクロプロセッサ3を備える。 - 特許庁

In the flat display device comprising an array substrate 10 provided with plural pieces of signal lines 8 and scanning lines 11 arranged orthogonal to each other, and pixel electrodes 52 arranged in the neighborhood of the intersections of these signal lines and the scanning lines 11, a distance between the signal lines 8G and the pixel electrodes 52G for green is made shorter than the other distances.例文帳に追加

互いに直交して配置される複数本の信号線8及び走査線11と、この信号線8と走査線11との交点近傍にTFT9を介して配置される画素電極52とを備えたアレイ基板10を含む平面表示装置において、緑色の信号線8Gと画素電極52Gの距離を、他の距離より短くしたものである。 - 特許庁

例文

The semiconductor storage device is provided with a plurality of capacitance elements 130 formed on a semiconductor substrate 100 where the bottom part, side lower electrodes 107, 109, a capacitance insulating film 110, and an upper electrode 111 are formed in this sequence and a third insulating film 112 formed covering a capacitance array region AR where the plurality of capacitance elements 130 are arranged.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板100上に形成され、底部及び側部下部電極107及び109、容量絶縁膜110及び上部電極111がこの順に形成されてなる複数の容量素子130と、複数の容量素子130が配列されたキャパシタアレイ領域ARを覆うように形成された第3の絶縁膜112とを備える。 - 特許庁




  
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