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device arrayの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5973件
The speaker distance detecting device uses the microphone array comprising a plurality of microphones; and a reference microphone is predetermined among the plurality of microphones, differences between the signal level of the reference microphone and signal levels of other microphones are detected based upon the correlation among signals of the respective microphones, and the distance to the speaker is found based upon the detected differences in signal level.例文帳に追加
複数のマイクロホンで構成されるマイクロホンアレイを用いた話者距離検出装置であって、複数のマイクロホンの中から、あらかじめ基準となる基準マイクロホンを決定しておき、基準マイクロホンの信号レベルと、他のマイクロホンの信号レベルとの差を、各マイクロホンにおける信号間の相関に基づいて検出し、検出された信号レベルの差に基づいて、話者までの距離を求める。 - 特許庁
The optical device is obtained by forming a double refractive index layer which contains chiral agent and polymerizable liquid crystal having bar-like molecular shape, and also where the polymerizable liquid crystal is fixed by crosslinking while still forming a cholesteric phase structure where the molecular array thereof is in a planar state on light transmissive base material having a surface formed of glass or silicon oxide.例文帳に追加
ガラス又はケイ素酸化物により形成された面を有する光透過性基材上に、カイラル剤及び分子形状が棒状の重合性液晶を含有していると共に前記重合性液晶の分子配列がプレーナ状態のコレステリック相構造を形成したまま架橋により固定されている複屈折率層を形成して光学素子とすることによって、解決した。 - 特許庁
This disk array device, on which a plurality of physical disks are mounted, is provided with: a response time measuring means for measuring a response time to access to each physical disk; and a performance deterioration determination means for determining the deterioration of the performance of the specific physical disk based on the response time of each physical disk and the response time of the specific physical disk among the plurality of physical disks.例文帳に追加
複数の物理ディスクを装備したディスクアレイ装置であって、各物理ディスクへのアクセスに対する応答時間をそれぞれ計測する応答時間計測手段と、各物理ディスクの応答時間と、複数の物理ディスクのうち特定の物理ディスクの応答時間とに基づいて、当該特定の物理ディスクの性能劣化を判断する性能劣化判断手段と、を備えた。 - 特許庁
To provide a display device which has a multiple-signal line for transmitting a display signal to multiple pixels in one pixel array.例文帳に追加
信号線の入力端子数を減らすことができる表示装置を得ることを目的とし、他の目的は、信号線の入力端子数を減らすことができる表示装置を得ること、データドライバの出力端子数を減らし、あるいは、データドライバICの数を減らすことができる表示装置を得ること、また、高精細の表示装置においても、確実にドライバICと信号線とを接続することが可能な表示装置を得ることである。 - 特許庁
The three-dimensional coded image forming device comprises a three-dimensional code generating means which encodes document identification information for identifying a document 901 with the help of an array pattern of a three-dimensional code 902 having height information and a three-dimensional coded image output means for generating the three-dimensional code formed by the three-dimensional code generating means, on a sheet.例文帳に追加
高さ情報を有する立体符号902の配列パターンにより文書901を識別するための文書識別情報をコード化する立体コード生成手段と、前記立体コード生成手段により形成した立体コードを用紙に生成する立体コード画像出力手段とを有することを特徴とする立体コード画像形成装置を提供する。 - 特許庁
Relating to a memory control device 1 provided with a word line selecting information storing section arranged between a memory cell array 9 and a row decoder 33, a column selecting information storing section 17 arranged between a column selector 39 and a column decoder 37, and a control circuit 19, each selecting information storing section 11, 17 is constituted of sift registers including a selector 23 and a flip-flop 21.例文帳に追加
メモリアレイ9とロウデコーダ33との間に介装されたワード線選択情報記憶部11と、カラムセレクタ39とカラムデコーダ37との間に介装されたカラム選択情報記憶部17と、制御回路19とを備えるメモリ制御装置1において、セレクタ23とフリップフロップ21とを含むシフトレジスタで各選択情報記憶部11,17を構成する。 - 特許庁
This device provides a designed array of the heat transfer tubes and pipelines of a heat storage coil assembly by maintaining a heat storage fluid at almost a desired outlet temperature even in a state where designed ice is formed or excessive blocks of ice are formed by forming at least several vertical passages between adjacent pipelines or pipeline pairs which become the passages of a heat storage medium flowing through a cooling coil.例文帳に追加
本発明は、冷却コイルを通る蓄熱流体の通路となる隣接する管路又は管路対の間に少なくともいくつかの垂直な通路を形成して、設計氷形成状態又は過剰氷塊形成状態でもほぼ所望の出口温度に蓄熱流体を保持して、蓄熱コイルアセンブリの伝熱管及び管路の設計された配列を提供する。 - 特許庁
The semiconductor storage device includes: a memory cell array 11 composed of memory cells 21 arranged in a matrix; an X decoder 12 providing a prescribed voltage to gate terminals of the memory cells 21; a Y decoder 13 providing a prescribed voltage to source and drain terminals of the memory cells 21; and a BIST module performing the test by providing a signal to the X decoder 12 and the Y decoder 13.例文帳に追加
半導体記憶装置は、マトリックス状に配置されたメモリセル21から構成されるメモリセルアレイ11と、メモリセル21のゲート端子を所定の電圧とするXデコーダ12と、メモリセル21のソース端子及びドレイン端子を所定の電圧とするYデコーダ13と、Xデコーダ12及びYデコーダ13に信号を与えて試験を行なうBISTモジュールを有している。 - 特許庁
To provide a prober device capable of forming a vertical type probe assembly into a multi-array structure and capable of solving a thermal expansion problem and a signal wire problem, to allow a probing test or a burn-in test concurrently and collectively in a plurality of chips, when inspecting characteristics of a circuit for a highly dense semiconductor chip or the like, and the probe assembly used therefor.例文帳に追加
本発明は、高密度化される半導体チップなどの回路の特性を検査するにあたり、複数のチップに対し一括して同時にプロービングテスト或いはバーンインテストができるように、垂直型プローブ組立体をマルチ配列構造とするとともに熱膨張問題及び信号配線問題を解決したプローバ装置及びこれに用いるプローブ組立体を提供する。 - 特許庁
Furthermore, since a plurality of element lenses 23a constituting the first lens array 23 have a difference of power between in the direction X and in the direction Y so as to cancel the difference of the light condensed state of the light source device 10, the luminous flux emitted from the first and the second lens arrays 23 and 24 enters a superposing lens 25 or the like in an appropriate convergent state or divergent state.例文帳に追加
さらに、第1レンズアレイ23を構成する複数の要素レンズ23aが、光源装置10の集光状態の差を相殺する傾向となるようにがX方向とY方向とでパワーの差を有するので、第1及び第2レンズアレイ23,24から射出された光束が、適切な収束状態又は発散状態で重畳レンズ25等に入射することになる。 - 特許庁
The traveling object detection device is provided with: infrared sensors 12a and 12b as pyroelectric infrared sensors having a plurality of pyroelectric elements Ra to Re and La to Le arranged like an array; and a traveling support ECU 11 for determining presence of a traveling object around a vehicle 2 by comparing a moving average value based on either the difference or ratio of the outputs of adjacent pyroelectric elements with a threshold for moving average.例文帳に追加
アレイ状に複数配列された焦電素子Ra〜Re・La〜Leを有する焦電型赤外線センサである赤外線センサ12a・12bと、隣接する焦電素子間の出力の差および比のうちのいずれかに基づく移動平均値を移動平均用閾値と比較することによって車両2の周辺の移動体の有無を判定する走行支援ECU11と、を備える。 - 特許庁
The semiconductor storage device includes: a reference voltage creating circuit 10 for generating a plate voltage to be supplied to a memory cell array; a plate voltage supplying terminal 20 for supplying the plate voltage from the outside; and a switching circuit 30 for switching the supply of the plate voltage from the plate voltage creating circuit and the supply of the plate voltage from the outside through the above plate voltage supplying terminal.例文帳に追加
メモリセルアレイに供給するプレート電圧を発生する基準電圧生成回路10と、外部からプレート電圧を供給するためのプレート電圧供給端子20と、前記プレート電圧発生回路からのプレート電圧供給と前記プレート電圧供給端子を通しての外部からのプレート電圧供給を切替える切替回路30を有する。 - 特許庁
The liquid crystal device of this invention comprises a liquid crystal layer held between a pair of substrates, and an inorganic alignment layer formed on a surface abutting on the liquid crystal layer of at least one of the substrates, and is characterized in that the inorganic alignment layer 86 of a TFT array substrate 80 is formed on an aligned ground film consisting of an aggregate of particulates 85a.例文帳に追加
本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶層を挟持してなり、少なくとも一方の前記基板の前記液晶層と当接する面に無機配向膜が形成された液晶装置であり、TFTアレイ基板80の無機配向膜86が、微粒子85aの凝集体からなる配向下地膜85上に形成されていることを特徴としている。 - 特許庁
The optical functional device comprises: a first slab waveguide 4 equipped with an input waveguide 3 as an input end; a second slab waveguide 6 having an output end; and a channel waveguide array 5 in which one end is connected to the first slab waveguide 4 and another end is connected to the second slab waveguide 6 and which consists of a plurality of channel waveguides different in length.例文帳に追加
入力端としての入力導波路3を備えた第1のスラブ導波路4と、出力端を有する第2のスラブ導波路6と、一端が前記第1のスラブ導波路4と接続され、他端が前記第2のスラブ導波路6と接続される、長さの異なる複数のチャネル導波路からなるチャネル導波路アレイ5とを有するように構成する。 - 特許庁
In a flat display device which includes an array substrate 10, provided with plural pieces of signal lines 8 and scanning lines 11 arranged orthogonal to each other and pixels electrodes 52, arranged in the neighborhood of the intersections of these signal lines 8 and the pixel electrodes 11 via TFTs 9, the widths of the green signal lines 8G are made smaller than those of the outer color signal lines 8R, 8B.例文帳に追加
互いに直交して配置される複数本の信号線8及び走査線11と、この信号線8と走査線11との交点近傍にTFT9を介して配置される画素電極52とを備えたアレイ基板10を含む平面表示装置において、緑色の信号線8Gの幅を、他の色の信号線8R、8Bの幅より細くしたものである。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device that can form a small molecule organic semiconductor material having characteristics of being very weak against water in a fine pattern adjustable to several μm without using a shadow mask, and uses the small molecule organic semiconductor material without damaging the small molecule organic semiconductor layer in the fine pattern.例文帳に追加
本発明は、水分に非常に弱い特性を有する低分子有機半導体物質をシャドーマスクを利用しないで数μmまで調節可能な微細パターンで形成することができ、微細パターンされた低分子有機半導体層の損傷なしに低分子有機半導体物質を利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
This rolling element spacer 5 is used in the rolling guide device where a pair of members execute the relative continuous motion through an endless circulated ball array, located between the balls 2, 2 adjacent to each other in the endless circulating path, and circulated with the balls 2, and has a diagonal size A in the thickness direction, larger than an inner diameter ϕD of the endless circulating path 6.例文帳に追加
無限循環するボール列を介して一対の部材が相対的な連続運動を行う転がり案内装置に使用され、その無限循環路内で互いに隣接するボール2,2の間に介装されると共に該ボール2と共に循環する転動体スペーサ5であって、厚み方向の対角寸法Aが上記無限循環路6の内径φDよりも大きいことを特徴とする - 特許庁
A nonvolatile semiconductor storage device according to one embodiment comprises a memory cell array including a NAND cell unit having a plurality of memory cells connected in series, in which control gates of the plurality of memory cells are connected to word lines, respectively; and a control circuit performing writing control for applying a prescribed writing voltage to the word lines and setting a threshold voltage in accordance with data.例文帳に追加
一の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルが直列接続されたNANDセルユニットを有し、複数のメモリセルの制御ゲートがそれぞれワード線に接続されたメモリセルアレイと、ワード線に所定の書き込み電圧を印加してデータに応じたしきい値電圧を設定する書き込み制御を実行する制御回路とを備える。 - 特許庁
A semiconductor memory device 1 includes a memory cell array H40 having a plurality of memory cells, an SR timer circuit H80 deciding a period of self-refresh of the memory cells, a refresh counter H20 generating an internal address signal being an object of self-refresh, and a circuit outputting a pulse activation signal for executing continuous refresh operation in one period of self-refresh.例文帳に追加
本発明の一態様に係る半導体記憶装置1は、複数のメモリセルを有するメモリセルアレイH40と、メモリセルのセルフリフレッシュの周期を決定するSRタイマー回路H80と、セルフリフレッシュの対象となるメモリセルの内部アドレス信号を生成するリフレッシュカウンタH20と、セルフリフレッシュの1周期間に、連続してリフレッシュ動作を実行するためのパルス活性信号を出力する回路とを備えるものである。 - 特許庁
The infrared solid state imaging device includes a detection array (502) which is arranged a plurality of arrays of a pixel containing the field effect transistor as the heat sensitive body which outputs the temperature change as the electric signal change, a predetermined load (704) forming the grounded source amplifier circuit connecting to the field effect transistor, a signal reading circuit (509) which reads the output signal of the grounded source amplifier circuit.例文帳に追加
赤外線固体撮像装置は、温度変化を電気信号の変化として出力する感熱体として電界効果トランジスタを含む画素が複数個アレイ状に配置されてなる検出器アレイ(502)と、電界効果トランジスタと接続され、ソース接地増幅回路を形成する所定の負荷(704)と、ソース接地増幅回路の出力信号を読み出す信号読み出し回路(509)とを備える。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor storage device includes a memory cell array having a plurality of blocks respectively including a plurality of memory cells to store normal data in normal blocks among the plurality of blocks and store a time code set in each of the normal blocks and for including time data corresponding to a time when the last write operation of the normal block is executed in time code blocks among the plurality of blocks.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルをそれぞれ含む複数のブロックを有し、前記複数のブロックのうちの通常ブロックに、通常のデータが記憶され、前記複数のブロックのうちのタイムコードブロックに、前記通常ブロック毎に設定され且つ前記通常ブロックの最後の書き込み動作を実行した時間に対応する時間データを含むタイムコードが記憶されたメモリセルアレイを備える。 - 特許庁
This light emitting device includes a light emitting cell block having a plurality of light emitting cells arranged in an array-like shape and serially connected to one another; and a bridge rectifying circuit including first to fourth diode blocks each having a plurality of diodes serially connected to one another, wherein the first to fourth diode blocks are adjacent to the light emitting cell block and arranged by surrounding the light emitting cell block.例文帳に追加
本発明による発光素子は、アレイ状に配置され且つ直列に連結された複数個の発光セルを有する発光セルブロックと、直列に接続された複数のダイオードをそれぞれ有する第1から第4ダイオードブロックを有するブリッジ整流回路とを備え、前記第1から前記第4ダイオードブロックは前記発光セルブロックに隣接し前記発光セルブロックを取り囲んで配置されている。 - 特許庁
In the array substrate used in the lateral electric field liquid crystal display device constituted of a common electrode, a pixel electrode, a thin film transistor, color pixels having a plurality of colors provided covering the thin film transistor and a protective layer, the common electrode is disposed on the color pixels, and the pixel electrode is provided on the common electrode via an insulation layer.例文帳に追加
共通電極、画素電極、薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタを覆って設けられた複数色の着色画素、および保護層より構成される横電界方式の液晶表示装置に用いられるアレイ基板において、前記着色画素上に共通電極が配置され、さらに前記共通電極上に絶縁層を介して画素電極を備えたことを特徴とするアレイ基板を用いる。 - 特許庁
The liquid crystal display device includes a light source, a first polarizer, a first transparent film, a liquid crystal cell having a pair of transparent substrates and a polymeric stabilized blue phase liquid crystal disposed therebetween, a second transparent film, and a second polarizer, disposed in this order, and is characterized in that one of the pair of transparent substrates is an array substrate and that no color filter layer is disposed on the other transparent substrate.例文帳に追加
光源、第1の偏光子、第1の透明フィルム、一対の透明基板とその間に配置される高分子安定化ブルー相液晶とを有する液晶セル、第2の透明フィルム、及び第2の偏光子がこの順に配置され、一対の透明基板のいずれか一方が、アレイ基板であり、且つ他方の透明基板にカラーフィルタ層が配置されていないことを特徴とする液晶表示装置である。 - 特許庁
With respect to the array substrate for an in-plane switching mode liquid crystal display device, a structure which is manufactured through four mask steps and exposes semiconductor layers at both sides of a data line has a first feature that a first blocking pattern for blocking light is formed under the semiconductor layer, and a second feature that a second blocking pattern for blocking an influence of the semiconductor layer is formed over and in contact with the data line.例文帳に追加
本発明による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、4マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、第1特徴は、半導体層の下部に光を遮断する第1遮断パターンを構成して、第2特徴は、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第2遮断パターンを構成する。 - 特許庁
The display device manufacturing method includes a formation process to array pixels 20 in two intersecting directions on the flexible substrate 10, and terminals 14 and 18 for connecting the pixels arrayed in the two directions on the substrate to the outer wiring are formed to be arrayed in parallel in a direction X where the dimensional change rate of the substrate is smaller, among two directions on the substrate.例文帳に追加
画素20を、可撓性基板10上の交差する2つの方向に配列するように形成する工程を含み、前記基板上の2つの方向に配列した画素をそれぞれ外部の配線に接続する端子14,18を、前記基板上の2つの方向のうち該基板の寸法変化率が小さい方向Xに並列するように形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 特許庁
The image display device for the photon emission suppressing element base board is equipped with a substrate which has one one surface an array of subpixels each equipped with two opposite electrodes and a light emission layer interposed between the electrodes and capable of photon emission with light emitted by an exciting light source and the photon emission of the light emission layer can be suppressed under the control of an electric field produced by the electrodes.例文帳に追加
互いに対向する二つの電極、及び前記電極間に介在されて励起光源から照射された光による光子発光が可能な発光層を具備したサブピクセルが一面に配列された基板を具備するが、前記発光層の光子発光は前記電極によって形成される電場によって制御可能に抑制できる光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。 - 特許庁
In a CVD device 10 forming a desired thin film on a substrate by generating plasma by means of electromagnetic waves, an antenna element 22 consisting of a rodlike conductor has a plurality of array antennas 23 provided in parallel in a plane shape, a high frequency oscillator 32 for emitting the electromagnetic waves from the antenna element 22, and a pulse modulator 30 for pulse-modulating signals from the oscillator 32.例文帳に追加
電磁波を用いてプラズマを生成することにより、基板に所望の薄膜を形成するCVD装置10において、棒状の導電体からなるアンテナ素子22が、複数個平行かつ面状に配置されたアレイアンテナ23と、これらのアンテナ素子22から電磁波を放射させる高周波発振器32と、高周波発振器32からの信号をパルス変調するパルス変調器30と、を有する。 - 特許庁
This automatic system is provided with a product line, having random variations in the stream of the series of products, adjusting shock absorbers 230a and 230b provided with product followers 232 and 234 for putting together the random variations in the stream of products; an automatic output device 300 for choosing X and Y array product units among adjusted products and conveying to a succeeding processing station; and a control means.例文帳に追加
この自動装置は、一連の製品の流れに無作為な変化を有する製品ラインと、製品の流れにおける無作為な変化を取りまとめる製品フォロワ232,234を備える取りまとめ緩衝装置230a,230bと、取りまとめられた製品からX,Yアレーの製品ユニットを選択し後続の処理ステーションへ搬送する自動出力装置300と、制御手段とを備えている。 - 特許庁
A CMOS image sensor is composed of pixels which are each equipped with a photodiode and an amplifying MOSFET that amplifies charge generated by the photodiode through photoelectric conversion and arranged in lines or an array, where the well of the amplifying MOSFET is electrically isolated from that of the other device contained in the pixel, and the source and well of the amplifying MOSFET are kept at the same potential.例文帳に追加
フォトダイオードとこのフォトダイオードにおいて光電変換により生成された電荷を増幅するアンプ用MOSFETとを有する画素を複数個ライン状またはアレイ状に配列したCMOSイメージセンサにおいて、前記アンプ用MOSFETのウェルを前記画素に含まれる他の素子のウェルと電気的に分離し、かつ、前記アンプ用MOSFETのソースと前記アンプ用のMOSFETの前記ウェルとを同電位とした。 - 特許庁
This integrated circuit device is composed of a bus, at least two units connected with the bus and a monitoring circuit 150 configured to monitor transactions between at least two units through the bus and store transaction information in the FPGA (Field Programmable Gate Array) embedded memory 151 and store bus monitoring information in the FPGA embedded memory at an FPGA design step during SoC design.例文帳に追加
本発明の集積回路装置はバスと、バスと連結された少なくとも二つの装置と、バスを通じた少なくとも二つの装置の間のトランザクションを観察し、トランザクション情報をFPGA(Field Programmable Gate Array)エンベデットメモリに貯蔵するモニタリング回路とを含み、SoC設計の時、FPGA設計段階でFPGAエンベデットメモリにバスモニタリング情報を貯蔵することができる。 - 特許庁
The NAND flash memory device includes: a cell array including a plurality of pages; a page buffer storing program data of the plurality of pages; a data storage circuit providing program verification data to the page buffer; and a control unit programming the plurality of pages without program verification operation and performing a program verification operation on the plurality of pages by using the program verification data.例文帳に追加
本発明によるNANDフラッシュメモリ装置は、複数のページを有するセルアレイと、前記複数のページのプログラムデータを格納するページバッファと、プログラム検証データを前記ページバッファに提供するためのデータ格納回路と、プログラム検証動作なしに前記複数のページをプログラムし、前記プログラム検証データを用いて前記複数のページに対するプログラム検証動作を行うための制御ユニッと、を含む。 - 特許庁
An exemplary apparatus includes a window comparator 14 operative to generate an output signal having a first value if the input signal is within a desired voltage region; a sampling device 16 operative to sample the output signal; an event array counter 24 representing the number of sampled inputs within one or more desired time offsets and the desired voltage regions; and a trigger processing circuit 26 operative to generate a bit offset signal that controls the counting.例文帳に追加
装置は、入力信号が所望の電圧範囲内にあるときに最初の値をもつ出力信号を発生するウィンドウコンパレータと、前記出力信号をサンプリングするサンプリングデバイスと、1或いはそれ以上の所望の時間オフセットと所望の電圧範囲内でサンプリングされた入力の数を表す事象アレイカウンタと、該カウントを制御するビットオフセット信号を発生するトリガー処理回路を含む。 - 特許庁
A photosensor array 3 of this biopolymer analysis support device has an insulating substrate 17, a plurality of bottom gate lines 41 arrayed mutually in parallel on the insulating substrate 17, a plurality of semiconductor films 23 arrayed on each bottom gate line 41, a plurality of top gate lines 44 opposite to each bottom gate line 41 across the semiconductor films 23, and a protection insulating film 31 covering the top gate lines 44.例文帳に追加
生体高分子分析支援装置1のフォトセンサアレイ3は、絶縁基板17と、絶縁基板17上に互いに平行となるよう配列された複数のボトムゲートライン41と、各ボトムゲートライン41の上において配列された複数の半導体膜23と、半導体膜23を挟んで各ボトムゲートライン41に対向した複数のトップゲートライン44と、トップゲートライン44を被覆した保護絶縁膜31と、を有する。 - 特許庁
In a contents distributing device of the present invention, a control part 106 gives an instruction so as to distribute contents identified with an array of contents identifiers starting with a contents identifier stored in a head contents identifier storage part 102 and obtained by a next contents identifier acquisition part 103 to the contents distribution destination held by a contents distribution destination holding part 104 at the specified distribution time intervals.例文帳に追加
本件発明のコンテンツ配信装置においては、先頭コンテンツ識別子格納部102に格納されたコンテンツ識別子から始まり、次コンテンツ識別子獲得部103により獲得されるコンテンツ識別子の列で識別されるコンテンツをコンテンツ配信先保持部104に保持されたコンテンツ配信先に、指定された配信時間間隔でコンテンツ配信部105へ配信するよう制御部106が命令する。 - 特許庁
To provide a color selective array developable in various fields, an image forming device using the same, and a display having resolution improved to twice or more of light valve, using, for example, a low-resolution light valve and a wobbling element, having improved light use efficiency, in particular, preventing deterioration in resolution of green light with high visibility characteristic, and maintaining favorably a white balance.例文帳に追加
様々な分野に展開可能な色選択性アレイ、これを用いた結像装置およびこの結像装置を有する表示装置において、たとえば低解像度のライトバルブとウォブリング素子を用いてライトバルブの2倍以上に解像性能を向上させ、光利用効率を向上させ、特に視感度特性の高い緑光の解像性能劣化を防ぎ、ホワイトバランスを良好に保つことが可能な表示装置を提供すること。 - 特許庁
In the display device including the optical sensor, each pixel part of a TFT (TFT: thin film transistor) array substrate 40a is provided with: a pixel driving TFT 22 composed of a fine crystal silicon TFT; a first photoelectric conversion TFT 20 composed of fine crystal silicon TFT; and a second photoelectric conversion TFT 21 composed of an amorphous silicon TFT and connected to the first photoelectric conversion TFT 20 in parallel.例文帳に追加
この光センサ内蔵表示装置は、TFT(TFT:薄膜トランジスタ)アレイ基板40aの各画素部に、微結晶シリコンTFTで構成された画素駆動用TFT22と、微結晶シリコンTFTで構成された第1の光電変換用TFT20と、非晶質シリコンTFTで構成され、第1の光電変換用TFT20と並列接続された第2の光電変換用TFT21とを備える。 - 特許庁
The movement-amount moving spectrum is entirely captured by disposing a collimator device between the inspection region and the detector, which has a plurality of thin plates that are disposed on mutually crossing surfaces at a focus of the radiation source and separate the fan beam into several segments, and by irradiating detecting elements in an array parallel with the rotation shaft with primary radiation from the same segment and the scattered radiation.例文帳に追加
運動量移動スペクトルの完全な捕捉は、放射線源の焦点で互いと交差する面におかれファンビームを幾つかのセグメントに細分化する複数の薄板を有するコリメータ装置が検査域と検出装置の間に配置され、回転軸に対して平行な列の検出素子が同じセグメントからの一次放射線又は散乱された放射線によって当てられることで実現される。 - 特許庁
A controller processor 14 of a data processing device 1 counts the throughput of a cell array in a cooperative state depending on image processing set in advance, and when the counted throughput reaches a specified value, rewrites configuration registers 35 of cells 30 as skipping sets of configuration data that would otherwise be written next to the registers, to skip the execution of unnecessary image processing.例文帳に追加
データ処理装置1のコントローラプロセッサ14は、予め自身に設定されてある画像処理に応じた連携状態のセルアレイの処理量をカウントし、カウントした処理量が規定値に至ると、その次にセル30のコンフィギュレーションレジスタ35に書き込むはずであったコンフィギュレーションデータのセットを飛ばして同レジスタの書き換えを行うことにより、不要となった画像処理の実行をスキップさせるようにした。 - 特許庁
The apparatus for the memory device including a memory array and a redundancy memory includes: a programmable redundancy decoder determining a drive force corresponding to a selection signal; and a delay difference generating unit for generating a delay difference signal corresponding to a delay difference between first and second word line signals output from the redundancy memory.例文帳に追加
メモリアレイ及び剰余メモリを有するメモリ素子のテスト装置において、選択信号に相応して駆動力を決定し、決定された駆動力を前記剰余メモリのワードラインに出力するプログラマブル剰余デコーダと、前記剰余メモリから出力される第1ワードライン信号と第2ワードライン信号との間の遅延差に相応する遅延差信号を発生する遅延差発生部とを備えてメモリ素子のテスト装置を構成する。 - 特許庁
A semiconductor memory device includes a plurality of input/output ports different from one another, a memory array divided into a plurality of memory regions different from one another, and a selection control section that variably controls access paths between the memory regions and the input/output ports such that each of the memory regions is accessed through at least one of the input/output ports.例文帳に追加
半導体メモリ装置において、互いに異なった複数個の入出力ポートと、互いに異なった複数個のメモリ領域に分割されたメモリアレイと、前記メモリ領域のそれぞれが前記入出力ポートのうち少なくとも1つ以上の入出力ポートを通じてそれぞれアクセスされるように前記メモリ領域と前記入出力ポートの間のアクセス経路を可変的に制御する選択制御部と、を備える。 - 特許庁
In the solid-state image pickup device 30, a plurality of photoelectric conversion elements 34 in which a heavily-doped impurity diffusion layer 36 is formed on the surface are formed in a two-dimensional array at the surface of a semiconductor substrate, and an insulating layer 40 is laminated on a semiconductor substrate 32.例文帳に追加
表面に高濃度不純物拡散層36が形成された複数の光電変換素子34が半導体基板表面部に二次元アレイ状に配列形成され、半導体基板32の上に絶縁層40が積層された固体撮像素子30において、前記各光電変換素子の直上の絶縁層40と高濃度不純物層36との間の界面部分にそれぞれ不純物拡散抑制層50を形成する。 - 特許庁
An exposure device is provided with a luminous matter array constituted of at least an anode layer 3, a cathode layer 6 and a plurality of luminous elements formed of one or a plurality or organic compound layers 7 clamped between the anode layer and the cathode layer and formed on the base 1, and quantities of light emitted by respective luminous elements are uniformized by the adjustment of light-emitting areas of respective luminous elements.例文帳に追加
基板上1に、少なくとも陽極層2及び陰極層6と、これらの間に挟持された一層または複数層の有機化合物層7より構成される発光素子が複数配列された発光体アレイを有する露光装置であって、各発光素子の発光面積の調整により各発光素子の発光光量が均一化されていることを特徴とする露光装置。 - 特許庁
The optoelectronic device has an electrooptic material held between a pair of a first substrate and a second substrate, and is equipped with a plurality of pixel electrodes arrayed in a matrix by being arranged in a pixel array area on the first substrate across first gap areas extending in a first direction and second gap areas crossing them and extending in a second direction, and also equipped with a counter electrode on the second substrate.例文帳に追加
電気光学装置は、一対の第1及び第2基板間に電気光学物質が挟持されてなり、第1基板上における画素アレイ領域に、第1方向に延びる第1間隙領域及びこれに交差する第2方向に延びる第2間隙領域を隔てて相互に配置されることで、マトリクス状に配列された複数の画素電極を備え、第2基板上に対向電極を備える。 - 特許庁
This transdermal drug delivery device for forming a drug delivery patch system comprises: an actuator including an outer body, a controller board, and an interface connection port; a porator array including a top surface, a bottom surface, an extension tab, and a release liner; and a reservoir patch attached to the extension tab, which is to be applied to a microporated region of tissue membrane after microporation.例文帳に追加
本発明は、アクチュエーター(外部本体、コントローラーボードおよびインターフェース結合ポートを備える)、ポレーターアレイ(頂部表面、底部表面、伸長タブおよび剥離ライナーを備える)ならびに伸長タブに接着したリザーバーパッチ(このリザーバーパッチは、マイクロポレーション後に組織膜のマイクロポレーションされた領域に当てられる)を備える薬物送達パッチシステムを形成するための、経皮薬物送達デバイスを提供する。 - 特許庁
In the nonvolatile semiconductor memory device for programming memory cells which have a first or a second logic status, and for deleting them in sector units in accordance with input data having a plurality of bit information, the memory cell transistors of cell array block and transistors of column decoder block have a plurality of sectors which are formed by sharing a bulk area, to provide a sector structure formed of the shared bulk.例文帳に追加
第1または第2論理状態を有するメモリセルを、複数のビット情報を有する入力データに応じてプログラムしセクタ単位に消去する不揮発性半導体メモリ装置において、セルアレイブロックのメモリセルトランジスタとコラムデコーダーブロックのトランジスタが一つのバルク領域を共有して形成されたセクタを複数有し、共有バルクで形成されたセクタ構造を有する半導体メモリ装置とした。 - 特許庁
A semiconductor memory device comprises a memory cell array 1 in which block is constituted of one or a plurality of memory cells being a unit of erasing data and which has a plurality of normal blocks BLK and a plurality of redundancy blocks RBLK, and a replacing circuit 7 replacing a defective block by the normal block when the number of defective blocks in the normal block BLK exceed the number of redundancy blocks RBLK.例文帳に追加
半導体記憶装置は、データ消去の単位となる1或いは複数のメモリセルからブロックが構成され、且つ複数のノーマルブロックBLKと、複数のリダンダンシーブロックRBLKとを有するメモリセルアレイ1と、前記ノーマルブロックBLK内の不良ブロックの数が前記リダンダンシーブロックRBLKの数を超えた場合に、前記不良ブロックを前記ノーマルブロックに置き換える置換回路7とを含む。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device includes: a plurality of first wiring and second wiring intersecting each other; a memory cell array including the plurality of memory cells connected to each intersection part of the plurality of first wiring and second wiring; and a first wiring control circuit and second wiring control circuit for respectively selecting the first wiring and second wiring to supply voltage and current required for a reset operation or set operation of the memory cells.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、互いに交差する複数の第1配線及び第2配線、これら複数の第1配線及び第2配線の各交差部に接続された複数のメモリセルからなるメモリセルアレイと、前記第1配線及び第2配線をそれぞれ選択し、前記メモリセルのリセット動作又はセット動作に必要な電圧又は電流を供給する第1配線制御回路及び第2配線制御回路とを備える。 - 特許庁
The semiconductor device 100b includes: a substrate 101; an imaging region A formed on the substrate 101 and arranged with an array of photoelectric conversion cells each having a photoelectric converting section 103; a control circuit region B formed on the substrate 101 and performing the control of the imaging region and the delivery of a signal therefrom; and copper-containing wiring layers 132, 134 formed on the substrate 101 and formed of a material containing copper.例文帳に追加
半導体装置100bは、基板101と、基板101上に形成され、光電変換部103を有する光電変換セルがアレイ状に配置された撮像領域Aと、基板101上に形成され、撮像領域の制御及び撮像領域からの信号の出力を行なう制御回路領域Bと、基板101上に形成され且つ銅を含む材料よりなる銅含有配線層132、134とを備える。 - 特許庁
The semiconductor device includes a semiconductor substrate wherein an active layer having a photodetecting portion is formed on its surface, an adhesive layer so provided on the surface of the semiconductor substrate as to surround the photodetecting portion, a light transmitting protective member arranged at predetermined intervals on the photodetecting portion of the semiconductor substrate and bonded across the adhesive layer, and a plurality of external connection terminals arranged on the backside of the semiconductor substrate with the predetermined array.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、表面に受光部を有する活性層が形成された半導体基板と、半導体基板の表面上に、受光部を囲むように設けられた接着層と、半導体基板の受光部上に所定の間隙をおいて配置され接着層を介して接着された光透過性保護部材と、半導体基板の裏面に所定の配列で配置された複数の外部接続端子とを備えている。 - 特許庁
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