「flash」に関連した英語例文の一覧と使い方(182ページ目) - Weblio英語例文検索

When first access instruction information is applied from a host system 4, first operation instruction information for accessing an area including a first access area based on the first access instruction information and an area following the first access area is applied to the flash memory module 2.例文帳に追加

ホストシステム４から第１のアクセス指示情報が与えられたときに、第１のアクセス指示情報に基づく第１のアクセス領域と、該第１のアクセス領域に後続する領域とを含む領域にアクセスするための第１の動作指示情報をフラッシュメモリモジュール２に与える。 - 特許庁

When a program is downloaded from a recording medium 78 to rewrite a program in a flash ROM 80 in a digital camera 10 which can be driven by a battery, the use of the battery is inhibited and power is supplied from an external power source for the purpose of stable power supply.例文帳に追加

本発明を適用したデジタルカメラ１０は、バッテリーによる駆動が可能であるが、記録メディア７８からプログラムをダウンロードしてフラッシュＲＯＭ８０のプログラムを書き換える場合には、電源の安定供給の観点から、バッテリーの使用を禁止して、外部電源から電源を供給する。 - 特許庁

When a deletion command and an address are issued from a host system 300 and it is detected that the address designates a boot block, the boot block flash memory control circuit 303 outputs the address of the boot block and a deletion command for deleting a plurality of boot blocks.例文帳に追加

ブートブロックフラッシュメモリ制御回路３０３は、ホストシステム３００から消去コマンドおよびアドレスが発行されたときに、そのアドレスがブートブロックを指定していることを検出すると、複数のブートブロックの消去を行うためにブートブロックのアドレスおよび消去コマンドを出力する。 - 特許庁

To realize a structure which does not cause junction leak even if abnormal growth of silicide is generated in a PN junction diode element without increasing the number of processes in a semiconductor integrated circuit wherein a PN junction diode, a flash cell and a peripheral transistor are formed on the same chip.例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードとフラッシュセルと周辺トランジスタとが同一のチップ上に形成された半導体集積回路において、ＰＮ接合ダイオード素子にシリサイドの異常成長が生じたとしても接合リークを起こすことがない構造を工程数を増大させることなく実現できるようにする。 - 特許庁

Furthermore, a non-operation time reaching power OFF is changed, a non-operation time up to interruption of power application to a video circuit 270 and a display circuit 280 is changed, permission/inhibit of use of a reproduction mode is decided or permission/inhibit of use of a flash 5 is decided on the basis of the voltage of the battery.例文帳に追加

また、電池の電圧に基づいて、電源オフに至る無操作時間を変化させたり、ビデオ回路２７０及び表示回路２８０の通電遮断に至るまでの無操作時間を変化させたり、再生モードの使用許否を決定したり、フラッシュ５の使用許否を決定する。 - 特許庁

The address of each image server 17 is stored in a flash memory 5 in an image forming device 1, the image forming device 1 is connected to the image server 17 by using the address every fixed time, downloads image data registered in the image server after the previous connection like this and stores the image data as an image database.例文帳に追加

画像形成装置１にフラッシュメモリ５には、各画像サーバ１７のアドレスが保管されており、一定の時間毎に、このアドレスを用いて画像サーバ１７に接続し、前回のかかる接続以降に画像サーバ１７に登録された画像データをダウンロードし、画像データベースとして保管する。 - 特許庁

To provide a solvent for cleaning, having a high flash point, excellently safe to the environment and a human body, and having excellent performance for cleaning and removing both of oily and aqueous dirts while sufficiently preventing the damage of a coating surface or the like of an article to be cleaned.例文帳に追加

引火点が高く、環境や人体に対する安全性にも優れており被洗浄物の塗装面などの損傷を十分に防止しつつ、油性汚れ及び水性汚れの双方の汚れに対して優れた洗浄除去性能を有する洗浄用溶剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a lead frame and an optical semiconductor device of good characteristics that uses it capable of preventing occurrence of resin flash at an external terminal or fin, even in packages where resin sealing of through-gate method is not available, with no entrainment of a primary resin in a secondary mold.例文帳に追加

スルーゲート方式等の樹脂封止ができないパッケージであっても、外部の端子やフィン部等に樹脂フラッシュが発生するのを防止でき、２次モールド部に１次の樹脂を巻き込むことのないリードフレームおよびそのリードフレームを用いた特性の良好な光半導体装置を提供する。 - 特許庁

When a power source of the camera 1 is turned on, the control part 8 decides whether to perform the image blur correction by using the control parameter already recorded in the flash memory or newly calculating the control parameter, and performs the image blur correction by using the control parameter based on a result of decision.例文帳に追加

そして、制御部８は、カメラ１の電源オン時に、既にフラッシュッメモリに記録されている制御パラメータを使用して像振れの補正を行うか、新たに制御パラメータを算出して像振れの補正を行うかを判定し、判定結果に基づく制御パラメータを使用して像振れの補正を行う。 - 特許庁

When the V resize buffer 24 stores a data amount in the prescribed unit, a CPU 14 applies JPEG compression to the data in the unit of 1 MCU, stores the result to a flash ROM 30 and creates an information table wherein a write address and a top address of compressed data of each block associated with a block number of each block are stored.例文帳に追加

Ｖリサイズバッファ２４に所定のデータ量が蓄積されると、１ＭＣＵ単位でJPEG圧縮してフラッシュＲＯＭ３０に保存するとともに、各ブロックのブロック番号に関連づけて各ブロックの圧縮データの書込位置及び先頭値とが記憶された情報テーブルを作成する。 - 特許庁

When the amplitude to be detected in the information area is larger than the amplitude to be detected in the drawing area in both of the DPP signal, the DPD signal, namely, when amplitude change equal to or larger than a predetermined value is detected in both, it is determined that the label flash surface is inserted into the optical disk device so as to face the optical pickup.例文帳に追加

ＤＰＰ信号、ＤＰＤ信号とも、ドローイングエリアよりもインフォメーションエリアで検出される振幅が大きい場合、即ち、双方において所定値以上の振幅変化が検出された場合には、レーベルフラッシュ面が光ピックアップと対向するよう挿入されたと判定する。 - 特許庁

The device is simply constituted by using a flash as a light source, and narrows a blurring width in a direction perpendicular to a projected image pattern by disposing wide and narrow slit-like diaphragms in a direction parallel with and a direction perpendicular to a linear pattern to be projected, respectively, thereby obtaining the high-definition pattern light.例文帳に追加

フラッシュを光源とする事で簡易な構造とし、投影する直線状のパターンと平行な方向には広く、垂直な方向には狭いスリット状の絞りを設ける事により、投影された像のパターンと垂直な方向のぼけ幅を小さくし、高精細なパターン光を得る。 - 特許庁

Then, a CPU 111 of the computer device 2 reads an execution file 200 of an application program stored in an application program storage area 41 to which a part of the normal storage area 40 of the FLASH ROM 34 is allocated, develops it in a RAM 112, and activates the application program.例文帳に追加

そして、コンピュータ装置２のＣＰＵ１１１は、ＦＬＡＳＨ・ＲＯＭ３４の通常記憶領域４０の一部があてがわれたアプリケーションプログラム記憶領域４１に記憶されるアプリケーションプログラムの実行ファイル２００を読み出して、ＲＡＭ１１２に展開して、当該アプリケーションプログラムを起動する。 - 特許庁

Therefore, even in a place where strict imaging conditions are applied, for example, the use of the flash is prohibited and only an imaging through a finder 16 is allowed, since the light emission from the digital camera 1 is suppressed as much as possible, the imaging using the digital camera 1 can be performed without hesitation according to the user's wishes.例文帳に追加

このため、フラッシュ禁止で、かつ、ファインダー１６から覗いての撮影しか認められないような撮影条件の厳しい場所であっても、デジタルカメラ１からの発光が可能な限り抑えられるので、デジタルカメラ１を用いた撮影を気兼ねなく、思った通りに行えるようになる。 - 特許庁

A flash memory includes: first sectors 202, 204 and second sectors 206, 208 of memory cells; first local driver circuits 210, 212 and second local driver circuits 214, 216; a first decoding circuit 218, second decoding circuits 222, 224 and third decoding circuits 226, 228; and a driver circuit 220.例文帳に追加

フラッシュメモリは、メモリセルの第１セクタ２０２，２０４及び第２セクタ２０６，２０８と、第１ローカル駆動回路２１０，２１２、及び第２ローカル駆動回路２１４，２１６と、第１デコーディング回路２１８、第２デコーディング回路２２２，２２４及び第３デコーディング回路２２６，２２８と、駆動回路２２０を含む。 - 特許庁

When a computer device 2 is connected through a USB cable K1 to a USB I/F 61 of a scanner 3, the computer device 2 is provided with an access function to a normal storage area 40 of a FLASH ROM 34 based on a mass storage class standard by a USB mass storage 62.例文帳に追加

スキャナ３のＵＳＢＩ／Ｆ６１にＵＳＢケーブルＫ１を介してコンピュータ装置２が接続された場合には、ＵＳＢマスストレージ６２によって、マスストレージクラス規格に基づいたＦＬＡＳＨ・ＲＯＭ３４の通常記憶領域４０へのアクセス機能がコンピュータ装置２へ提供される。 - 特許庁

The coating processing chamber 80 of the resist coating unit (COAT) 44 and a drying processing chamber 136 of a flash drying unit (KD) 46 share a partition 138 on a boundary of the chambers, and the exit port 80b of the coating processing chamber 80 serves as an entrance port 136a of the drying processing chamber 136.例文帳に追加

レジスト塗布ユニット（ＣＯＡＴ）４４の塗布処理室８０と気流乾燥ユニット（ＫＤ）４６の乾燥処理室１３６とは両室の境界で隔壁１３８を共有しており、塗布処理室８０の搬出口８０ｂが乾燥処理室１３６の搬入口１３６ａとなっている。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus capable of obtaining, in the case of photographing an object with an imaging apparatus using a CMOS type imaging device, an interference of a white band shape occurs in an external flash light such as flashing due to an influence of a rolling shutter operation, an image in which the interference is corrected at the time of photographing through an electronic shutter.例文帳に追加

ＣＭＯＳ型撮像素子を用いた撮像装置で被写体を撮像する場合、フラッシュ等の外部閃光下においてはローリングシャッター動作の影響により、撮像信号に白帯状の妨害が発生するが、電子シャッター撮影時において、その妨害を補正した画像を得る。 - 特許庁

In the flash setting ground-grouting chemical solution comprising cement, sodium silicate, and water: (1) a mole ratio expressed by SiO_2/Na_2O in the sodium silicate is 3.7-5.3; and (2) a content of the cement is 10-20 wt.%.例文帳に追加

（セメント、珪酸ソーダ及び水を含有する瞬結性地盤注入用薬液であって、（１）前記珪酸ソーダ中のＳｉＯ_２／Ｎａ_２Ｏで表されるモル比が、３．７〜５．３であり、かつ、（２）前記セメントの含有率が、１０〜２０重量％であることを特徴とする瞬結性地盤注入用薬液。 - 特許庁

An in-vehicle electronic controller includes the flash ROM 5 with two blocks BL-A, BL-B, and causes a RAM 4 to store data stored in a first storage area MR1 of a block (hereinafter referred to as a first block) selected from the blocks BL-A, BL-B.例文帳に追加

２つのブロックＢＬ−Ａ，ＢＬ−Ｂを内蔵したフラッシュＲＯＭ５を有し、車載電子制御装置１の電源オン時に、ブロックＢＬ−Ａ，ＢＬ−Ｂの中から選択されたブロック（以下、第１ブロックともいう）の第１記憶領域ＭＲ１に記憶されている記憶データをＲＡＭ４に記憶させる。 - 特許庁

An arc flash detector (100) includes a light sensor (120), a light attenuating filter (110) in communication with the light sensor (120), a housing (140) disposed to support the light attenuating filter (110) and the light sensor(120), and a logic circuit (130) in communication with the light sensor (120).例文帳に追加

アーク・フラッシュ検出器（１００）が、光センサ（１２０）と、光センサ（１２０）と通信状態にある光減衰フィルタ（１１０）と、光減衰フィルタ（１１０）および光センサ（１２０）を支持するように配置されたハウジング（１４０）と、光センサ（１２０）と通信状態にある論理回路（１３０）とを備える。 - 特許庁

Before the transfer of data is performed between a microcomputer 11 and a flash ROM 21, the optimization processing of a clock signal is performed, and while the cycle of the clock signal generated by a clock generation part 13 is reduced (the frequency is increased), verification is repeatedly executed by an arithmetic processing part 12.例文帳に追加

マイコン１１とフラッシュＲＯＭ２１との間でデータの授受を行う前に、クロック信号の最適化処理を行い、演算処理部１２により、クロック生成部１３で生成されるクロック信号の周期を縮小（周波数を高く）しながら、ベリファイを繰り返し実行する。 - 特許庁

This can accurately detect the unevenness of exposure by a cyclic stripe pattern caused by the unevenness of exposure when the exposure start timing of adjacent odd/even lines is largely out of misalignment and the unevenness of exposure results from the other flash firing or the like occurs in one frame image (step S24).例文帳に追加

これにより、隣接する奇数／偶数ラインの露光開始タイミングが大きくずれ、他者のフラッシュ発光等に起因する露光ムラが１フレームの画像に発生する場合には、その露光ムラは周期的な縞模様になるため、露光ムラを精度よく検出することができる（ステップＳ２４）。 - 特許庁

The good impurity activation is carried out by allowing the carbon thin film to absorb the flash light so that the same is heated and by heating at higher temperature a surface of a semiconductor wafer into which the impurity is implanted in comparison with the case where the thin film is not formed.例文帳に追加

フラッシュ光を吸収することによって炭素の薄膜が昇温し、薄膜が形成されていない場合に比較して不純物が注入されている半導体ウェハーの表面をより高温に昇温して良好な不純物の活性化処理を行うことができる。 - 特許庁

As a result, the reference light source device for high temperature high-speed radiation thermometers can be provided, which performs radiation temperature measurement of the surface temperature of the silicon wafer processed by a flash lamp anneal method (FLA) under development as a next-generation wafer heat treatment process, and a laser anneal method (LA).例文帳に追加

次世代ウエハ熱処理工程として開発中のフラッシュランプアニール法（ＦＬＡ）やレーザーアニール法（ＬＡ）において処理されるシリコンウエハの表面温度を放射温度計測するための高温高速放射温度計用参照光源装置を提供することが可能である。 - 特許庁

As the capillary tube 5 enters into the evaporator 57 after the heat exchange with the surface of the evaporator tank 9, a temperature at an outlet side of the capillary tube 5 is lowered, the generation of the flash gas is prevented, the supercooling of the condenser outlet liquid can be secured, and the refrigerating capacity can be enhanced.例文帳に追加

かかることにより、キャピラリチューブ５は、蒸発器タンク９の表面と熱交換した後、蒸発器５７に入るため、キャピラリチューブ５の出口側の温度が低下し、フラッシュガスの発生の防止と、凝縮器出口液の過冷却が確保でき、冷凍能力を高めることができる。 - 特許庁

In case of high-level erasure, since the purpose is to discard the unit to be guarded against reuse, in addition to the above data erasure functions, the BIOS destroys the self-BIOS in the flash ROM, thus performing complete protection so as to prevent the self-unit from activation.例文帳に追加

レベル高位の消去の場合には、目的が装置自身の再利用不可としたガードをかけるべき廃棄となるので、ＢＩＯＳは、これまでのデータ消去機能に追加して、フラッシュＲＯＭ内のＢＩＯＳ自身をも破壊し、装置そのものが起動しないように完全な保護をかける。 - 特許庁

This flash memory detects a threshold voltage VT of the memory transistor 1 of a writing target, sets the initial value of the pulse voltage VP of a writing pulse signal on the basis of the detected value, and increases the pulse voltage VP by a step voltage ΔV each time a writing pulse signal is applied.例文帳に追加

このフラッシュメモリでは、書込対象のメモリトランジスタ１のしきい値電圧ＶＴを検出し、その検出値に基づいて書込パルス信号のパルス電圧ＶＰの初期値を設定し、書込パルス信号を印加する毎にパルス電圧ＶＰをステップ電圧ΔＶずつ上昇させる。 - 特許庁

To reduce a cost by attaining a macro-photographing illumination light source by making the use of a functional component already loaded to a camera, without using special accessories such as an adapter, without increasing the number of components such as an optical fiber, further, without substituting an electronic flash for the light source.例文帳に追加

アダプターなどの格別のアクセサリーを使用したり、光ファイバーなどの部品増大を招くことなく、更にはストロボを代用することなく、既にカメラに備えられている機能品を活用してマクロ撮影用の照明光源を実現することにより、コストダウンを図ることができる。 - 特許庁

An image forming unit 13 forms a K-color toner image of minimum dot size of one dot, M-color and C-color toner images of two dots, and a Y-color toner image of four dots, respectively, transfers these images onto a paper sheet, and discharges the paper sheet after fixing by a flash fixing device 44.例文帳に追加

画像形成部１３は、各色の網点画像データに基づき、最小ドットサイズが１ドットのＫ色トナー像、２ドットのＭ色及びＣ色のトナー像、４ドットのＹ色トナー像をそれぞれ形成して用紙上に転写し、閃光定着装置４４で定着した後に排出する。 - 特許庁

This semiconductor device, a semiconductor memory device or a flash memory includes a high voltage region including a high voltage component, a low voltage region including a low voltage component and a switch transistor for connecting the high voltage region and the low voltage region, such as a low voltage switch transistor.例文帳に追加

半導体装置、半導体メモリ装置、またはフラッシュメモリは高電圧構成要素を含む高電圧領域、低電圧構成要素を含む低電圧領域、および低電圧スイッチトランジスタのような前記高電圧領域と低電圧領域とを連結するスイッチトランジスタを含む。 - 特許庁

The flash memory device includes: a string having at least a string selection transistor, a ground selection transistor and memory cell transistors connected in series between the transistors, the memory cell transistors being connected to a corresponding word line respectively; and bit lines connected to the string.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ装置は、ストリング選択トランジスタ、接地選択トランジスタ、および前記選択トランジスタの間に直列連結されたメモリセルトランジスタを有する少なくとも一つのストリングと、前記メモリセルトランジスタは対応するワードラインに各々連結され、前記ストリングに連結されたビットラインを含む。 - 特許庁

This slave controller 1 connected to the slave stroboscope used in the wireless multiple flash system consisting of the master stroboscope and the slave stroboscope is provided with a function to intercept a light emission start signal for making the slave stroboscope emit light, which is outputted to the synchro contact of the slave stroboscope.例文帳に追加

本発明は、マスターストロボとスレーブストロボからなるワイヤレス増灯システムに使用するスレーブストロボに接続するスレーブ制御装置１において、スレーブストロボのシンクロ接点へ出力されるスレーブストロボを発光させるための発光開始信号を遮断する機能を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To attain the mitigation and elimination of constraints related to the position and attitude of a remote flashing device at a low cost, regarding an illuminating system for obtaining illuminating light required for multiple flash photographing with the cooperation of a master flashing device and a wireless flashing device.例文帳に追加

本発明は、マスター閃光装置とワイヤレス閃光装置とが連動することによって増灯撮影に必要な照明光を得る照明システムに関し、リモート閃光装置の位置および姿勢にかかわる制約の緩和や解消が安価に図られることを目的とする。 - 特許庁

To provide a flash discharge lamp that causes little sputtering for the emitter material when producing electrodes and using the lamp, and that can withstand such high operating voltage and extremely frequent discharges as about, 1500 V and 2 million shots by consolidating fixation of electrodes and electrode mandrels.例文帳に追加

電極と電極芯棒の固定を強固なものとし、電極製造時およびランプ使用時にエミッタ材料の飛散が少なく、使用電圧約１５００Ｖで２００万ショットというような、高電圧で極多回数の放電にも耐えうる閃光放電ランプを提供すること。 - 特許庁

The first memory array block consists of mask ROM cells to be programmed with predetermined data during a semiconductor manufacturing process, and the second memory array block consists of (EEPROM) cells or flash memory cells to be programmed or erased with predetermined data after the semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

第１群のメモリアレイブロックは半導体製造工程中に所定データでプログラムされるマスクＲＯＭセルで構成され、第２群のメモリアレイブロックは半導体製造工程後に所定データでプログラムされるか、または消去されるＥＥＰＲＯＭセルまたはフラッシュメモリセルで構成される。 - 特許庁

An dry-cleaning composition possesses the performance to lower the aniline point of a petroleum based solvent when it is mixed with the petroleum based solvent but it is possible particularly to improve oily staining detergency without lowering the flash point.例文帳に追加

ドライクリーニング用洗浄剤組成物として、石油系溶剤と混合した時に石油系溶剤のアニリン点を降下させる性能を持つものが、引火点を下げる事なく、特に油性汚れの洗浄性能を向上させることが可能であることを見出し本発明に至つた。 - 特許庁

A control unit 10 of the DSC 1 obtains a current position from a GPS module 26 at imaging time, reads out the INDEX 30 corresponding to the current position from the flash memory 11, and automatically performs the camera setting by the setting values described in the INDEX 30.例文帳に追加

そして撮影時に、ＤＳＣ１の制御部１０が、ＧＰＳモジュール２６から現在位置を得、この現在位置に対応するＩＮＤＥＸ３０をフラッシュメモリ１１から読み出し、そのＩＮＤＥＸ３０に記された設定値で自動的にカメラ設定を行うようにした。 - 特許庁

This NAND flash memory device includes a cell array connected to a plurality of bitlines, a page buffer for storing data to be programmed in the cell array, and a bitline setup circuit for successively setting up the plurality of bitlines with a specified unit in accordance with the data stored in the page buffer.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は複数個のビットラインに連結されるセルアレイと、前記セルアレイにプログラムされるデータを貯蔵するページバッファと、前記ページバッファに貯蔵されたデータに応じて複数個のビットラインを一定の単位で順にセットアップするビットラインセットアップ回路とを含む。 - 特許庁

When performing flash irradiation while holding the semiconductor wafer W with the holding part 7, a gas supplied from the gas supplying source 99 is ejected through each outlet 74 upward in the vertical direction and the semiconductor wafer W is floating over the holding face 75.例文帳に追加

保持部７によって半導体ウェハーＷを保持して閃光照射を行うときには、ガス供給源９９から供給された気体が各噴出口７４から鉛直方向上方に向けて噴出しており、半導体ウェハーＷが保持面７５から浮上している。 - 特許庁

By drying the waste to some extent by the crushing flash dryer of a relatively small capacity and then bringing the undried water-containing organic waste into direct contact with new superheated steam for drying, the waste can be efficiently dried with a compact apparatus constitution as a whole.例文帳に追加

比較的容量の小さい破砕気流乾燥機によってある程度廃棄物を乾燥させた後、未乾燥の含水有機廃棄物を新たな過熱蒸気と直接接触させて乾燥させるため、全体的にコンパクトな装置構成で効率よく乾燥させることができる。 - 特許庁

In this xenon flash lamp 1, a lamp body 5 positioned and adjusted previously to a substrate 6 is fixed to the positioning substrate 6 with a trigger circuit 32, by means of a flange part 20 of the lamp body 5.例文帳に追加

本発明によるキセノンフラッシュランプ１においては、ランプ本体５のフランジ部２０を利用して、トリガ回路３２付き位置決め用基板６に対しランプ本体５を固定し、この固定にあたって、基板６に対しランプ本体５を既に位置決め調整済みの状態にしたものである。 - 特許庁

To improve strength of a mold manufactured by methods of molding a self-hardening mold or a mold hardened with ester gas using water-soluble phenol resin as a bonding, agent and to raise the flash point of a hardener used for method of molding mold hardened with ester gas.例文帳に追加

水溶性フェノール樹脂を粘結剤として用いる自硬性鋳型造型法やエステルガス硬化鋳型造型法によって製造される鋳型の強度を向上させること、およびエステルガス硬化鋳型造型法において使用される硬化剤の引火点を高めることを目的とする。 - 特許庁

A desired embroidery pattern is selected from among plural kinds of the embroidery patterns (S3), and when the pattern data of the embroidery pattern are read (S8), the subtractive color display data are prepared by executing the subtractive color processing (S17) and the subtractive color display data are stored in a flash memory (S18).例文帳に追加

複数種類の刺繍模様から所望の刺繍模様を選択され（Ｓ３）、その刺繍模様の模様データが読込まれると（Ｓ８）、その刺繍模様のカラー表示データに減色処理を施して減色表示データが作成され（Ｓ１７）、その減色表示データがフラッシュメモリ２５に記憶される（Ｓ１８）。 - 特許庁

A main CPU 27 instructs the image processing CPU 252 to execute processing of detecting and deleting defective data, where all of the start mark, image data and the end mark are not in existence, among video recording data stored in the flash memory before stopping supply of power to the video recording block.例文帳に追加

メインＣＰＵ２７は、録画ブロックへの電源供給を停止する前に、画像処理ＣＰＵ２５２に対して、フラッシュメモリに保存された録画データの中からスタートマーク、画像データ及びエンドマークのそろっていない不良データを検出して消去する処理の実行を指示する。 - 特許庁