「isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(144ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a restoring mechanism for a base isolation device, for preventing the resonance between the vibrations of the ground and a superstructure caused by an earthquake while supporting the load of the superstructure, and also for surely restoring the swinging of a building to an original position in a short time by the simple mechanism when the vibration due to the earthquake is over.例文帳に追加

上部構造物の荷重を支持しつつ、地震により生じる地盤の振れと上部構造物が共振しないようにすると共に、地震による振動が収まった時に、建物の揺れを簡単な機構によって短時間で確実に元の位置まで復元させることができる免震装置における復元機構を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon substrate 1 having a major surface, a trench 2 made in the substrate 1, and an isolation region comprising an insulation film filling the trench 2 and having a part 4 projecting from the major surface where slopes 5a-5c are formed from the top of the projecting part 4 to the major surface of a basic body.例文帳に追加

主表面を有するシリコン基板１と、この基板１内に形成された溝２と、この溝２内に埋め込まれるとともに、前記主表面より突出する突出部４を有し、かつこの突出部４の頂部から基体の主表面にかけてスロ−プ状５ａ〜５ｃとなっている絶縁膜から成る素子分離領域を有する。 - 特許庁

To provide a base isolation fluid damper device capable of surely preventing a relative displacement quantity from exceeding limit displacement in an unexpected big earthquake, by accurately knowing a horizontal directional relative displacement quantity of an upper building and a foundation in the earthquake without directional dependency in all directions of 360° on a horizontal plane, and adjusting damping force in response to the relative displacement quantity.例文帳に追加

地震時の上部建物と基礎との水平方向の相対変位量を水平面上３６０°全方向において方向依存性なく正確に知ることができて、該相対変位量に対応して減衰力の調整を行うことができ、想定外の大地震時に相対変位量が限界変位を超えることを確実に防止できる免震流体ダンパ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a perpendicular medium in which an isolation structure of an underlayer is formed wherein a magnetic cluster size can be reduced while orientation dispersion is suppressed in a magnetic recording layer and high recording performance by the thin film thickness of the underlayer is made possible using a simple method as in a conventional manufacturing process for a medium of continuous films.例文帳に追加

従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。 - 特許庁

A decoding part 658 increases the probability, when determining the isolated point candidate pixels detected by the isolated point detection parts 644 and 646 as noise isolated points according to inter-pixel distances represented by the signals D21 and D31, etc., the detected isolated point candidate pixel with smaller detection size is determined as the noise isolation point.例文帳に追加

デコード部658 は、信号D21，D31などにより表される画素間距離に基づいて、孤立点検出部644，646により検出された孤立点候補画素をノイズ孤立点と判定するに際して、画素間距離が小さい程検出サイズが小さい方により検出された孤立点候補画素をノイズ孤立点と判定する度合いが大きくなるようにする。 - 特許庁

To provide an optical circuit for arranging optical paths capable of realizing eight kinds of optical propagation amplifying states and twelve kinds of optical propagation states by optically amplifying an optical signal while securing the isolation of the optical signal in the direction of the propagation regarding the up and down directions in optical fiber for each wavelength channel, and performing optical cross-connect for each wavelength channel.例文帳に追加

光ファイバ中をそれぞれの波長チャンネル毎に上りおよび下り方向に関して信号光の伝搬方向へのアイソレーションを確保しつつ光増幅し、かつ各波長チャンネル毎に光クロスコネクトを行うことにより８通りの光伝搬増幅状態および１２通りの光伝搬増幅状態を実現し得る光パス・アレンジ用光回路を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing pad which can carry out polishing rapidly while preventing generation of fine polishing scratches and a manufacturing method of a polishing object by carrying out polishing rapidly while preventing generation of polishing scratches when an interlayer insulation film, a BPSG film, a shallow trench separating isolation film and other polishing object surfaces are flattened by polishing.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜、その他の被研磨物表面を研磨し平坦化するに当たり、微細な研磨傷の発生を抑制しながら、研磨を高速に実施することができる研磨用パッド及び研磨傷の発生を抑制しながら高速に研磨を実施し、被研磨物の製造法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the manufacturing method of the duplexer utilizing the air gap type FBAR includes the steps of: manufacturing a first substrate part wherein a plurality of laminated resonant parts are produced; manufacturing a second substrate part wherein a plurality of air gaps and isolation parts formed therebetween are produced; and bonding the first substrate part and the second substrate part.例文帳に追加

一方、このエアギャップ型ＦＢＡＲを利用したデュプレクサの製造方法は、積層共振部が複数製作された第１基板部の製造段階、複数のエアギャップおよびその間に形成されたアイソレーション部が製作された第２基板部の製造段階および第１基板部と第２基板部を接合させる段階を含む。 - 特許庁

A semiconductor laser 26 is mounted on a submount 16 through solder layers 20, 21 and 22 by junction-down mounting, and it is formed monolithically with an infrared laser part 27 and a red laser part 28 which are isolated by an isolation groove 29, where an insulating layer 14 is formed, and are placed adjacently on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ２６はサブマウント１６の上に半田層２０、２１および２２を介してジャンクションダウン実装により載置されたものであり、それはｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、絶縁層１４が形成された分離溝２９によって分離された赤外レーザ部２７と赤色レーザ部２８とが隣接してモノリシックに形成されたものである。 - 特許庁

A P-type isolation region 16 is arranged so that it continuously surrounds N-type epitaxial layers 12 corresponding to the forming regions of the protection element 14 and the bonding pad 22 without separating the N-type epitaxial layer 12 corresponding to the forming region of the protection element 14 and the N-type epitaxial layer 12 corresponding to the forming region of the bonding pad 22.例文帳に追加

保護素子１４の形成領域に対応するＮ型エピタキシャル層１２と、ボンディングパッド２２の形成領域に対応するＮ型エピタキシャル層１２とを分離することなく、保護素子１４及びボンディングパッド２２の形成領域に対応するＮ型エピタキシャル層１２を連続して囲むようにＰ型アイソレーション領域１６を設けた。 - 特許庁

To provide a radar system capable of enhancing receiving sensitivity and further surely preventing saturation of a receiver or increase in a noise index at a receiving end by using one antenna for transmitting and receiving, thereby enabling further miniaturization, and further suppressing leak signal from a transmitting end to the receiving end, thereby further enhancing the isolation degree between transmitting and receiving.例文帳に追加

一つのアンテナを送受信に兼用することで更なる小型化を可能にすると共に、送信端から受信端への漏れ信号を更に抑制することで送受信間の隔離度を更に高め、それにより、受信感度を高め、かつ、受信機の飽和や受信端での雑音指数の増加を更に確実に防止できるレーダシステムを提供する。 - 特許庁

When the output voltage of a high-voltage battery E1 is monitored with a power switch SW1 on the voltage obtained, by dividing the output voltage of the high-voltage battery E1 and an offset voltage are applied to an isolation amplifier 4, a high-precision voltage value can be detected at a high voltage level of about 400 to 500 V.例文帳に追加

電源スイッチＳＷ１がオンとされたときに、高電圧バッテリＥ１の出力電圧をモニタする場合には、絶縁アンプ４には、高電圧バッテリＥ１の出力電圧を分圧した電圧、及びオフセット電圧が供給されるので、４００〜５００ボルト程度の高い電圧のレベルで、高精度な電圧値の検出が可能となる。 - 特許庁

The rubber composition for a seismic isolation structure contains a high-cis isoprene rubber having a cis-isomer content of ≥90 mass% as a main rubber component, wherein the ratio of the high-cis isoprene rubber to the total rubber component is ≥50 mass% and the ratio of the cis-isomer in the high-cis isoprene rubber is 90-99 mass%.例文帳に追加

シス形の含有割合が９０質量％以上の高シス−イソプレンゴムを主なゴム成分として含有することを特徴とする免震構造体用ゴム組成物であり、高シス−イソプレンゴムが全ゴム成分の５０質量％以上であり、高シス−イソプレンゴムのシス形の含有割合が９０〜９９質量％である免震構造体用ゴム組成物。 - 特許庁

In an insulated space section formed between a bracket 4 and a stator 16 and a rotor 17 in the axial direction of the rotor, a first control board 12 having a high voltage system motor drive circuit 19 and an insulating circuit 20 is built in integrally with a second control board 21 having a low voltage system control board 23 in isolation.例文帳に追加

回転子軸方向でブラケット４と固定子１６及び回転子１７との間に形成される絶縁空間部に高電圧系のモータ駆動回路１９と絶縁回路２０を有する第１の制御基板１２が低電圧系の制御回路２３を有する第２の制御基板２１と分離して一体に組み込まれる。 - 特許庁

In the case that amplitude and phases of two systems of input signals are deviated from a mixing condition of the power mixer 18 due to amplitude and phase deviation in outputs of power amplifiers 16, 17, a high frequency power produced at the isolation terminal 5 can be regenerated to a DC power by a rectifier circuit 20.例文帳に追加

電力増幅器１６および１７の出力の振幅および位相偏差により、二系統の入力信号の振幅，位相が電力合成器１８の合成条件からずれた場合、アイソレーション端子５に発生した高周波電力は、整流回路２０により直流電力として回収することができる。 - 特許庁

In the photoelectric conversion device having the charge retention portion, of an element isolation region in contact with a semiconductor region is disposed in the semiconductor substrate from a reference level including a light reception surface of the photoelectric conversion element up to the depth equal to the semiconductor region or the depth deeper than the semiconductor region when compared with the semiconductor region comprised of the charge retention portion.例文帳に追加

電荷保持部を有する光電変換装置において、電荷保持部を構成する半導体領域に比べて、その半導体領域と接する一部の素子分離領域が、光電変換素子の受光面を含む基準面から半導体基板に、その半導体領域と等しい深さまで、もしくはその半導体領域より深くまで設けられている。 - 特許庁

The photodiode array PDA1 includes: a p^--type semiconductor layer 33 formed on an n-type semiconductor layer 32; a resistor 24 that is provided for each light detection channel CH and has one edge connected to a signal conductor 23; and an n-type isolation section 40 formed among the plurality of light detection channels CH.例文帳に追加

フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、ｎ型半導体層３２上に形成されたｐ^−型半導体層３３と、光検出チャンネルＣＨ毎に設けられると共に信号導線２３に一端部が接続される抵抗２４と、複数の光検出チャンネルＣＨの間に形成されるｎ型の分離部４０とを備える。 - 特許庁

To provide an optical circuit for optical path arrangement that can realize light ways of light propagation amplification states and twelve ways of light propagation amplification states by amplifying a signal light while ensuring isolation of the signal light in the propagation direction with respect to incoming and outgoing directions by each wavelength channel in an optical fiber and applying optical cross connect to each wavelength channel.例文帳に追加

光ファイバ中をそれぞれの波長チャンネル毎に上りおよび下り方向に関して信号光の伝搬方向へのアイソレーションを確保しつつ光増幅し、かつ各波長チャンネル毎に光クロスコネクトを行うことにより８通りの光伝搬増幅状態および１２通りの光伝搬増幅状態を実現し得る光パス・アレンジ用光回路を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device wherein an element is separated by the LOCOS oxide film is provided with an SOI board having an insulating layer and a silicon layer formed thereon, a plurality of semiconductor elements formed on the silicon layer, and an element isolation area that is formed from the surface of the silicon layer up to the insulating layer and isolates the semiconductor elements electrically.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜により素子分離された半導体装置が、絶縁層と絶縁層上に設けられたシリコン層とを含むＳＯＩ基板と、シリコン層に形成された複数の半導体素子と、シリコン層の表面から絶縁層に達するように形成され、半導体素子の間を電気的に分離する素子分離領域とを含む。 - 特許庁

To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

The inventors have eagerly searched physiologically active substances obtained from various microorganisms to consequently success in isolation of novel cyclic compounds exhibiting excellent antimicrobial activities on a bacterium belonging to the genus Propionibacterium or on a phlogogenic bacterium of a periodontal disease from an actinomyces belonging to the genus Streptomyces and further found that these compounds exhibit antiinflammatory actions also.例文帳に追加

本発明者らは、様々な微生物から得られる生理活性物質について鋭意探索した結果、ストレプトミセス属に属する放線菌より、プロピオニバクテリウム属菌種や歯周病起炎菌種に優れた抗菌活性を有する新規な環状化合物を単離することに成功し、更にこれらの化合物は抗炎症作用をも有することを見出した。 - 特許庁

A semiconductor device may include a semiconductor substrate; an element isolation region which is formed in the semiconductor substrate and includes an oxide layer and an oxidant diffusion prevention layer located on the oxide layer; a gate insulating film formed on the semiconductor substrate and the oxidant diffusion prevention layer; and a gate electrode formed on the gate insulating film.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、酸化物層と、前記酸化物層上に位置する酸化剤拡散防止層とを有する素子分離領域と、前記半導体基板上および前記酸化剤拡散防止層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有する。 - 特許庁

The EEPROM is provided with: a semiconductor substrate; component isolation films that define active regions on the semiconductor substrate; at least one insulating film that fills up a trench formed on the active region; a floating gate insulating film formed on the insulating film; and a floating gate conductive film formed on the floating gate insulating film.例文帳に追加

半導体基板、半導体基板に活性領域を定義する素子分離膜、活性領域に形成されたトレンチを充填する少なくとも一つの絶縁膜、絶縁膜上に形成された浮遊ゲート絶縁膜、及び浮遊ゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲート導電膜を備えるＥＥＰＲＯＭである。 - 特許庁

A silicon based electric insulation film containing a second element with respect to silicon is formed beneath an isolation trench between adjacent power generating regions formed by shaping a second electrode layer and the content of the second element in the silicon based electric insulation film is made uneven in the film thickness direction thus obtaining a multilayer thin film solar cell.例文帳に追加

第２電極層の形状加工により形成される隣接する発電領域間の分離溝下に、シリコンに対し第２の元素を含むシリコン系電気絶縁膜が形成され、このシリコン系電気絶縁膜における第２の元素の含有量がその膜厚方向に不均一である集積型薄膜太陽電池により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

The semiconductor device which has solved the above problems comprises a semiconductor substrate, an element isolation which protrudes from the semiconductor substrate and has a narrower width on the semiconductor substrate than a width in the semiconductor substrate, a semiconductor layer formed on a portion of the semiconductor substrate sandwiched between the element isolations, and a MOSFET formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板から突き出し、前記半導体基板上の幅が前記半導体基板中の幅よりも狭い素子分離と、前記素子分離に挟まれた半導体基板部分上に形成された半導体層と、前記半導体層に形成されたＭＯＳＦＥＴとを具備する。 - 特許庁

The recording layer (RL) comprises a lower layer of high-anisotropy FePt alloy having chemical regularity, an upper layer of a low-anisotropy Co/X laminate or multiple layer (ML) having perpendicular magnetic anisotropy, and a nonmagnetic isolation layer or coupling layer (CL) between the FePt layer and ML which is provided upon occasion.例文帳に追加

この記録層（ＲＬ）は、化学的規則性をもつ高異方性のＦｅＰｔ合金の下部層と、垂直磁気異方性を有する低異方性のＣｏ／Ｘ積層体または多重層（ＭＬ）の上部層と、場合によって設けられる、ＦｅＰｔ層とＭＬとの間の非磁性の分離層または結合層（ＣＬ）とから形成される。 - 特許庁

To provide a radiation image conversion panel of excellent durability which prevents a substrate from corroding owing to phosphors by using a polyparaxylene film as an isolation film for isolating a phosphor layer from the substrate and keeps the phosphor layer without exfoliation over a long-period because the adhesion between the polyparaxylene film and the phosphor layer is high.例文帳に追加

蛍光体層と基板とを隔離する隔離層としてポリパラキシリレン膜を用いることにより、蛍光体による基板の腐食を防止すると共に、ポリパラキシリレン膜と蛍光体層との密着力が高く、長期にわたって蛍光体層が剥離することが無い、耐久性に優れる放射線像変換パネルを提供することにある。 - 特許庁

The method for the production of the protein which binds to the IGF-1 receptor, by expressing an exogenous DNA in prokaryotic or eukaryotic host cells and isolation of the protein, wherein the protein is coded by a specific DNA sequence or a nucleic acid which hybridizes under stringent conditions with a nucleic acid sequence complementary to the nucleic acid sequence.例文帳に追加

原核生物又は真核生物宿主細胞において外来DNAを発現させ、そしてIGF-1レセプターに結合するタンパク質を単離することにより、当該タンパク質を生産するための方法であって、該タンパク質が、特定のDNA配列又は該核酸配列と相補的な核酸配列とストリンジェント条件下でハイブリダイズする核酸によりコードされることを特徴とする方法。 - 特許庁

In order to secure isolation between the antenna 151 for transmission and the antenna 152 for reception, through-hole columns 160 for leakage prevention for intercepting leak electromagnetic waves are formed in the vicinity of the boundary between the antenna 151 for transmission and the connection 153 and in the vicinity of the boundary between the antenna 152 for reception and the connection 153.例文帳に追加

送信用アンテナ１５１及び受信用アンテナ１５２のアイソレーションを確保するために、送信用アンテナ１５１と連結部１５３との境界近傍、及び受信用アンテナ１５２と連結部１５３との境界近傍に、それぞれ漏れ電磁波を遮蔽するための漏れ防止用スルーホール列１６０を形成している。 - 特許庁

To take a measure so that wafer inspection probes may not contact mutually even when a PAD is arranged in the center section of a semiconductor substrate to raise isolation between circuit blocks by forming rewiring to be short in a package, such as a chip size package, in which rewiring and external connection terminals are formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

チップサイズパッケージのように半導体基板上に再配線と外部接続端子とを形成するパッケージにおいて、再配線を短く形成して、回路ブロック間のアイソレーションを高めるように半導体基板の中央部にＰＡＤを配置する場合にも、ウエハ検査プローブが相互に接触することがないように対策する。 - 特許庁

To provide the wall oxide film forming method of a flash memory element, and the element isolation film forming method of the flash memory element using this which can improve element property by preventing dislocation phenomenon in which a silicon substrate of trench inner wall is broken by an oxidation process performed after a formation of trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの形成後に行われる酸化工程によってトレンチ内側壁のシリコン基板が破れるディスロケーション現象を防止して素子特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及びこれを用いたフラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The method for producing an indolylazaphthalide compound (6) comprises converting a quinolinecarboxylic acid derivative (1) to an quinolinecarboxylic anhydride (2), successively reacting the quinolinecarboxylic anhydride without isolation with an indole derivative (3) in one pot to obtain a pyridinecarboxylic acid derivative (4), and then reacting the pyridinecarboxylic acid derivative with an aniline derivative (5).例文帳に追加

キノリン酸誘導体（１）をキノリン酸無水物誘導体（２）に変換後、これを取り出すことなく引き続きワンポットでインドール誘導体（３）と反応させてピリジンカルボン酸誘導体（４）を得、次いでアニリン誘導体（５）と反応させることを特徴とするインドリルアザフタリド化合物（６）の製造方法。 - 特許庁

The rice seed direct sowing machine is designed to sow the plurality of rice seeds in a number of one to 4 grains in each of the plurality of rice seed direct sowing sites in the paddy field so as to isolate one rice seed direct sowing site from other rice seed direct sowing sites located nearest to the one rice seed direct sowing site by an isolation interval within a prescribed range.例文帳に追加

本発明の種籾直播機は、水田における複数の種籾直播個所の各々に１粒から４粒のいずれかの粒数の前記種籾を播き、かつ、一の前記種籾直播個所と当該一の種籾直播個所に対して最も近くに位置する他の前記種籾直播個所とが所定範囲内の離隔間隔だけ離隔されるように前記複数の種籾を水田に播く。 - 特許庁

An image enhancing mask 6 for pattern formation includes a transmissive substrate which transmits exposure light and a semi-light-shielding portion 8 which is formed on the transmissive substrate and has transmittance allowing the exposure light to be partially transmitted and corresponds to an isolation line pattern, and a phase shifter 9 which is provided at an opening in the semi-light-shielding portion 8.例文帳に追加

パターン形成用のイメージ強調マスク６は、露光光に対して透過性を有する透過性基板７と、透過性基板７上に形成され、露光光の一部分を透過させる透過率を持ち且つ孤立ラインパターンと対応する半遮光部８と、半遮光部８の内部の開口部に設けられた位相シフター９とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an inorganic iodine compound by which the solidification, the coloring due to the isolation of iodine and the degradation of purity caused by the high hygroscopicity, the high deliquescent property and the easily liberated characteristic of iodine which are the nature of the widely and industrially used inorganic iodine compound are improved and which has high purity, excellent preservation stability and easily handlable property.例文帳に追加

産業上広く利用されている無機ヨウ素化合物が本来有する、吸湿性、潮解性が強く、ヨウ素を遊離しやすいという性状に起因する、固結、ヨウ素の遊離による着色及び純度低下を改善した、高純度で保存安定性がよく取り扱いが容易な当該化合物の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device manufactured by an SBSI (separation by bonding silicon island) method, an element isolation layer 13 is formed into a planar shape of "surrounding an element forming region 10, segmenting an SOI forming region 1a from an SOI forming region 1c within the surrounded region and segmenting an SOI forming region 1b from an SOI forming region 1d therewithin".例文帳に追加

ＳＢＳＩ法よって製造される半導体装置であって、素子分離層１３を「素子形成領域１０を囲み、囲んだ範囲内でＳＯＩ形成領域１ａとＳＯＩ形成領域１ｃとの間を仕切ると共に、ＳＯＩ形成領域１ｂとＳＯＩ形成領域１ｄとの間を仕切る」平面形状に形成している。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 110; a trench 136 formed on the semiconductor substrate; and an element isolation 160 filled in the trench and having a wet etching speed which is slow at the wet etching speed near the upper end of the trench as compared with the near of the lower end of the trench, and which is substantially uniform in a plane parallel to the front surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１０と、半導体基板に形成されたトレンチ１３６と、トレンチの内部に充填され、ウェットエッチング速度がトレンチの下端部近傍よりもトレンチの上端部近傍において遅く尚且つ半導体基板の表面と平行な面内においてはほぼ均一なウェットエッチング速度を有する素子分離部１６０とを備えている。 - 特許庁

If the own-vehicle position and the display elements including the city centers or facilities are displayed in isolation on the display section 7, the control section calculates the route from the own-vehicle position to the display elements under the condition recommended by the navigation or under the condition designated by the user, and draws the route produced as a result of the route calculation on the drawing memory.例文帳に追加

そして、表示部７に、自車位置およびシティセンターもしくは施設の表示要素が孤立して表示された場合、ナビゲーションの推奨条件、もしくはユーザの指定条件に基づき、自車位置から表示要素までの経路を計算し、当該経路計算の結果生成される経路を描画メモリに描画する。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method includes a step of irradiating a proton several times from either one of main surfaces of a p-type wafer 15 while changing acceleration energy, forming proton injection regions 24 with different depths so as to be linked from the one main surface to the other main surface, and then forming an n-type isolation layer 25 by donating the proton injection regions 24 via heat treatment.例文帳に追加

ｐ型ウエハ１５のいずれか一方の主面からプロトンを複数回、加速エネルギーを変えて照射し、深さの異なるプロトン注入領域２４を、前記一方の主面から他方の主面にかけて繋がるように形成し、その後、熱処理によりドナー化することによりｎ型分離層２５を形成する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

The low horizontally movable device 9 having a specified friction constituted of a rolling device or a sliding device is interposed between a floor pallet 8 to be laid on a floor and the ground face 3a of a foundation 3 when constituting a garage 6 to form a low floor and connect the floor pallet 8 through a connection device (not shown in the figure) to the base isolation building body 1.例文帳に追加

ガレージ６を構成するに当り、床に敷設する床パレット８と基礎３の地盤面３ａとの間に、高さが低く、転がり装置或は滑り装置から構成された所定の摩擦度を持った水平移動可能装置９を介在させて低床を構成し、かつこの床パレット８を連結装置（図示せず）を介して免震建物本体１に連結する。 - 特許庁

An element isolation oxide film 3 and a first gate oxide film 5 are formed on a semiconductor substrate 1, the gate oxide film 5 in device forming regions 3b and 3c is removed using the mask of a silicon nitride film 7 formed on the first gate oxide film 5 of a device forming region 3a, and a second oxide film 11 is formed by thermal oxidation (D).例文帳に追加

半導体基板１に素子分離酸化膜３及び第１ゲート酸化膜５を形成し、素子形成領域３ａの第１ゲート酸化膜５上に形成したシリコン窒化膜７をマクスにして素子形成領域３ｂ，３ｃのゲート酸化膜５を除去し、熱酸化処理により第２ゲート酸化膜１１を形成する（Ｄ）。 - 特許庁

Then, when the display of a prediction vibration value is instructed, vibration at a position where the vibration isolation device has been disposed is calculated for prediction, based on a database for each of the input distance from the construction position, construction type, and a construction machine type stored in advance, thus displaying prediction results and the evaluation reference value on a display (120-126).例文帳に追加

そして、予測振動値の表示が指示された場合に、入力された工事位置からの距離、及び工事種、並びに予め記憶された建設機械種毎にデータベースに基づいて、嫌振装置が配置された位置における振動を算出することによって予測し、予測結果及び評価基準値をディスプレイに表示する（１２０〜１２６）。 - 特許庁

To reduce a coupling radiation in electric field caused by a stray capacitance between two signal lines in differential signal lines, and a stray capacitance between upper side differential signal lines and a stray capacitance between lower side differential signal lines in the upper/lower differential signal lines, and to make transmission characteristics proper over a wide frequency range by improving isolation characteristics, etc.例文帳に追加

差動信号線路間における２つの信号線路間の浮遊容量、上下差動信号線路における上面側差動線路間の浮遊容量、および下面側差動線路間の浮遊容量によって発生する電界のカップリング放射を抑制し、アイソレーション特性等を改善して広帯域にわたって伝送特性を良好なものとすること。 - 特許庁

The reactor containment has a reactor primary containment apparatus 36 for containing a reactor pressure vessel 2, an upper secondary containment 42 placed above the reactor primary containment 36, and a gas phase vent pipe 44 for connecting between the reactor primary containment 36 and the upper secondary containment 42 by way of an isolation/connection switching means 45.例文帳に追加

原子炉格納容器は、原子炉圧力容器２を格納する原子炉一次格納容器３６と、原子炉一次格納容器３６の上方に設置された上部二次格納容器４２と、原子炉一次格納容器３６と上部二次格納容器４２の間を、隔離連通切替手段４５を介して連結する気相ベント管４４と、を有する。 - 特許庁

To provide a small-sized, inexpensive and simple telephone line interface circuit that is operated with a minimum power available when the circuit is hooked off, where a true event and a noise event can be distinguished preliminarily and an event signal can be sent between a device side and a line side while keeping electric isolation between the device side and the line side.例文帳に追加

回路がオンフック状態にあるときに利用可能な最小限の電力量で動作可能な、簡単で小型で低コストの電話線インタフェース回路であって、デバイス側とライン側の間の電気的絶縁を維持しながら、真のイベントとノイズイベントを予備的に区別し、デバイス側とライン側の間でイベント信号を伝えるものを実現する。 - 特許庁