「isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(143ページ目) - Weblio英語例文検索

The identification/isolation of the mesenchymal stem cell is effectively carried out by detecting the expression of an activated gene because the expression of the target gene of the vitamin D receptor is activated in the mesenchymal stem cell by the addition of a material for activating the expression of the gene such as 1,25-dihydroxyvitamine D.例文帳に追加

また、ビタミンＤ受容体の標的遺伝子が、１，２５水酸化ビタミンＤのような遺伝子の発現活性化物質の添加により、間葉系幹細胞中において、その発現が亢進されることから、該亢進した遺伝子の発現を検出することにより、効果的に間葉系幹細胞の識別・分離を行う。 - 特許庁

This semiconductor device having high dielectric strength comprises a semiconductor region 2, a diffusion region 6 for contact, a isolation diffusion region 4, a field insulation film 16, a metal electrode 25 electrically connected to the diffusion region 6 for contact and a plurality of plate electrodes 18a, 19a formed under the floating condition.例文帳に追加

半導体領域２と、コンタクト用拡散領域６と、分離拡散領域４と、フィールド絶縁膜１６と、コンタクト用拡散領域６と電気的に接続された金属電極２５と、フローティング状態で形成された複数のプレート電極１８ａ、１９ａとを備えた高耐圧半導体装置である。 - 特許庁

By connection of the capacitive element (101), comparatively large resistance is inserted between the base of the emitter follower circuit and the reference power sources for isolation, and thus, an influence of nonlinear components between the base and the emitter of a transistor constituting the reference power sources is reduced to reduce deterioration in the output waveform.例文帳に追加

この容量素子（１０１）の接続により、上記エミッタホロワ回路のベースと上記基準電源との間には、アイソレーションのために比較的大きな抵抗を挿入することができ、それによって、基準電源を構成するトランジスタのベース−エミッタ間の非線形成分の影響を小さくして出力波形の劣化の低減を図る。 - 特許庁

Further, a base formation layer 4 is formed on the n-type epitaxial growth layer 2 by epitaxial growth for example, and the base lead high concentration layer (p^+-type) 5 is formed like a stripe so as for the base formation layer to be engaged into the base formation layer 4 from the upper portion of the embedded oxide film (element isolation) 3 for deriving a base electrode.例文帳に追加

さらに、Ｎ型エピタキシャル成長層２の上には、ベース形成層４が例えばエピタキシャル成長によって形成され、埋込酸化膜(素子分離)３の上部からベース形成層４にくい込むように、ベース引出し高濃度層(Ｐ+型)５がベース電極取出しの為にストライプ状に形成されている。 - 特許庁

The laminated structure is constituted by alternately sticking a plurality of hard plates having rigidity and the soft plates having a viscoelastic property, and the base isolation rubber structure has such a characteristic that at least a large part of the soft plate having the viscoelastic property is a rubber composition in which a reinforcing material is contained, and the modulus of elasticity in the vertical direction is higher than that of in the horizontal direction.例文帳に追加

複数枚の剛性を有する硬質板と粘弾性的性質を有する軟質板とを交互に貼り合わせた積層構造体であって、該粘弾性的性質を有する軟質板の少なくとも大部分が、補強材が配合されたゴム組成物であり、その鉛直方向の弾性率が水平方向の弾性率よりも高いことを特徴とする免震ゴム構造体。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: burying the insulating film in a groove formed in the semiconductor device; forming a coating film to cover the buried insulating film; and forming the element isolation region by leaving stress in the insulating film, the stress generating strain in a region of the semiconductor substrate at a periphery of the insulating film through a heat treatment after forming the coating film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成した溝内に絶縁膜を埋め込む工程と、埋め込まれた前記絶縁膜上を覆うように被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜を形成した後、熱処理により、前記半導体基板の前記絶縁膜周辺の領域に歪みを発生させる応力を前記絶縁膜に残留させ、素子分離領域を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

As the vertical base isolation device, an air spring 26 comprising a spring chamber vertically expanding and contracting spring chamber 29 by a cylindrical steel case 26a having one blocked end and a sliding body 26b slid within the case is used, and a sliding mechanism is interposed between one end of the air spring and one structure on which the one end abuts.例文帳に追加

上下免振装置には、一端が閉塞された円筒状の鋼製ケース２６ａと該ケース内を摺動する摺動体２６ｂとによって内部に上下に拡縮するバネ室２９を形成した空気バネ２６を用い、該空気バネの一端と該一端が当接する一方の構造物との間に滑動機構を介在させる。 - 特許庁

Disclosed are Geobacillus T1 strain having a heat-resistant T1 lipase gene and its isolation method; a transformant expressing a heat-resistant T1 lipase and its preparation method wherein the lipase contains or does not contain a signal peptide, or is fused or not fused with GST (glutathione S-transferase) tag; and a method for producing the heat-resistant T1 lipase using the bacterial strain or the transformant.例文帳に追加

耐熱性Ｔ１リパーゼ遺伝子を有するジオバチルス属Ｔ１株およびその単離方法、シグナルペプチドを含むもしくは含まない、またはＧＳＴタグが融合されたもしくはされていない耐熱性Ｔ１リパーゼを発現する形質転換体およびその作製方法、および、同菌株または形質転換体を用いて耐熱性Ｔ１リパーゼを産生する方法。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a p-type silicon substrate 1 having a main surface, trenches 2 formed on an element isolation region in the main surface of the p-type silicon substrate 1, inner wall oxide films 3 formed on the inner walls of the trenches 2, nitride oxide layers 4 formed on the surfaces of the inner wall oxide films 3 and separated oxide films 5 embedded into the trenches 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、主表面を有するｐ型シリコン基板１と、ｐ型シリコン基板１の主表面における素子分離領域に形成されたトレンチ２と、トレンチ２の内壁上に形成された内壁酸化膜３と、内壁酸化膜３の表面に形成された窒化酸化層４と、トレンチ２内に埋め込まれた分離酸化膜５とを備える。 - 特許庁

An isolation groove 43 is formed in a transparent electrode layer in which an insulating ground layer 42a and a zinc oxide layer 42b are sequentially laminated on a glass 41 by a laser beam which is a second harmonic (with a wavelength of 532 nm) outputted from a Nd-YVO4 (neodymium-YVO4) laser, and whose cross sectional output intensity distribution is equalized and whose fore-end is flat.例文帳に追加

ガラス４１上に絶縁性下地層４２ａと酸化亜鉛層４２ｂが順次積層された透明電極層に対し、Ｎｄ−ＹＶＯ4（ネオジウム・ワイ・ブイ・オー・フォアー）レーザーから出力される第二高調波（波長５３２ｎｍ）であり、ビーム断面の出力強度分布が均一化されかつビーム先端部が平らであるレーザービームで分離溝４３を形成する。 - 特許庁

The method for producing a high purity zinc oxide powder comprises an isolation process for isolating the dust of collection dust for shotblasting zinc to give it as a starting material of a zinc oxide powder, an oxidization process for heating and gasifying the isolated material and then oxidizing the gasified zinc with an air or a gas containing oxygen, or oxidizing and gasifying the isolated material with an air or a gas containing oxygen with heating thereof.例文帳に追加

亜鉛ショットブラスト集塵ダストを分離して酸化亜鉛粉末の原料とする分離工程と、この分離した原料を加熱・気化させた後、気化した亜鉛を空気又は酸素を含む気体により酸化させるかあるいは分離した原料を加熱しながら空気又は酸素を含む気体により酸化・気化させる酸化工程と、を具備することを特徴とする高純度酸化亜鉛粉末の製造方法。 - 特許庁

The p-type MOS transistor has an active region STP surrounded by an element isolation region 3, where a width Xb in the longitudinal direction of a gate in a contact not-forming region Wb is narrower than a width Xa in the longitudinal direction of the gate on a contact forming region Wa with a contact plug 10a formed in the breadthwise direction of the gate.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタは、素子分離領域３に囲まれた活性領域ＳＴＰが、ゲート幅方向において、コンタクトプラグ１０ａが形成されるコンタクト形成領域Ｗａにおけるゲート長方向の幅Ｘａに比べて、非コンタクト形成領域Ｗｂにおけるゲート長方向の幅Ｘｂが狭くなっている。 - 特許庁

This structure is formed on a silicon substrate in a way that it is formed with a trench having at least one silicon pole in the lower part of the trench that forms side walls of multiple minute trenches, and device isolation insulating films embedded in these minute trenches so that the leak current can be prevented by the silicon pole and caves can be formed in the minute trenches to reduce a device RC delay.例文帳に追加

シリコン基板に形成され、複数の微細トレンチの側壁となる少なくとも一つのシリコン柱をトレンチの下部に含むトレンチと、前記複数の微細トレンチの内部に埋め込まれた素子分離絶縁膜とを備え、シリコン柱を含むことによりリーク電流発生を抑制し、微細トレンチに空洞を形成して素子のＲＣ遅延を減少させる。 - 特許庁

A production method of o-aminophenyl ketones of formula I [wherein, R is a 3-6C alkyl group or a 1-6C haloalkyl group] is provided, wherein, a corresponding nitrile (R-CN) is reacted with borontrihalide to form a complex and the complex is reacted with aniline in the presence of a Lewis acid to obtain the objective substance at a high yield without requiring a complex isolation step.例文帳に追加

［式中、ＲはＣ_３−Ｃ_６シクロアルキルまたはＣ_１−Ｃ_６ハロアルキルである］のｏ−アミノフェニルケトン類の製造方法であって、該当するニトリル（Ｒ−ＣＮ）をボロントリハライドと反応させて錯体を形成し、ルイス酸の存在下でアニリンと反応させることにより、煩わしい単離工程を必要とせず、高い収率で目的物を得ることができる。 - 特許庁

In a method of isolating an SOI transistor, by forming a trench and filling up the trench with an insulating film, there are provided a completely isolated region 157b where a trench is cut, until it reaches a ground insulating film and a partial isolation region 157a which is cut so as not to reach to the ground insulating film, leaving an SOI layer uncut.例文帳に追加

トレンチ形成及びトレンチへの絶縁膜の埋め込みによりＳＯＩトランジスタを分離する方法において、下地絶縁膜に達するまでトレンチを形成する完全分離領域と、下地絶縁膜まで達しないでＳＯＩ層を残すようトレンチを形成する部分分離領域１５７ａとを形成する。 - 特許庁

A first antenna and a second antenna are provided proximately and between the first and the second antennas and a demultiplexing element for demultiplexing transmission/reception signals of the first and the second antennas, first and second filters are provided, respectively, for passing only a target frequency band, thereby improving isolation between the signal to be transmitted/received by the first antenna and the signal to be transmitted/received by the second antenna.例文帳に追加

第１のアンテナと第２のアンテナとを近接して設け、前記第１、第２のアンテナと第１、第２のアンテナの送受信信号を分ける分波素子の間に、目的とする周波数帯域のみ通過させる第１、第２のフィルタを各々設けるので、第１のアンテナで送受信する信号と、第２のアンテナで送受信する信号とのアイソレーションを高くすることができる。 - 特許庁

The method for forming the memory cell array comprises the step of forming a first floating gate region 42 between isolation regions 45 in a semiconductor substrate, the step of selectively forming a second floating gate region 48 only on the first floating gate region 42, the step of forming a dielectric layer 51 on at least the second floating gate region 48, and the step of forming a control gate layer 52 on the dielectric layer 51.例文帳に追加

アレイの形成方法は、半導体基板内のアイソレーション領域45間に、第1浮遊ゲート領域42を形成するステップと、第1浮遊ゲート領域42上のみに、第2浮遊ゲート領域48を選択的に形成するステップと、少なくとも第2浮遊ゲート領域48上に誘電層51を形成するステップと、誘電層51上に制御ゲート層52を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The base isolation rubber laminate 10 is configured so that hard plates 14 having rigidity and rubber layers 16 are laminated alternately, wherein each rubber layer 16 is composed of a rubber composition containing at least one of asphalts, tars and pitches in 1-70 pts.wt. relative to 100 pts.wt. of a rubber material and further 1-35 pts.wt. polyolefin wax is added thereto.例文帳に追加

剛性を有する硬質板１４とゴム層１６とが交互に積層せしめられて構成されてなる免震ゴム積層体１０において、前記ゴム層１６を、ゴム材料の１００重量部に対して、アスファルト類、タール類及びピッチ類のうちの少なくとも１種を１〜７０重量部の割合で配合すると共に、ポリオレフィン系ワックスを１〜３５重量部の割合で更に配合してなるゴム組成物を用いて、形成した。 - 特許庁

A load supporting area formed by the laminated rubbers 14a, 14b between the plates 12 is expanded successively in the horizontal direction from the upper layer portion to the lower layer portion, and thus, the position of center of gravity of the input load is not deviated from an effective load supporting area even when the upper layer portion of the base isolation device is largely displaced in the horizontal direction.例文帳に追加

各プレート１２間の積層ゴム１４ａ，１４ｂにより形成される荷重支持領域が上層部から下層部に向かって順次水平方向に拡大しているため、免震装置の上層部が大きく水平変位しても、入力荷重の重心位置が荷重支持有効領域から外れることはない。 - 特許庁

To provide an abrasive and a method of polishing a substrate, which can efficiently perform removal of an excessively formed film layer and planarization of a silicon oxide film and an embedded film of a metal or the like with high-level quality and with easy process control in a recess CMP technology such as for shallow trench isolation formation and for embedded metal wiring formation and in a planarization CMP technology for an interlayer insulation layer.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device having a fin structure which comprises a step of etching a silicon substrate with a recess gate mask, and performing a selective etching process on a device isolation film having a double oxide film structure with a rapid oxide film etching speed and a slow oxide film etching speed to form the fin structure, thereby simplifying the process and maximizing a current driving operation.例文帳に追加

リセスゲートマスクを利用してシリコン基板を食刻し食刻速度の速い酸化膜と、食刻速度の遅い酸化膜の二重酸化膜構造の素子分離膜に対し選択的食刻を行いフィン構造を形成することにより、工程を単純化し電流駆動能力を最大化する。 - 特許庁

To provide an aseismatic reinforcing member for a wooden building, formable in a wall shape by simple work, and capable base isolation on the whole indoor part, only by being particularly installed on a column instead of one sheet of a paper screen and a sliding door, while being easily installable later on, without requiring preparatory work and disassembling work to an existing building.例文帳に追加

本発明は既存建築物に対して前段取り作業や解体作業が不要で且つ簡単に後から取付けることが可能であると共に特に障子や襖の１枚分の代りに本発明品を柱などに取付けるだけの簡単な作業で壁状に形成でき、室内全体が免震可能になる木造建築物用耐震補強部材を提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an element isolation (102) formed in a semiconductor layer (101); a first-conductivity-type impurity layer (104); a first-conductivity-type source region (106); a first-conductivity-type drain region (107); a second-conductivity-type gate region (105); and a control electrode (109) formed via an insulating film (108).例文帳に追加

半導体装置は、半導体層（１０１）に形成された素子分離（１０２）、第１導電型の不純物層（１０４）、第１導電型のソース領域（１０６）、第１導電型のドレイン領域（１０７）、第２導電型のゲート領域（１０５）、絶縁膜（１０８）を介して形成された制御電極（１０９）を備える。 - 特許庁

The imaging apparatus (CMOS image sensor) comprises: a p-type silicon substrate 10; a gate insulating film 11; three gate electrodes, that is, a transfer gate electrode 12, a multiplication gate electrode 13 and a read-out gate electrode 14; a photodiode portion (PD) 15; a floating diffusion region 16 made of an n-type impurity region; and an element isolation region 17.例文帳に追加

この撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）は、ｐ型シリコン基板１０と、ゲート絶縁膜１１と、１つの転送ゲート電極１２、１つの増倍ゲート電極１３および１つの読出ゲート電極１４の３つのゲート電極と、フォトダイオード部（ＰＤ）１５と、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１６と、素子分離領域１７とにより構成されている。 - 特許庁

Thereby the element isolating oxide film 2 in the vicinities of the resistance elements 4 can be partitioned in necessary regions, and the formation of a recessed part in a central part of the element isolation oxide film 2 can be restrained, when the film 2 is polished by a CMP method, so that the dimensional accuracy of the shapes of the resistive elements 4 can be improved.例文帳に追加

抵抗素子４近傍の素子分離酸化膜２を必要な範囲に区切ることができ、ＣＭＰ法による素子分離酸化膜２の研磨の際に素子分離酸化膜２の中央部に凹みが形成されてしまうことを抑止できるため、抵抗素子４の形状の寸法精度を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device constituted so that a SOG (spin on glass) film is used in an element isolation region, and the degradation of junction leak characteristics due to formation of dislocation in an active region is suppressed when forming a transistor employing a LDD (Lightly doped drain), and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離領域にＳＯＧ（ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）膜を用いる構成で、ＬＤＤ（ｌｉｇｈｔｌｙ ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造を採用するトランジスタを形成する場合に、活性領域に転位が形成されて接合リーク特性が悪化するのを抑制することができる構成の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a converter for receiving a plurality of satellites being capable of receiving even a signal from another satellite having a different receiving polarized-wave angle when mutual spaces among the satellites are reduced comparatively and the spaces are formed in the same extent without specifying the combination of the satellites as receiving objects and deteriorating no isolation among mutual primary radiators and disturbing no polarized-wave angle.例文帳に追加

受信対象とする衛星の組合せを特定することなく、衛星同士の間隔が比較的小さく、間隔が同じ程度であれば、受信偏波角度の異なる別の衛星からの信号であっても受信することができ、なおかつ一次放射器相互間のアイソレーションが悪くなったり偏波角度が乱れたりすることもないような複数衛星受信用コンバータを提供する。 - 特許庁

To provide a wavelength multiplexed light coupler that has a high isolation and that can be used for separation of multi-wavelength of three or more wavelengths, in an optical coupler in which a bandpass filter is inserted between a double-core collimator composed of two optical fibers and a collimator lens and a single-core collimator composed of one optical fiber and a collimator lens.例文帳に追加

２本の光ファイバとコリメートレンズからなる２芯コリメータと１本の光ファイバとコリメートレンズからなる単芯コリメータの間にバンドパスフィルタを挿入した光カプラにおいて、高いアイソレーションを有し、３波長用以上の多波長の分離に用いることができる波長多重光カプラを提供する。 - 特許庁

A circuit device 10 is composed of: the conductive patterns 11 isolated from each other by the isolation grooves 41; circuit elements 12 fixed on the conductive patterns 11; and the insulating resin 13 covering the circuit elements 12 and the conductive patterns 11, keeping the rear of the conductive pattern 11 exposed, and filling the isolating grooves 41.例文帳に追加

分離溝４１により離間された導電パターン１１と、導電パターン１１上に固着された回路素子１２と、導電パターン１１の裏面を露出させて回路素子１２および導電パターン１１を被覆し且つ分離溝４１に充填された絶縁性樹脂１３とから回路装置１０を構成する。 - 特許庁

The production method has excellent characteristics such as (1) usable repeatedly of an ammonia-containing filtrate in production, (2) improving the yield of aminomalonamide without decreasing purity thereof and, further, (3) preventing isolation and volatilization of ammonia, and is useful as a commercial production method of high purity aminomalonamide with high yield and low in environmental load.例文帳に追加

本発明の製造法は、（１）アンモニア含有濾液を繰り返し製造に使用できる、（２）アミノマロンアミドの純度を低下させることなく、収率を向上させ、さらに（３）アンモニアの遊離および揮発を防ぐことができる、などの優れた特徴を有し、環境負荷が少なく、高純度、高収率なアミノマロンアミドの工業的製造法として有用である。 - 特許庁

The method of fabricating the duplexer utilizing an air-gap type FBAR includes the steps of: fabricating a first substrate part in which a plurality of layered resonance parts are formed; fabricating a second substrate part in which a plurality of air gaps and an isolation part formed therebetween are produced; and bonding the first substrate part and the second substrate part.例文帳に追加

このエアギャップ型ＦＢＡＲを利用したデュプレクサの製造方法は、積層共振部が複数製作された第１基板部の製造段階、複数のエアギャップおよびその間に形成されたアイソレーション部が製作された第２基板部の製造段階および第１基板部と第２基板部を接合させる段階を含む。 - 特許庁

By making the upper part of the isolation door 7a fire prevention door for specific pressure relief part, and making the lower part a water door constituting a water proof part, damage region in fire and overflow water is restricted and the room is kept in proper temperature and pressure even during a steam line break.例文帳に追加

また、隔離用扉７の上部を特定圧力開放部13に防火扉として、下部を水密性部12に構成して水密扉とすることにより、火災および溢水時に損傷範囲を限定するとともに、上部のブローアウト機能から、蒸気配管破断時においても室を適切な温度，圧力に保つことができる。 - 特許庁

To provide abrasive and a polishing method that can efficiently remove and make flat the excessive film formation layer of a silicon oxide film and an embedded film, such as metal at a high level and easily control processes in a recess CMP technique, such as shallow trench isolation formation and metal embedded wiring formation, and the planarization CMP technique of an interlayer insulating film.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

The width of a groove of isolating adjacent shallow groove elements actively forming a desired transistor having the same characteristics is set to the same as the transistors so that stresses generated actively by the adjacent shallow groove element isolation become the same in the transistors, thereby providing the effect of obtaining the transistors having the same characteristics.例文帳に追加

特性が同じであることが望ましいトランジスタを形成したアクティブに隣接する浅溝素子分離の溝幅を、該トランジスタで同じにすることにより、隣接する浅溝素子分離によるアクティブに生じる応力が、該トランジスタどうしで同じになり、同じ特性のトランジスタが得られるという効果がある。 - 特許庁

By taking such structure, the radiation plate small in size can be designed, and since a first and second feed ports 2, 3 are disposed at positions to make orthogonal the segments between the center of the radiation plate 1 and the feed ports 2, 3 at the center of the plate 1, the isolation between the ports is made possible to secured.例文帳に追加

このような構造を取ることにより、放射板１を小型に設計することができるとともに、第１の給電ポート２および第２の給電ポート３が、放射板１の中点と各給電ポート２，３を結んだ各線分が放射板１の中点において直交するような位置に配置されているため、ポート間アイソレーションを確保することが可能となる。 - 特許庁

Oxygen ions are implanted into an internal region 16 of a semiconductor substrate 11 containing a bottom 22 of a shallow groove 15 prior to forming the shallow groove 15 in an element isolation region 18 of the semiconductor substrate 11, and annealing is performed in a non-oxidizing atmosphere such as a nitride atmosphere or a vacuum atmosphere after forming the shallow groove 15 in the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の素子分離領域１８に浅溝１５を形成する前に、浅溝１５の底部２２を内包する半導体基板１１の内部領域１６に酸素イオンを注入し、半導体基板１１に浅溝１５を形成した後に、窒素雰囲気または真空雰囲気等の非酸化雰囲気でアニーリングを行う。 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises: a plurality of photodiodes PD that are provided in a substrate 15 and each have a semiconductor region 17 of a first conductivity type; and an element isolation region 19 that is provided in the substrate 15, is composed of semiconductor regions of a second conductivity type, and isolates the plurality of photodiodes PD.例文帳に追加

固体撮像装置は、基板１５内に設けられ、かつ第１導電型の半導体領域１７をそれぞれが有する複数のフォトダイオードＰＤと、基板１５内に設けられ、かつ第２導電型の半導体領域から構成され、かつ複数のフォトダイオードＰＤをそれぞれ分離する素子分離領域１９とを含む。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 hybridly mounted with a logic transistor 10 and a high breakdown voltage transistor 20, an isolation film with an opening region 28, whose outer circumference is formed thick is formed on a low-concentration drain region 24b formed in an Si substrate 2, on both sides of a gate electrode 22 of the high breakdown voltage transistor 20.例文帳に追加

ロジックトランジスタ１０と高耐圧トランジスタ２０が混載された半導体装置１において、高耐圧トランジスタ２０のゲート電極２２両側のＳｉ基板２内に形成された低濃度ドレイン領域２４ｂ上に、外周部が厚く形成された開口領域２８を有する絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A coupling resonance circuit is formed by the electromagnetic coupling of a power isolation transformer PIT by providing a secondary series resonance circuit formed at least of a secondary winding N2 (N2A, N2B) and a secondary series resonance capacitor C2 (C2A, C2B) together with a primary series resonance circuit forming a current resonance converter.例文帳に追加

電流共振形コンバータを形成する一次側直列共振回路とともに、少なくとも二次巻線Ｎ2（N2A、N2B）及び二次側直列共振コンデンサＣ2（C2A、C2B）とにより形成される二次側直列共振回路を備えることで、絶縁コンバータトランスＰＩＴの電磁結合による結合形共振回路を形成する。 - 特許庁

A quarantine network system 10 comprises: a relay device 400 disposed on a communication path between virtual terminals 720 to 740 and a remote terminal 100; a quarantine server 500 for determining conformity to a security policy; and a terminal isolation device 710 for connecting a virtual terminal which is not conformable to the policy to a quarantine network.例文帳に追加

検疫ネットワークシステム１０は、仮想端末７２０〜７４０とリモート端末１００との通信経路に設置される中継装置４００と、セキュリティポリシーへの適合を判定する、検疫サーバ５００と、適合しない仮想端末を検疫ネットワークに接続させる端末隔離装置７１０とを備える。 - 特許庁

The antenna includes a plurality of magnetic wires 1 with isolation processed surfaces, a first shorting member 2 and second shorting member 3 connecting these magnetic wires 1 at both ends, a means for passing radio-frequency pulse current through the magnetic wires 1, and an impedance-detecting means for detecting impedance of the magnetic wires 1.例文帳に追加

表面を絶縁処理した磁性ワイヤ１を複数本有し、これらの磁性ワイヤ１を両端で接続する第一短絡部材２・第二短絡部材３と、高周波パルス電流を前記磁性ワイヤ１に通流する手段と、磁性ワイヤ１のインピーダンス検出手段とを含み、ＭＩ効果を利用してアクティブアンテナを実現する。 - 特許庁

A spindle 21 for an angle detector for achieving a sensor tilt angle detecting function is disposed in an air chamber 20 for ultrasonic sensor audio isolation, and a tilt angle detecting circuit 22 is connected to a thermistor 15 for a temperature sensor in parallel, and is integrally formed to a terminal plate 16 of an ultrasonic sensor circuit.例文帳に追加

センサ傾斜角度検出機能を実現するための角度検出器用の錘２１は、超音波センサ音響アイソレーション用の空気室２０内に設けられ、傾斜角検出回路２２は温度センサ用のサーミスタ１５と並列接続されるとともに超音波センサ回路の端子板１６に一体化して形成されている。 - 特許庁

The inside space S of the vibration damping member 14 is defined so that its force becomes a degree that the vibration damping member 14 relatively loosely fastens the flexible member 10, while changing the force generated when the isolation part 18 is deformed in the installation with the flexible member 10, to force for pressing the flexible member 10 by the contact part 17.例文帳に追加

制振部材１４の内部空間Ｓは、離隔部分１８がフレキシブル部材１０との組付け時に変形することで生じた力を接触部分１７がフレキシブル部材１０を押圧する力に変えつつ、その力は制振部材１４がフレキシブル部材１０を相対的に緩く締め付ける程度となるように画成する。 - 特許庁

In the ion trap type mass spectrometer, in order to maintain measurement conditions constant, a relation between the peak position of detected ions and a DA converter input which generates a ring voltage at the time is detected, and then, the above relation is used for calibration of a DA converter input which generates a ring voltage at the timing of ion trapping, isolation and collision-dissociation.例文帳に追加

イオントラップ型質量分析計において、測定条件を一定に保つため、検出されるイオンのピーク位置とそのときリング電圧を発生させるＤＡコンバータ５への入力値の関係により、その後のイオン取り込み、アイソレーション、衝突解離時のタイミングにおいてリング電圧を発生させるＤＡコンバータ入力値を較正する。 - 特許庁

An N type epitaxial layer 10 is formed on P type semiconductor substrates 8, 9 and a P type internal isolation region 1 is made through the N type epitaxial layer 10 in the center of the P type semiconductor substrate 8 until the bottom thereof reaches the P type semiconductor substrate 9 in order to separate the N type epitaxial layer 10 into inner and outer regions.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板８，９上にＮ型エピタキシャル層１０を形成し、Ｎ型エピタキシャル層１０を貫通して底部がＰ型エピタキシャル装置９まで達する状態にＰ型半導体基板８の中央部付近にＰ型の内部分離領域１を設け、Ｎ型エピタキシャル層１０を内側領域と外側領域とに分離する。 - 特許庁