「isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(141ページ目) - Weblio英語例文検索

The device includes one or more sense capacitors 26 formed between the proof mass and the substrate, one or more torque capacitors 24 formed between the proof mass and the substrate, and an isolation device that electrically isolates cathodes of the sense capacitors 26 from cathodes of the torque capacitors 24 on the proof mass.例文帳に追加

慣性質量と基板との間に形成された１つ以上の検知キャパシタ２６と、慣性質量と基板との間に形成された１つ以上のトルク・キャパシタ２４と、慣性質量上において検知キャパシタ２６のカソードをトルク・キャパシタ２４のカソードから電気的に分離する分離デバイスとを含む。 - 特許庁

Grooves 2a are formed in device isolation regions in a substrate 1 by dry etching using silicon nitride films 14 and side wall spacers 16 as masks.例文帳に追加

窒化シリコン膜１４とサイドウォールスペーサ１６とをマスクにしたドライエッチングによって、素子分離領域の基板１に溝２ａを形成した後、窒化シリコン膜１４の側壁のサイドウォールスペーサ１６を除去し、次いで、基板１を熱酸化することによって、活性領域の周辺部の基板１の表面をラウンド加工し、凸状の丸みが付いた断面形状とする。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes: a semiconductor substrate; columnar gate electrodes formed on the semiconductor substrate; source/drain diffusion layers formed nearby a surface of the semiconductor substrate; nitride films for charge storage, formed on side surfaces of the gate electrodes; and element isolation regions formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ装置は、半導体基板と；前記半導体基板上に形成された柱状のゲート電極と；前記半導体基板の表面付近に形成されたソース／ドレイン拡散層と；前記ゲート電極の側面に形成された電荷蓄積用の窒化膜と；前記半導体基板に形成された素子分離領域とを備える。 - 特許庁

The CMOS image element includes a semiconductor substrate including an element isolation region and an active region, plural gate electrodes formed at predetermined portions in the active region, and a gate electrode contact for transferring external signals to a predetermined portion in the active region, and the gate electrode contact overlaps the active region.例文帳に追加

素子分離領域及びアクティブ領域を含む半導体基板、前記アクティブ領域の所定部分に形成される複数のゲート電極、及び前記ゲート電極それぞれに外部信号を伝達するゲート電極コンタクトを含み、前記ゲート電極コンタクトは、アクティブ領域とオーバーラップされるように形成されるＣＭＯＳイメージ素子。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 provided with element isolation grooves is coated with a hydrogenation polysilazane solution containing a dibutyl ether with a butanol concentration of 30 ppm or less and a hydrogenation polysilazane dissolved in the dibutyl ether, so as to form a hydrogenation polysilazane film 15, which is oxidized in an atmosphere containing vapor to make a silicon dioxide film 11.例文帳に追加

素子分離溝が設けられた前記半導体基板１０上に、ブタノール濃度が３０ｐｐｍ以下のジブチルエーテルと、ジブチルエーテルに溶解された過水素化ポリシラザンとを含有する過水素化ポリシラザン溶液を塗布して、過水素化ポリシラザン膜１５を形成し、水蒸気を含む雰囲気中で酸化して二酸化シリコン膜１１とする。 - 特許庁

The ion generating element has a plus discharge section generating a plus ion, and a minus discharge section generating a minus ion, and the plus discharge section and the minus discharge section are arranged by separating at a designated interval capable of securing isolation between both discharge sections on the same plane.例文帳に追加

本発明に係るイオン発生素子は、プラスイオンを発生するプラス放電部およびマイナスイオンを発生するマイナス放電部を備えたイオン発生素子であって、前記プラス放電部とマイナス放電部を同一平面上で、かつ両放電部間での絶縁を確保できる所定間隔を隔てて配置した構成としている。 - 特許庁

Preferred "one-pot" methods include preparing a photoresist resin binder in a selected photoresist solvent and, without isolation of the resin binder from the solvent, adding a photoactive component and other components to the resin binder mixture to thereby obtain a photoresist composition in the solvent in which the resin binder is prepared.例文帳に追加

本発明の好ましいワンポット製法は、選択されたフォトレジスト溶媒中でフォトレジスト樹脂バインダーを調製する工程、当該溶媒中から樹脂バインダーを分離することなく、感光性成分及び他の成分を当該樹脂バインダー混合物中に添加して、樹脂バインダーが調製された溶媒中でフォトレジスト組成物を調製する方法を包含している。 - 特許庁

The aspect ratio of the conductor 19 from the common ground conductor layer 12 to the external electric circuit connecting ground conductor 21 is reduced to decrease its inductance, thereby improving attenuation in a high-frequency rejection band and the isolation between input/output wirings 13, 13.例文帳に追加

共通の接地導体層12から外部電気回路接続用の接地導体21までの貫通導体19のアスペクト比を小さくすることによりインダクタンスを小さくすることができるので、高周波化した阻止域における減衰量および入出力配線13・13間のアイソレーションの劣化を改善することが可能となる。 - 特許庁

A semiconductor element having a multi-channel includes a semiconductor substrate on which an element isolation film is formed, many trenches formed in an active region of the semiconductor substrate, and a channel active region that links sidewalls facing each other in the trench regions and the surface of which is used as a channel region.例文帳に追加

本発明は、素子分離膜が形成された半導体基板、半導体基板の活性領域内に形成された多数のトレンチ及びそれぞれのトレンチ領域内の対向する側壁を連結し、表面がチャネル領域として用いられるチャネル活性領域を含む多重チャネルを有する半導体素子からなる。 - 特許庁

A semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, and a method for fabricating the semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, each use structural components from a dummy metal oxide semiconductor field effect transistor located and formed over an isolation region located over a semiconductor substrate.例文帳に追加

垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体、及び垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体の製造方法がそれぞれ、半導体基板の上に配置された分離領域の上に配置され形成されたダミー金属酸化物半導体電界効果トランジスタからの構造コンポーネントを用いる。 - 特許庁

The ion generating element has a plus discharge section generating a plus ion, and a minus discharge section generating a minus ion, and the plus discharge section and the minus discharge section are arranged by separating at a designated interval capable of securing isolation between the both discharge sections on the same plane.例文帳に追加

本発明に係るイオン発生素子は、プラスイオンを発生するプラス放電部およびマイナスイオンを発生するマイナス放電部を備えたイオン発生素子であって、前記プラス放電部とマイナス放電部を同一平面上で、かつ両放電部間での絶縁を確保できる所定間隔を隔てて配置した構成としている。 - 特許庁

The industrially advantageous manufacturing method of the 4-hydroxybenzothiophene derivative comprises subjecting 3-(2-thienyl)allyl alcohol and carbon monoxide to a cyclocarbonylation reaction in the presence of a palladium catalyst, a ligand, an organic acid anhydride and a base to form a benzothiophene skeleton followed by a hydrolysis reaction of the intermediate with or without isolation of the intermediate.例文帳に追加

３−(２−チエニル)アリルアルコールと一酸化炭素を、パラジウム触媒、リガンド、有機酸無水物及び塩基存在下、シクロカルボニル化反応を行いベンゾチオフェン骨格を構築し、当該中間体を単離又は単離することなく、その後加水分解反応することを特徴とする４−ヒドロキシベンゾチオフェン誘導体の工業的に有利な製造方法を解決手段とする。 - 特許庁

The thin-film solar cell includes a plurality of back electrodes isolated by a plurality of isolation grooves formed on an insulating substrate; photoelectric conversion layers formed on the back electrodes, buffer layers formed on the photoelectric conversion layers; insulating layers formed on the buffer layers; and transparent electrodes formed on the insulating layers.例文帳に追加

薄膜太陽電池は、縁性基板上に形成された複数の分離溝で分離された複数の裏面電極と、裏面電極上に形成された光電変換層と、光電変換層上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された透明電極とを有する。 - 特許庁

To provide a method for producing the α-chain of hepatocyte growth factor or an N-terminal fragment thereof (NK polypeptide) by expression of a nucleic acid encoding the NK polypeptide in a microbial host cell, isolation of inclusion bodies containing the NK polypeptide in a denatured form, solubilization of the inclusion bodies and regeneration of the denaturated NK polypeptide.例文帳に追加

肝細胞成長因子のα−鎖又はそのＮ末端フラグメント（ＮＫポリペプチド）を、微生物宿主細胞におけるＮＫポリペプチドをコードする核酸の発現、変性型の当該ＮＫポリペプチドを含む封入体の単離、封入体の可溶化、及び変性したＮＫポリペプチドの再生により産生するための方法。 - 特許庁

To provide an antenna that suppresses core breakage during manufacturing and breakage due to an impact after installation as the antenna using the core of a magnetic material or dielectric, is easily manufactured, further has wide bandwidth and a high average gain in each frequency band and prevents degradation in a gain by securing isolation from a mounting substrate.例文帳に追加

磁性体や誘電体のコアを用いたアンテナとして、製造時のコアの破損や設置後の衝撃による破損を抑制し、かつ製造が簡易で、さらに各周波数帯において帯域幅が広く且つ平均利得が高く、実装基板とのアイソレーション確保によって利得の低下を防いだアンテナを提供する。 - 特許庁

To provide a dialysis membrane using a highly thin molecular recognition resin membrane easily carrying out fractional extraction, fractional elimination, fractional isolation, or detection, quantitative analysis of a specific one kind of component from the mixed aqueous solution of many kinds of antibiotics, saccharides, amino acids, organic toxic substances, and other organic compounds by dialysis.例文帳に追加

多種の抗生物質、糖類、アミノ酸、有機系毒物その他の有機化合物の混合物水溶液から特定の一種類の成分を透析によって容易に分別抽出または分別除去、分別単離あるいは検出、定量分析することが可能な極めて薄い分子認識樹脂膜を用いた透析膜を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor base 1, an insulating layer 2 for element isolation which is at least partially embedded in the semiconductor base 1, an active element formed in the semiconductor base 1 and including an impurity region, and a film 11 formed between the insulating layer 2 and semiconductor base 1, and having negative fixed charges.例文帳に追加

半導体基体１と、半導体基体１に少なくとも一部が埋め込まれた、素子分離のための絶縁層２と、半導体基体１内に形成された不純物領域を含んで成る能動素子と、絶縁層２と半導体基体１との間に形成された、負の固定電荷を有する膜１１とを含んで半導体装置を構成する。 - 特許庁

To provide a protection layer forming composition that does not adversely affect a semiconductor layer even if an acid is used to remove attachments generated when an isolation groove isolated in units of elements is formed, and excellent in resistance to the acid and cracking, and a method of manufacturing an optical semiconductor element using the composition.例文帳に追加

素子単位に分離するための分離溝の形成時に生じる付着物を除去するために酸を用いた場合であっても、半導体層に悪影響を与えることのない、耐酸性及びクラック耐性に優れた保護層形成用組成物、及び、該組成物を用いた、光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The base plate assembly 10 includes a steel base plate 28 and a plurality of long nuts 30 which are implanted in the first surface of the base plate 28 and which allow fixing bolts 32 for fixing the base isolation device 12 to the base plate assembly 10 to be screwed thereto from the second surface side of the base plate 10.例文帳に追加

ベースプレートアセンブリ１０は、鋼板製のベースプレート２８と、このベースプレート２８の第１面に植設され、免震装置１２をベースプレートアセンブリ１０に固定する固定用ボルト３２をベースプレート１０の第２面側から螺合させることのできる複数の長ナット３０とを備えている。 - 特許庁

To provide a resin composition which prevents isolation of a compound having an isocyanate group by blending a resin component comprising polylactic acid and aromatic polycarbonate with less environmental load, a cyclic carbodiimide compound having a carbodiimide group in a cyclic structure, and an antioxidant, and which is good in working environment and is excellent in chemical resistance and impact resistance as well as hydrolysis resistance.例文帳に追加

環境負荷の少ないポリ乳酸と芳香族ポリカーボネートからなる樹脂成分に対し、環状構造の中にカルボジイミド基を有する環状カルボジイミド化合物と酸化防止剤を配合することで、イソシアネート基を有する化合物の遊離を防ぎ、作業環境が良好で、耐加水分解性に優れるだけでなく耐薬品性、耐衝撃性にも優れる樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In a modified local self boosting scheme, 0 volt or low voltages are applied to two or more word lines, on the source side and to two or more word lines on the drain side of the selected word line to reduce band-to-band tunneling, and to improve the isolation of the channel regions coupled to the selected word line.例文帳に追加

改造された局部的な自己昇圧方式では、０ボルトまたは低い電圧が選択されたワードラインのソース側の２本以上のワードラインとドレイン側の２本以上のワードラインに印加されて、帯域から帯域へのトンネリングを低減すると共に選択されたワードラインに結合されたチャネル領域の絶縁を改善する。 - 特許庁

A method of forming an integrated circuit structure includes: a step of providing a wafer having a silicon substrate; a step of forming a plurality of shallow trench isolation (STI) areas in the silicon substrate; and a step of forming a recess by removing an upper part of the silicon substrate between both sides of the plurality of the STI areas.例文帳に追加

集積回路構造の形成方法は、シリコン基板を有するウェハを提供するステップ；シリコン基板中に、複数のシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域を形成するステップ；複数のＳＴＩ領域の両側間のシリコン基板の上部分を除去することにより、凹部を形成するステップ、からなる。 - 特許庁

To provide a pneumatic engineering method and a pneumatic cover device allowing personnel and materials to be transported in and out of a manhole under a condition good in workability while keeping air compressed inside a manhole to suppress infiltration of ground water, during seismic isolation work of the joint between an existing manhole and a sewage pipe in ground with high water content.例文帳に追加

高含水地盤に既設のマンホールと下水道管との接合の耐震化工事中、地下水浸入抑制のためマンホール内部の空気を加圧した圧気状態としたまま、作業性の良い構成で人員や機材をマンホール内に搬入出可能とするマンホール作業用圧気工法と圧気蓋装置の提供。 - 特許庁

A radio relay apparatus which switches off an uplink amplifier circuit in order to avoid unnecessary signal emission when no mobile station transmitting a signal to a base station is detected in its coverage area, performs an isolation check during a suspension period, that is, while the amplifier circuit is switched off, so as not to disturb a telephone call.例文帳に追加

無線中継装置のエリア内に基地局向けの信号を送信している移動局が存在しない時、アップリンクの増幅回路をＯＦＦとし、不要な信号が放射されることを防止する機能を有する無線中継装置において、増幅回路がＯＦＦの期間、即ち休止期間中にアイソレーションチェックを行うことより通話が妨害されることがない無線中継装置とする。 - 特許庁

This base isolation device includes a unit having the rollers gradually increased in diameter from the minimum diameter part in the axial direction toward both ends, wherein the rollers include a lower roller rotatably journaled to a lower support member and an upper roller rotatably journaled to an upper support member, the rollers intersect each other, and the minimum diameter parts of the rollers abut on each other.例文帳に追加

軸方向の最小径部から両端部に向かって次第に拡径するように形成したローラーを有し、前記ローラーを下側支持部材に回転自在に軸支した下側ローラー部と上側支持部材に回転自在に軸支した上側ローラー部とからなり、前記ローラーを交差させるとともに、ローラーの最小径部を当接して形成したユニットを有することを特徴とする。 - 特許庁

There is provided a semiconductor layer 6 of a convex structure composed of a self-matching lateral and vertical epitaxial semiconductor layer having a wiring layer 3 in the lower part through an oxide film 2 on a semiconductor substrate 1, and the semiconductor layer 6 of the convex structure is isolated like an island by an element isolation region embedding insulating film 4 and the oxide film 2.例文帳に追加

半導体基板1上に酸化膜2を介して、下部に配線層3を有する自己整合の横及び縦方向エピタキシャル半導体層からなる凸状構造の半導体層6が設けられ、凸状構造の半導体層6は素子分離領域埋め込み絶縁膜4及び酸化膜2により島状に絶縁分離されている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 11, an element isolation region 16 comprises: a first selective impurity introduction region 17 to introduce a first conductivity type impurity of a prescribed concentration; and a second selective impurity introduction region 18 to which a second conductivity type impurity of a prescribed impurity concentration lower than the first selective impurity introduction region 17 is introduced selectively.例文帳に追加

半導体基体１１には、素子分離領域１６が、所定の濃度をもって第１導電型不純物が導入された第１の選択的不純物導入領域１７と、第１の選択的不純物導入領域１７に比し低い所定の不純物濃度の第２導電型不純物が選択的に導入された第２の選択的不純物導入領域１８とによって構成される。 - 特許庁

Before the trench is filled with a field insulating film, a liner insulating film 112 is formed on a trench internal wall and a recessed part of a side face of the gate oxide film below the CMP stopper film is filled with the liner insulating film 112, thereby suppressing formation of a gap (void) in the element isolation film lateral to the gate oxide film.例文帳に追加

また、トレンチ内をフィールド絶縁膜で充填する前に、ライナー絶縁膜１１２をトレンチ内壁に形成し、ＣＭＰストッパ膜の下のゲート酸化膜の側面の凹み部分をライナー絶縁膜で埋め込むことにより、ゲート酸化膜の側方の素子分離膜に空隙（ボイド）が形成されるのを抑止する。 - 特許庁

A scroll pumping apparatus includes: a first scroll element and a second scroll element; a drive mechanism operatively coupled to the second scroll element for generating the orbiting motion of the second scroll element relative to the first scroll element, the drive mechanism having an axis of rotation; and an isolation element to isolate a first space and a second space in the scroll pumping apparatus.例文帳に追加

スクロール・ポンピング装置は、第１のスクロール要素および第２のスクロール要素を含み、第２のスクロール要素に動作可能に連結され、第１のスクロール要素に対して第２のスクロール要素が軌道周回運動を行うようにさせる駆動機構を含み、駆動機構は回転軸を有しており、スクロール・ポンピング装置内の第１の空間と第２の空間とを分離する分離要素を含んでいる。 - 特許庁

The solid-state imaging device has: a first semiconductor region 23 of a first conductivity type; a photoelectric conversion unit PD having a second semiconductor region 25 of a second conductivity type that is formed in a region isolated by an element isolation region 28 in the first semiconductor region; and pixel transistors (Tr1 to Tr4) formed in the first semiconductor region.例文帳に追加

第１導電型の第１の半導体領域２３と、第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域２５を有する光電変換部ＰＤと、第１の半導体領域に形成された画素トランジスタ（Ｔｒ１〜）Ｔｒ４）を有する。 - 特許庁

A movable member 40 and a movable support member 30 are included, respectively engaged with a table 12 for mounting a base isolation object and a fixed body 11, disposed between the table and the fixed body, and mutually contacting and relatively moving in at least one direction following relative movement of the table and the fixed body.例文帳に追加

免震対象物を載置するテーブル１２と固定体１１とにそれぞれ係合して上記テーブルと固定体との間に配置され、上記テーブルと上記固定体との相対的な移動に伴い相互に接触して相対的に少なくとも一方向に移動する可動部材４０と可動支持部材３０とを備える。 - 特許庁

The integrated circuit (300) includes the substrate (302), at least two shallow trench isolation (STI) structures (305, 306) formed in the substrate (302), an oxygen filler in at least the two STI structures (305, 306), and a semiconductor element at least disposed on the oxygen filler in the two STI structures (305, 306).例文帳に追加

集積回路（３００）は、基板（３０２）と、基板（３０２）中に形成される少なくとも二つのシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造（３０５，３０６）と、少なくとも二つのＳＴＩ構造中に設置される酸化物充填物と、少なくとも二つのＳＴＩ構造中の酸化物充填物上に設置される半導体素子と、からなる。 - 特許庁

In an isolation cooling system including an introduction pipe for introducing the steam from a reactor pressure vessel, a heat exchanger for removing the heat from the steam introduced from the introduction pipe and a return pipe for returning the condensate condensed by the heat removal in the heat exchanger, the return pipe includes a regulating valve.例文帳に追加

原子炉圧力容器からの蒸気を導く導入配管と、前記導入配管から導かれた蒸気を除熱する熱交換器と、前記熱交換器での除熱によって凝縮された復水を前記原子炉圧力容器に戻す戻り配管とを備えた隔離時冷却設備において、前記戻り配管に調整弁を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A charge read region 4 is formed between a photoelectric conversion part 2 and a charge transfer path 3 corresponding to the photoelectric conversion part 2, and a PD-VCCD element isolation region 5 is formed in a region except for the charge read region 4 out of a region between the photoelectric conversion part 2 and the charge transfer path 3 at a side thereof.例文帳に追加

光電変換部２とこれに対応する電荷転送路３との間には電荷読み出し領域４が形成され、光電変換部２とこの側部にある電荷転送路３との間の領域のうち、電荷読み出し領域４を除く領域には、ＰＤ−ＶＣＣＤ間素子分離領域５が形成されている。 - 特許庁

This light emitting element package 100 includes: a translucent body 110 including a cavity 115; a plurality of lead electrodes 121, 123 arranged in the cavity; an isolation part 112 for insulating the plurality of lead electrodes from each other; a light emitting element 125 electrically connected to the plurality of lead electrodes in the cavity; and a molding member 130 on the light emitting element.例文帳に追加

発光素子パッケージ１００は、キャビティー１１５を有する透光性の胴体１１０と、上記キャビティー内に配置された複数のリード電極１２１，１２３と、上記複数のリード電極の間を絶縁させる分離部１１２と、上記キャビティー内で上記複数のリード電極に電気的に連結された発光素子１２５と、上記発光素子の上にモールディング部材１３０と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an element-isolation insulating film 30 formed on a major surface 10a of a semiconductor layer 10, and having a first opening 38N and a second opening 38P; an n-type MOSFET 101N provided in the first opening; and a p-type MOSFET 101P provided in the second opening.例文帳に追加

半導体層１０の主面１０ａに形成され、第１開口部３８Ｎと第２開口部３８Ｐとを有する素子分離絶縁膜３０と、第１開口部の内側に設けられたｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｎと、第２開口部の内側に設けられたｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｐと、を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The travelling device 2 or the crane structure 3 is provided with: the laminated rubber type seismic isolation device 4; an uplift prevention means 5 for preventing uplift of the crane structure; a restriction means 6 for restricting horizontal movement of the crane structure during operation; and a restriction releasing means 18 for releasing restriction of the crane structure when an earthquake occurs.例文帳に追加

走行装置２上又はクレーン構造物３に、積層ゴム型免震装置４と、クレーン構造物の浮き上がりを防止する浮き上がり防止手段５と、作業時にクレーン構造物の水平方向の動きを拘束する拘束手段６と、地震発生時にクレーン構造物の拘束を解放する拘束解放手段１８を設ける。 - 特許庁

A drain region of the N-type MOS transistor for protection against ESD is electrically connected to a drain contact region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region via a drain extension region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region disposed on a side face and a lower face of a trench isolation region.例文帳に追加

ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域は、トレンチ分離領域の側面および下面に設置されたドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレイン延設領域を介して、ドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレインコンタクト領域と電気的に接続している半導体装置とした。 - 特許庁

The base isolation device includes: laminated rubber 3 fixed to an upper structure 2 and slidably supported through a sliding support (a sliding plate 4) relative to a lower structure 1; and a deformation constraining steel pipe 5 coaxially arranged outside the laminated rubber 3 in a state of securing a clearance 6 between the laminated rubber 3 and fixed to the upper structure 2.例文帳に追加

上部構造２に固定されかつ下部構造１に対して滑り支承（滑り板４）を介して滑り可能に支持された積層ゴム３と、積層ゴム３との間にクリアランス６を確保した状態で積層ゴム３の外側に同軸状態で配置されて上部構造２に固定された変形拘束用鋼管５とを備える。 - 特許庁

The MONOS type memory cell of the nonvolatile semiconductor memory device includes a tunnel insulating film formed on the active region of a semiconductor substrate, a charge storage film formed continuously on the active region and an element isolation insulating film and having a function of storing electric charges, a block insulating film formed on the charge storage film, and a control gate electrode formed on the block insulating film.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のＭＯＮＯＳ型メモリセルは、半導体基板の活性領域上に形成されるトンネル絶縁膜と、活性領域上及び素子分離絶縁膜上に連続的に形成される電荷を蓄積する機能を有する電荷蓄積膜と、電荷蓄積膜上に形成されたブロック絶縁膜と、ブロック絶縁膜上に形成されるコントロールゲート電極とを備える。 - 特許庁

To prevent a deposition rate from being lowered, in a film forming apparatus for laminating a thin film, having an isolation region for isolating atmosphere between a first treatment region which is provided along a circumferential direction of a turntable with a substrate mounted thereon and is supplied with a first reaction gas and a second treatment region to which a second reaction gas is supplied.例文帳に追加

基板を載置する回転テーブルの周方向に沿って設けられる第１の反応ガスが供給される第１の処理領域と、第２の反応ガスが供給される第２の処理領域とをこれら処理領域の雰囲気を分離するための分離領域とを備えた、薄膜を積層する成膜装置において、成膜速度の低下を抑えること。 - 特許庁

A gate electrode 4c of the read transistor RTr is shared among a plurality of memory cells MC arrayed in a predetermined direction, and the gate electrode 4c is parted into a plurality of gate electrodes 10 which have an element isolation structure 2 being a stress relaxing structure for relaxing stress acting on an annular active region 3a and each have a gate length of ≤100 μm.例文帳に追加

リードトランジスタＲＴｒのゲート電極４ｃは、所定方向に並ぶ複数のメモリセルＭＣに共有されており、ゲート電極４ｃは、素子分離構造２が環状の活性領域３ａに及ぼす応力を緩和する応力緩和構造であって、各々ゲート長が１００μｍ以下である複数のゲート電極１０に分断されている。 - 特許庁

An ECG acquisition device 110 includes: a USB connector 180 for connecting the device to the host device 170; a patient connector 190 for connecting the device to a patient 195 with ECG leads; a processor and storage medium 120; a power management and brokering module 140; a USB communication control module 130; an ECG acquisition circuit 150; and a patient isolation module 160.例文帳に追加

ＥＣＧ取得装置１１０は、ホスト装置１７０に接続するＵＳＢコネクタ１８０と、ＥＣＧ誘導により患者１９５に接続する患者コネクタ１９０と、プロセッサ及び記憶媒体１２０と、電力管理及び仲介モジュール１４０と、ＵＳＢ通信制御モジュール１３０と、ＥＣＧ取得回路１５０と、患者隔離モジュール１６０とを含む。 - 特許庁

To prevent the damage of a setting space of a battery in a construction machine arranged with the battery behind the left side of a cab even when a mount support member for mounting and supporting a vibration isolation mount supporting the left side rear portion of the cab is enlarged, by installing a restriction member for restricting the displacement of the cab on the mount support member.例文帳に追加

キャブの左側後方にバッテリが配された建設機械において、キャブの左側後部を支持する防振マウントを取付支持するためのマウント支持部材に、キャブの変位を規制するための規制部材を設けることで該マウント支持部材が大型化しても、バッテリの配設スペースが損なわれないようにする。 - 特許庁

To provide such an agent for use in the I-type allergy (for example, bronchial allergy, pollen allergy, gastrointestinal allergy, allergic nasitis, and allergic dermatitis) which has extremely high predisposition among the allergies as is a compound that suppresses especially the isolation of histamine, thus makes it possible to suppress the I-type allergy, is usable as a raw material for foods and drinks, and is usually ingestible.例文帳に追加

アレルギーの中で特に発症頻度が高いＩ型アレルギー（例えば、気管支喘息、花粉症、食物アレルギー、アレルギー性鼻炎、アレルギー性皮膚炎）用剤、特にヒスタミンの遊離を抑制し、これを介してＩ型アレルギーを抑制することを可能とする化合物であり、飲食品の素材としても使用可能で、日常的に摂取することが可能な抗Ｉ型アレルギー剤を提供する。 - 特許庁