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line-patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3517件
When a thickness of the magnetic thin film 10 is T, a line width of the zigzagging pattern is W, and a length of the pattern is L, T is within a range of one to five μm, and L/(W×T) is within 10 to 400×106m-1 or more preferably within 28 to 100×106m-1.例文帳に追加
そして、磁性薄膜10の厚さをT、つづら折り状パターンの線幅をW、パターンの長さをLとして、Tが1〜5μmの範囲内にあり、L/(W×T)が10〜400×10^6m^-1の範囲内、より好ましくは28〜100×10^6m^-1の範囲内とされる。 - 特許庁
By listening to the change of the musical interval outputted from a speaker 23, a player can estimate where the specified picture pattern is located and by operating a stop switch 30a while aiming at the peak of that musical interval, possibility for the specified picture pattern to stop on the prize line 17a is extremely increased.例文帳に追加
遊技者はスピーカ23から出力される音高の変化を聞けば、特定の図柄がどの辺りにあるかを推測でき、その音高がピークに達するときを狙ってストップスイッチ30aを操作すれば、特定の図柄が賞ライン17aに停止する可能性がきわめて高くなる。 - 特許庁
To provide a positive resist composition which can be suitably used, when ArF excimer laser light is used as an exposure light source, which is superior in resist profile, sensitivity, resolution and line edge roughness, and which is free from pattern collapse and of the problems of development defects, and to provide a pattern forming method that uses the composition.例文帳に追加
ArFエキシマレーザー光を露光光源とする場合に好適に使用することができ、レジスト形状、感度、解像力、ラインエッジラフネスが優れるとともに、パターン倒れのなく、現像欠陥の問題を生じないポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
Meanwhile, if the size width (a) of the transfer paper 100 is not more than the predetermined size width L2 (value obtained by subtracting the width L1 of the detection pattern forming area from the width L of the conveying belt), the test pattern for detection is formed in parallel with an image to be formed on the transfer paper 100 in a main scanning line direction.例文帳に追加
一方、転写紙100のサイズ幅aが、所定サイズ幅L2(搬送ベルト幅Lから検知用パターン形成領域幅L1を減算した値)以下の場合は、転写紙100に形成する画像と主走査線方向並列に検知用テストパターンを形成する。 - 特許庁
Solder 14 is melted with a soldering iron 15, poured into the pattern forming mesh 13, and adjusted to a desired shape and dimensions, or the solder melted with a soldering iron 17 in the pattern forming mesh 12 is sucked up with a solder suction off line 18 and adjusted to a desired shape and dimensions.例文帳に追加
半田14を半田ゴテ15で溶融してパターン形成網13内に流し込んで所望形状寸法に調整し、あるいは、半田ゴテ17で溶融したパターン形成網12内の半田を半田吸い取り線18で吸い取ることで半田を所要寸法形状に調整する。 - 特許庁
To provide a silver powder, which is applicable to advanced fine-line pattern electronic components such as an internal electrode of a laminated ceramic capacitor, a conductor pattern of a circuit board, and electrodes and circuits of substrates of solar cells and plasma display panels, and is high in productivity and exhibits excellent performance as a photosensitive paste, to provide a method for producing the same, and to provide others.例文帳に追加
ファインライン化が進む積層セラミックコンデンサの内部電極、回路基板の導体パターン、太陽電池・プラズマディスプレイパネル用基板の電極、及び回路等の電子部品に適用でき、生産性、及び感光性ペーストとしての特性が高い銀粉、及びその製造方法等の提供。 - 特許庁
To provide a method for producing a light-transmitting electromagnetic wave shielding window material having a mesh metal conductive layer, in which the mesh pattern by conductive ink can be made thinner without causing distortion of the pattern or unevenness in line width or layer thickness.例文帳に追加
メッシュ状の金属導電層を有する光透過性電磁波シールド性窓材を製造する方法であって、パターンの歪みや、線幅や層厚の不均一を生じることなく、導電性インクの印刷によるメッシュ状パターンをさらに細線化ができる製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a negative type radiation sensitive resin composition suitable for use as a chemical amplification type negative type resist developable with an alkali developing solution having the conventional concentration, capable of forming a high resolution rectangular resist pattern in an ordinary line-and- space pattern (1L1S) and excellent also in focus latitude.例文帳に追加
通常濃度のアルカリ現像液に適用でき、通常のライン・アンド・スペースパターン(1L1S)において、高解像度で矩形のレジストパターンを形成することができ、かつフォーカス余裕度にも優れた化学増幅型ネガ型レジストとして好適なネガ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a method for generating a pattern, with which a border line does not appear by continuing arranged generated patterns when generated patterns are arranged in the same direction or generated patterns are repeatedly arranged while being rotated at 180°, similar to an original pattern, with which a density cooccurrence matrix is calculated.例文帳に追加
濃度共起行列を算出した元の模様に類似で、かつ、生成模様を同一方向に並べたとき、または、生成模様を180回転しながら繰り返し並べたとき、並べた生成模様が連続し境界線が現れない模様の生成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive resin composition adaptable to a short-wavelength radiation typified by far UV capable of meeting progress of scale down in an integrated circuit device, having high transparency to radiations and excellent in basic properties as a resist, such as sensitivity, resolution, pattern profile and line edge roughness of a pattern.例文帳に追加
集積回路素子における微細化の進行に対応しうる遠紫外線に代表される短波長の放射線に適応可能で、放射線に対する透明性が高く、かつ感度、解像度、パターンプロファイル、パターンのラインエッジラフネス等のレジストとしての基本物性に優れる。 - 特許庁
To provide a data transfer circuit wherein a register which stores a training pattern required for read training which is performed to secure high-speed operation is temporarily removed and the number of line to transmit the a training pattern is decreased and to provide a semiconductor memory device equipped with it.例文帳に追加
高速動作を保障するために行われる読み出し訓練(READ TRAINING)に必要な訓練パターンを一時格納するレジスタが除去され、前記訓練パターンを伝達するラインの個数を減少させるデータ伝達回路及びそれを備える半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
Besides, by using an optical observation apparatus utilizing the interference and refraction of light, without shrinking the resist pattern like the conventional case of recognizing the resist pattern by using an electron microscope, the line width can be precisely measured in a nondestructive manner.例文帳に追加
また、光の干渉、回折を利用した光学観察装置を用いることにより、従来において電子顕微鏡を用いてレジストパターンの認識を行った場合のようにレジストパターンの収縮を発生させることはなく、非破壊で精密に線幅を測定することができる。 - 特許庁
A word line structure 124 is formed by patterning the electrically conductive film 108, and a blocking film pattern 126 and a charge trapping film pattern 128 are formed by etching the blocking film 106 and the charge trapping film 104 respectively using an acidic solution as an etchant.例文帳に追加
ワードライン構造物124は、導電膜108をパターニングすることによって形成され、ブロッキング膜パターン126及び電荷トラッピング膜パターン128は、酸性溶液をエッチング液に用いてブロッキング膜106及び電荷トラッピング膜104をエッチングすることによって形成される。 - 特許庁
To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition suitable not only to a normal dry process but also to an immersion process for a line width of 45 nm or less and improved in the DOF, pattern collapse and iso/dense bias, and to provide a resist film and a pattern forming method each using the composition.例文帳に追加
通常のドライプロセスに加え、線幅45nm以下の液浸プロセスにも適合した、DOF、パターン倒れ、及び疎密依存性が改良された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
Thus, when the additional light-distributing pattern PA2 is formed by moving the first shade to a shading position, the vertical cut-off line CV1 is formed at a position separated from a headlight front direction to the opposite lane side, and a shape of the additional light-distributing pattern PA2 is made at a shape including the maximum luminous intensity position.例文帳に追加
これにより、第1シェードを遮光位置に移動させて付加配光パターンPA2を形成したとき、その鉛直カットオフラインCV1を灯具正面方向から対向車線側に離れた位置に形成し、付加配光パターンPA2の形状をその最大光度位置を含む形状とする。 - 特許庁
A muddy or black substrate, which has a white pattern consisting of a fine dot or a narrow line, is arranged on a mat coat paper, and a latent image consisting of a transparent varnish pattern is formed on the substrate.例文帳に追加
上記の課題を解決するための手段として、請求項1に記載の発明は、マットコート紙上に、微細なドットあるいは細線からなる白抜きパターンを持つ濁色あるいは黒色の下地を設け、前記下地上に透明ニスパターンからなる潜像を形成したことを特徴とした画像形成用紙。 - 特許庁
To provide an electromagnetic wave shielding material with a pattern line width further miniaturized to prevent moire even if a contrast improving layer is also used when the material for a front filter for display is used where electric resistance is low irrespective of the miniaturization, and the scumming of a pattern opening is prevented.例文帳に追加
ディスプレイ用前面フィルタに用いるときにコントラスト向上層を併用してもモアレが出ないよう、パターンの線幅をより一層微細化した電磁波シールド材であって、そのように細線化しても低い電気抵抗であり、かつパターン開口部の地汚れが防止された電磁波シールド材を提供する。 - 特許庁
To provide a photomask and a method for manufacturing a photomask, which achieve patterning without requiring an additional investment even when a line-and-space pattern having a fine pitch width is to be formed on a process object, and to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device and a method for transferring a pattern.例文帳に追加
被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行うことができるフォトマスク、フォトマスクの製造方法、液晶表示装置の作製方法及びパターン転写方法を提供することを目的の一とする。 - 特許庁
To enable to obtain a low-beam light-distribution pattern making an owner driver easy to drive and giving an opposite driver little glare, in a projector type headlight for a car structured to make a beam irradiation toward front at a low-beam light-distribution pattern having a given cutoff line.例文帳に追加
所定のカットオフラインを有するロービーム配光パターンで前方へビーム照射を行うように構成されたプロジェクタ型の車両用前照灯において、自車ドライバには運転しやすく対向車ドライバにはグレアを与えるおそれが低いロービーム配光パターンが得られるようにする。 - 特許庁
The convolution A(I, J) is calculated by selecting a plurality of pixels in a range of magnitude corresponding to each line pattern, multiplying the luminance of each the selected pixel by a first or second coefficient having a different code correspondingly to a white or black pattern, and finding a total value thereof.例文帳に追加
このコンボリュ−ションA(I,J)は、各ラインパターンに対応する大きさの範囲の複数の画素を選択し、この選択した各画素の輝度に、白又は黒のパターンに対応して符号の異なる第1または第2の係数を乗じ、その合計値を求めることによって算出される。 - 特許庁
The UWB planar antenna unit 100 includes, on the surface 101a of a dielectric base 101, one antenna element pattern 102, an extremely short strip line 103 of several mm, one ground pattern 104, and a surface mounting socket type coaxial connector 200.例文帳に追加
UWB平面アンテナ装置100は、誘電体製のベース101の表面101aに、一つのアンテナエレメントパターン102と、数mmと極く短いストリップ線路103と、一つのグランドパターン104と、表面実装型であるソケット型同軸コネクタ200とを有する。 - 特許庁
Each pattern image is arranged with two patterns indicative of the closest image density and, as shown by pattern images L1 through L6, a range having a clear border line occurring from the difference of image density is set as the range of the quantity of exposure to be used for multi-gray scale representation.例文帳に追加
このとき、各パターン画像には直近の画像濃度を示す2つのパターンが配置され、パターン画像L1からL6に示すように、画像濃度の差から生じる境界線が鮮明である範囲を、多階調表現に使用されるべき露光量の範囲として設定する - 特許庁
Since the grid pattern of each division is subjected to boundary treatment, pattern elements are connected on both sides of a splitting line, thereby, when mutually complementary masks are switched in the exposure, even if a relative displacement occurs, a poor exposure hardly occurs due to the spreading of the width of space.例文帳に追加
各分割領域の格子パターンに対し境界処理が行われているので、分割線の両側でパターン要素が接続され、これにより、露光において互いにコンプリメンタリーなマスクを切り替えた場合、相対的な位置ずれが生じても、スペース幅が広がることによる露光不足が生じ難い。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a printed circuit board, which is effective in thinning of line and high precision of a circuit pattern in a build-up printed wiring board capable of high density wiring and high density mounting, by preventing thickening of etching margin of the circuit pattern caused by copper plating used in interlayer connection.例文帳に追加
高密度配線および高密度実装が可能なビルドアッププリント配線板において、層間接続のための銅めっきにより配線パターンのエッチング代が厚くなるのを阻止し、細線化と配線パターンの高精度化にも有効なプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
Then, against a pattern portion of each of the obtained binarized images, diffusion of an intermediate point group in the same pixel direction and a similar straight line obtained from the intermediate point group is calculated and an average value of the diffusion in each of the binarized images is calculated to obtain an emission pattern evaluation value in the filament current value.例文帳に追加
次に、得られた各2値化画像のパターン部に対し、同じ画素方向における中間点群と、該中間点群から求めた近似直線との分散を求め、各2値化画像における分散の平均値を算出して、このフィラメント電流値におけるエミッションパターンの評価値とする。 - 特許庁
To provide a resist composition for negative-tone development, of which variation of line width (LWR), exposure latitude (EL), and degree of focal margin (DOF) are excellent, in order to more stably form a highly precise fine pattern for manufacturing a highly integrated and highly precise electronic device, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加
高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
A luminance pattern by reflected light or transmitted light for every angle on a preset slice level of the atypical industrial products are pregathered by a reference sample, and is registered in a computer, and is matched in a pattern with luminance data obtained from the atypical industrial products on the production line.例文帳に追加
予め基準サンプルによって、異形製品の予め設定したスライスレベル上の各角度ごとの反射光又は透過光による輝度パターンを収集してコンピュータに登録、生産ライン上の異形工業製品から得られる輝度データとのパターンマッチングを行う。 - 特許庁
To provide a stably manufacturable decorating sheet with which inferiority of printing wherein a printing ink draws a line is not generated when a picture pattern ink layer is formed on a surface base sheet comprising an acrylic resin and in addition, variability with time and the like are not generated when the picture pattern ink layer is formed.例文帳に追加
アクリル樹脂からなる表面基材シートに絵柄インキ層を形成する際、印刷インキが筋を引くという印刷不良が発生せず、しかも絵柄インキ層を形成する際に、経時的なバラツキ等が生ぜず、安定した製造が可能である加飾シートを提供する。 - 特許庁
When a signal interconnection 5 is formed so as to cross a grounding conductor pattern 7, a parallel grounding line 10 is formed in such a way that it is parallel to the signal interconnection 5 and that it connects grounding patterns 6 formed on both end sides of the crossed grounding conductor pattern 7.例文帳に追加
信号配線5をグランド用導体パターン7を跨いで配線する場合、この信号配線5に対して並行でかつ跨いだグランド用導体パターン7の両端側に形成されたグランド用導体パターン6間を接続するように並行グランド線10を形成した。 - 特許庁
To provide a pattern edge shape inspection method and a pattern inspection device which quantitatively analyze, by the nondestructive inspection, line edge shapes of a micropattern featuring materials, processes and exposure optical systems, and find out faults in manufacturing processes and image distortions.例文帳に追加
半導体製造工程における材料、プロセス、露光光学系の特徴が現れる、微小パターンのラインエッジ形状の分析を非破壊検査により行い、定量的に分析し、製造工程の欠陥や観察装置の画像歪みを見出すパターンエッジ形状検査方法を提供する。 - 特許庁
The amplifier control circuit 7 selects one pattern out of 64 magic square patterns based on pixel data LD[3:0], frame number FR, line number LN, and column number COL, and creates a control signal CTRL[2:0] corresponding to a specific pixel value in the selected pattern.例文帳に追加
アンプ制御回路7は、画素データLD[3:0]と、フレーム番号FRと、ライン番号LNと、カラム番号COLとに基づいて、64個の魔方陣パターンの中から一つのパターンを選択し、選択したパターン内の特定の画素値に対応する制御信号CTRL[2:0]を生成する。 - 特許庁
To provide an electrooptical device which can form an equipotential line on a desired position, for example, even on a position adjacent to an inspection pattern and can precisely inspect an electric wiring by means of the inspection pattern, to provide a manufacturing method of the electrooptical device, and to provide electronic equipment.例文帳に追加
同電位ラインを所望位置、例えば、検査用パターンの隣接位置であっても形成することができ、当該検査用パターンによって、電気配線を精度良く検査することができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器をそれぞれ提供する。 - 特許庁
The arrangement pattern of a plurality of the outward pawls 27 and the arrangement pattern of a plurality of the inward pawls 30 are a combination to permit the engagement of the first member 10 with the second member 11 with each other only at the predetermined single engaging angle position with the axis line X as a center.例文帳に追加
そして、前記複数の外向き爪27の配設パターンと前記複数の内向き爪30の配設パターンが、前記軸線Xを中心とする所定の単一の嵌合角度位置でのみ前記第一部材10と前記第二部材11との互いの嵌合を許容する組み合わせとされている。 - 特許庁
An irradiation direction control section 56 control the irradiation direction of the right and left lights so as to match the lower end of the upward cut-off line of the left side additional light distributing pattern or the right side additional light distributing pattern to the left end or the right end of the preceding vehicle detected by the preceding vehicle detection section 52.例文帳に追加
照射方向制御部56は、前方車検出部52により検出された前方車の左端または左端に左側付加配光パターンまたは右側付加配光パターンの上向きカットオフラインの下端を一致させるように、左右の灯具の照射方向を制御する。 - 特許庁
Shades for high beam formation installed in the respective lamp fittings 30 shield a part of light emitted from the light sources of the right and left light fittings 30, and a right side luminous intensity distribution pattern and a left side luminous intensity distribution pattern, which have non-perpendicular cutoff lines upward of the horizontal line, are formed.例文帳に追加
灯具30内にそれぞれ設けられるハイビーム形成用シェードは、左右の灯具30の光源から発せられる光の一部を遮蔽して、水平線より上方に非垂直カットオフラインを有する右側配光パターンおよび左側配光パターンを形成する。 - 特許庁
To provide a positive resist material with a high sensitivity, a high resolution, a small line width roughness, and an excellent post-exposure pattern shape, especially a positive resist material using a high polymer suitable as a base resin of a chemical amplification positive resist material, and to provide a pattern formation method.例文帳に追加
高感度、高解像度で、ラフネス(LWR)が小さく、露光後のパターン形状が良好であるポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物を用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a positive photosensitive polyamideimide resin composition which excels in sensitivity, resolution, adhesion in development, and heat resistance, can be exposed with an i-line and developed with an alkaline aqueous solution, and yields a pattern of a good profile, a method for producing a pattern and an electronic component.例文帳に追加
感度、解像度、現像時の密着性、及び耐熱性に優れ、良好な形状のパターンが得られるると共に、i線で露光が可能で、アルカリ水溶液で現像が可能なポジ型感光性ポリアミドイミド樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品を提供する。 - 特許庁
To provide a positive photosensitive polyamideimide resin composition which excels in sensitivity, resolution, adhesion in development, and heat resistance, can be exposed with an i-line and developed with an alkaline aqueous solution, and yields a pattern of a good profile, a method for producing a pattern and an electronic component.例文帳に追加
感度、解像度、現像時の密着性、及び耐熱性に優れ、良好な形状のパターンが得られると共に、i線で露光が可能で、アルカリ水溶液で現像が可能なポジ型感光性ポリアミドイミド樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品を提供する。 - 特許庁
A time information providing device 26 calculates the time information relating to the production line by acquiring the pattern of the operation time zone in the time unit to be calculated from the operation schedule table data and using the relative time information from the relative time table corresponding to the acquired pattern of the operation time.例文帳に追加
時間情報提供装置26は、生産ラインに関する時間情報を、計算対象の単位期間における稼働時間帯パターンを稼働計画表データから取得し、取得した稼働時間帯パターンに対応した相対時間テーブルから相対時刻の情報を用いて算出する。 - 特許庁
To provide a resist composition for negative development excellent in line width variation (LWR), exposure latitude (EL) and focal depth allowance (DOF) in order to stably form a high accuracy fine pattern for the manufacture of a highly integrated and high accuracy electronic device, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加
高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a positive resist composition satisfying requirements for high sensitivity, high resolution, a good pattern profile, good line edge roughness and reduction in outgassing, in an ultrafine region, particularly, in electron beam, X-ray or EUV lithography, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加
超微細領域での、特に、電子線、X線またはEUV光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、およびアウトガス低減を同時に満足するポジ型レジスト組成物、それを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
In the ceramic heater which is constituted of preparing a heating element on a surface or inside of a nitride ceramic board of a disk shape, the above heating element is formed with combination of a pattern of a concentric circle shape or a spiral shape and a repetition pattern of a bent line.例文帳に追加
円板形状の窒化物セラミック基板の表面または内部に発熱体を設けてなるセラミックヒータにおいて、前記発熱体は、同心円形状または渦巻き形状のパターンと、屈曲線の繰り返しパターンの発熱体が混成して形成されていることを特徴とするセラミックヒータ。 - 特許庁
To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a pattern which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, satisfactory exposure latitude, good line width roughness and post-exposure delay stability (PED), and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加
高感度、高解像性、十分な露光余裕度、良好なラインウィズスラフネス、真空引き置き安定性(PED)を同時に満足するパターンを形成することが可能な感活性光線または感放射線樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁
A connector 23 for connecting cables for supplying power to a digital circuit unit 30 is provided near the center of a control substrate 12, and respective electronic components (IC27) are provided around the connector 23 whereby the pattern area of a wiring pattern 32 of a power supply line for each electronic component is reduced.例文帳に追加
デジタル回路部30への電源供給を行うためのケーブルが接続されるコネクタ23を制御基板12の中央付近に設け、当該コネクタ23の周辺に各電子部品(IC27)を設けることにより、各電子部品への電源ラインの配線パターン32のパターン面積を削減する。 - 特許庁
When the rectangle retained constitutes a gradation pattern (S23:YES), a group of drawing instructions for drawing the rectangles is converted into drawing instructions by which an image depicting one line of the gradation pattern in the main scanning direction is repeatedly drawn in a subsidiary scanning direction (S25).例文帳に追加
そして、保持された長方形がグラデーションパターンを構成する場合には(S23:YES)、それら長方形を描画する描画命令群を、そのグラデーションパターンの主走査方向の1ライン分を描画するイメージが、副走査方向に繰り返し描画される描画命令に変換する(S25)。 - 特許庁
To provide a three-dimensional shape measuring device which obtains cross section shape pattern information useful for determining etching process conditions using in-line SEM images obtained by non-destructive manner, and to realize effective process control by obtaining section shape pattern information using a SEM which is non-destructive and relatively easy to measure.例文帳に追加
エッチングプロセス条件決定に有効なパターン断面形状情報の取得を非破壊で観察可能なインラインSEMの画像を用いて行い、また非破壊で比較的容易に測定が可能なSEMによって断面形状情報を取得することで、効率のよいプロセス制御を実現する。 - 特許庁
As shown in Fig. (a), from a connection electrode 38 which is an output terminal of the driver 12a and via conductive particles 35 in an ACF 37, an addition resistance layer 15 formed on a wiring pattern 30 and the wiring pattern 30 compose a connection line which is connected to the cathode inside the FED.例文帳に追加
(a)図のように、ドライバIC12aの出力端子である接続電極38からACF37中の導電性粒子35を介して、配線パターン30の上に形成された付加抵抗層15、及び、配線パターン30で接続ラインを構成し、FED内部のカソードに接続される。 - 特許庁
To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance, in lithography especially using an electron beam, an X-ray or an EUV ray, and to provide a resist-film and pattern formation method utilizing the same.例文帳に追加
特に電子線、X線又はEUV光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
By paying attention to the fact that film reduction of the resist pattern is accompanied by surface roughening (roughness) of a resist upper surface, a film reduction index value is calculated by quantifying the degree of roughness of a portion corresponding to the resist upper surface, on an electron microscope image of the resist pattern used in conventional line width measurement.例文帳に追加
レジストパターンの膜減りがレジスト上面の面荒れ(ラフネス)を伴うことに着目し,従来の線幅計測に用いているレジストパターンの電子顕微鏡像上で,レジスト上面に相当する部位のラフネスの程度を定量化することによって膜減り指標値を算出する。 - 特許庁
When special pattern change display is temporarily stopped in a pattern display means (e.g. rotary reels) and also when a prescribed condition is established, the combination of ready-for-winning patterns which indicates high probability for a hit is generated in at least one line among a plurality of display lines.例文帳に追加
図柄表示手段(例えば、回転リール)における特別図柄の変動表示を一旦停止させる際に、所定の条件が成立すると、複数の表示ラインのうちの少なくとも1ラインにおいて、当たりとなる可能性が高いことを示唆するリーチ目の組み合わせを発生させる。 - 特許庁
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