「process temperature」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a structure which is excellent in impact resistance (resistance to repeated fatigue) and water resistance, and to provide the production process of a waterproof structure excellent in impact resistance (resistance to repeated fatigue), following property and water resistance, which allows shortening construction time without depending construction conditions like temperature, or being deteriorated in workability by remaining monomers in a coating.例文帳に追加

耐衝撃性（耐繰り返し疲労性）及び防水性に優れる防水構造体、並びに、気温等の施工条件に左右されることなく施工時間の短縮化を図ることができ、また、塗料に残存する単量体により作業性を低下させることなく、耐衝撃性（耐繰り返し疲労性）、追従性及び防水性に優れる防水構造体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

When the toners having a binder resin essentially consisting of a resin used for an electrophotographic process are the toners formed by miscibilizing wax with the resin component and softened at a relatively low temperature below the melting point of the resin component, the toners are mainly constituted by externally adding a plurality of the fine powders varying in the triboelectrostatic charge quantities to the toners, in which at least one kind of the powders is inorganic fine powder.例文帳に追加

電子写真法に用いる、結着剤の主成分が樹脂であるトナーで、該樹脂成分中にワックスが相溶しており、樹脂の融点以下の温度で軟化するトナーである時、該トナー中に複数の摩擦帯電量の異なる微粉末が外添されており、そのうちの少なくとも１種類は無機微粉末であることを特徴とするトナーを主たる構成にしたこと。 - 特許庁

This method for producing the subject spherical microparticles comprises the following process: the monomers and/or oligomers for the aimed thermoplastic polycondensate are dispersed in a polysiloxane substantially inert to the thermoplastic polycondensate and subjected to thermal polymerization at such a temperature as to melt or soften the monomer and/or oligomer and the resulting thermoplastic polycondensate, the resultant system is then cooled, and the objective spherical microparticles thus formed are separated from the polysiloxane.例文帳に追加

熱可塑性重縮合体用のモノマーおよび／またはオリゴマーを、該モノマーおよび／またはオリゴマーおよび得られる熱可塑性重縮合体が溶融または軟化する温度で、該熱可塑性重縮合体と実質的に反応しないポリシロキサン中に分散、加熱重合せしめた後、冷却し、ついで該ポリシロキサンから分離する球状微粒子の製造方法。 - 特許庁

To provide a GaAs single crystal wafer reduced in the influence of the warp of the wafer itself and the nonuniformity of wafer in-plane temperature for the thermal treatment in a device manufacturing process using the wafer, and generating no slip defects, which needs no relaxation of the residual stress by incorporation of dislocation, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ＧａＡｓ単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

An calculation apparatus implements a process for initializing the acquired maximum value and minimum value to a state before acquisition and returning to an initial calculation processing after a predetermined time, since the temperature substantially changes in a magnetic sensor before the next acquisition of the maximum value and minimum value of a signal waveform acquired sequentially so as to calculate the corrections of gain and offset.例文帳に追加

ゲイン及びオフセットの補正演算を行うために逐次取得される信号波形の最大値及び最小値に関して、取得から次の取得に至る前に、磁気センサに実質的な温度変化が起こり得る所定時間が経過した場合、取得済みの最大値及び最小値を初期化して未取得状態とし、初期演算処理に戻る処理を、演算装置により行わせる。 - 特許庁

To provide a method of forming a crystalline thin film or a crystalline structure capable of forming a desired pattern, including a three-dimensional shape, of a crystalline thin film having excellent interface state by a simple formation process while lowering the heat treatment temperature required for crystallization, and to provide a structure having a crystalline thin film formed by the formation method.例文帳に追加

シンプルな製造工程により界面状態の良好な結晶性薄膜を立体形状を含む所望のパターンに形成可能であり、結晶化に要する熱処理温度を低減させることが可能な結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法、及び当該製造方法により形成された結晶性薄膜を備えた構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device having a heat resistant resin film used generally for flip-chip connection using a solder bump or a gold bump and an epoxy based resin compound in which reliability of the semiconductor device is enhanced by improving adhesive property especially after it is held under high temperature and high humidity for a long term, and to especially provide a surface modification treatment method.例文帳に追加

半田バンプや金バンプを用いるフリップチップ接続に多用される耐熱性樹脂膜とその上に積層するエポキシ系樹脂化合物を有する半導体装置において、特に高温高湿下に長期間保持された後の接着性を改善し、半導体装置の信頼性を向上させるための半導体装置の製造方法、特に表面改質処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic photoreceptor for obtaining high endurance and high image quality electrophotographic images by improving wear of the organic photoreceptor up to the same level as an amorphous silicon photoreceptor, and improving image flow and image blurring tend to generate under high temperature, high humidity or the like, and to provide an image forming apparatus using the photoreceptor and a process cartridge.例文帳に追加

本発明の目的は、有機感光体の摩耗性を、アモルファスシリコン感光体と同等の水準まで、改善すると共に、高温高湿下等で発生しやすい、画像流れや画像ボケを改善し、高耐久で且つ高画質の電子写真画像が得られる有機感光体を提供することであり、該有機感光体を用いた画像形成装置、及びプロセスカートリッジを提供することである。 - 特許庁

The method for selectively forming an epitaxial thin film on a semiconductor substrate by controlling the flowrate of a gas raw material supplied to a film-formed atmosphere has a process for obtaining the relationship between the growth speed of the epitaxial thin film and the flowrate of the gas raw material by changing the flowrate of the gas raw material that is supplied to the film-formed atmosphere under specific temperature conditions.例文帳に追加

成膜雰囲気に供給するガス原料の流量を制御して、半導体基板上に選択的にエピタキシャル薄膜を形成する方法は、所定の温度条件下で、成膜雰囲気に供給するガス原料の流量を変化させることによって、エピタキシャル薄膜の成長速度とガス原料の流量との関係を求める工程を備える。 - 特許庁

The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for opposing the electrode 12 of a semiconductor chip 10 and a wiring pattern 22 each other through a solder 30 containing bismuth, and a step for forming a conductive portion 40 connecting the electrode 12 and the wiring pattern 22 electrically by thermally melting the solder 30 at a temperature between the melting point and 300°C and then hardening the solder.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体チップ１０の電極１２と配線パターン２２とを、ビスマスを含有するはんだ３０を介して対向させること、及び、はんだ３０を、融点以上３００度未満の温度で加熱して溶融させ、その後硬化させて、電極１２と配線パターン２２とを電気的に接続する導電部４０を形成することを含む。 - 特許庁

In manufacturing the Schottky barrier MOSFET, a damascene gate process for forming a gate electrode and a gate insulating film after a source/drain structure is formed is applied to the Schottky barrier MOSFET, so that the gate electrode and the gate insulating film may not be received with a high temperature heat treatment to thereby prevent the deterioration of the metal and the metal oxide for constituting the gate electrode and the gate insulating film.例文帳に追加

ショットキー障壁型MOS FET の製造において、ソース／ドレイン構造を形成した後にゲート電極およびゲート絶縁膜を作成するダマシンゲートプロセスをショットキー障壁型MOS FET に適用することにより、ゲート電極やゲート絶縁膜が高温の熱処理を受けないようにして、ゲート電極やゲート絶縁膜を構成する金属および金属酸化物が劣化するのを防止する。 - 特許庁

The multiplex method of nucleic acid amplification by a PCR amplification process includes using primers each 32 bases or more in length, making an annealing at a temperature lower than the respective Tms of the primers, and conducting an extension reaction for 1-10 min, i.e. annealing/extension reaction for a long period of time enough to accomplish the aimed uniform nucleic acid amplification by the respective primers.例文帳に追加

長さが３２塩基以上のプライマーを使用することと、前記プライマーのTm値よりも低い温度でアニーリングさせることと、1分〜１０分間の長時間伸長反応を行い、各プライマーによる均一な増幅が行なわれるのに十分な時間でもってアニーリング・伸長反応を行うこととを特徴とするＰＣＲ増幅方法による、マルチプレックスな核酸増幅方法。 - 特許庁

An electronic control unit(ECU) 30 of the engine performs one of the operations; phase lag of fuel injection timing into the cylinder, injection in an expansion process, throttling of intake, throttling of exhaust when an amount of the particulates captured by the DPF is increased and the engine is operated within a specified operation area, for increasing the exhaust temperature of the engine and burning the captured particulates.例文帳に追加

機関の電子制御ユニット（ＥＣＵ）３０はＤＰＦに捕集されたパティキュレート量が増大し、かつ機関が所定の運転領域で運転されているときに、気筒内への燃料噴射時期遅角、膨張行程噴射、吸気絞り、排気絞り等のいずれかの操作を行い機関排気温度を上昇させて捕集されたパティキュレートを燃焼させる再生操作を行なう。 - 特許庁

In one aspect, there is disclosed a process of forming a hydrogen material including the steps of providing a metal hydride material, providing a Bronsted acid material, combining the metal hydride material and Bronsted acid material, and pyrolyzing the combined material forming a hydrogen storage material having a hydrogen release temperature lower than the metal hydride material.例文帳に追加

１つの態様において、金属水素化物材料を提供すること、ブレンステッド酸材料を提供すること、金属水素化物材料とブレンステッド酸材料を組み合わせること、及び組み合わせた材料を熱分解し、水素放出温度が金属水素化物材料より低い水素貯蔵材料を製造することを含む、水素材料の製造方法を開示する。 - 特許庁

The manufacturing method of an electrolyte membrane for a fuel cell containing the reinforcing material reinforcing the hydrocarbon resin contains a first process superimposing a sheet-shaped hydrocarbon resin and a sheet-shaped reinforcing material having holes passing through in at least the thickness direction and pressing them at temperature higher than 250°C.例文帳に追加

炭化水素系電解質樹脂を補強する補強材を含む燃料電池用電解質膜の製造方法であって、シート状の炭化水素系樹脂と、少なくとも厚さ方向に貫通する孔を有するシート状の補強材とを重ね合わせ、２５０℃より高い温度で押圧する第一の工程を含むことを特徴とする、燃料電池用電解質膜の製造方法。 - 特許庁

The process includes a preparation step to prepare a soluble polycarbazole derivative having a higher solubility to organic solvents at room temperature than that of the sparingly soluble polycarbazole derivative and a carbazole derivative expressed by general formula (1) in the polymer main chain and a heating step to obtain the sparingly soluble polycarbazole derivative by heating the soluble polycarbazole derivative.例文帳に追加

難溶性ポリカルバゾール誘導体と比べて常温で有機溶媒に対する溶解度が相対的に高く、下記一般式１で表されるカルバゾール誘導体を高分子主鎖中に有する可溶性ポリカルバゾール誘導体を準備する準備工程と、可溶性ポリカルバゾール誘導体を加熱することによって難溶性ポリカルバゾール誘導体を得る加熱工程とを含む。 - 特許庁

The piezoelectric ceramic is obtained by charging a piezoelectric base material into a nonmetal mold disposed in a microwave sintering furnace, raising the temperature of the piezoelectric base material in at least sintering process by sintering the base material using the microwave mentioned above and at the same time, subjecting the piezoelectric base material charged in the nonmetal mold to pressure-treatment by hot press.例文帳に追加

特に、素材内の気孔が極めて少なく、高い電気機械結合係数及び圧電定数を改善させた圧電セラミックスで、また、従来焼結に比べ短時間での焼結が可能となる製造方法及び製造装置を提供でき、さらに、圧電定数が大きいため圧電体アクチュエータ等への応用が可能となる圧電セラミックス、その製造方法等に関する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition for exposure to far UV rays, the composition showing little dependence on heating temperature after exposure in a microphotofabrication process using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, having decreased surface roughening by etching, having low dependence on pattern density, and having excellent side lobe margin.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、露光後加熱温度依存性、エッチング表面荒れが低減され、さらには疎密依存性が小さく、サイドローブマージンに優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a new method accompanying a further wide improvement of color, although in the coloration of a mixture of formed diamine and polyamine and the coloration of a mixture of isocyanate and polyurethane produced therefrom, the improvement is achieved by changing each of process parameters e.g. the addition of components, concentration of acid catalyst, control of temperature or product composition in rearrangement.例文帳に追加

形成されるジアミン及びポリアミンの混合物の呈色又はそれらから製造されるイソシアネート及びポリウレタンの混合物の呈色において、個々のプロセスパラメータ、例えば成分の添加、酸触媒の濃度、温度制御又は転位の間の生成物組成の変更によって改善が達成されるが、更に大幅に色の改善を伴う新規の方法を提供する。 - 特許庁

In the oxidation method for oxidating the surface of a treating body W set to a specific temperature in a process envelop 8, an oxidizing gas composed of oxygen and/or ozone and a reduction gas composed of hydrogen and/or heavy hydrogen are supplied under the vacuum atmosphere (excluding a combination of oxygen and hydrogen), and the oxidation is made by a hydroxyl group active species and an oxygen active species generated.例文帳に追加

処理容器８内にて所定の温度になされた被処理体Ｗの表面を酸化する酸化方法において、真空雰囲気下にて酸素及び／又はオゾンよりなる酸化性ガスと水素及び／又は重水素よりなる還元性ガスとを供給し（酸素と水素のみの組み合わせを除く）、発生した水酸基活性種と酸素活性種とにより前記酸化を行なう。 - 特許庁

This method for manufacturing an FRP member comprises forming a multilayered FRP layer by winding fibers containing matrix resins 12a, 12b and 12c, respectively around a substrate material 20 employing the filament winding process, and heating to cure the multilayered FRP layer, wherein the matrix resins used have each different starting temperature of curing for every single layer or a plurality of layers in the multilayered FRP layer.例文帳に追加

基材２０にフィラメントワインディング法を用いてマトリックス樹脂１２ａ、１２ｂ、１２ｃを含む繊維を巻き付けて多層ＦＲＰ層を形成し、前記多層ＦＲＰ層を加熱硬化させてＦＲＰ部材を製造するＦＲＰ部材の製造方法であって、前記多層ＦＲＰ層の単層毎又は複数層毎に、硬化開始温度の異なるマトリックス樹脂を用いる。 - 特許庁

The influence of the time required for the temperature adjusting process of the substrate on the decrease of the throughput is reduced to the utmost thereby.例文帳に追加

第１の主ウエハ搬送部Ａ１及び第２の主ウエハ搬送部Ａ２の周囲に１０段の各熱処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５、５段の各塗布処理ユニット部Ｇ１及びＧ２を配置し、該熱処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５においては温調・搬送装置ＣによりウエハＷを温調しながらウエハＷの搬送を行うことにより、基板の温調処理に要する時間がスループットの低下に与える影響を極力減らすことができる。 - 特許庁

The ferulic acid bonding type saccharide such as arabinooligosaccharide or galactooligosaccharide having a ferulic acid group is produced by using a material containing pectin derived from a plant cell wall and utilizing a hydrothermal treatment process for applying to the pectin-containing material the hydrothermal treatment under pressure control of higher than the saturated vapor pressure and on the treating conditions of 160-180°C heating temperature and 5-15 min heating time.例文帳に追加

植物細胞壁由来のペクチン含有原料を使用し、ペクチン含有原料に、飽和蒸気圧以上の圧力制御下において、加熱温度160〜180℃、加熱時間5〜15分の処理条件により水熱処理を施す水熱処理工程を利用することにより、フェルラ酸基を持つアラビノオリゴ糖あるいはガラクトオリゴ糖等のフェルラ酸結合型糖質を製造する。 - 特許庁

The method includes: a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate; a step of forming a nitrogen containing insulation film on the oxide film by the plasma nitridation process at a temperature between 800 to 900°C; and a step of forming a nitrogen storing layer at the interface between the semiconductor substrate and the oxide film formed with the nitrogen containing insulation film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する段階と、８００〜９００℃のプラズマ窒化処理工程によって前記酸化膜の表面に窒素含有絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記窒素含有絶縁膜の形成された前記酸化膜との界面に窒素蓄積層を形成する段階とを含む、フラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor includes a step of providing a substrate, a step of forming a dielectric layer on the substrate, a step of growing an amorphous semiconductor layer on the dielectric layer, a step of doping impurity in the amorphous semiconductor layer, and a step of forming a crystallized layer from the amorphous semiconductor by performing a high-temperature process on the amorphous layer.例文帳に追加

本発明による半導体の製造方法は、基板を設ける工程と、誘電体層を基板の上に形成する工程と、アモルファス半導体層を誘電体層の上に成長させる工程と、アモルファス半導体層に不純物をドープする工程と、そして高温処理工程をアモルファス層に施して前記アモルファス半導体から結晶化層を形成する工程とを備える。 - 特許庁

By controlling one or more properties, such as the relative thermal energy input during the EA aggregation/coalescence process, using a wax having a certain dispersion size (D50), molecular weight and/or melting temperature, the toner particle produced thereby can achieve optimal surface wax protrusion with a surface wax content of about 12 to about 25 weight percent.例文帳に追加

特定の分散サイズ（Ｄ５０）、分子量および／または溶融温度を有するワックスを用いるＥＡ凝集／合一プロセス中に投入された相対熱エネルギーなどの一つ以上の特性を制御することにより、前記方法よって製造されたトナー粒子は、約１２〜約２５重量％の表面ワックス含有率を有する最適表面ワックス突起を達成することが可能である。 - 特許庁

In the process for producing the electrode material of an electric double-layer capacitor by performing alkali activation of a mixture of a carbonaceous material and an alkali compound, the temperature region in a system for performing alkali activation is 600°C-900°C, and the inside of the system for performing alkali activation is under inert atmosphere having a pressure of 0.11 MPa or higher.例文帳に追加

炭素質物質とアルカリ化合物を含む混合物をアルカリ賦活してなる電気二重層キャパシタ用電極材の製造方法において、アルカリ賦活を実施する系内の温度域が６００℃から９００℃であり、アルカリ賦活を実施する系内が圧力０．１１ＭＰａ以上の不活性雰囲気下である電気二重層キャパシタ用電極材の製造方法。 - 特許庁

The thickness of a first solder resist 13, formed at the periphery of a semiconductor element 8, is set to less than that of a second solder resist 15 formed at the central part of the semiconductor element 8, so that the amount of contraction of the first solder resist 13 when a temperature drops in a reflow process is suppressed, and the first solder resist 13 is prevented from peeling off the semiconductor element 8.例文帳に追加

半導体素子８の周辺部に形成される第１のソルダーレジスト１３の厚みを、半導体素子８の中央部に形成される第２のソルダーレジスト１５の厚みよりも小さく設定することで、リフロー工程の温度低下による第１のソルダーレジスト１３の収縮量を抑制して、第１のソルダーレジスト１３が半導体素子８から剥離することを防止する。 - 特許庁

The method for fuelization of automobile shredder residue for cement firing is one that introduces the automobile shredder residue into a cement firing process, wherein the method is characterized in that the automobile shredder residue is fed to a site from a kiln-tail housing of a cement-firing rotary kiln to a rising duct and where the gas temperature is not lower than 900°C.例文帳に追加

廃自動車シュレッダーダストを、セメント焼成工程に導入する廃自動車シュレッダーダストのセメント焼成用燃料化方法であって、該廃自動車シュレッダーダストを、セメント焼成用ロータリーキルンの窯尻ハウジングから立上りダクトにかけての、ガス温度９００℃以上の部位に投入することを特徴とする廃自動車シュレッダーダストのセメント焼成用燃料化方法である。 - 特許庁

The method of forming particles includes a process of simultaneously introducing a vehicle containing at least one kind of substance as a solution or a suspension liquid and a supercritical fluid into a particle forming vessel, and the temperature and pressure are controlled in such a manner that dispersion and extraction of the vehicle are performed substantially at the same time by means of the action of the supercritical fluid.例文帳に追加

本発明は、少なくとも１種の物質を溶液又は懸濁液として含有するビヒクルと超臨界流体とを粒子形成容器中に同時導入する工程を含み、その温度と圧力を、該ビヒクルの分散及び抽出が該超臨界流体の作用によって実質的に同時に起こるように制御する、粒状生成物の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a developer amount regulating member excellent in triboelectrification property in any environment, particularly in an environment at high temperature and high humidity when used in development with an electrophotographic process image forming apparatus such as a copying machine or a printer, free of a toner leak in the image forming apparatus, capable of giving a good image by suppressing degradation of image quality due to fog, etc., and excellent also in elasticity.例文帳に追加

電子写真方式の複写機やプリンター等の画像形成装置による現像に用いた場合に、あらゆる環境下、特に高温高湿の環境下において、摩擦帯電性に優れ、画像形成装置内でトナー漏れが発生せず、カブリ等による画質低下を抑制して良好な画像を得ることができ、弾性特性にも優れる現像剤量規制部材を提供する。 - 特許庁

The treating method of the organic waste comprises: (1) a treating method for woody waste wherein pretreatment is conducted for easy decomposition of the woody waste before anaerobic methane fermentation is performed, (2) a process for heat-treatment conducted in the above pretreatment after the woody waste is crushed into fibrous form, (3) heat-treatment temperature in the above heat treatment being 80-200°C.例文帳に追加

（１） 木質系廃棄物については嫌気メタン発酵をさせる前に易分解化させる前処理を施すことを特徴とする有機性廃棄物の処理方法、（２） 前記前処理を、木質系廃棄物を繊維状に破砕した後、熱処理する工程を有する方法により行うことに特定したもの、（３） 前記熱処理の際の熱処理温度が８０〜２００℃であることに特定したもの等。 - 特許庁

To provide a system for stably obtaining a (meth)acrylic acid solution of high and constant (meth)acrylic acid concentration coming out of a noncondensable gas separation apparatus regardless of the temperature fluctuation of the gas discharged from a vapor phase catalytic oxidation reactor employed in a (meth)acrylic acid production process that employs a vapor phase catalytic oxidation reaction, and a method for producing (meth)acrylic acid that utilizes the system.例文帳に追加

本発明は、接触気相酸化反応による（メタ）アクリル酸の製造工程において、接触気相酸化反応器から排出されるガスの温度変動に拘わらず、非凝縮性ガス分離装置から得られる（メタ）アクリル酸溶液を高濃度で且つ一定濃度で安定的に得るためのシステムと、当該システムを利用する（メタ）アクリル酸の製造方法を提供することを目的にする。 - 特許庁

In this sintered metal, all of pores are independent respectively, and do not communicate with each other, by setting the conditions for forming the required sintered body, such as the grain size of the metallic powder of the material of the sintered metal, the forming pressure in forming a molding, at least one condition of sintering temperature and sintering time in a sintering process within a required range.例文帳に追加

この焼結金属では、所望の焼結体を形成するための条件である、焼結金属の材料の金属粉末の粒径、成形体を成形するときの成形圧力、焼結工程における焼結温度及び焼結時間の内の少なくとも１つの条件を所定の範囲に設定することにより、気孔がすべて独立気孔となり、互に連通していない。 - 特許庁

The process for producing the diamond powder coated with a carbide comprises immersing a diamond powder in a molten salt containing ions of one or more transition metals selected from titanium, zirconium, chromium, molybdenum, tungsten and vanadium and making the diamond powder sufficient contact with the transition metal ions while retaining a temperature of the molten salt at not less than 600°C to form a transition metal carbide layer on the surface of the diamond particle.例文帳に追加

ダイヤモンド粉末を、チタン、ジルコニウム、クロム、モリブデン、タングステン、バナジウムから選ばれる１種以上の遷移金属のイオンを含有する溶融塩中に浸し、６００℃以上の溶融塩温度に保持して上記遷移金属イオンと充分に接触させることによって、ダイヤモンド粒子表面に該金属の炭化物層を形成する炭化物被覆ダイヤモンド粉末の製造方法。 - 特許庁

To provide an optical element which can be manufactured at a low cost with a simple manufacturing process, with which an occupied space can be reduced, which reduces preferably the fluctuation band of an optical path difference (phase difference) by a temperature and stress and which functions as a wavelength plate, and to provide an optical device incorporating the same, an optical disk device and a method for manufacturing the optical element.例文帳に追加

製造プロセスが簡便で安価に製造可能であり、占有空間を縮小可能であり、好ましくは、さらに温度や応力などによる光路差（位相差）の変動幅が小さい、波長板として機能する機能する光学素子と、これを組み込んだ光学装置、光学ディスク装置、さらに当該光学素子の製造方法を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing process comprises reacting a multifunctional epoxy resin with an unsaturated monobasic acid in the presence of an organic phosphorus compound catalyst and a polymerization inhibitor in a gas atmosphere with an oxygen concentration of 18-24% at 100-150°C and reacting the reaction product at a conversion ratio of the organic phosphorus compound catalyst to the oxide of ≥80% with an acid anhydride at a temperature of 100-150°C.例文帳に追加

多官能エポキシ樹脂と不飽和一塩基酸とを、有機リン化合物触媒および重合禁止剤の存在下で、酸素濃度が１８〜２４％の気体の雰囲気下、温度１００〜１５０℃で反応させ、且つ有機リン化合物触媒の酸化物への転換率を８０％以上とした反応生成物に、さらに酸無水物を温度１００〜１５０℃で反応させる - 特許庁

During performing a start up process for heating up a fuel battery cell assembly to a temperature at which power generation is possible, an amount of heat per unit time supplied by external gas to a collector retaining member which presses the fuel battery cell assembly from an outer side face is controlled to be less than an amount of heat per unit time supplied by inner gas to a fuel battery cell.例文帳に追加

燃料電池セル集合体を発電可能な温度まで昇温させる起動工程の実行中において、燃料電池セル集合体を外側面から押圧する集電維持部材に外部ガスによって供給される単位時間当たりの熱量を、内部ガスによって燃料電池セルに供給される単位時間当たりの熱量よりも小さくする。 - 特許庁

To provide a toner which has excellent low-temperature fixability and storage stability and can obtain stable image quality for a long term even if a resin containing a polylactic acid as a constituent unit is used as a binder resin; a two-component developer composed of the toner and a carrier; and an image formation method, an image formation device and a process cartridge using the two-component developer.例文帳に追加

ポリ乳酸を構成単位とする樹脂を結着樹脂に用いた場合であっても、優れた低温定着性及び保存安定性を有し、長期にわたって安定な画像品質が得られるトナー、このトナーとキャリアとからなる二成分現像剤、並びに該二成分現像剤を用いた画像形成方法及び画像形成装置、プロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the high nitrogen-containing stainless steel includes a refining process of the molten stainless steel, in which slag fused at the molten steel temperature in the refining time is made to exist in the ratio of ≥5 kg/ton of the molten stainless steel in the molten stainless steel, and at least one kind of nitriding alloy selected from nitriding ferro-silicon and silicon-nitride is added into the molten stainless steel.例文帳に追加

ステンレス溶鋼の精錬過程において、精錬時の溶鋼温度で溶融するスラグをステンレス溶鋼１トンあたり５ｋｇ以上の割合でステンレス溶鋼中に存在させ、窒化フェロ珪素及び窒化珪素から選択される少なくとも１つの窒化合金をステンレス溶鋼に添加することを特徴とする高窒素含有ステンレス鋼の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a process for producing an intermediate film for sandwich glass suitable for obtaining the sandwich glass which is not only good in blocking resistance during storage and handling workability when inserting the intermediate film between glass sheets but is excellent in deaerating and sealing properties in spite of the execution of preliminary press bonding at a relatively low temperature and is consequently ameliorated in the quality defect by the generation of air bubbles.例文帳に追加

保管中の耐ブロッキング性やガラス板の間に中間膜を挟む際の取扱い作業性が良いことはもとより、比較的低い温度で予備圧着を行っても脱気性及びシール性に優れ、従って気泡の発生による品質不良が改善された合わせガラスを得るに適する合わせガラス用中間膜の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

This thin film formation process comprises repeatedly performing a stage for coating a heat- resistant substrate with the composition and heating the coated substrate in air, an oxidizing atmosphere or a steam-containing atmosphere, until a thin film having a desired thickness is obtained, wherein during or after the heating in at least the final stage of such heating stages, the formed film is fired at its crystallization temperature or higher.例文帳に追加

このＰＬＣＳＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し、空気中、酸化雰囲気中又は含水蒸気雰囲気中で加熱する工程を所望の厚さの膜が得られるまで繰り返し、少なくとも最終工程における加熱中或いは加熱後に膜を結晶化温度以上で焼成するＰＬＣＳＺＴ強誘電体薄膜の形成方法。 - 特許庁

In the process for producing baked edible vessels, 25-75 mass parts of a cereal flour and 75-25 mass parts of starch octenylsuccinate (100 mass parts in the total), 2-5 mass parts of food oil which is in the solid state at normal temperature and 1-3 mass parts of edible wax are mixed and kneaded together with water and hot formed to the objective edible vessel.例文帳に追加

穀粉とオクテニルコハク酸デンプンの合計を１００質量部としたとき、穀粉を２５〜７５質量部、オクテニルコハク酸デンプンを７５〜２５質量部含有し、常温で固形である食用油脂２〜５質量部および食用ロウ１〜３質量部を含有し、水と共に混捏し、１５０〜２００℃の範囲で加熱成型して、耐水性を有する焼成可食容器を製造する方法。 - 特許庁

The method of forming the fluorinated polyimide multilayer film is implemented by repeating two or more times a process of applying fluorinated polyamide acid containing no C-H bond onto a substrate and firing the fluorinated polyamide acid, wherein the firing is carried out at the maximum temperature of <380°C for ≥1 hr.例文帳に追加

基板上に、Ｃ−Ｈ結合を含まないフッ素化ポリアミド酸を塗布し焼成を行うフッ素化ポリイミド膜製造工程を、２回以上繰り返すことにより、フッ素化ポリイミド多層膜を製造する方法において、該焼成を、最高温度３８０℃未満で行うと共に、焼成時間を１時間以上とすることを特徴とするフッ素化ポリイミド多層膜の製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the carbon nanotube assembly is characterized in that catalyst particles are heated to the temperature where the degree of the aggregation of the catalyst particles and the growth rate of the carbon nanotube are balanced in a CVD process of growing carbon nanotubes by the thermal decomposition of an organic compound vapor with the catalyst particles formed on a substrate as a base point.例文帳に追加

本発明のカーボンナノチューブ集合体の製造方法は、基板上に形成された触媒粒子を基点として有機化合物蒸気の熱分解によってカーボンナノチューブを成長させるＣＶＤ工程において、前記触媒粒子を、前記触媒粒子の凝集の程度と前記カーボンナノチューブの成長速度とを平衡させる温度に加熱することを特徴とする。 - 特許庁