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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "lift off"に関連した英語例文

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"lift off"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 412



例文

A lift-off process is then carried out by forming an etching resistant film to cover the photoresist film, then removing the photoresist film to form, on the etched film, a pattern of the etching resistant film corresponding to an opening of the photoresist film.例文帳に追加

次に、フォトレジスト膜を覆うように耐エッチング膜を形成したのち、フォトレジスト膜を除去することにより、被エッチング膜上に、フォトレジスト膜の開口部に対応する耐エッチング膜のパターンを形成するリフトオフ工程を行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor light emitting element not impeding emission of a generated gas and preventing generation of cracks and the like in a grown semiconductor layer when removing a substrate for growth by an LLO (Laser Lift Off) method, and the semiconductor light emitting element manufactured by the method.例文帳に追加

LLO法による成長用基板の除去の際に、発生ガスの放出を妨げず且つ半導体成長層におけるクラック等の発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法及びこれよって製造される半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material.例文帳に追加

(1)デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、(2)乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、(3)パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。 - 特許庁

To enable the formation of a pattern having a finer width which exceeds the limit of dimensional shape such as a film thickness of the layer which is lifted off and is patterned and a cut shape of resist when the pattern having the narrow width is formed by means of the lift-off method.例文帳に追加

リフトオフ法により狭小な幅を有するパターンを形成する際に、リフトオフされてパターニングされる層の膜厚や、レジストの切れ込み形状などの寸法形状の限界を越えた、より微細な幅を有するパターンの形成を可能にする。 - 特許庁

例文

Subsequently, the resistivity of a surface layer and the lift-off are calculated on the basis of an impedance measured value in a high frequency area obtained in Step S1 (S2), and the impedance measured value in a low frequency area obtained in Step S1 is corrected on the basis thereof (S3).例文帳に追加

続いて,ステップS1で得られた高周波域でのインピーダンス測定値に基づいて表面層の比抵抗及びリフトオフを算出し(S2),それに基づいてステップS1で得られた低周波域でのインピーダンス測定値を補正する(S3)。 - 特許庁


例文

As the conductive layer 7 is formed on the whole face of the substrate and then the conductive layer 7 in the vicinity of the bonding pad section 8 is removed by a lift-off method, it is possible to surely remove the conductive layer 7 in a simple making method.例文帳に追加

また、基板全面に導電層7を形成した後、リフトオフ法によりボンディングパッド部8周辺の導電層7を除去するため、ボンディングパッド部8周辺の導電層7を簡易な製法で確実に除去できる。 - 特許庁

A metal film 76 on a gate made of Au is formed at the opening of the mask 78 by the lift-off method, a WSi film 71a is subjected to patterning with the metal film 76 on the gate as a mask, and a gate electrode 71 made of WSi is formed right above the p-type region 90.例文帳に追加

マスク78の開口部に、リフトオフ法によりAuからなるゲート上金属膜76を形成し、ゲート上金属膜76をマスクとしてWSi膜71aをパターニングして、p型領域90の直上にWSiからなるゲート電極71を形成する。 - 特許庁

To provide a wiring pattern forming method that does not require complex steps as compared with the conventional lift-off method, can be applied to any of positive type and negative type resists and uses a resist pattern having a mushroom-shape cross section.例文帳に追加

通常のリフトオフ法による配線パターン形成方法に比べて工程が複雑にならず、ポジ型やネガ型いずれのレジストにも適用できる、断面がマッシュルーム形状のレジストパターンを用いた配線パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

After a dummy gate resist pattern 24 is formed on a GaAs substrate 11 on which a buffer layer 12, a channel layer 13, a Schottky layer 15 and a cap layer 16 have been stacked, an SiO2 film 26 having a gate opening 25 is formed through evaporation and lift off.例文帳に追加

バッファ層12とチャネル層13と電子供給層14とショットキ層15とキャップ層16とを積層したGaAs基板11上にダミーゲートレジストパターン24を形成後、蒸着、リフトオフによりゲート開口部25を持つSiO_2膜26を形成する。 - 特許庁

例文

The method comprises the steps of forming a semiconductor film on a substrate 1, forming a P-side electrode 10, for instance, on which an Au and Al are deposited one by one on the semiconductor film, depositing an insulating film 11, and removing the electrode 10 and the film 11 by a lift-off method.例文帳に追加

基板1上に半導体膜を形成する工程と、該半導体膜上に例えばAuおよびAlが順に積層されたP側電極10を形成する工程と、絶縁膜11を堆積する工程と、リフトオフによってP側電極10、絶縁膜11を除去する工程を有している。 - 特許庁

例文

To provide a method and a device for measuring the thickness of a solidified shell which can measure the thickness of a casting billet by non-contact measurement of a transmission signal of the ultrasonic wave for the casting billet with a sufficient lift-off without a complicated mechanism.例文帳に追加

複雑な機構を伴わずに、十分なリフトオフで鋳片に対して非接触に超音波の透過信号を計測し、鋳片の厚みを測定することが可能な凝固シェル厚測定方法および装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which excels in performances such as sensitivity, heat resistance and chemical resistance and particularly forms a film having excellent hydrophobic property, accordingly which is suitable for use as a composition for lift-off as well as for forming a bank by an ink jet system.例文帳に追加

感度、耐熱性、耐化学性などの性能に優れているだけでなく、特にフィルムが優れた疎水特性を有するようにすることによってインク−ジェット方式でのバンクを形成することに適していると同時にリフトオフ用として適用することに適している感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern formation method capable of preventing occurrence of a short circuit failure even when a resist layer as a lift-off layer is separated from a base insulation film by generation of film stress, and an unnecessary metal film adheres to its exposure part.例文帳に追加

本発明の課題は、膜応力の発生により、リフトオフ層としてのレジスト層が下地絶縁膜から剥離し、その露呈部分に不要な金属膜が付着してもショート不良になることを防止できるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a circuit board for high frequencies that forms a circuit pattern by a lift-off method even if a fluorocarbon-based resin is used to a substrate material, imparts an easy, accurate circuit pattern in multilayer structure, and has superior productivity; and also to provide a method for manufacturing the circuit board for high frequencies.例文帳に追加

基板材料にフッ素系樹脂を用いてもリフトオフ法による回路パターン形成が可能で、容易に高精細でかつ多層構造の回路パターン部を持たせることもでき、量産性に優れた高周波用回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the lift-off of terminals for connection when mounting, on a mount circuit board, an electronic component package which can respond to the reduction in size and to higher integration, with respect to a thin-film multilayer wiring board, and the electronic component package, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

薄膜多層配線基板、電子部品パッケージ、及び、電子部品パッケージの製造方法に関し、小型化・高集度化に対応できる電子部品パッケージを実装回路基板に実装する際に接続用端子の剥離を防止する。 - 特許庁

To prevent a lift-off noise from generating, even if the positions of an exciting coil and a detecting coil are shifted, in relation to an inspection plane of an object to be inspected, in an operation of a probe for detecting eddy current flaw using uniform eddy current.例文帳に追加

一様渦電流を利用する渦電流探傷用プローブにおいて、検査体の検査面に対する励磁コイル及び検出コイルの位置がずれてもリフトオフ雑音が発生しない渦電流探傷用プローブを提供すること。 - 特許庁

To provide a soldering device for mounting an insertion-type electronic component on a substrate by using a lead-free soldering material, and a soldering method of the substrate excellent in the reliability of connection between the electronic component and the substrate by reducing the generation of lift-off and the generation of a shrinkage cavity.例文帳に追加

鉛フリーのはんだ材料を用いて挿入タイプの電子部品を基板に実装するためのはんだ付け方法およびはんだ付け装置であって、リフトオフの発生と引け巣の発生を低減して電子部品と基板の接続の信頼性に優れた基板のはんだ付け方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for flow soldering on a mounting board (i.e., insertion mounting component), by using a lead-free solder which can significantly reduce any opportunity of lift-off effect and ensure higher reliability of a connecting section.例文帳に追加

リフトオフという現象が生じるのを著しく低減し、しかも接続部の高信頼性を確保できるようにした鉛フリーはんだを使用して実装基板(挿入実装部品)へのフローはんだ付けを行う方法およびその装置を提供することにある。 - 特許庁

The electromagnetic ultrasonic sensor 2 is fixed to the optical surface plate 6 arranged on a two-axis stage 5, and an ultrasonic receiving surface can be brought into contact with a steel pipe 3 or allowed to approach the steel pipe 3 with an arbitrary lift-off by the movement of the two-axis stage 5.例文帳に追加

電磁超音波センサー2は、2軸ステージ5の上に設置されている光学定盤6に固定されており、2軸ステージ5の動きにより、鋼管3に超音波受信面が接触するか任意のリフトオフで接近することができるようになっている。 - 特許庁

To provide a high output magnetoresistive sensor by suppressing the generation of a lift-off residue of a resist mask and a fence and facilitating the removal of a reattachment attached to the track width direction side wall face or the element height direction side wall face of a magnetoresistive effect film.例文帳に追加

レジストマスクのリフトオフ残りやフェンスの発生を抑え、磁気抵抗効果膜のトラック幅方向側壁面又は素子高さ方向側壁面に付着した再付着物の除去を容易にすることにより、高出力の磁気抵抗センサを提供する。 - 特許庁

Various signals from a lift-off instruction means 14, a load detection means 13, a wire rope delivery length detection means 15, and a winding/driving amount detection means 16 of a winch 4 are inputted in a controller 11, and the following first and second steps are performed by the controller 11.例文帳に追加

コントローラ11に、地切指令手段14、負荷検出手段13、ワイヤーロープ繰出長検出手段15、及びウインチ4の巻取駆動量検出手段16からの各検出信号を入力し、コントローラ11で下記の第一手順及び第二手順を実行する。 - 特許庁

To provide a nondestructive inspecting device capable of stably evaluating a near-side crack, a far-side crack, and an internal crack at relatively low cost in a short time and miniaturizing and lightening itself while eliminating the influence of lift-off by using a method of a magnetic potentiometer.例文帳に追加

磁位差計の手法を用いることにより、リフトオフの影響をとり除くことができるとともに、ニヤサイド亀裂、ファーサイド亀裂及び内部亀裂を比較的低コストかつ短時間で安定して評価できる小型軽量化が可能な非破壊検査装置を提供する。 - 特許庁

After forming a dummy gate resist pattern 24 on a GaAs substrate 11 for which a buffer layer 12, a channel layer 13, an electron supply layer 14, a Schottky layer 15 and a cap layer 16 are laminated, an SiO2 film 26 provided with a gate-opening part 25 is formed by vapor deposition and lift-off.例文帳に追加

バッファ層12とチャネル層13と電子供給層14とショットキ層15とキャップ層16とを積層したGaAs基板11上にダミーゲートレジストパターン24を形成後、蒸着、リフトオフによりゲート開口部25を持つSiO_2膜26を形成する。 - 特許庁

The dynamic lift off device 27 has frames connected and separated in half-divided shape; motors mounted to the frames; rotation bodies of half-divided shape rotationally driven by the motors; and cylinder bodies of half-divided shape mounted to the rotation bodies respectively and having excavating bits disposed at the lower ends.例文帳に追加

地切り装置27は、半割り状をなして結合、分離されるフレームと、フレームに取付けられるモータと、モータにより回転駆動される半割り状の回転体と、各回転体にそれぞれ取付けられ、下端に掘削ビットを配設した半割り状の筒体とを有する。 - 特許庁

When the connecting member 23 is folded into a chevron-shape (reverse chevron-shape) at the hinge-connected part 25 in stretched states of the wire ropes 2 just before or just after dynamic lift off of the lifted cargo, the auxiliary tool 21 can be extracted in a lifted cargo width direction and can be easily removed.例文帳に追加

吊り荷の地切りの直前又は直後のワイヤロープが張った状態で、連結部材23をヒンジ連結部25にて山形(逆V形)に折り畳むと、玉掛け用補助具21を吊り荷幅方向に引き抜くことができ、簡単に取り外せる。 - 特許庁

The signal output from the magnetic sensor 4a, and the signal output from the magnetic sensor 4b are corrected and normalized by a lift-off corrective device 10a and a corrective device 10b based on the value of a distance meter 5a and the value of a distance meter 5b, respectively in a signal processor 6.例文帳に追加

信号処理装置6内では、磁気センサ4aからの信号出力を距離計5aの値に基づきリフトオフ補正装置10aにて、磁気センサ4bからの信号出力を距離計5bの値に基づき補正装置10bにて、それぞれ補正して正規化する。 - 特許庁

Further, since the double layer resist pattern 105 and the soluble layer pattern 102 are arranged so as to be successively removed by using specified solvents respectively for them, so that a burr does not occur on an upper surface of the 1st thin-film pattern 111, then a smooth lift-off is attained.例文帳に追加

さらに、所定の溶剤をそれぞれ用いて2層レジストパターン105と可溶層パターン102とを順次除去するようにしたので、第1薄膜パターン111の上面にバリが発生せず、円滑なリフトオフが可能となる。 - 特許庁

A lift-off method is used, soft magnetic thin films 1a are formed by a patternization process, a magnetic field neutral film forming process and an unnecessary part removal process and moreover, by repeating these processes once more, soft magnetic thin films 1b are formed, and a closed magnetic circuit thin film magnetic core 1 consisting of the soft magnetic thin films having an uniaxial anisotropy is formed.例文帳に追加

リフトオフ法を用い、パターン化、磁場中成膜、不要部分の除去の工程により、軟磁性薄膜1aを形成し、さらにこれらの工程をもう1回繰り返すことにより、軟磁性薄膜1bを形成し、一軸異方性を有する軟磁性薄膜からなる閉磁路薄膜磁心1を形成する。 - 特許庁

The hydrostatic bearing pad is used together with rotational and oscillating bearings whose rotation and oscillation are comparatively small or rotational speed is slow or in which it is desired to minimize hydrodynamic actions by which 'lift-off' is generated on a journal bearing.例文帳に追加

静水力学的軸受パッドは、比較的回転量と振動量が小さく或いは回転速度が遅い或いはジャーナル軸受上に「リフトオフ」を生じさせる動水力学的作用を最小化することが望まれる回転及び振動軸受と共に使用される。 - 特許庁

By adopting a lift-off technique using a flattening technique by CMP to form a track width and height of an element, and a structure and a process for locating a CMP dummy film 16, the defects of shape and short-circuiting are reduced and a high yield is secured even in the narrow track width.例文帳に追加

トラック幅や素子高さ形成にCMPによる平坦化技術を用いたリフトオフ技術と、CMPダミー膜16を配置する構造及びプロセスを採用することで形状不良や短絡不良を低減し、狭トラック幅でも高歩留まりを確保する。 - 特許庁

Mass production of the base of the microwave circuit has become possible without using the exposed mask having inferior durability by forming a resist layer by printing a peeling type ink to a area where the electrode films of the base of the microwave circuit is not formed and then performing lift-off by peeling this resist film.例文帳に追加

立体回路基体の電極膜を形成しない部分に剥離型インキを印刷してレジスト層を形成し、このレジスト層を剥離してリフト・オフを行うことにより、耐久性が悪い露光マスクを使用せずに立体回路基体の量産が可能となった。 - 特許庁

To provide a waveguide type optical modulator with high performance which has its dc drift suppressed and is superior in long-period reliability by suppressing the contamination of a buffer layer when a signal electric field adjustment area is formed in the buffer layer by a lift-off method or etching method.例文帳に追加

バッファ層に信号電界調整領域などをリフトオフ法やエッチング法で形成する場合のバッファ層の汚染を抑制し、dcドリフトが抑えられ長期信頼性に優れた高性能の導波路型光変調器を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of forming a low-resistance metallic semiconductor contact with an excellent reproducibility and excellent adhesive properties, by using a lift-off method proper to the formation of a fine pattern without an oxidation process and a heat treatment process; and to provide the semiconductor device manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

酸化工程や熱処理工程を行うことなく、微細パターン形成に適したリフトオフ法を用いて低抵抗金属半導体接触を密着性良く、かつ再現性良く形成することが可能な半導体装置の製造方法及びその製造方法により製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a land for mounting a component in a multilayer printed wiring board that has such a structure to effectively prevent the occurrence of a lift-off phenomenon or a land peeling phenomenon, even if a lead-free solder (non-lead solder) with high melting temperature is used for mounting a component.例文帳に追加

特に、溶融温度の高い鉛フリーはんだ(無鉛はんだ)を部品実装に使用する場合であっても、リフトオフ現象やランド剥離現象の発生を一層効果的に抑制し得る構造を有する多層プリント配線板における部品実装用のランド部を提供する。 - 特許庁

To provide a turning fork type bent crystal oscillating element for suppressing a CI value to a conventional one or smaller, and improving the releasability of an electrode film with a lift-off method, and to provide a crystal resonator and a crystal quartz oscillator mounted with the same.例文帳に追加

本発明の目的は、CI値を従来以下に抑え、且つリフトオフ法による電極膜の剥離性の向上した音叉型屈曲水晶振動素子、及び、その音叉型屈曲水晶振動素子を搭載した水晶振動子や水晶発振器を提供することにある。 - 特許庁

Each detection signal from a lift-off instruction means 14, a load detection means 13, a wire rope delivery length detection means 15, and a winding drive quantity detection means 16 of a winch 4 is input in a controller 11, and the following procedures are executed by the controller 11.例文帳に追加

コントローラ11に、地切指令手段14、負荷検出手段13、ワイヤーロープ繰り出し長さ検出手段15、および、ウインチ4の巻き取り駆動量検出手段16からの各検出信号を入力し、コントローラ11で、下記手順を実行する。 - 特許庁

An operation control part 40 finds out a lift-off allowable area A on a lissajous plane from a detection signal generated until an eddy current probe 3 is adhered closely to a plane of a test body 20A and a detection signal generated when adhering the eddy current probe 3 closely to a curved surface of a test body 20B.例文帳に追加

演算制御部40は、試験体20Aの平面に渦電流プローブ3を密着させるまでに発生する検出信号と試験体20Bの曲面に渦電流プローブ3を密着させる際に発生する検出信号からリサージュ平面上にリフトオフ許容領域Aを求める。 - 特許庁

Although Fig is not shown, but thereafter metal is deposited through the resist mask 12 by a vapor deposition method; and the metal located higher than the resist mask 12 is removed by a lift-off process to form the standard sample, wherein the recess parts of the silicon substrate 10 have been filled with the metal.例文帳に追加

図示を省略するが、その後、レジストマスク12の上から蒸着法によりメタルをデポジションし、リフトオフプロセスにより、レジストマスク12より上のメタルを除去し、シリコン基板10の窪み部にメタルが埋め込んだ標準サンプルを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device preventing a semiconductor film from being damaged in peeling a substrate for growth by using a laser lift-off method and preventing adhesion of a foreign material to the semiconductor film with ablation of a resin material in a resin-embedded type semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

樹脂埋め込み型の半導体発光装置において、レーザリフトオフ法を用いて成長用基板を剥離する際の半導体膜へのダメージを防止し、更に樹脂材料のアブレーションに伴う半導体膜への異物の付着を防止することができる半導体発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an eddy current flaw detector and a display capable of eliminating a noise component, even if noise component is superimposed on detection signal data by a difference of a surface shape of an inspection object or fluctuations of lift-off, and accurately comparing a premeasured reference detection signal with a detected signal of characteristic change, and the like, including material changes.例文帳に追加

検査対象物の表面形状の違いやリフトオフの変動によって検出信号データにノイズ成分が重畳しても、そのノイズ成分を除去し、かつ予め測定している基準検出信号と、材質変化等の特性変化などの検出信号とを正確に比較することが可能な渦電流探傷装置および表示装置を提供する。 - 特許庁

By contouring the inner surface of the flow path to converge the flow in a downstream direction with a cantilevered compressor vane having a vane tip spaced from the inner casing surface, airflow lift off is precluded or minimized maintaining the flow attached to the flow path surfaces with consequent avoidance of tip vortex induced vibration.例文帳に追加

内側ケーシング表面から離間する静翼翼端を有する片持ち圧縮機静翼では、流れを下流方向に先細にするように流路の内側面を形作ることによって、空気流れの剥離を防止し、または最低限に抑え、流れの流路表面への付着を維持し、その結果、翼端渦誘起振動が回避される。 - 特許庁

To provide a producing method for semiconductor device, with which the deposition of polymerized films on the surface of a wafer is suppressed in the case of etching an insulating film with a resist pattern as a mask and satisfactory alloy reaction can be provided between a metal depositing film and the surface of the wafer while unnecessitating the mask formation of a side in a following lift-off process.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとする絶縁膜のエッチングの際に基板表面への重合膜の堆積を抑制し、その後のリフトオフ工程におけるサイドのマスク形成を不要としながら金属蒸着膜と基板表面との間の良好なアロイ反応を得ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A resist pattern 5 is formed on a thin-film electrode (interconnection) 3, a resist residue which remains on the surface of the electrode 3 and a resist residue which is put into the inside of the electrode 3 are removed, and the thin-film interconnection 7 is formed by the lift-off method on the surface of the electrode 3 from which the resist residue has been removed.例文帳に追加

厚膜電極(配線)3上にレジストパターン5を形成した後、厚膜電極3の表面に残留するレジスト残渣及び厚膜電極3の内部に入り込んだレジスト残渣を除去し、レジスト残渣が除去された厚膜電極3の表面に、リフトオフ法により薄膜配線7を形成する。 - 特許庁

In the method by which fine wiring is formed through a lift-off process, a deposited-film removing process is performed one or more times in the course of forming a thin film composed of a wiring material on a substrate 1 for widening the planar area of the opening 3 of a resist pattern 2 by partially or wholly removing a film 7 deposited on a resist pattern 2.例文帳に追加

リフトオフプロセスにより、微細配線を形成する方法において、基板1上に配線材料からなる薄膜を形成する成膜工程の途中に、レジストパターン2上の堆積膜7の一部又は全部を除去してレジストパターン2の開口部3の平面面積を広くする堆積膜除去工程を一回以上実施する。 - 特許庁

To reduce influences of a lift-off, the flaw shape and the coil shape of an eddy current flaw detection probe, in an eddy current flaw detector which compares a phase angle of a flaw signal of an inspection object with that of the flaw signal of a reference flaw, and estimates whether the flaw of the inspection object is shallow or deep, in comparison with the reference flaw.例文帳に追加

基準キズのキズ信号の位相角と被検査体のキズ信号の位相角を比較して、被検査体のキズが基準キズより浅いか深いかを推定する渦電流探傷装置において、リフトオフ、キズの形状や渦電流探傷プローブのコイルの形状の影響を低減することを目的とする。 - 特許庁

To provide a stress measurement method and a stress measuring apparatus for more accurately measuring stress by excluding the influence of residual stress and lift-off and bringing the relationship between a measurement value outputted from a magnetic anisotropy sensor and the stress of an object to be measured closer to a linear relation in stress measurement using the magnetic anisotropy sensor.例文帳に追加

磁気異方性センサを用いた応力測定において、残留応力及びリフトオフの影響を排除しつつ、磁気異方性センサから出力される測定値と被測定物の応力との関係をさらに線形に近付けて、より正確な応力測定を行うことができる応力測定方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light-emitting element capable of preventing foreign matters such as metal materials from adhering while preventing occurrence of cracks in a semiconductor growth layer when the growth substrate on which convexoconcave patterns are formed, is removed by the laser lift-off method, and to provide the semiconductor light-emitting element manufactured by the method.例文帳に追加

凹凸パターンが表面に形成された成長用基板をレーザリフトオフ法によって除去の際に、金属材料等の異物の付着を防止しつつ、半導体成長層におけるクラックの発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法及びこれよって製造される半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element, for increasing efficiency of a hard bias by performing ion milling after lift-off after formation of a hard film in the forming process of the magnetoresistance effect element, and processing the hard film tip part near the uppermost layer of the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、より詳細には磁気抵抗効果素子の形成過程においてハード膜成膜後のリフトオフを行った後にイオンミリングを行い、磁気抵抗効果素子の最上層近辺のハード膜先端部分を加工することによりハードバイアスの効率を高めた磁気抵抗効果素子を製造する方法に関するものである。 - 特許庁

In manufacturing the chip for the high frequency circuit in which an interconnection pattern 2 is arranged on a substrate 1 with a through hole 7, (a) an electrode 7a for conduction of the through hole 7 is formed by filling and sintering a conductive paste in a through hole 11 and (b) an interconnection pattern 2 is formed using a lift-off method as well.例文帳に追加

スルーホール7を備えた基板1に配線パターン2が配設された高周波用回路チップを製造するにあたって、(a)スルーホール7の導通用電極7aを、貫通孔11に導電性ペーストを充填、焼成することにより形成するとともに、(b)配線パターン2を、リフトオフ法により形成する。 - 特許庁

例文

By physically and electrically separating the conductor layer 5 by the segmented partition wall 4 and forming the electric circuit which is made of electric wiring and electrode pads such as signal wiring and ground wiring, a lift-off method and etching are not required after forming the optical waveguide 6 in order to form the electric circuit and the electric circuit is formed without damaging the optical waveguide 6.例文帳に追加

導体層5が分断隔壁4によって物理的にかつ電気的に分断されることによって信号配線やグランド配線等の電気配線や電極パッドからなる電気回路が形成されるので、電気回路の形成のために光導波路6を形成した後にリフトオフ法やエッチングを用いる必要がなく、従って、光導波路6にダメージを与えることなく電気回路を形成することができる。 - 特許庁

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