「絶子」に関連した英語例文の一覧と使い方(311ページ目) - Weblio英語例文検索

シリコン窒化膜２４を含む第１のゲート絶縁膜１６を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板１０上にシリコン酸化膜２２を形成する工程と、シリコンとハロゲンとを含む分子を含む雰囲気中で、シリコン酸化膜２２を熱処理する工程と、ＮＨ_3を含む雰囲気中で、シリコン酸化膜２２を熱処理する工程と、シリコンを含むガスとＮＨ_3とを原料として、シリコン酸化膜２２上にシリコン窒化膜２４を形成する工程とを有している。例文帳に追加

The method also includes a step of forming the silicon nitride film 24 on the silicon oxide film 22, by using a silicon-containing gas and NH3 as raw materials. - 特許庁

入出力端子となる電極パッド１４と、電極パッドが露出するように開口部を設ける絶縁膜１６と、電極パッド上に設ける突起電極２２とを有する半導体装置であって、電極パッドは、下層の第１の電極パッドと上層の第２の電極パッドからなるとともに、これらの第１の電極パッドと第２の電極パッドとは異なる金属材料で構成し、第１の電極パッドはアルミニウムからなる半導体装置およびその製造方法。例文帳に追加

In the semiconductor device and its manufacturing method, the electrode pad comprises a first electrode pad in the lower layer and a second electrode pad in the upper layer, and these first electrode pad and second electrode pad are constituted of different metal materials, and the first electrode pad is composed of aluminum. - 特許庁

）により表示を行うことが可能な表示媒体を有する表示媒体層および上記表示媒体層を保持する保持材料からなる表示層を有する表示部材と、絶縁性を有するフィルムからなる第２基材および上記第２基材の一方の表面に形成された表示電極を有する表示電極側基材と、を有し、上記表示電極側基材は、上記表示部材の上記共通電極側基材側とは反対側の表面に、上記表示電極が上記表示部材とは反対側となるように着脱可能に配置されていることを特徴とする電子ペーパーを提供することにより、上記目的を達成する。例文帳に追加

The display electrode-side base material is arranged to be attached to/detached from the opposite side surface of the display member to the common electrode-side base material so that the display electrode is arranged on the opposite side of the display member. - 特許庁

本発明の一実施形態に係る二次電池は、安定性を向上させることができるように充電と放電を実行する電極アセンブリと、前記電極アセンブリが内蔵されるケースと、前記ケースに結合するキャッププレートと、外側に突出した端子を含むキャップアセンブリと、前記電極アセンブリと電気的に連結しながら凹部分を有するヒューズ部と、前記凹部分に挿入して電気的な絶縁性遮断部材とを含む。例文帳に追加

A secondary battery according to an embodiment of the invention includes: an electrode assembly which executes charge and discharge so as to increase stability; a case in which the electrode assembly is placed; a cap plate to be combined with the case; a cap assembly including a terminal protruding outward; a fuse part electrically connected with the electrode assembly and having a concavity portion; and an electrically insulative cutoff member put in the concavity portion. - 特許庁

本発明では、支持脚配線の微細化において、支持脚３の断面積を小さくするため、周囲の層間絶縁膜であるＢＰＳＧ１０及びＴＥＯＳ１１に対し、支持脚３に相当する領域のみをエッチングすることにより、支持脚３を低背化することができ、マスクで決定するサイズ立則にとらわれない微細化された支持脚構造を有する赤外線撮像素子およびその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

In miniaturization of the supporting leg wiring, the supporting leg 3 can be reduced in height, by etching only a region equivalent to the supporting leg 3 to a BPSG 10 and a TEOS 11, namely, surrounding interlayer insulation films, and thereby reducing the sectional area of the supporting leg 3, thus providing an infrared image pickup device that has miniaturized supporting leg structure, independently of the size rule determined by a mask. - 特許庁

本発明の一態様に係るトランジスタ１００は、導体領域１０ａと表面に原子が結合した半導体領域１０ｂとを有し、チャネルとして機能するグラフェン膜１０と、グラフェン膜１０上にゲート絶縁膜１１を介して形成されたゲート電極１２と、を有し、導体領域１０ａと半導体領域１０ｂが形成するショットキー接合のトンネル電流をスイッチング動作に用いる。例文帳に追加

The transistor 100 in one embodiment includes: a graphene film 10 which has a conductor region 10a and a semiconductor region 10b where atoms are bonded to a surface, and functions as a channel; and a gate electrode 12 formed on the graphene film 10 with a gate insulating film 11 interposed, wherein a tunnel current of a Schottky junction that is formed by the conductor region 10a and semiconductor region 10b is used for switching operation. - 特許庁

２つの単一指向性コンデンサマイクロホンユニットの固定極を対向させ一体に形成し、固定極の間に、外周の一部から内径方向に向けて間隙部が形成されている絶縁座を有し、間隙部が各マイクロホンユニットの固定極背面空間を外部空間に連通させることで、マイクロホンユニットに共通の後部音響端子となっているステレオコンデンサマイクロホンユニットによる。例文帳に追加

A stereo capacitor microphone unit allows fixed poles of two unidirectional capacitor microphone units to face each other for forming in one piece, includes an insulated seat of which a gap is formed from one portion of an outer periphery toward an inner diameter direction between the fixed poles, and allows a fixed pole back space of each microphone unit to communicate with an external space by the gap, and hence functions as a rear acoustic terminal common to the microphone unit. - 特許庁

ケーブル１０が備える絶縁性の外皮１３の皮剥ぎによって所定長さ露出されて多数本の導線が並列に並べられた平形導体１２に半田２付けを施すことにより該平形導体１２が一体的に固められると共に、半田２付けにより一体的に固められた半田付き平形導体３は、その上面と下面を貫通する貫通孔４ａが形成されて被締結部４として端子化されている。例文帳に追加

A flat conductor 12, which is exposed in a predetermined length by uncovering an insulating sheath 13 provided for a cable 10 and comprises many conductive wires arranged parallel to each other, is integrally fixed by a soldering 2, and a soldered flat conductor 3 integrally fixed by the soldering 2 is transformed into the terminal as a fastened part 4 by forming a through hole 4a which penetrates an upper surface and a lower surface of the soldered flat conductor 3. - 特許庁

実施形態に係る半導体装置は、絶縁膜の上の半導体層に設けられたＦＥＴを含むスイッチ回路を有する半導体装置であって、前記ＦＥＴのソース領域とドレイン領域との間に、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向に並んで設けられた第１のゲート電極および第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の中間領域に電気的に接続された制御端子と、を備える。例文帳に追加

A semiconductor device having a switching circuit including an FET provided on a semiconductor layer on an insulating layer comprises: a first gate electrode and a second gate electrode provided in juxtaposition in a direction toward a drain region from a source region between the source region and the drain region of the FET; and a control terminal electrically connected to the intermediate region between the first gate electrode and the second gate electrode. - 特許庁

支持体シート上に、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結された複数の薄膜トランジスタが形成され、該薄膜トランジスタはゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極を有し、少なくともソースバスライン及びドレイン電極が、金属微粒子と導電性ポリマーとを含有する流動性材料から形成された薄膜トランジスタシート。例文帳に追加

The TFT sheet in which a plurality of TFT connected through gate and source buslines are formed on a support sheet, the TFT has a source electrode connected by a channel consisting of a gate electrode, gate insulating layer, and semiconductor layer, and at least the source busline and the drain electrode are formed from flowability material containing metal particulate and conductive polymer. - 特許庁

光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、前記光電変換部の受光領域に開口を有する遮光膜で被覆した固体撮像素子であって、前記開口部が、柱状単層構造の高屈折率膜で覆われており、前記高屈折率膜の周りは、前記高屈折率膜よりも屈折率が低く、表面を平坦化された絶縁膜で被覆されていることを特徴とする。例文帳に追加

The opening portion is covered with a high-refractive-index film of a columnar-single-layer structure, and the periphery of the high-refractive-index film has a refractive index lower than the high-refractive-index film to cover its surface with a flattened insulating film. - 特許庁

一方の電極層１‘を有する基板１上に少なくとも多数の粒状結晶半導体２を配設し、この粒状結晶半導体２間に絶縁体３を充填した光電変換装置であって、上記粒状結晶半導体２と基板１とを、上記粒状結晶半導体２と基板１との合金２１中に前記粒状結晶半導体２の材料からなる粒子２２が分散された複合体２０で接合した。例文帳に追加

The photoelectric conversion apparatus comprises multiple granular crystalline semiconductors 2 arranged on a substrate 1 having one electrode layer 1, and an insulator 3 filling the gaps of the granular crystalline semiconductors 2 wherein the granular crystalline semiconductors 2 and the substrate 1 are bonded through a complex 20 produced by diffusing particles 22 composed of the material of the granular crystalline semiconductor 2 into an alloy 21 of the granular crystalline semiconductor 2 and the substrate 1. - 特許庁

上記の課題を解決する半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成された第１の配線層と、前記第１の配線層より上方に形成された第２の配線層と、前記第１の配線層及び第２の配線層間を接続する少なくとも１のヒューズ素子としてのプラグと、前記第２の配線層の上方に形成された絶縁膜の一部に前記プラグに対応して設けられた開口部とを具備する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a first wiring layer formed on the semiconductor substrate, a second wiring layer formed at the upper part of the first wiring layer, a plug serving as at least a fuse element for connecting the first wiring layer with the second wiring layer, and an opening provided in a part of an insulating film formed on the second wiring layer corresponding to the plug. - 特許庁

複数の貫通孔９を有する絶縁基板の半導体チップ搭載面側に配線パターン６を持ち、且つ、半導体チップ搭載面の反対面側には、貫通孔９を介して、各貫通孔９を覆うランド１０に接続された外部接続端子４を持ち、配線パターン６と電気的に接続された半導体チップ１および電気接続部が樹脂封止された半導体装置であって、半導体チップ搭載面の反対面側から開口部が全て露出した貫通孔９を覆うダミーランド１１を有する。例文帳に追加

Here, a dummy land 11, which covers the through hole 9 with an opening part all exposed from the opposite side of the semiconductor chip mounting surface, is provided. - 特許庁

検査パターン５０１は、複数の下層配線５０２と、複数の上層配線５０３と、下層配線５０２と上層配線５０３との間に備えられた絶縁層５０４と、上層配線５０３と下層配線５０２とが交互に直列に接続されたコンタクトチェーンを構成するように上層配線５０３と下層配線５０２とを電気的に接続する複数のコンタクトユニット５０５と、１対の電極端子５０６，５０７とを有する。例文帳に追加

The inspection pattern 501 is provided with multiple lower wirings 502, multiple upper wirings 503, an insulating layer 504 disposed between the lower wring 502 and upper wiring 503 and multiple contact units 505 with electrically connect upper wiring 503 and lower wiring 502, so that a contact chain where upper wirings 503 and lower wirings 502 are mutually connected in series and a pair of electrode terminals 506 and 507. - 特許庁

ポリエチレンテレフタレート樹脂とポリエチレンナフタレート樹脂およびポリエステル系エラストマー樹脂からなる熱可塑性樹脂組成物により形成された熱収縮性芳香族ポリエステルチューブを電子部品に被覆後、耐熱性、耐衝撃性に優れ且つ収縮特性および開口性に優れた汎用電気絶縁材料や発熱体被覆材料等の利用価値を有する熱収縮性芳香族ポリエステルチューブを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a heat shrinkable aromatic polyester tube having a utility value of a general purpose electrical insulation material, a heater-coating material or the like having excellent heat resistance, impact resistance after an electronic component is covered with the polyester tube formed of a thermoplastic resin composition made of a polyethylene terephthalate resin, a polyethylene naphthalate and a polyester elastomer resin after the component is covered with the polyester tube, and excellent shrinkage characteristics and openability. - 特許庁

凹部を有する基板或いは層間絶縁膜の表面に一面に形成されたバリア金属膜と、該バリア金属膜の表面に前記凹部が埋まるように形成された銅又は銅合金からなる導体膜とを連続的に一つの研磨液で研磨する半導体デバイスの研磨方法であって、上記研磨液が、下記一般式（Ｉ）で表わされるバリア金属膜研磨速度調整剤、アミノ酸、酸化剤および研磨粒子を含有することを特徴とする半導体デバイスの研磨方法。例文帳に追加

The polishing method of a semiconductor device continuously polishes using a single polishing solution a barrier metal film formed over the entire surface of a substrate, having recesses or an interlayer insulating film and a conductive film made of copper or a copper alloy, formed on the surface of the barrier metal film, such that the recessed parts are embedded. - 特許庁

絶縁フィルム表面に接着した銅箔をエッチング処理することによって所望の配線パターンを形成する電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法において、前記フィルムの上方に配置され、エッチング液をフィルム上面に吐出するエッチング液吐出ノズルを、フィルムの送給方向に対して垂直な方向であるフィルムの幅方向に往復揺動して、エッチング処理することを特徴とする。例文帳に追加

A manufacturing method for film carrier tapes for electronic component mounting to form a desired wiring pattern, by etching treatment of a copper foil adhered on the surface of an insulating film comprises the step of etching treatment by breadthwise reciprocating and swinging an etchant jet nozzle arranged above the film to jet the etchant to the top face of the film in a direction vertical to the film feed direction. - 特許庁

第１〜第３のレジストレーション情報に含まれているテンポ情報と、自動伴奏データのシステムトラックに含まれているテンポ情報を、テンポ設定画面１００で設定されたテンポレートに基づいて、一括して変更することにより、レジストレーション情報や、自動伴奏データに、テンポの絶対値しか記憶することができない電子楽器においてもテンポの変更を、可及的に容易に且つ適切に行うことができるようにする。例文帳に追加

Tempo information included in first to third pieces of registration information and tempo information included in a system track of automatic accompaniment data are varied together based upon a tempo rate set in a tempo setting picture 100 to enable even the electronic musical instrument capable of only the absolute value of the tempo in registration information and automatic accompaniment data to change the tempo as easily and properly as possible. - 特許庁

半導体集積回路、液晶表示素子用ＴＦＴ回路等の回路製造用のポジ型レジストとして、アルカリ水溶液からなる現像液によって現像でき、感度、現像性、残膜率、耐熱性、基板との密着性等に優れた感放射線性材料、さらに層間絶縁膜、カラーフィルター保護膜、回路保護膜等の永久膜として、耐熱性、基板との密着性、可視光領域における透明性、耐薬品性、寸法安定性等に優れた感放射線性材料を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive material superior in sensitivity, developability, etching endurance, heat resistance, and adhesion to a substrate and developable with an aqueous alkaline developing solution and usable for a positive resist for manufacturing the semiconductor integrated circuit and the like by using a copolymer composed essentially of repeating units derived from specified monomers. - 特許庁

成分（Ａ）：式（１）で示される化合物を重合して得られる樹脂であって、ＧＰＣ分析における樹脂を検出するピークＰ、残存する式（１）で示される化合物を検出するピークＭとしたとき、ピークＰのポリスチレン換算重量平均分子量が１０００以上５０００００以下であり、かつピークＰ、ピークＭの面積値をそれぞれＡｐ、Ａｍとしたとき、面積比Ａｍ/（Ａｍ＋Ａｐ）が０〜１０％である樹脂；成分（Ｂ）：空孔形成用化合物；［２］上記［１］記載の組成物を基板に塗布し、加熱処理する工程を含む絶縁膜の製造方法。例文帳に追加

[2] The method for producing an insulating film comprises a process for coating a substrate with the composition [1] and heat-treating the substrate. - 特許庁

粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。例文帳に追加

Under a second condition for filling the space between the mixed phase grains by growing the mixed phase grains on the seed crystal, a microcrystalline semiconductor film is stacked on the seed crystal by a plasma CVD method. - 特許庁

本発明は、上記要求を満たすためのポリアリーレン及び／またはポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれを用いた膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた膜形成用組成物、および工業的に安定性の高い製造方法および該組成物から得られる有機膜を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for producing a polyarylene and/or a polyarylene ether which is useful as an interlayer insulating film in a semiconductor element, etc., has a low metal impurity content, excellent dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics and has high industrial stability and to obtain a compound for film formation using the same. - 特許庁

基板と、ストライプ状に配置される複数の下部電極と、複数の下部電極に交差し、ストライプ状に配置される複数の透明対向電極と、下部電極及び前記透明対向電極との間に配置される発光層と、を有する発光素子であって、透明対向電極上に配置される補助電極と、補助電極の下であって、透明対向電極と下部電極との間に設けられる第一の絶縁層とを有する表示装置。例文帳に追加

A light emitting element has a substrate, a plurality of lower electrodes disposed in a stripe shape, a plurality of transparent counter electrodes disposed in a stripe shape, and a luminescent layer disposed between the lower electrode and the transparent counter electrodes, and the display device has an auxiliary electrode disposed on the transparent counter electrodes and a first insulating layer below the auxiliary electrode and between the transparent counter electrode and the lower electrode. - 特許庁

第１電極、少なくとも発光層を含む有機膜、および第２電極が形成された基板を準備する段階と、第１ガスがプラズマ発生領域および加熱体を通過することによって形成された第１ラジカルと、第２ガスが加熱体を通過することによって形成された第２ラジカルとが反応して生成した絶縁膜が、前記第２電極上に形成される段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。例文帳に追加

This manufacturing method for the organic electroluminescent element comprises a step preparing a substrate provided with a first electrode, an organic film containing at least luminous layer and a second electrode and a step forming the insulating film formed by a reaction of a first radical generated by first gas passing a plasma generation area and a heating body and a second radical generated by second gas passing the heating body on the second electrode. - 特許庁

リチウム電池本体の正極および負極の各々に接続された金属端子を外側に突出した状態で挟持して熱接着して密封するタイプのリチウム電池等の電池用包装材であって、密封性、耐突刺し性、絶縁性、耐熱・耐寒性、耐腐蝕性等の諸物性においても優れることは元より、スリップ剤を用いることなく良好な滑り性を得ることができ、結果としてプレス成形時の成形安定性やラミネート強度の安定性に優れる電池用包装材を提供することである。例文帳に追加

To provide a packing material for a battery, not only excellent in a sealing property, an anti-piercing property, insulation, heat and cold resistance, corrosion resistance or the like, but also capable of obtaining an excellent slip property without using a slipping agent, and as a result, excellent in molding stability at press molding and stability of laminating strength. - 特許庁

ポリマー電解質、セパレーター及び電極材料からなるリチウムポリマー電池であって、前記ポリマー電解質が、溶媒、電解質塩及びラジカル重合性官能基を有する化合物を含む溶液を、活性放射線の照射及び／又は加熱により架橋して得られたポリマー電解質であり、前記セパレーターが非導電性多孔質材料と電気絶縁性の粒子からなるセパレーターであるリチウムポリマー電池。例文帳に追加

The lithium polymer battery is composed of a polymer electrolyte, a separator and electrode material, and the polymer electrolyte is obtained by crosslinking a solution containing a solvent, an electrolyte salt, and a compound having a radical polymerizing functional group by applying active radiation rays and/or heating, and the separator is composed of a non-conductive porous material and electrically insulating particles. - 特許庁

ハイブリッド材の少なくとも１層に形成されている導電体層とを有し、この導電体層により所定の電気回路が構成され、前記ハイブリッド材は、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する構成の電子部品とした。例文帳に追加

An electronic part has at least one conductive layer between the hybrid materials to form a predetermined electric circuit wherein the hybrid material contains two or more material powders selected from at least one or more dielectric material powders, one or more magnetic material powders and one or more metal powders coated with a dielectric material or one or more magnetic powders coated with an insulating material and a resin material. - 特許庁

半導体装置は、集積回路１０２を含むＳｉ基板１０１と、この上に形成された層間絶縁膜１０３と、この上に形成された接着層１０４と、この上に形成された導通層１０５と、この上に貼り付けられたＬＥＤエピタキシャルフィルム１０６と、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０６上からＳｉ基板１０１の端子領域１０８に至る領域に形成された薄膜の個別配線層１０７とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises an Si substrate 101 including an integrated circuit 102, an interlayer insulating film 103 formed thereon, an adhesive layer 104 formed thereon, a conduction layer 105 formed thereon, an LED epitaxial film 106 pasted thereon, and a thin film discrete wiring layer 107 formed on a region from above the LED epitaxial film 106 to the terminal region 108 of the Si substrate 101. - 特許庁

フレキシブル高分子有機ＥＬディスプレイの中間製品を製造するための製造ラインであって、印刷済フィルムに接着剤を塗工して接着層を形成し接着層加工済フィルムを得る第１塗工ユニットと、前記接着加工済フィルムとすくなくともバリア層、透明または半透明電極、絶縁層を形成した特殊加工済フィルムを自動見当合わせしながら貼り合せ貼合済フィルムを得る貼合ユニットとを具備するようにした製造ライン。例文帳に追加

The production line for manufacturing semi-finished products of a flexible polymer organic EL display is provided with a first coating unit for obtaining an adhesive layer processed film by forming an adhesive layer through coating of an adhesive on a printed film, and a bonding unit for obtaining a bonded film by bonding special processed films with insulating layers formed while automatically registering them. - 特許庁

半導体基板１１上及び素子分離部上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を形成し、ある１つのゲート電極に対しその両側に隣接するようにゲート電極を形成し、隣接するゲート電極の陰がソース又はドレイン領域１９に重なるように、斜めイオン注入を行うことにより、ゲート電極下のシリコン基板領域１３に選択的にチャネル不純物を注入することが可能になる。例文帳に追加

Gate electrodes 15 are formed through a gate insulation film 14 on a semiconductor substrate 11 and element isolations, the gate electrodes are formed so as to adjoin both sides of a certain one gate electrode, and a skew ion implanting is made so that the shadows of adjacent gate electrodes overlie source or drain regions 19, thus making it possible to selectively implant a channel impurity in Si substrate regions 13 beneath the gate electrodes. - 特許庁

そして、この目的を達成するために本発明は、絶縁材料からなる複数の外装体層を積層して形成された外装体３と、この外装体３内に埋設されるとともに前記外装体層の積層平面と略平行方向に形成されたグランド電極６、７と、外装体３内に埋設されるとともに前記外装体層の積層平面と略垂直方向に形成されたグランド電極４、５とを有する電子部品としたものである。例文帳に追加

The electronic component includes an enclosure 3 formed by laminating a plurality of enclosure layers composed of an insulating material, ground electrodes 6 and 7 buried in the enclosure 3 and formed in the direction substantially parallel with the lamination plane of the enclosure layer, and ground electrodes 4 and 5 buried in the enclosure 3 and formed in the direction substantially perpendicular to the lamination plane of the enclosure layer. - 特許庁

半導体基板に素子が集積形成された半導体チップを層間絶縁膜を介して複数層積層してなり、これら複数の半導体チップの相互間は、前記半導体基板に設けられた貫通孔に埋め込まれた接続プラグ、およびこの接続プラグ上に設けられているバンプにより接続されている半導体装置であって、前記接続プラグおよびバンプは、４００℃以上の融点を有する同一金属により、一体的に形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

This semiconductor device is constituted by stacking semiconductor chips formed by integrating elements on semiconductor substrates in layers across inter-layer insulating films so that those semiconductor chips are mutually connected by connection plugs buried in through holes bored in the semiconductor substrates and bumps provided on the connection plugs; and the connection plugs and bumps are formed integrally of the same metal having a fusion point of ≥400°C. - 特許庁

具体的に、本発明の一実施形態は、金属層を介してｎ型及びｐ型熱電半導体が互いに接合されて形成された複数のｐｎ接合及び前記ｎ型及びｐ型熱電半導体とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２電極を含み、前記複数のｐｎ接合は絶縁層を介して積層されるが、それぞれは互いに電気的に並列連結されたことを特徴とする熱電素子を提供する。例文帳に追加

This thermoelectric element includes: a plurality of pn junctions each formed by bonding n-type and p-type thermoelectric semiconductors to each other with a metallic layer interposed therebetween; and first and second electrodes electrically connected to the n-type and p-type thermoelectric semiconductors, respectively; wherein the plurality of pn junctions are laminated with insulating layers interposed therebetween, and are connected electrically in parallel to one another. - 特許庁

本発明の圧粉磁心は、絶縁皮膜で被覆されたＦｅを主成分とする軟磁性粉末を加圧成形してなる圧粉磁心において、前記軟磁性粉末は、Ｓｉを２〜５質量％含み、重量平均粒径が３０〜７０μｍで、平均アスペクト比が１〜３であると共に保磁力（ｉＨｃ）が２００Ａ／ｍ以下の粒子からなり、軟磁性粉末の真密度（ρ_０）に対する嵩密度（ρ）の比である密度比（ρ／ρ_０：％）が９２％以上であると共に周波数が１〜５０ｋＨｚの交番磁界中で使用されることを特徴とする。例文帳に追加

In the dust core obtained by pressurizing and forming soft magnetic powder with Fe coated with an insulated film as a main component, the soft magnetic powder consists of particles which contain 2 to 5 mass % Si and which have 30 to 70 μm weight average particle size, 1 to 3 average aspect ratio and ≤200A/m coercive force (iHc). - 特許庁

上記目的を達成するために、本発明は、基板と、基板表面上にパターン状に形成された第1電極層と、前記第1電極層が形成された基板上に形成され、絶縁性であり、連通孔を有する多孔性の多孔質膜と、前記多孔質膜内に充填されており、パターン状に形成され、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、前記多孔質膜内に形成されている有機ＥＬ層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とするＥＬ素子を提供する。例文帳に追加

The EL element comprises a substrate, a first electrode layer patterned on a surface of the substrate, a porous membrane formed on the substrate on which the first electrode is patterned, insulated, and having communicating holes, an organic EL layer filled in the porous membrane, insulated, patterned, and having at least a light emitting layer, and a second electrode layer formed on the organic EL layer in the porous membrane. - 特許庁

この半導体パッケージは、絶縁フレームとその主面上にマトリックス状に実装した多数の半導体素子とを全面にわたって一連に樹脂封止することにより面方向に連続する平らな面をもった板状のパッケージパネル１８を形成し、これをダイシング装置の円形ブレードで半導体パッケージ毎に切断することにより、本体部の四側面が主面に垂直な切断面１０ａとなる状態で製造される。例文帳に追加

The semiconductor package is manufactured in a state where the four side surfaces of a body part are in a cut surface 10a, that is vertical to the main surface by forming a plate-shaped package panel with a flat surface that is continuous in the surface direction by performing the resin sealing in series over the insulation frame and the main surface and cutting it for each semiconductor package by the circular blade of a dicing device. - 特許庁

高電位ゲート駆動回路部と、レベルシフト回路部とを同一の他導電型半導体基板１上に備え、前記ゲート駆動回路部には少なくとも一つの横型ＭＯＳＦＥＴが形成され、前記半導体基板の主面に平行方向に選択的に、かつ前記横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域５およびドレイン領域７の下方に、寄生素子抑制用の埋め込み絶縁膜３を有する高耐圧ＩＣとする。例文帳に追加

A high potential gate driving circuit part and a level shift circuit part are provided on the same other conductivity type semiconductor substrate 1, at least one lateral MOSFET is formed in the gate driving circuit part, and an embedded insulating film 3 for parasitic element suppression is provided selectively in a parallel direction on the main surface of the semiconductor substrate at the lower part of the source region 5 and drain region 7 of the lateral MOSFET. - 特許庁

あらかじめ登録された電子メールアドレスなどに同時配信するシステムの構築によって、緊急時の内容に応じて必要な連絡網へ、素早く十分な伝達を行い、個人の安否確認や状況、企業サービスの断絶などを防止するとともに、ネットワーク社会に対応し、個々人の持つインターネット上のネットワークにおいてもきめ細かな通知、連絡を可能にする緊急・必要時の危機管理システム。例文帳に追加

This risk management system in emergency/need executes prompt and sufficient transmission to a necessary communication network according to the content in emergency to prevent discontinuity of confirmation and a situation of individual safety, enterprise services or the like by constructing the system for simultaneously distributing information to the previously registered e-mail addresses, and enables precise notification and communication in a network on the Internet provided for individuals in response to the network society. - 特許庁

光導波路４上に積層された上部クラッド層５を含み、その側面が高抵抗の埋込み層７により絶縁されたメサストライプ６と、そのメサストライプ６の上面に分離帯１０を介して設けられた第１及び第２の電極１２ａ、１２ｂとを有する光半導体集積素子において、分離帯１０でのメサストライプ６の最小幅を、第１の電極１２ａ下の最大幅及び第２の電極１２ｂ下の最大幅より狭く構成する。例文帳に追加

This optical semiconductor integrated device comprises a mesa stripe 6 including an upper clad layer 5 laminated on the optical waveguide 4 and having side faces insulated by a high resistance embedded layer 7, and first and second electrodes 12a, 12b provided on the upper surface of the mesa stripe 6 via a separating zone 10. - 特許庁

不飽和カルボン酸アルキルエステル単位、下記一般式 （上記式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、同一または相異なる水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。）で表されるグルタル酸無水物単位を有する共重合体若しくは上記単位に不飽和カルボン酸単位を有する共重合体またはさらにその他のビニル系単量体単位を有する共重合体であって、かつ複屈折率の絶対値が１．０×１０^−４以下の共重合体からなる導光板。例文帳に追加

This optical guide plate comprises a copolymer having an absolute birefringence value of ≤1.0×10^-4 and comprising alkyl unsaturated carboxylate units, glutaric acid anhydride units represented by general formula (1) (R^1, R^2 are each identically or differently H or a 1 to 5C alkyl group), or further unsaturated carboxylic acid units, or furthermore other vinylic monomer units. - 特許庁

容量素子（１０）は、シリコンを主成分として形成された第１電極（１）と、アルミニウム化合物により、第１電極（１）を被覆するように形成されたアルミニウム化合物膜（３）と、酸化物であり、且つ、アルミニウム化合物膜（３）よりも誘電率が大きい絶縁体により、前記アルミニウム化合物膜（３）を被覆するように形成された酸化物誘電体膜（４）と、導電体により、前記酸化物誘電体膜（４）を被覆するように形成された第２電極（５）とを含む。例文帳に追加

This element 10 comprises a first electrode 1 containing silicon as a main component, an aluminum compound film 3 covering the first electrode 1, an oxide dielectric film 4 having a higher dielectric constant than the aluminum compound film 3 and covering this film 3, a second conductor-made electrode 5 covering the oxide dielectric film 4, etc. - 特許庁

管理された異性体ポリブタジエン、架橋剤及び遊離基開始剤またはそれらの反応生成物から形成された材料を備えたコアと、前記コアの廻りに配置された複数のディンプルを有したカバーとを含み、前記管理された異性体ポリブタジエンが、少なくとも約１０パーセント乃至８０パーセントのトランス異性体及び約５パーセント以下のビニル構成ポリブタジエンを含み、且つ、前記管理された異性体ポリブタジエンが、少なくとも約２５０，０００の絶対分子量平均及び架橋前において約３以下のポリディスパーシティの双方を有する。例文帳に追加

This golf ball includes a core having material formed of a controlled-isomer polybutadiene, a crosslinking agent and a free-radical initiator or a reaction product thereof and plural dimples disposed about the core. - 特許庁

すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、支持部材６の半導体搭載面６ａ上に上記性能を有する感光性接着剤層１０を直接付設する工程と、半導体搭載面６ａ上の感光性接着剤層１０を露光及び現像によってパターニングする工程と、パターニングされた感光性接着剤層（絶縁層）１０ａに半導体素子８ａを直接接着する工程とを備える。例文帳に追加

Namely, the method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: directly attaching the photosensitive adhesive layer 10 with the above performance onto the semiconductor mounted surface 6a of the support member 6; patterning the photosensitive adhesive layer 10 on the semiconductor mounted surface 6a through exposure and development; and directly adhering the semiconductor element 8a to the patterned photosensitive adhesive layer (insulating layer) 10a. - 特許庁

ＥＰＳＰを用いて、基板上に形成された半導体膜を有する半導体装置に対し、当該基板を化学的機械研磨により薄板化する処理と、薄板化した当該基板をエッチングにより除去して、或いは、薄板化した当該基板と、当該基板と半導体膜の間の絶縁層とをエッチングにより除去して、前記半導体膜の表面を露出させる処理とを有し、露出した半導体膜の表面に電子線を照射して、ＥＢＳＰから結晶方位を測定することを特徴としている。例文帳に追加

By irradiation of the surface of the exposed semiconductor film with electron beam, the crystal orientation is measured from the EBSP. - 特許庁