「First step」に関連した英語例文の一覧と使い方(108ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an n-type well 13 on a surface region of an Si substrate 12, forming p-type first semiconductor regions 17a, 18a on the surface region of the well 13, and separating the first semiconductor regions 17a, 18a by an element isolation region 11.例文帳に追加

Ｓｉ基板１２の表面領域にｎ型のウェル１３を形成し、このウェル１３の表面領域にｐ型の第１の半導体領域１７ａ，１８ａを形成し、この第１の半導体領域１７ａ，１８ａを素子分離領域１１で分離している。 - 特許庁

A coil 102 is nipped and held between a second support member 94 supported at a step part 395 formed in the inner wall surface of a housing 340 through a second flange part 98 and a first support member 392 making contact with the inner wall surface of the housing 340 through a first flange part 396.例文帳に追加

第２フランジ部９８を介してハウジング３４０の内壁面に形成された段部３９５に支持される第２支持部材９４と、第１フランジ部３９６を介してハウジング３４０の内壁面と接する第１支持部材３９２との間には、コイル１０２が挟まれ、保持される。 - 特許庁

In a first steam heating step S3, the pad, the cover material and hot-melt adhesive are clamped and pressurized between the first mold and the second mold, the heated steam is jetted out from the vent holes toward the cover material and the steam is applied to the hot-melt adhesive and melts it.例文帳に追加

第１の蒸気加熱工程Ｓ３において、第１の型と第２の型との間にパッドと表皮材とホットメルト接着剤を挟んで加圧するとともに、加熱された蒸気を前記通気孔から表皮材に向けて噴出することにより、該蒸気をホットメルト接着剤に当てて溶融させる。 - 特許庁

The U-shaped step surface 102 includes a first part formed thin and long in a camber direction in a flow-out edge 100b so as to open toward the flow-in edge 100a, and a second part thin and long in a crown direction to communicate with both ends of the first part.例文帳に追加

Ｕ型ステップ面１０２が、流入縁１００ａに向かって開口するように、流出縁１００ｂに形成され且つキャンバ方向に細長い第１部分と、第１部分の両端に連なったクラウン方向に細長い２つの第２部分とから構成されている。 - 特許庁

When a first packet of a plurality packets which have failed in communication is normally communicated, a retransmission packet deciding section 107 decides restorable packets out of the packets which have failed in communication, based on the first packet and a normally communicated FEC packet (step S1504).例文帳に追加

再送パケット決定部１０７は、通信に失敗した複数のパケットのうちの第１のパケットが正常に通信された場合に、第１のパケットと、正常に通信されたＦＥＣパケットとに基づいて、通信に失敗した複数のパケットのうちの復元可能なパケットを判定する（ステップＳ１５０４）。 - 特許庁

The method for manufacturing a surface emitting laser including a surface relief structure provided on laminated semiconductor layers, includes a step of transferring, to a first dielectric film, a first pattern for defining a mesa structure and a second pattern for defining the surface relief structure in the same method.例文帳に追加

積層された半導体層の上に表面レリーフ構造を備えた面発光レーザであって、第一の誘電体膜に、メサ構造を画定するための第１のパターンと前記表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンを同一工程により転写する工程を有する。 - 特許庁

In the first part of the filtering step, pixels of each of the collected 2D image data sets are divided into the first and second groups, pixel data of each of the groups are filtered and contributions to the appropriate filtered 2D image are formed for each group.例文帳に追加

本発明においては、このフィルタリングステップは、収集された２次元（２Ｄ）画像データセットの各セットの画素を第１および第２グループに分割し、そして各グループの画像データを別個にフィルタリングして、各グループに関してそれ自身の相当するフィルタリングされた２次元（２Ｄ）画像への寄与分を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a nitride semiconductor device has a step, in which a first nitride semiconductor layer 17 and a second nitride semiconductor layer 18 having a Fermi level larger than that of the first nitride semiconductor layer 17, as well as, containing an n-type impurity are formed on a substrate 11 sequentially from the substrate 11 side.例文帳に追加

窒化物半導体装置の製造方法は、基板１１の上に、第１の窒化物半導体層１７と該第１の窒化物半導体層１７と比べてフェルミ準位が大きく且つｎ型不純物を含む第２の窒化物半導体層１８とを基板１１側から順次形成する。 - 特許庁

Since a top surface of a second interlayer insulation film 3 and that of a first wiring 11 made of copper are different from each other in height, a step is formed at a position corresponding to a position of the first wiring 11 on the top surface of a three-layer film constituting an MIM capacitive element 13 on the level difference.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜３の上面と銅を材料とする第１の配線１１の上面との高さが互いに異なるので、その上のＭＩＭ容量素子１３を構成する３層膜の上面には、第１の配線１１の位置に対応した位置に段差が形成される。 - 特許庁

A gray scale voltage corresponding to maximum luminance measured in the step S1120 is defined as a third gray scale voltage, and the first to third gray scale voltages are stored (S1140) and are converted to the fist to third gray levels according with the gamma value, and the first to third gray levels are stored (S1200).例文帳に追加

ステップＳ１１２０中に測定された最大輝度に対応する階調電圧値を第３階調電圧とし、第１〜第３階調電圧を保存し（Ｓ１１４０）、第１〜第３階調電圧をγ値に応じた第１〜第３階調レベルに変換し保存する（Ｓ１２００）。 - 特許庁

The step of searching includes deciding whether there are first and second attenuation positions, where the light reception current attenuates as specified with respect to the peak value, on both sides based upon the position of the peak value of the light reception current as a reference position in the search directions within a search range (first predetermined range).例文帳に追加

サーチ工程では、サーチ範囲（第１所定範囲）内において受光電流がピーク値となる位置を基準としてサーチ方向における両側のそれぞれで、受光電流がピーク値に比して所定の減衰を呈する第１及び第２減衰位置が存在するか否かを判定する。 - 特許庁

In the step of constructing the water permeable concrete reinforced body, first reinforcements 12a, 12b are disposed in the water permeable concrete reinforced body, and a second reinforcement 13 joined to the first reinforcement and inserted into the natural ground 2 is disposed to fix the water permeable concrete reinforced body to the natural ground.例文帳に追加

透水性コンクリート補強体を築造する工程において、透水性コンクリート補強体の内部に第１の鉄筋(12a,12b)を配置すると共に、透水性コンクリート補強体を地山に固定するべく第１の鉄筋と結合されかつ地山(2)へ挿入された第２の鉄筋(13)を配置する。 - 特許庁

In the step of heat-treating a first liquid crystal polyester-impregnated base material 11, the first liquid crystal polyester-impregnated base material 11 is heat-treated while supported by the supporting member 12 via a portion other than the portion to be practically used after the heat treatment to obtain a second liquid crystal polyester-impregnated base material.例文帳に追加

第一の液晶ポリエステル含浸基材１１を熱処理する工程において、第一の液晶ポリエステル含浸基材１１を、熱処理後の実使用部以外において支持部材１２で支持しながら、熱処理することにより、第二の液晶ポリエステル含浸基材を得る。 - 特許庁

First and second color layers 33 and 46 are formed, and openings 49 are formed in an etching step, and then, a third color layer 50 is formed so as to cover all of surfaces of the first and the second color layers 33 and 46 and fill the openings 49.例文帳に追加

第１及び第２の着色層３３，４６を形成し、さらにエッチング工程にて開口部４９を形成した後に、第１及び第２の着色層３３，４６上全体を覆うと共に、開口部４９に埋め込むようにして、第３の着色層５０を形成する。 - 特許庁

(1) All inner ring 9 is fitted on a step part 13 until rolling contact faces of plural conical rollers 17, 17 retained by a first retainer 18 abut on a first outer ring track 5, with relatively rotating or rocking a hub 2 and an outer ring 1.例文帳に追加

内輪９を段部１３に、第一の保持器１８により保持した複数個の円すいころ１７、１７の転動面が第一の外輪軌道５と当接する状態になるまで外嵌する作業を、ハブ２と外輪１とを相対的に回転若しくは揺動させつつ行なう。 - 特許庁

To provide an image processing system capable of keeping security in a source image information transmission/reception step, (first, second) image processing apparatus used in said image processing system, and program for a computer to carry out processing as said (first, second) image processing apparatus.例文帳に追加

前記原画像情報の送受信過程におけるセキュリティーを保つことが可能な画像処理システム，該画像処理システムで用いられる（第１，第２の）画像処理装置及びコンピュータに前記（第１，第２の）画像処理装置としての処理を実行させるプログラムを提供すること。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device manufacturing method of an embodiment comprises a step of forming a transparent substrate transparent to light beams on a first principal surface of a semiconductor layer selected from a plurality of semiconductor layers based on an emission spectrum of the light beams obtained from the first principal surface side.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体発光装置の製造方法は、第１の主面側から得られる光の発光スペクトルに基づいて、複数の半導体層から選択された半導体層の第１の主面上に、前記光に対して透明な透明材を形成する工程を備えている。 - 特許庁

A control section inputs user's voice from a microphone via a first amplifier in the first and second forms for converting to sound signals for transmission by radio, converts the sound signals from one's party to the voice of one's party, and executes call processing for outputting to a receiver via a second amplifier (step S1).例文帳に追加

制御部は、第１、２形状において、マイクから第１アンプを介してユーザの音声を入力し、音声信号に変換して無線により送信し、相手先からの音声信号を相手先の音声に変換し、第２アンプを介してレシーバに出力する通話処理を実行する（ステップＳ１）。 - 特許庁

In a production step, respective first contact areas 420 of a first conductor path 42 are simultaneously or sequentially cohesively connected to at least one second contact area 200 of the power semiconductor component 20 and at least one third contact area 500 of the load terminal element.例文帳に追加

製造ステップは、同時に又は順次に第１の導体パス４２のそれぞれの第１の接触領域４２０を、パワー半導体コンポーネント２０の少なくとも１つの第２の接触領域２００と、負荷端子要素の少なくとも１つの第３の接触領域５００とに接着接続する。 - 特許庁

A digital camera executes first still image photography while keeping an in-focus state of video photography for through-image display when a first instruction (half-press of a release button) is issued to start setting an in-focus state for the still image photography during video photography for through-image display (a step S4).例文帳に追加

デジタルカメラは、スルー画像表示用の動画撮影中に、静止画撮影用の合焦状態の設定を開始するための第一の指示（レリーズボタンの半押し）がなされると、スルー画像表示用の動画撮影時の合焦状態のまま第一の静止画撮影を実施する（ステップＳ４）。 - 特許庁

A p type gap layer and a p type clad layer in the semiconductor layered body are etched and first to third ridge stripes 23A to C respectively configuring first to third waveguides 22A to C are formed on a higher region of the step structure 14 in the [0-1-1] orientation.例文帳に追加

半導体積層体のうち、ｐ型キャップ層及びｐ型クラッド層がエッチングされ、第１から第３導波路２２Ａ〜Ｃをそれぞれ構成する第１から第３リッジストライプ２３Ａ〜Ｃが、ステップ状構造１４の高領域上に〔０１−１〕方向に形成されている。 - 特許庁

In a specified region 261 being at least a part of a joining part 26 in the circumferential direction between the first flange 31 and the second flange 32, the first joining face 41 has a wide-width joining face 411, and a notched step 321 is formed at the second flange 32.例文帳に追加

第１フランジ部３１と第２フランジ部３２との接合部２６における周方向の少なくとも一部である特定領域２６１においては、第１接合面４１が幅広接合面４１１を有し、第２フランジ部３２に切欠段部３２１が形成されている。 - 特許庁

The liquid ejecting apparatus comprises the step of sealing an inner case 45a2 formed in a case 45a by films 45f1 and 45f2, partitioning into an ink chamber 45g and two first and second air chambers 45h and 45i, and interposing the ink chamber 45g between the two first and second air chambers 45h and 45i.例文帳に追加

ケース４５ａに形成した内ケース４５ａ２をフィルム４５ｆ１，４５ｆ２にて密閉して、インク室４５ｇと、２つの第１及び第２の空気室４５ｈ，４５ｉとに区画し、インク室４５ｇを２つの第１及び第２の空気室４５ｈ，４５ｉに挟まれるように構成した。 - 特許庁

A columnar boss 3 includes a first column portion 31 provided to an upper case 21 side in a column lengthwise direction, a second column portion 32 provided to a side separated from the upper case 21 in the column lengthwise direction, and a step portion 33 provided between the first column portion 31 and the second column portion 32.例文帳に追加

柱状のボス３が、柱長さ方向の上ケース２１側に設けられた第１柱部３１と、柱長さ方向の上ケース２１から離れた側に設けられた第２柱部３２と、第１柱部３１及び第２柱部３２間に設けられた段差部３３と、を有している。 - 特許庁

After a step generated between the front surface of the semiconductor film and the front surface of the substrate is reduced by forming the first gate insulating film 220, the liquid material is further coated on this first gate insulating film 220, and baked to form a second gate insulating film 230.例文帳に追加

第１ゲート絶縁膜２２０を形成することによって半導体膜表面と基板表面との間に生じた段差を小さくした後、この第１ゲート絶縁膜２２０の上に更に液体材料を塗布し、焼成することによって第２ゲート絶縁膜２３０を形成する。 - 特許庁

A controller 30 generates and transmits control signals PWU (PWD) for controlling the respective operations of first and second arms (IGBT devices Q1, Q2) comprising a step-up converter and a signal SDWN for stopping the first and second arms.例文帳に追加

制御装置３０は、昇圧コンバータを構成する第１および第２のアーム（ＩＧＢＴ素子Ｑ１，Ｑ２）の各々の動作を制御するための制御信号ＰＷＵ（ＰＷＤ）と、その第１および第２のアームをともに停止させるための信号ＳＤＷＮとを生成して送信する。 - 特許庁

The identification number of an EEPROM to be mounted on a first socket 31 and read from a program flash 22 is compared with an identification number read from an EEPROM mounted on the first socket 31, so that whether or not both the identification numbers are made coincident can be judged (a step S2).例文帳に追加

プログラムフラッシュ２２から読み出される第１ソケット３１に装着されるべきＥＥＰＲＯＭの識別番号と、第１ソケット３１に装着されているＥＥＰＲＯＭから読み出される識別番号とを比較することにより、両者の識別番号が一致するか否かを判定する（ステップＳ２）。 - 特許庁

Related tendency of the first distribution and the second distribution is determined by first processing at a third statistic processing step, decision is made by second processing whether each individual semiconductor device is consistent with the related tendency, and those not consistent with the related tendency are extracted.例文帳に追加

第３統計処理ステップの第１処理により上記第１分布と第２分布との関連傾向を統計的に求め、第２処理により個々の半導体装置について、上記関連傾向に合致するか否かを判定し、上記関連傾向から外れたものを摘出する。 - 特許庁

The third hole part 703 inserts a first bearing 13 supporting the second shaft part 32 and a cylindrical bearing receiver 709 contacting to the front end surface of the outer ring 13b of the first bearing inside thereof, and the front end surface of the bearing receiver 709 contacts to the step part 708 between the second and the third hole parts.例文帳に追加

第３孔部７０３に、第２軸部３２を軸支する第１ベアリング１３と、第１ベアリングの外輪１３ｂの前端面に当接する筒状のベアリング受け７０９とが内挿され、ベアリング受け７０９の前端面が第２孔部と第３孔部との間の段部７０８に当接する。 - 特許庁

The method includes a step of determining when to enter an idling mode or when to release a wireless resource by using at least two first timers for a first entity for recover or re-establishment of a radio link or using at least two second timers for a second entity.例文帳に追加

方法は、無線リンクの回復または再確立のために第一エンティティーに少なくとも２個の第一タイマーを使用し、または第二エンティティーに少なくとも２個の第二タイマーを使用してアイドリングモードの進入時点や無線資源の解放時点を定める段階を含む。 - 特許庁

The method further includes a step of combining together the three bodies which are the first heat conductive plate 1, the second heat conductive plate 2 and the heat-dissipation fin assembly 3 so as to have each of the heat-dissipation plates 30 of the heat-dissipation fin assembly 3 sandwiched tightly between a pair of the first and second protrusions 10 and 22 in a press manner.例文帳に追加

この方法はさらにプレス方式で第１熱伝導プレート１、第２熱伝導プレート２および放熱フィンセット３三者を組合せて、放熱フィンセット３の各放熱プレート３０を各１対の第１凸部１０と第２凸部２２の間にぴったり挟む。 - 特許庁

The method for preparing a group II-VI compound phosphor comprises a first burning step of burning raw materials for preparing a group II-VI compound phosphor to prepare a phosphor precursor, a step of imparting an impact on the phosphor precursor to mitigate the strain due to burning, and a second burning step of further burning the impact-imparted phosphor precursor to transform the crystal.例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物蛍光体製造原料を焼成して蛍光体前駆体を調製する第一の焼成工程、該蛍光体前駆体に衝撃を加えて焼成による歪を緩和する工程、該衝撃を加えた蛍光体前駆体をさらに焼成して結晶を転移させる第二の焼成工程を含むことを特徴とするＩＩ−ＶＩ族化合物蛍光体の製造方法。 - 特許庁

The method for producing trichlorosilane comprises a step of heating tetrachlorosilane by a first heating mechanism 1, a step of heating hydrogen separate from tetrachlorosilane by a second heating mechanism 2 and a step of producing a reaction product gas of trichlorosilane and hydrogen chloride through a conversion reaction by introducing the heated tetrachlorosilane and the heated hydrogen into the reaction chamber 3 and keeping the temperature of a mixed gas of tetrachlorosilane and hydrogen at 800-1,400°C.例文帳に追加

第１の加熱機構１でテトラクロロシランを加熱する工程と、テトラクロロシランとは別に第２の加熱機構２で水素を加熱する工程と、加熱されたテトラクロロシランと加熱された水素とを反応室３内に導入し、テトラクロロシランと水素との混合ガスの温度を８００〜１４００℃に保持することにより転換反応によってトリクロロシランと塩化水素との反応生成ガスを生成する工程とを有する。 - 特許庁

A method for operating an upper node in the wireless communication system employing relay includes a step for setting transmission/reception mode switching region information of a relay station, a step for transmitting a signal to a terminal located in a service region in a first section of a downlink subframe by using resource allocation information, and a step for transmitting mode switching region information and a signal in a second section of the downlink subframe.例文帳に追加

中継方式を用いる無線通信システムの上位ノードの動作方法であって、中継局の送受信モード切換領域情報を設定するステップと、資源割り当て情報によってダウンリンク・サブフレームの第１区間でサービス領域に位置する端末に信号を送信するステップと、ダウンリンク・サブフレームの第２区間でモード切換領域情報及び信号を送信するステップと、を含む。 - 特許庁

The ink jet nozzle comprises a first step for forming an electrically insulating resist pattern 2a on an electroforming supporting substrate 1, a second step for electroforming a basic body of nozzle 3 on the electroforming supporting substrate 1, and a third step for forming an ink repellent treatment layer 4 on the basic body of nozzle 3 by ink repellent surface treatment while connecting the electroforming supporting substrate 1 with the basic body of nozzle 3.例文帳に追加

本発明のインクジェットノズルの製造方法は、電鋳支持基板１上に電気絶縁性のレジストパターン２ａを形成する第１の工程と、電鋳により電鋳支持基板１上にノズル基体３を形成する第２の工程と、電鋳支持基板１とノズル基体３を接続したまま撥インク表面処理によりノズル基体３上に撥インク処理層４を形成する第３の工程とを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the probe with a field-effect transistor channel structure comprises a first step of producing the field-effect transistor, a second step of preparing to grow up the carbon nanotube on one upper section edge of a gate electrode of the field-effect transistor, and a third step of forming the carbon nanotube on the one upper section edge of the gate electrode of the prepared field-effect transistor.例文帳に追加

このために本発明は、電界効果トランジスタを製造する第１段階と;前記電界効果トランジスタのゲート電極上部一端に炭素ナノチューブを成長させるために準備する第２段階と;前記準備された電界効果トランジスタのゲート電極上部一端に炭素ナノチューブを生成する第３段階とを含む電界効果トランジスタチャンネル構造を持つ探針の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for mounting a conductive ball includes a first step to hold a plurality of conductive balls by a holding means while they are separated with each other, a second step to pick up at least one among the conductive balls by a pick-up means, and a third step to place the picked-up conductive ball on an object to be mounted to.例文帳に追加

本発明の一態様は、導電性ボールを被搭載物に載置する搭載方法であって、複数の導電性ボールを互いに分離した状態で保持手段で保持する第１の工程と、前記複数の導電性ボールから少なくとも一の導電性ボールをピックアップ手段でピックアップする第２の工程と、ピックアップした導電性ボールを被搭載物に載置する第３の工程とを含む導電性ボールの搭載方法である。 - 特許庁

Adhesion by molecular bonding of two free surfaces of first and second substrates, for example formed by monocrystalline silicon wafers, comprises at least successively: a cleaning step of the two free surfaces with hydrofluoric acid in vapor phase to make the two free surfaces hydrophobic, a rinsing step of the free surfaces with deionized water with a time period less than or equal to 30 seconds, and a step of bringing the free surfaces into contact.例文帳に追加

例えば単結晶シリコン・ウエハによって形成される、第１および第２の基板の自由表面の分子接合による接着は、少なくとも連続して、自由表面を疎水性にするための、気相のフッ化水素酸での自由表面の洗浄ステップと、３０秒以下の時間の、脱イオン水での前記自由表面のすすぎステップと、前記自由表面を接触させるステップと、を含む。 - 特許庁

The method for selecting the broadcasting steel tower has a first step of discriminating the presence or the absence of a receivable channel in the area, a second step of extracting at least one broadcasting steel tower containing all the receivable channels from a plurality of the broadcasting steel towers on the basis of the discriminated result, and a third step to select one broadcasting steel tower from at least one broadcasting steel tower.例文帳に追加

開示される放送鉄塔選択方法は、地域において受信可能なチャンネルの有無を判別する第１のステップと、この判別の結果に基づいて、複数の放送鉄塔の中から受信可能なチャンネルをすべて含むすくなくとも１つの放送鉄塔を抽出する第２のステップと、この少なくとも１つの放送鉄塔の中から１つの放送鉄塔を選択する第３のステップとを有する。 - 特許庁

A manufacturing method of a vibration type transducer includes a step in which a vibrator formation surface side of a first silicon substrate with the vibrator formed is joined to a second silicon substrate across an insulator film, a step in which the second silicon substrate is processed into a shell for covering the vibrator and functioning as an electrode for excitation of the vibrator or vibration frequency detection, and a step for vacuum sealing inside the shell.例文帳に追加

振動子が形成された第１のシリコン基板の振動子形成面側に、絶縁膜を挟んで第２のシリコン基板を接合させる工程と、第２のシリコン基板を、振動子を覆うとともに、振動子の励振または振動周波数検出のための電極として機能するシェルに加工する工程と、シェル内を真空封止する工程とを含む振動式トランスデューサの製造方法。 - 特許庁

The attention area detection method includes: a first calculation step of calculating a plurality of low-level feature quantities in a predetermined area in input images; a second calculation step of calculating visual saliency based on a relationship of probability densities of each of the plurality of the low-level feature quantities; and a detection step of detecting an attention area based on statistical distribution of the visual saliency.例文帳に追加

注目領域検出方法に、入力画像中の所定の領域において複数の低次特徴量を算出する第１の算出工程と、前記複数の低次特徴量のそれぞれの確率密度の関係に基づいて視覚的顕著度を算出する第２の算出工程と、前記視覚的顕著度の統計的分布に基づいて注目領域を検出する検出工程とを備える。 - 特許庁

A programming method of the ferroelectric memory device includes; a first step for decoding a signal inputted to a signal inputting part; a second step for activating a program mode operation signal corresponding to a program mode and deactivating the signal input part in the case that the decoding result corresponds to a prescribed program mode; and a third step for performing the program mode in response to the program mode operation signal.例文帳に追加

また、強誘電体メモリ装置のプログラム方法は、信号入力部に入力された信号をディコーディングする第１の段階、前記ディコーディング結果所定のプログラムモードに該当する場合、前記プログラムモードに対応するプログラムモード動作信号を活性化して前記信号入力部を非活性化する第２の段階、及び前記プログラムモード動作信号に応えてプログラムモードを行う第３の段階を含む。 - 特許庁

This method for detecting the insertion direction of an endoscope includes a first step for inputting an endoscopic image, a second step for detecting the insertion direction of an endoscope based on the endoscopic image, and a third step for generating the information related to the detected insertion direction; further includes a plurality of detection algorithms for detecting the insertion direction; and selectively applies a detection algorithm according to the endoscopic image.例文帳に追加

内視鏡画像を入力する第１のステップと、前記内視鏡画像に基づき内視鏡の挿入方向を検出する第２のステップと前記検出された挿入方向に関する情報を生成する第３のステップと備え、前記挿入方向を検出するための検出アルゴリズムを複数備えるとともに、前記内視鏡画像に応じて前記検出アルゴリズムを選択適用する。 - 特許庁

A semiconductor circuit design support method includes: a step of calculating variation 102 of device characteristics, when process parameters are varied, by using a first model 22; a step of normalizing an error between the device characteristics calculated by using a second model 23 and an actual measurement value 21, based on the variation 102; and a step of analyzing the second model 23 using the normalized error by an arithmetic unit 11.例文帳に追加

本発明による半導体回路の設計支援方法は、第１モデル２２を用いて、プロセスパラメータが変動したときのデバイス特性の変動量１０２を算出するステップと、第２モデル２３を用いて算出されたデバイス特性と実測値２１との誤差に対して、変動量１０２で規格化するステップと、演算装置１１が、規格化された誤差を用いて第２モデル２３に対する解析を行うステップとを具備する。 - 特許庁

The method of manufacturing a metallized ceramic substrate includes a first step of forming an organic underlayer on a ceramic substrate, a second step of forming a metal paste layer on the organic underlayer to manufacture a metallized ceramic substrate precursor, and a third step of baking the metallized ceramic substrate precursor in which the organic underlayer absorbs a solvent in the metal paste layer and is thermally decomposed at a temperature for baking the metal paste layer.例文帳に追加

セラミック基板上に、有機下地層を形成する第一工程、該有機下地層上に金属ペースト層を形成し、メタライズドセラミック基板前駆体を作製する第二工程、および、該メタライズドセラミック基板前駆体を焼成する第三工程を含むメタライズドセラミック基板の製造方法において、有機下地層が、金属ペースト層中の溶媒を吸収し、金属ペースト層を焼成する温度で熱分解する層とする。 - 特許庁