「Mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(535ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the change in a width of a line of a connecting part of a transferred pattern and effectively connecting a plurality of divided patterns in the case of forming the pattern of the semiconductor device, by transferring to a resist coating the wafer by using an electron beam exposure device by forming a plurality of the divided patterns on the mask.例文帳に追加

分割された複数のパターンをそれぞれのマスク上に形成し、ウエハ上に塗布したレジストに電子線露光装置を用いて転写して半導体装置のパターンを形成する際に、転写されたパターンの接続部の線幅変化を小さくし、かつ、分割された複数のパターンを確実に接続できるような半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide various substrates having good flatness and surface roughness in a high-precision area with the material of itself without providing a coated layer and the like, preferably a substrate for a liquid crystal display, a substrate for an electronic device such as a semiconductor wafer and information recording substrate, and further preferably, a mask substrate for EUV lithography; and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

被覆層等を設けることなくそれ自身の材料のみで、高精度領域における良好な平面度と表面粗さを兼ね備えた各種基板、好ましくは、液晶ディスプレイ用基板、半導体ウエハーまたは情報記録媒体用基板等の電子デバイス用基板、より好ましくはＥＵＶリソグラフィー用マスク基板、およびそれらの製造方法を提供することである。 - 特許庁

The method comprises processes of: forming a clad layer 12 on a substrate 11; forming in the clad layer 12 a mask 13 corresponding to the core pattern of the optical waveguide and forming a groove 14 for imbedding the core therein; forming the core 15 in the groove 14 through selective epitaxial growth; and forming an upper clad 16 on the core 15 through the selective epitaxial growth.例文帳に追加

基板１１上に、クラッド層１２を形成する工程と、クラッド層１２に光導波路のコアのパターンに応じたマスク１３を形成し、コアを埋め込むための溝１４を形成する工程と、選択エピタキシャル成長により溝１４にコア１５を形成する工程と、選択エピタキシャル成長によりコア１５の上に上部クラッド１６を形成する工程とを備えた。 - 特許庁

A mask 18 having an arbitrary pattern shape provided for forming the track guide separation area in the magnetic film 14 is formed on the magnetic film 14, and the track guide separation area 19 is formed by irradiating a surface of the magnetic film with ions 15 and electrons 16 and applying an intermittent voltage to the substrate 11, thereby non-magnetizing the area irradiated.例文帳に追加

磁性膜１４中にトラックガイド分離域を形成するために設けられた任意のパターン形状をしたマスク１８を磁性膜１４上に形成し、イオン１５と電子１６を磁性膜表面に対して照射し、かつ、基板１１に対して間欠的な電圧を印加することによって、照射された領域を非磁性化することでトラックガイド分離域１９を形成する。 - 特許庁

To improve defects of hay fever suppressor, a mask for pollen and air refresher which use pollen, or pollen composition of Bacillus natto and Bacillus cells having imperfectly fermented straws as the carrier, which are conventionally understood as hay fever suppressors, but as they use straws as the carrier and has reduced freedom of processability, hard to deal with the various lifestyles of patients of hay fever.例文帳に追加

従来、花粉症を抑制するものとした、不完全醗酵の藁を担体とする納豆菌（Ｂｕｃｉｌｌｕｓ ｎａｔｔｏ）及びバチルス属菌の胞子、もしくは胞子組成物を用いた花粉症抑制剤、花粉マスク、並びに芳香剤は、藁を担体とする故に、加工の自由度が小さく、従って花粉症患者の多様な生活様式に対応することが難しいと云える。 - 特許庁

To provide a resistor capable of eliminating a dimensional classification of each substrate sliced to a piece and a mask exchange process conventionally required depending on each dimensional rank of the substrate sliced, facilitating drawing out a taping from a storage at the time of mounting thereof, and securing an insulating distance between adjacent resistors even if they are mounted at a narrow pitch.例文帳に追加

個片状基板の寸法分類が不要となって、従来のような個片状基板の寸法ランクに応じてマスクを交換するという工程をなくすることができ、かつ実装時におけるテーピングの収納部からの取り出しも容易に行え、しかも狭ピッチで実装した場合においても、隣り合う抵抗器間の絶縁距離を確保できる抵抗器を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The one substrate 2 is manufactured by forming transparent electrodes 11 for forming the color filters on one surface 10a of a plastic substrate 10 having translucency, then forming the color filters 12 by an electrodeposition method using these electrodes 11 and patterning and forming transparent electrodes 13 for display by a photolithography method on the other substrate 10b of the substrate 10 with the formed color filters 12 as a mask.例文帳に追加

一方基板２は、透光性を有するプラスチック基板１０の一方表面１０ａにカラーフィルタ形成用透明電極１１を形成した後、該電極１１を用いて電着法によってカラーフィルタ１２を形成し、形成したカラーフィルタ１２をマスクとして基板１０の他方表面１０ｂにフォトリソグラフィ法によって表示用透明電極１３をパターン形成して作製される。 - 特許庁

In this method for producing a liquid crystal display device which holds a liquid crystal composition 300 between an array substrate 100 and a counter substrate 200, a colored photoresist is disposed on the array substrate 100 and is exposed with illuminance of ≥200 mW/cm2 via a mask, the exposed colored photoresist is developed and a columnar spacer 180 of a prescribed pattern is formed.例文帳に追加

アレイ基板１００と対向基板２００との間に液晶組成物３００を挟持した液晶表示装置の製造方法において、アレイ基板１００上に着色されたフォトレジストを設け、マスクを介して着色フォトレジストを２００ｍＷ／ｃｍ^２以上の照度で露光し、露光された着色フォトレジストを現像することにより、所定のパターンの柱状スペーサ１８０を形成する。 - 特許庁

The exposure mask comprises a substrate 100 having a transmitting property for exposure light and a light shielding layer 101 disposed in contact on the substrate and having a light shielding region 102 and a transmissive region 103, wherein the transmissive region 103 comprises a porous structure having a plurality of pores 104 perpendicular to the substrate 100.例文帳に追加

露光光に対して透過性を有する基体１００と、該基体上に接して配置された遮光性領域１０２と透過性領域１０３とを備える遮光層１０１と、を有する露光マスクであって、該遮光層の透過性領域１０３は、該基体１００に対して垂直な複数の細孔１０４を有するポーラス構造であることを特徴とする露光マスク。 - 特許庁

To provide a cosmetic composition affording especially a skin cleansing preparation, particularly a form of peel-off mask intended for care of the face and/or the neck, in particular designed to cleanse the skin to the depth through removing dead cells in the skin surface stratum corneum or removing fatty matter (e.g. sebum) existing in excess on the skin surface.例文帳に追加

特に皮膚クレンジング製品、特に顔及び／又は首のケアを意図したピールオフマスクの形態のもの、を構成することができる化粧品組成物、特に、表面角質層の死細胞を除去することによって又は皮膚表面に過剰に存在する脂肪物質（例えば皮脂）を除去することによって、皮膚深くまでクレンジングするための化粧品組成物を提供すること。 - 特許庁

By using a photomask or a reticle formed with an auxiliary pattern having a light intensity reduction function formed of a diffraction grating pattern or a translucent film, the width of a region with a small thickness of a gate electrode can be freely set, and the widths of two LDD regions capable of being formed in a self-aligned manner with the gate electrode as a mask can be different in accordance with the each circuit.例文帳に追加

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることによって、ゲート電極の膜厚の薄い領域の幅を自由に設定でき、そのゲート電極をマスクとして自己整合的に形成できる２つのＬＤＤ領域の幅を個々の回路に応じて異ならせることができる。 - 特許庁

Using a photoresist film 3e, which is a mask for etching/ removing a gate insulating film 7a in a formation region of a relatively thin gate insulating film, an impurity for adjusting the threshold voltage of an n- channel type field effect transistor and p-channel type field effect transistor having a relatively thin gate insulating film, is introduced in batch in a semiconductor substrate 1 exposed there.例文帳に追加

相対的に薄いゲート絶縁膜の形成領域におけるゲート絶縁膜７ａをエッチング除去するためのマスクであるフォトレジスト膜３ｅを用いて、そこから露出する半導体基板１に相対的に薄いゲート絶縁膜を持つｎチャネル型電界効果トランジスタおよびｐチャネル型電界効果トランジスタのしきい値電圧調整用の不純物を一括して導入する。 - 特許庁

In applying smoothing processing to the object image in order to eliminate noise from the object image (an image or the like obtained by radiant ray photographing), a coefficient generating means 113 generates a coefficient (mask size or the like) used for the smoothing processing based on an external input (parameters denoting a noise elimination range and its strength inputted by a user depending on a displayed object image or the like).例文帳に追加

対象画像（放射線撮影により得られた画像等）からノイズを除去するために、対象画像への平滑化処理を行う際に、係数生成手段１１３は、外部入力（ユーザが、表示された対象画像に応じて入力したノイズ除去範囲及びその強度を示すパラメータ等）に基づいて、平滑化処理に用いる係数（マスクサイズ等）を生成する。 - 特許庁

In a halation determination circuit 22, a brightness signal (signal U) from a mask processing circuit 40 is input in an integral circuit 19 and nonlinear correction circuit 21 respectively and then, respective levels of an integral result (signal E) integrated by the integral circuit 19 and a correction result (signal D) nonlinearly corrected by the nonlinear correction circuit 21 are compared to each other by a comparator circuit 20.例文帳に追加

この場合、ハレーション判別回路２２では、マスク処理回路４０からの輝度値（信号Ｕ）が積分回路１９と非線形補正回路２１とに各々入力され、その後、積分回路１９により積分された積分結果（信号Ｅ）と、非線形補正回路２１により非線形補正処理された補正処理結果（信号Ｄ）との各レベルが前記比較回路２０にて比較される。 - 特許庁

The plurality of imaging means simultaneously perform exposure, and the sensor driving signal generating means performs mask control of a driving signal to make output timing of imaging data from the imaging means different to thereby enable the camera signal processing means, it is possible for the number of which is smaller than the number of the imaging means to perform camera signal processing of video data outputted by the plurality of imaging means.例文帳に追加

複数の撮像手段が同時に露光を行い、センサ駆動信号発生手段が駆動信号のマスク制御を行い撮像手段からの撮像データの出力タイミングを異ならせることにより、複数の撮像手段が出力する映像データを撮像手段より少ない数のカメラ信号処理手段でカメラ信号処理を行うことを可能とする。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a counter electrode facing pixel electrodes and drives liquid crystal by applying an electric field between the pixel electrodes and counter electrode in parallel to a substrate surface, and a pixel part is exposed repeatedly from one mask for patterning.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置の製造方法は、画素電極に対向する対向電極を有し、該画素電極および該対向電極の間に基板面に対して水平方向の電界を印加して液晶を駆動する液晶表示装置の製造方法において、画素部を露光する際に１枚のマスクから繰り返し露光してパターニングする液晶表示装置の製造方法である。 - 特許庁

Then the calculation accuracy of the OPC object pattern is determined based on the adjusted area data and OPC additional calculation is carried out to generate mask data.例文帳に追加

ＯＰＣ精度が必要な領域と必要ではない領域の境界部分で精度が必要な領域を精度の高い領域に適した領域分拡張し、精度が必要ではない領域は精度の高い領域に適した領域分縮小する領域調整を行って、調整された領域データに基づいてＯＰＣ対象パターンの計算精度を決めてＯＰＣ付加計算を行ってマスクデータを生成する。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method is composed of a process wherein the collector region is formed from the first conductivity type semiconductor substrate 1, and a process wherein the first conductivity type emitter region 6 is formed in the vicinity of the surface of the impurity diffusion layer 5 using a side wall 4 as a mask.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１からコレクタ領域を形成する工程と、前記コレクタ領域の表面近傍に、配線３をマスクとして第２導電型の不純物拡散層５を形成する工程と、前記不純物拡散層５の表面近傍に、サイドウオール４をマスクとして第１導電型のエミッタ領域６を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device that can form a small molecule organic semiconductor material having characteristics of being very weak against water in a fine pattern adjustable to several μm without using a shadow mask, and uses the small molecule organic semiconductor material without damaging the small molecule organic semiconductor layer in the fine pattern.例文帳に追加

本発明は、水分に非常に弱い特性を有する低分子有機半導体物質をシャドーマスクを利用しないで数μｍまで調節可能な微細パターンで形成することができ、微細パターンされた低分子有機半導体層の損傷なしに低分子有機半導体物質を利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A determinate value map generating unit 13 generates a determinate value map image S in which pixels are set to 1 as pixels determined in a foreground object image or a background image when an α value of an alpha mask image A corresponding to an input image I is close to a maximum or minimum, or set to 0 as indeterminate area pixels when the α value is other than that.例文帳に追加

確定値マップ生成部１３は、入力画像Ｉに対応するアルファマスク画像Ａについて、α値が最大値、または最小値の近傍の値の場合、画素を前景オブジェクト画像、または、背景画像に確定した画素とみなして１に設定し、α値がそれ以外の場合、画素を未確定領域画素とみなして０に設定した確定値マップ画像Ｓを生成する。 - 特許庁

Next, a first metal layer 112 is formed in an N-channel MOSFET forming region 106 and the P-channel MOSFET forming region 107 and the first metal layer 112 and the first mask 111 are removed from the P-channel MOSFET forming region 107, thereby exposing the gate insulating film 110B formed in the P-channel MOSFET forming region 107.例文帳に追加

次に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０６およびＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７に第一金属層１１２を形成し、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７から第一金属層１１２および第一マスク１１１を除去することにより、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７に形成されたゲート絶縁膜１１０Ｂを露出させる。 - 特許庁

The image reproduction part has an image switching control part which generates the display image data by computing 1st and 2nd images by using a specific image selection mask when the image displayed by the image display part is switched from the 1st image to an image having the 2nd image displayed in at least a partial area in the 1st image.例文帳に追加

前記画像再生部は、前記画像表示部で表示される画像を、第１の画像から前記第１の画像の少なくとも一部の領域に第２の画像が表示される画像に切り替える場合に、所定の画像選択マスクを用いて前記第１と第２の画像に演算を施すことによって前記表示画像データを生成する画像切替制御部を有する。 - 特許庁

The mask comprises a transparent substrate 1, a light-shielding portion 2 that is approximately a regular polygon or a circle formed on the transparent substrate 1, and an auxiliary light-shielding portion 3 concentric to the light-shielding portion 2, formed outside the light-shielding portion 2 leaving a gap from the portion 2 on the transparent substrate 1.例文帳に追加

本発明は、透明基板１、前記透明基板１上に形成された略正多角形または略円形の遮光部２、および前記透明基板１上の前記遮光部２の外側に前記遮光部２と間隙をあけて形成された前記遮光部２と同心の補助遮光部３を有することを特徴とするプロキシミティ露光用フォトマスクを提供することにより、上記目的を達成する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element which can reduce the number of mask processes than the conventional one by forming a connecting interconnection line for electrically connecting elements at the time of forming a metal interconnection line and a gate electrode at the same time and at the time of forming a first electrode and thereby can shorten the processes and reduce a manufacturing cost, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

金属配線及びゲート電極を同時に形成したり、第１電極を形成する時、素子を電気的に連結する連結配線を形成することによって、従来に比べて、マスク工程の数を減少させることができ、これにより、工程を短縮することができ、製造コストを節減することができる有機電界発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the exposure method where a mask formed with a desired pattern and an auxiliary pattern having dimensions smaller than those of the desired pattern is illuminated and light passed through the masks are projected to a body exposed through a projection optical system, the body is exposed at a position shifted from a best image focusing position when the auxiliary pattern is resolved.例文帳に追加

所望のパターンと、当該所望のパターンよりも寸法が小さな補助パターンとを有するマスクを照明して当該マスクを経た光を投影光学系を介して被露光体に投影し露光する露光方法において、前記補助パターンが解像されてしまう場合に、最良結像フォーカス位置からずれた位置で前記被露光体を露光することを特徴とする露光方法を提供する。 - 特許庁

In an electron beam aligning stencil mask in which membranes 11, 12 formed with patterns which should be transferred to an inductive substrate via through holes 21, 22 of a pattern form are supported by a support member, at least one pattern 41 out of the patterns formed with a single through hole is divided and disposed in a plurality of regions 11, 12.例文帳に追加

パターン状の貫通穴２１、２２により感応基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレン１１、１２が支持部材により支持されてなる電子線露光用ステンシルマスクにおいて、単一の貫通孔により形成されるパターンのうち少なくとも一つのパターン４１が分割されて、複数の領域１１、１２に配置されていることを特徴とする電子線露光用ステンシルマスク。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electromagnetic wave shield film which has no foreign matter deposited thereon and has a stable electrical conductivity, and in which a light sensitive material having a light sensitive layer is used on a strip base, and is continuously exposed with a mask having a predetermined pattern to form a metallic pattern continuous on the strip base.例文帳に追加

支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、所定のパターンを有するマスクを介して連続して露光し、現像処理を経て、帯状支持体の上に連続した金属パターンを形成した、異物付着がなく、安定した導電性を有する電磁波シールドフィルムの製造方法と電磁波シールドフィルム及びこの電磁波シールドフィルムを使用したプラズマディスプレイパネルの提供。 - 特許庁

In this resin-sealing method of the flip-chip package where the print mask is overlapped to the flip-chip packaging body, and a sealing resin is subjected to print injection around a semiconductor chip on a wiring board, air inside clearance is discharged from one side of the chip by the sealing resin that is permeated to the clearance between the wiring board and semiconductor chip.例文帳に追加

フリップチップ実装体の樹脂封止方法は、フリップチップ実装体に印刷マスクを重ね合わせて配線基板上の半導体チップの周囲に封止樹脂を印刷注入するフリップチップ実装体の樹脂封止方法において、前記配線基板と半導体チップの隙間に浸透させる封止樹脂で前記隙間内の空気を前記チップの片側から追い出すようにする。 - 特許庁

To solve the technical problem in microfabrication of a photomask and semiconductor element, especially providing a chemically amplified positive resist composition which satisfies high sensitivity, high resolution (for instance, high resolution power), excellent exposure latitude (EL) and excellent line edge roughness (LER) simultaneously, and a resist film, a resist-coated mask blank and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

フォトマスク・半導体素子の微細加工における技術課題を解決することであり、特に高い感度、高い解像性（例えば、高い解像力）、良好な露光ラチチュード（ＥＬ）及び良好なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を同時に満足する化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The mask 1, in which a window hole 1a corresponding to the shape of a photographic image plane is bored, is mounted on the front of the photographing lens 2 and is used together with the lens hood 3, thus the shielding effect of the harmful incident light from the outside of the field is enhanced.例文帳に追加

本発明は、レンズ鏡筒前部のフィルター取り付け枠２ａが、ピント合わせやズーミング時に回転しない方式の撮影レンズに用いるフレアーカットマスク１であって、撮影画面の形状に対応する窓穴１ａを開けたフレアーカットマスク１を、撮影レンズ２の前面に取り付け、レンズフード３と併用することにより、視野外からの有害な入射光の遮断効果をより高めたものである。 - 特許庁

The information display panel has three or more kinds of color particles constituting a display medium having different display colors, enclosed between two substrates facing each other at least one of which is transparent, and displays information like an image in display colors varied by areas of a display screen, and a boundary mask part 23 consisting essentially of a color resin is provided in boundaries of different color display areas.例文帳に追加

少なくとも一方が透明な対向する２枚の基板間に、異なる表示色の表示媒体を構成するカラー粒子を３種類以上封入し、表示画面のエリアによって表示色を変化させた画像等の情報をカラー表示する情報表示用パネルにおいて、異なるカラー表示エリア境界に、着色樹脂を主成分とする境界マスク部２３を設けた。 - 特許庁

A silver halide photosensitive mask material for exposure having a physical developing nucleus layer between a glass substrate and a silver halide emulsion layer is processed in the presence of a proteolytic enzyme after a metal silver image having ≤1 μm thickness and a maximum optical density of ≥1.0 is formed by physical development on the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基材とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核層を有し、物理現像によりガラス基材上に厚さ１ミクロン以下の金属銀画像を形成し、該金属銀画像の最高光学濃度が１．０以上であるハロゲン化銀感光性露光用マスク材料の処理方法において、タンパク質分解酵素の存在下で処理することを特徴とする露光用マスク材料の処理方法。 - 特許庁

The driver monitoring device detecting the facial motion of the driver based on the photographic image of the face of the driver in the vehicle is configured to: determine whether the driver is wearing sunglasses or a mask (step 130); and select a method of detecting the facial motion of the driver based on the wearing state (step 180).例文帳に追加

ドライバモニタリング装置が、車両内のドライバの顔の撮影画像に基づいて、ドライバの顔動作状態を検出するドライバモニタリング装置が、当該撮影画像に基づいて、ドライバについてのサングラスまたはマスクの着用状況を判定し（ステップ１３０）、その判定した着用状況に基づいて、ドライバの顔動作状態を検出する方法を選択する（ステップ１８０）。 - 特許庁

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine.例文帳に追加

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a metallic thin film forming mask that can form, in a chip type electronic component element, a pair of metallic thin film electrodes which range from one of the pair of main faces to the other main face through one of the pair of side faces and which oppositely face across the non-forming region of a metallic thin film on each surface of the pair of main faces.例文帳に追加

チップ型電子部品素子に、前記１対の主面の一方主面から前記１対の側面のうちの１つの側面を経て前記１対の主面の他方主面に至り、前記１対の主面の各表面の薄膜金属非形成領域を隔てて対向する１対の薄膜金属電極を形成できる薄膜金属形成用マスクを提供する。 - 特許庁

In the floating gate forming method of a flash memory element, by removing an oxynitride film for hard mask through multi-strip, seams are prevented from occurring in poly deposition for the floating gate, and by blank-etching of poly for the foating gate and making the upper end of the poly for the floating gate round, a void is prevented from occurring in poly deposition for a control gate.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法において、ハードマスク用窒化膜をマルチストリップを通じて除去することにより、フローティングゲート用ポリ蒸着時にシームが発生することを防止し、フローティングゲート用ポリをブランクエッチングしてフローティングゲート用ポリの上端の角部を丸くすることにより、コントロールゲート用ポリ蒸着時にボイドが発生することを防止する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an impurity region 18 in which a rare gas element (also called rare gas) is added by using a mask 17 for a semiconductor film having a crystal structure, gettering to segregate a metal element contained in the semiconductor film to the impurity region 18 by heat treating, and then forming a source region or a drain region of the impurity region 18.例文帳に追加

本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１７を用いて希ガス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１８を形成し、半導体膜に含まれる金属元素を加熱処理により前記不純物領域１８に偏析させるゲッタリングを行った後、前記不純物領域１８をソース領域またはドレイン領域とする。 - 特許庁

A method of manufacturing the printed wiring board comprises processes of forming a conductor circuit by pattern electroplating, with a metal foil 8 on top of insulation resin as a power supply layer, the thickness of the metal foil being 2.0 μm or below; and forming a hole 10 for interlayer connection by first forming a mask hole on the top of the metal foil and then irradiating a laser beam thereon.例文帳に追加

絶縁樹脂上にある金属箔８を給電層としてパターン電気めっきにより導体回路を作製する工程を有するプリント配線板の製造方法において、金属箔の厚みが２．０μｍ以下であり、金属箔上にマスク穴を形成した後にレーザー照射をすることで層間接続用の穴１０を形成する工程を有するプリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

The method includes: a step of forming a silicon-containing Al alloy film 3 on a silicon substrate 1; a step of providing a resist pattern 4 on the Al alloy film 3; a step of etching the Al alloy film 3 using the resist patter 4 as a mask; a step of washing after etching; and a step of removing a silicon residue 5 using a two-fluid nozzle 6.例文帳に追加

半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 - 特許庁

In the method for manufacturing the mesh member for screen printing, a plurality of holes are made in the metal foil by etching and the mesh member for screen printing is manufactured in the condition that, after applying the photoresist on the metal foil having the thickness of 5-50 μm, an energy amount when the shape of the hole on an exposure mask is exposed is 120-240 mJ/cm^2.例文帳に追加

本発明のスクリーン印刷用メッシュ部材の製造方法は、エッチングによって金属箔に多数の孔開け加工してスクリーン印刷用メッシュ部材を製造するに当り、厚さが５〜５０μｍの金属箔にフォトレジストを塗布した後に、露光用マスクに描画した孔の形状を露光するときのエネルギー量を１２０〜２４０ｍＪ／ｃｍ^2として操業する。 - 特許庁

The integrated circuit includes a first circuit for executing a core control function; a second circuit having a mask selecting circuit for selecting one operation mode from among a stand alone mode, a remote control mode for controlling the first circuit by an external circuit, and a combination mode of the stand alone mode and the remote control mode; and a third circuit having an output driver for controlling a rotor of the alternator.例文帳に追加

集積回路は、コア制御機能を実行する第１の回路と、スタンドアローンモード、第１の回路が外部の回路により制御される遠隔制御モード、または、スタンドアローンモードと遠隔制御モードとの組み合わせモードのうちの１つの動作モードを選択するマスク選択回路を有する第２の回路と、オルタネータのロータを制御する出力ドライバを有する第３の回路とを備えている。 - 特許庁

In the method for manufacturing a display plate for a display apparatus, after a photosensitive film comprising a photosensitive substance is formed on a substrate including an active region, the photosensitive film is exposed by dividing the active region into a plurality of shots including first and second shots adjacent to each other and developed to form a photosensitive film pattern as an etching mask to form a thin film pattern.例文帳に追加

表示装置用表示板の製造方法では、アクティブ領域を含む基板の上部に、感光性物質からなる感光膜を形成した後、アクティブ領域を互いに隣接した第１ショットと第２ショットを含む複数のショットに分割して感光膜を露光し、現像して薄膜パターンを形成するためのエッチング用マスクである感光膜パターンを形成する。 - 特許庁

When a step of forming a resist pattern by processing a resist film formed on a workpiece and a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask under a predetermined etching condition are performed, a dimension and a shape (a film thickness and a taper angle) of the formed resist pattern are measured and the etching condition is adjusted based on the measured dimension and shape of the resist pattern.例文帳に追加

被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 - 特許庁

In the flexible printed wiring substrate 1, dummy patterns DP, DP used for a mask for performing laser processing for a base film 11 with a shape corresponding to contours of both sides F1, F1 are formed of a metal thin film at both the sides F1, F1 which are functioned as the positioning of terminals 13 in the connection of a connection part C to a connector simultaneously with the terminals 13.例文帳に追加

接続部Ｃの、コネクタへの接続時に端子１３・・・の位置合わせとして機能させる両側辺Ｆ１、Ｆ１に、当該両側辺Ｆ１、Ｆ１の輪郭に対応した形状を有する、ベースフィルム１１をレーザー加工するためのマスクとして用いるダミーパターンＤＰ、ＤＰを、金属薄膜にて、端子１３・・・と同時に形成したフレキシブルプリント配線用基板１である。 - 特許庁

The cathode 25 arranged opposite on the other surface side of the semiconductor substrate 10 in the anodizing step is so pattern-designed as to constitute a mask arranged between a light source 30 composed of a tungsten lamp designed to form a light intensity distribution corresponding to the desired lens shape on the other surface of the semiconductor substrate 10 and the other surface of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

陽極酸化工程において半導体基板１０の上記他表面側に対向配置される陰極２５が、半導体基板１０の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源３０と半導体基板１０の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。 - 特許庁