「Mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(529ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a crystallization suppressed region CCR is formed on the main plane of the semiconductor substrate 1, by forming a first side wall 12 and a second sidewall 13 on the side surface of the gate electrode 7G, and carrying out ion implantation of nitrogen, and the like, to the semiconductor substrate 1 with the second sidewall and the gate electrode 7G used as a mask.例文帳に追加

続いて、ゲート電極７Ｇの側面に第１サイドウォール１２および第２サイドウォール１３を形成した後、第１サイドウォール１２、第２サイドウォールおよびゲート電極７Ｇをマスクとして半導体基板１に窒素等をイオン打ち込みすることにより、半導体基板１の主面に結晶化抑制領域ＣＣＲを形成する。 - 特許庁

The gate insulating film 13 and the gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed with non-monocrystal silicon on a silicon substrate 10, and n-type dopant such as As or Sb whose mass number is relatively large (the mass number is ≥70) is injected by using the gate electrode 14 as a mask to form the source/drain area of the nMOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非単結晶シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入することで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The micromachining method of the substrate includes each step for forming a magnetic film on the substrate, adding a desired magnetic pattern to the magnetic film, sprinkling magnetic powder onto the magnetic film where the magnetic pattern is given, selectively concentrating the magnetic powder according to the magnetic pattern, and performing reactive ion etching with the centrally arranged magnetic powder as a mask.例文帳に追加

基板の微細加工方法であって、基板上に磁性膜を形成し、磁性膜に所望の磁気パターンを付与し、磁気パターンの付与された磁性膜上に磁性粉を振りかけて、磁性粉を磁気パターンに応じて選択的に集中させ、集中配置された磁性粉をマスクとして反応性イオンエッチングを行なう各ステップを含んでいる。 - 特許庁

A candidate word generation part cuts syllables out of the reading symbol string to detect possible candidate words and their relative information, deletes candidate characters by using their frequencies of use, and detects possible candidate words and their relative information by using a prescribed mask means for a reading symbol string and a type combination symbol string of successive single-KANJI candidates.例文帳に追加

候補語生成部は、読み記号列の音節を切り出し、考えられる候補語及びその関連情報を検出し、使用頻度を用いて候補字を削除し、連続した単漢字候補の読み記号列及び字形組合せ記号列に対して所定のマスク手段を使って考えられる候補語及びその関連情報を検出する。 - 特許庁

When laser marking is carried out using the mask 1, the island-like parts 13 interrupt the laser beam and the regions not corresponding to the island-like parts 13 inside of the letter contour 2 transmit the beam therethrough, whereby a multiplicity of island-like parts 14 as projections and deep grooves 9 are formed inside the letter contour 2, thus forming the letter.例文帳に追加

このフォントマスク１を用いてレーザーマーキングを行うと、島状部１３はレーザー光を遮断し、文字輪郭２の内部における島状部１３でない領域はレーザー光を透過するので、パッケージ７上の文字輪郭２の内部に多数の島状領域１４の凸部と深い溝９とが形成されてなる文字が形成される。 - 特許庁

When a time from restarting to print after finishing printing is a predetermined time or more in the case of restarting printing after the printing is finished in a state in which a solder paste 1 is left to stand on a metal mask 4 for, squeegees 8, 9 are reciprocated to a restarted first printed board 2.例文帳に追加

メタルマスク４上にソルダペースト１が放置された状態で印刷が終了した後に印刷を再開する際は、印刷が終了してから再開するまでの時間が予め定められている所定時間以上の場合は、再開した最初の１枚目の前記プリント基板２に対してスキージ８、９を往復移動させる往復印刷をおこなう。 - 特許庁

There are provided a surface microstructure manufacturing method for manufacturing an unevenness P3 of nano meter order through dry etching by seeding a nano diamond fine particle P2 on the test piece surface of a test piece P1 composed of silicon, gallium arsenide, and diamond and using this as a minute hard mask, and a diamond nano electrode manufacturing method using the microstructure.例文帳に追加

シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料Ｐ１の試料表面にナノダイヤモンド微粒子Ｐ２を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸Ｐ３を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。 - 特許庁

In a semiconductor substrate having a limited active region where a first portion for forming a gate electrode and a second portion for forming a bit line contact and a third portion for forming a storage node contact of a capacitor are included, a mask pattern which covers a top surface of the semiconductor substrate so that only the first and the second portions are exposed is used.例文帳に追加

ゲート電極を形成するための第１部分と、ビットラインコンタクトを形成するための第２部分と、キャパシタのストレージノードコンタクトを形成するための第３部分とを含む活性領域が限定された半導体基板において、前記第１及び第２部分のみを露出させるように前記半導体基板の上面を覆うマスクパターンを用いる。 - 特許庁

A mask blank is characterized in when a chemistry amplification type resist film 4 for electron beam exposure is formed on a shading type film 3 and a resist pattern 4a is formed, a deactivation suppression film (not illustrated) having higher film density than film density near the front surface of the shading film 3 at least and suppressing the deactivation of the resist film 4.例文帳に追加

遮光性膜３上に電子線露光用化学増幅型レジスト膜４を形成し、レジストパターン４ａを形成する際に、少なくとも前記遮光性膜３の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有し、前記レジスト膜４の失活を抑制する失活抑制膜（図示せず）が形成されていることを特徴とするマスクブランク。 - 特許庁

The method comprises etching a block copolymer layer 102, selectively removing a granular region 102a to form the block copolymer layer 102 on which a plurality of pores are formed, etching a base material 101 using the obtained block copolymer layer 102 as a mask to form the plurality of pores 101a on the surface of the base material 101, and then forming a catalyst metal layer 103 in the pores 101a.例文帳に追加

ブロックコポリマー層１０２をエッチングし、選択的に粒状領域１０２ａを除去し、複数の孔が形成されたブロックコポリマー層１０２を形成し、このブロックコポリマー層１０２をマスクとして基板１０１をエッチング加工し、基板１０１表面に複数の孔部１０１ａを形成し、この孔部１０１ａ内に触媒金属層１０３を形成する。 - 特許庁

The liquid leakage sensor is provided with a case body in which a prism projecting down toward the floor is made up integrally or separately; a light emitting element and the light receiving element which can emit and receive light through the prism disposed inside the case body; and a light shielding mask which is disposed between the light emitting / receiving elements and the prism so as to prevent a misrecognition.例文帳に追加

底面に下方へ突出するプリズムが一体あるいは別体に形成されたケース体と、このケース体内に設けられた前記プリズムを介して発受光できる発光素子および受光素子と、この発光素子および受光素子と前記プリズムとの間に、誤認識を防止できるように設けられた遮光マスクとで漏液センサーを構成している。 - 特許庁

In the stepwise movement of the substrate stage, the stand-by time from the time when the position change from the target position where the substrate stage should stop is in a predetermined tolerance, until the time when exposure of the mask pattern image onto each exposure region of the photosensitive substrate is started is controlled depending on the time for exposure onto each exposure region on the photosensitive substrate.例文帳に追加

基板ステージのステッピング移動において基板ステージの停止すべき目標位置からの位置変動が所定の許容範囲内に収まった時点から感光性基板上の各露光領域へのマスクのパターンの像の露光を開始する時点までの待機時間を感光性基板上の各露光領域への露光時間に基づいて制御する。 - 特許庁

The step of forming the colored pixel patterns of prescribed colors on the plastic base material by a pigment dispersion method, then irradiating only the colored pixel patterns of the prescribed colors with a proper quantity of the electron beams through an electron beam irradiation mask is repeated at the prescribed number of colors, by which the color filter having the colored pixel patterns of the prescribed number of colors is obtained on the plastic base material.例文帳に追加

顔料分散法でプラスチック基材上に所定色の着色画素パターンを形成した後、電子線照射マスクを介して所定色の着色画素パターンにのみ適正量の電子線照射行う工程を所定の色数繰り返すことにより、プラスチック基材上に所定色数の着色画素パターンを有するカラーフィルターを得る。 - 特許庁

Subsequently, any one area of recessed/projected part sides for upper face and for lower face from the center line of the shared mask pattern is light-shielded and another area is exposed again and developed, and a resist pattern for upper face having the recessed/projected part for upper face and a resist pattern for lower face having the recessed/projected part for lower face are respectively formed.例文帳に追加

続いて、共有マスクパターンの中心ラインから上面用凹凸部側及び下面用凹凸部側のいずれか一方又は他方の領域を遮光し他方又は一方の領域を再度露光して現像し、上面用凹凸部を有する上面用レジストパターンと下面用凹凸部を有する下面用レジストパターンを各々形成する。 - 特許庁

In a control device for a camera in which a plurality of memories of different performances (flash memory, mask ROM) are included and a different camera control program is written in each memory, if control programs stored in the multiple memories are switched over, a guarantee operation (#6) is carried out to follow the operating condition of the memory to which the data are transferred.例文帳に追加

特性の異なる複数のメモリ（フラッシュメモリ、マスクＲＯＭ）を持ち、各々のメモリには異なるカメラ制御用プログラムが書き込まれているカメラ用制御装置において、前記複数のメモリに格納されている制御用プログラムを切り換える際に、前記メモリ間の移行前に、移行先のメモリの動作条件に合わせる保証動作（＃６）を行う。 - 特許庁

In a magnetron sputtering film deposition method for producing a thin film by which the film deposition is performed by masking a part of a target, the mask includes an area where the re-adhesion (deposition) amount on the target is larger than the sputtering amount of the target, and includes an area where the sputtering amount of the target is comparable with the re-adhesion (deposition) amount on the target.例文帳に追加

薄膜作製を行うマグネトロンスパッタ成膜方法で、ターゲットの一部をマスクして成膜を行う成膜方法において、マスクが、ターゲットのスパッタ量よりもターゲット上への再付着（堆積）量が多い領域を含み、かつ、ターゲットのスパッタ量とターゲット上への再付着（堆積）量とが拮抗する領域を含むことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

Usually, a switch 11 is set to select the FROM 4 as a start ROM via a ROM switching circuit 10, when rewriting the FROM 4, the switch 11 is switched to select the mask ROM 3 as the start ROM, so that an ECU 1 is connected to an external PC 20 via a communication controller 9 of an information system.例文帳に追加

通常は、ＲＯＭ切換回路１０を介してＦＲＯＭ４が起動ＲＯＭとして選択されるようスイッチ１１をセットしておき、ＦＲＯＭ４を書き換える場合には、スイッチ１１を切換えてマスクＲＯＭ３を起動ＲＯＭとして選択し、情報系の通信コントローラ９を介してＥＣＵ１を外部のＰＣ２０に接続する。 - 特許庁

Whenever a signal p or r for position information indicating a position regarding the substrate 9 or the mask 6 changed due to their relative movement is detected at a cycle proportional to the acceleration of their relative movement, a signal q at an irradiation timing is output, and a prescribed irradiation position on the substrate 9 corresponding to the detected position information is irradiated with the laser beam.例文帳に追加

相対移動に伴い変化する基板９またはマスク６に関する位置を示す位置情報の信号ｐまたはｒが相対移動の加速度に比例した周期で検出されるごとに、照射タイミングの信号ｑが出力されて検出された位置情報に対応する基板９の所定照射位置にレーザビームが照射される。 - 特許庁

By setting a plasma condition (a diffusion distance or a pressure) and a mask shape (the opening width) so as to avoid a region with a hydrogen plasma amount in which etching and polymer generation that drastically increase the unevenness occur simultaneously on its surface, a shape with different etching depths can be processed in the same plane while suppressing the unevenness on the surface.例文帳に追加

表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing it comprises the steps of printing a solder paste 11P, after disposing a mask 21 having a shape for covering each through-hole 22 thereof a part of an opening 9A of the corresponding recess 9 and reflowing the printed solder paste 11P, to form the solder bump 11.例文帳に追加

そして、その製造方法は、いずれの透孔２２も、対応する凹部９の開口９Ａの一部がマスク２１で隠れる形状にされたマスク２１を、配線基板本体２の上面２Ａ上に配置して、ハンダペースト１１Ｐを印刷する印刷工程と、印刷されたハンダペースト１１Ｐをリフローして、ハンダバンプ１１を形成するリフロー工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a photoresist layer removing device wherein a series of stages until cleaning and drying stages after photoresist is removed can be efficiently performed with low defect without immersing a glass substrate in a removing liquid chemical to ultrasonically remove the photoresist one by one, in a device for manufacturing a nickel stamper utilizing patterns of a groove and a pit formed on the glass substrate by a resist mask method.例文帳に追加

レジストマスク法によってガラス基板上に形成した溝やピットのパターンを利用してニッケルスタンパを製造する装置において、フォトレジスト除去〜洗浄・乾燥までの一連の工程を、いちいちガラス基板を除去薬液中に浸漬して超音波除去させる必要なく、低欠陥で且つ効率よく行うことができる。 - 特許庁

When a wafer is exposed to a mask pattern through a plurality of exposure shots, a correction exposure amount in each exposure shot is found based upon a previously measured pattern size distribution in each exposure shot after etching, exposure is carried out with respective correction exposure amounts in the respective exposure shots, and the exposed wafer is etched to form the pattern on the wafer.例文帳に追加

ウェハ上にマスクパタンを複数の露光ショットにより露光する際に、予め測定されたエッチング後の各露光ショット内のパタン寸法分布に基づき、各露光ショット内の補正露光量を求め、各露光ショットにおいて、それぞれの補正露光量で露光し、露光されたウェハをエッチングすることにより、ウェハにパタンを形成する。 - 特許庁

To provide a particle arrangement method when manufacturing an information display panel, capable of precisely performing adjustment of parallelism between an elastic sheet member and a mask surface without any occurrence of failed panel due to failed particle packing even if an elastic sheet member with a thickness of 2 mm or less is used as the elastic sheet member constituting a particle packing component.例文帳に追加

粒子充填部材の構成する弾性シート部材として厚さが２ｍｍ以下の弾性シート部材を用いた場合であっても、弾性シート部材とマスク表面との平行度調整を精確に行うことができ、粒子充填不良による不良パネルの発生のない情報表示用パネル製造時の粒子配置方法を提供する。 - 特許庁

To provide a material of an antireflection film ensuring high etching selectivity to a resist, that is, a high etching speed to a resist, to provide a pattern forming method for forming an antireflection film layer on a substrate using this antireflection film material, and to also provide a pattern forming method using this antireflection film as a hard mask for substrate working.例文帳に追加

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ちレジストに対してエッチングスピードが速い反射防止膜の材料を提供し、且つこの反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法及び、この反射防止膜を基板加工のハードマスクとして用いるパターン形成方法も提供する。 - 特許庁

To provide a column spacer composition enabling simultaneous formation of a saturated pattern and a semi-transmissive pattern as column spacer patterns having different shapes, whose difference in thickness is controllable as desired although the sensitivity is slightly reduced, through a slit or semi-transmissive mask by varying the kind and amount of the radical polymerization inhibitor.例文帳に追加

本発明は、カラムスペーサの中でもスリットや半透過マスクを用いて同時に２つの異形状のカラムスペーサを作製する特殊な場合において、ラジカル重合禁止剤の種類や量を変更することにより、感度は小幅減少しても２つのパターン(飽和パターン、半透過パターン)の差を自由に調節できるカラムスペーサ組成物を提供することができる。 - 特許庁

To provide a treatment mask and a pad exhibiting sufficient far-infrared radiation effects and minus ion static electricity effects, effectively activating the face skin itself by actions such as sweating, excretion of waste products, facilitation of the blood flow and activation of the cells, and having high adhesion property to an adhesion object portion, and to provide their manufacturing method.例文帳に追加

充分な遠赤外線輻射効果及びマイナスイオン・静電気効果を発揮すると共に、発汗・老廃物排出・血行等の促進、細胞の活性化等の作用により顔肌自体を効果的に活性化させることができ、しかも貼付部位への高い密着性を有するトリートメントマスク及びパッドとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of further improving uniformity of a mask pattern size on the entire wafer surface and lowering variation in opening width of a contact window on the entire wafer surface when forming the contact window to improve the product yield and quality even when a higher step and a large area pattern are formed.例文帳に追加

高段差で大面積のパターンが形成される場合でも、ウェハ全面でのマスクパターン寸法の均一性をさらに向上させることができるとともに、コンタクト窓形成の際にウェハ全面でコンタクト窓の開口幅ばらつきを低減することができ、製品歩留を改善しかつ製品品質をより向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A non-reactive sputtering etching method includes a step for etching after a photoresist layer 106 as a mask material is formed on an inner side of a step formed on an etching film 102, a step for baking at 180 to 200°C after the photoresist is exposed and developed, and a step for etching without reactive sputtering.例文帳に追加

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、被エッチング膜１０２上に形成された段差の内側にマスク材としてのフォトレジスト層１０６を形成してエッチングする工程と、前記フォトレジストを露光現像後、１８０〜２００℃の温度でベークする工程と、反応性を用いないスパッタエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The second thin film 13 is anisotropically etched through the etching masks 15b for the formation of fine patterns 13a, and after a selective oxidation process is carried out using the fine patterns 13a as an oxidation mask, the fine patterns 13a are selectively removed, the first thin film 12a is eliminated, and then a quantum fine wire 17 is epitaxially grown on a part where the semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加

エッチングマスク１５bを介して第２薄膜１３を異方性エッチングすることにより形成された微細パターン１３aを酸化用マスクとして選択酸化した後、微細パターン１３aを選択的に除去すると共に、第１薄膜１２aを除去して、半導体基板１１が露出した部分に量子細線１７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A mask film 17 (a pattern film) having a desired shape is attached onto a substrate 11 being a subject to be processed, a resin film 18 is formed to cover the film 17 and such a recessed part 19 that a pattern of the film 17 is transferred to the film 18 is formed on the film 18 when the film 17 is peeled off together with the film 18.例文帳に追加

加工対象物である基板１１上に所望形状のマスクフィルム１７(パターン膜)を貼付し、このマスクフィルム１７を覆うように樹脂膜１８を形成した後、マスクフィルム１７をマスクフィルム１７上の樹脂膜１８と共に剥離すると、樹脂膜１８にマスクフィルム１７のパターンが転写された凹部１９が形成される。 - 特許庁

The color filter substrate 100 has a plurality of color filters through patterning processes, such as pattern exposure, by the use of exposure mask having the transflective region at the end of the transmissive region, development, and post baking so that an overlap step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a can be reduced to a height of 0.5 m or smaller.例文帳に追加

本発明のカラーフィルタ基板１００は、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像、ポストベーク等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成しているので、ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を０．５μｍ以下にすることができる。 - 特許庁

When the photo mask is manufactured by forming a light shielding film pattern on one side of a light transmitting substrate and demarcating a light transmitting part by the light shielding film pattern, a fluorine-containing photocatalyst active layer containing a photocatalyst and a fluorine-based compound is formed in a manner that it can be overlapped on the light transmitting part on the plane view.例文帳に追加

光透過性基板の片面に遮光膜パターンが形成され、この遮光膜パターンによって光透過部が画定されているフォトマスクを作製するにあたり、光透過部と平面視上重なるようにして、光触媒とフッ素系化合物とを含有するフッ素含有光触媒活性層を形成することによって、上記課題を解決した。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a shadow mask in which fluctuation in resist pattern dimensions after development treatment is suppressed by making uniform the sensitivity in width direction of a resist film formed on both sides of a metal substrate, in the resist coating process for forming the resist film by coating a photoresist on both sides of the long metal substrate and drying in a drying chamber.例文帳に追加

長尺の金属基材の両面にフォトレジストを塗布し、乾燥チャンバーで乾燥してレジスト膜を形成するレジスト塗布工程において、金属基材の両面に形成されたレジスト膜の幅方向の感度を均一化して現像処理後のレジストパターン寸法のバラツキを抑えたシャドウマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a recording system comprising a printer and a host computer for supplying record data thereto, mask data is delivered to the printer along with the record data (S9, S10) depending on the mode of multipath (S, S6) when the host computer supplies the record data in order to generate record data for multipath recording by masking that record data.例文帳に追加

プリンタとこれに記録データを供給して記録を行なわせるホストコンピュータとを有した記録システムにおいて、ホストコンピュータが記録データを供給する際、マルチパスのモードに応じて(Ｓ、Ｓ６)、この記録データに対してマスク処理を施してマルチパス記録用の記録データを作成するため、プリンタヘ記録データとともにマスクデータを送る(Ｓ９、Ｓ１０)。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal displaying apparatus that can form a low molecular organic semiconductor material with very weak moisture resistance, without using a shadow mask, by a micro pattern that is adjustable up to several μm, and then utilizes the low molecular organic semiconductor material without damaging a micro patterned low molecular organic semiconductor layer.例文帳に追加

本発明は、水分に非常に弱い特性を有する低分子有機半導体物質をシャドーマスクを利用しないで数μｍまで調節可能な微細パターンで形成することができ、微細パターンされた低分子有機半導体層の損傷なしに低分子有機半導体物質を利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of correcting the mask for a data program of a read-only memory includes a process step of selecting arbitrary data 15 on a data map 12 of the read-only memory and a process step of retrieving the data 16 at the circumference of the arbitrary data 15 and carrying out processing to add dimensional correction to the graphics corresponding to the arbitrary data 15 when specific conditions are satisfied.例文帳に追加

読み出し専用メモリのデータプログラム用のマスクの補正方法であって、前記読み出し専用メモリのデータマップ１２上の任意のデータ１５を選択する工程と、前記任意のデータ１５の周囲のデータ１６を検索し、特定の条件を満たす場合、前記任意のデータ１５に対応する図形に寸法補正を加える処理を行う工程とを含む。 - 特許庁

Then the second gate-level logical data generated through the logic synthesis in the step S12 is outputted (S13) and rewiring processing is performed by using a dummy cell which is not used in the original first gate-level logical data existing on a mask layout in accordance with a change in connected relation after logic is changed in addition to an originally arranged basic cell (S14).例文帳に追加

処理Ｓ１２の論理合成処理で合成されて生成された第２のゲートレベルの論理データの出力（Ｓ１３）により、元々配置されている基本セルに加え、論理変更後の接続関係の変更に応じマスクレイアウト上に存在する元の第１のゲートレベルの論理データで使用しないダミーセルも用いて再配線処理を行う（Ｓ１４）。 - 特許庁

In the target design data 101, the multiply-exposing mask patterns are formed by carrying out a process of disposing auxiliary patterns 105 virtually connecting the tips 103a, 104a of a pair of the line design patterns 103, 104 facing each other with a predetermined space in between at the tips 103a, 104a in the design data.例文帳に追加

目的となる設計データ１０１において、先端部分１０３ａ,１０４ａで所定の離間距離をおいて対向する一対の線状設計パタン１０３，１０４について、設計データ上で仮想的に先端部分１０３ａ,１０４ａ間を接続する補助パタン１０５を配する処理を行い多重露光用マスクパタンを生成する。 - 特許庁

An aligner which lights up a mask 32 as an original mounted on a 1st table, i.e. a top plate 30 by using a lighting device using light from a light source has a light shield, made of a material-absorbing EUV light, and the 1st table is equipped with masking blades 28 and 31 for cutting off unwanted lights which do not contribute to exposure.例文帳に追加

第１のテーブル即ち天板３０に搭載された原版としてのマスク３２を、光源からの光で照明する照明装置を用いて照明する露光装置において、ＥＵＶ光を吸収する材質により構成された遮光部を具備し、露光に寄与しない不要な光を遮光するマスキングブレード２８，３１を、前記第１のテーブルに具備する。 - 特許庁

The coating apparatus is provided for coating a substrate for a device of which a first electrode layer has a pattern preformed in a predetermined circuit form thereon, and the coating apparatus comprises an ultrasonic spray nozzle in its upper portion, a pattern mask covering a surface of the substrate for a device, and an electrical field-type mechanism mounted on the substrate for a device or a side mounting the substrate for a device.例文帳に追加

第１電極層が予め所定の回路状にパターンが形成された素子用基板に塗布する装置であって、上部には超音波スプレーノズルを備え、前記素子用基板の表面を覆うパターンマスクを備え、かつ、素子用基板、あるいは該素子用基板設置側には電場形機構を設けることにより解決した。 - 特許庁

The Z-sorting processing circuit 24 includes a floating decimal point comparison device 130 which compares an average depth value of a semitransparent polygon with a minimum pooling depth value; a plurality of AND gates 110-1 to 110-23 and 120-1 to 120-23, which are connected to the input stage of the floating decimal point comparison device 130; and a decimal part mask value 140 for controlling precision.例文帳に追加

本発明に係るＺソート処理回路２４は、半透明ポリゴンのデプス平均値と最小保持デプス値とを比較する浮動小数点比較器１３０と、浮動小数点比較器１３０の入力段に接続された複数のＡＮＤゲート１１０−１〜１１０−２３、１２０−１〜１２０−２３と、精度制御用小数部マスク値１４０とを含む。 - 特許庁

In a halftone phase shift mask blank with a translucent film 5 comprising a monolayer film which transmits light having such intensity as not to contribute to exposure and shifts the phase of the transmitted light on a transparent substrate 1, a light shielding film 7 comprising a material having resistance to an atmosphere in which the constituent material of the translucent film 5 is etched is disposed on the translucent film 5.例文帳に追加

透明基板１上に、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させ、該透過光の位相をシフトさせる一層膜からなる半透光膜５を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、半透光膜５の上に、半透光膜５を構成する材料のエッチング環境に耐性を有する材料からなる遮光膜７を設けた。 - 特許庁

When a via hole and wiring channel for burying Cu wiring is formed on an interlayer insulating film by a dry etching with a photo resist film as a mask, an antireflection film 26 on the interlayer insulating film which is made up of an SiOC film 25 is composed of an SiO film 26a, an SiON film 26b and an SiO film 26c, and the halation of a photo resist film 27 is inhibited.例文帳に追加

フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで層間絶縁膜にＣｕ配線埋め込み用のビアホールおよび配線溝を形成する際、ＳｉＯＣ膜２５からなる層間絶縁膜上の反射防止膜２６をＳｉＯ膜２６ａ、ＳｉＯＮ膜２６ｂおよびＳｉＯ膜２６ｃの３層膜で構成し、フォトレジスト膜２７のハレーションを抑制する。 - 特許庁

To provide a creating method and apparatus of drawing data for making short the movement distance of a stage that moves in a field unit in pattern drawing due to an electron beam, drawing data, a drawing method, a mask and its manufacturing method, a semiconductor device and its manufacturing method, a program for drawing data creation, and a computer readable record medium where the program is recorded.例文帳に追加

電子線によるパターン描画の際にフィールド単位に移動するステージの移動距離をより短くする描画データの作成方法及び装置、描画データ、描画方法、マスク及びこの作成方法、半導体装置及びこの製造方法、描画データ作成用プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, a compound semiconductor single crystal represented by a general formula, InxCayAlzN (wherein, x+y+z=1; 0≤x≤1; 0≤y≤1; 0≤z≤1), is selectively grown on a semiconductor silicon substrate equipped with a mask having a through-hole with a circle conversion diameter of ≤1 μm.例文帳に追加

円換算直径が１μｍ以下の貫通孔を有するマスクを設けた半導体シリコン基板上に、一般式ＩｎｘＧａｙＡｌｚＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される化合物半導体単結晶を選択的に成長させることを特徴とする、化合物半導体単結晶の製造方法。 - 特許庁