「Mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(528ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of manufacturing a TFT array substrate of a liquid crystal device, a single crystal silicon film 210 is formed on a substrate 110, and while a mask 211 is formed on the single crystal silicon film corresponding to the driving circuit region, silicon ions are injected into the single crystal silicon film corresponding to the display pixel region and heat treated.例文帳に追加

液晶装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、基板上１１０に単結晶シリコン膜２１０を形成し、駆動回路領域に対応する単結晶シリコン膜上にマスク２１１を形成した状態で、表示画素領域に対応する単結晶シリコン膜に珪素イオンを注入した後、加熱処理をする。 - 特許庁

The dither mask is generated, by producing a sequence of dot profiles using a stacking constraint with an incremental grey scale level, such that for each dot profile of the sequence, the same pixels are selected, as compared to the preceding dot profile and increment in each dot profile is realized by selecting at least one additional pixel.例文帳に追加

ディザマスクは、インクリメンタルグレイスケールレベルを有するスタッキング制約を用いてドットプロファイルのシーケンスを、シーケンスの各ドットプロファイルに対し、先行するドットプロファイルと比較して同じ画素が選択され、また、各ドットプロファイルにおけるインクリメントは、少なくとも１つの追加の画素を選択することによって実現されるよう形成することによって、生成される。 - 特許庁

After a processing objective pattern MP1 is subjected to rule-based correction so as to obtain an etching pattern EP corresponding to the processing objective pattern MP1 by referring an etching pattern EP, the rule-base corrected processing objective pattern MP3 is subjected to simulation-based correction to generate an optical proximity effect corrected mask pattern MP4 by considering the etching process.例文帳に追加

エッチングパターンＥＰを参照し、処理対象パターンＭＰ１に対応したエッチングパターンＥＰが得られるように、処理対象パターンＭＰ１をルールべースで補正した後、ルールべースで補正された処理対象パターンＭＰ３をシミュレーションベースで補正することにより、エッチングプロセスを考慮して光近接効果補正されたマスクパターンＭＰ４を生成する。 - 特許庁

The discrimination symbol 16a is provided, by arranging a mask 20 comprising a through-hole 22 for forming the bit mark on the wafer 10, where a photoresist film is formed, which is moved by a prescribed distance in horizontal direction from a reference point for exposure, and then removing by etching the exposed part or its surrounding or laminating a thin film on the part.例文帳に追加

このような識別記号１６ａは、まず、ビットマークを形成するための貫通孔２２を有するマスク２０を、フォトレジスト膜が形成されたウエハ１０上に配置し、基準点から水平方向に所定距離だけ移動させた後、露光させ、次いで、露光部分又はその周囲をエッチング除去するか、あるいは、その部分に薄膜を積層することにより得られる。 - 特許庁

The blank mask includes a light shielding film pattern formed in a region including a light shielding region on a transparent substrate and a phase inversion film formed on the exposed transparent substrate, and the phase inversion film has a phase difference of 160 to 200° relative to exposure light, and the light shielding film pattern and the phase inversion film are etched with the same etching material.例文帳に追加

透明基板上に遮光領域を含む領域に形成された遮光膜パターンと、露出された該透明基板上に形成された位相反転膜とを持ち、位相反転膜は、露光光に対して１６０゜ないし２００゜の位相差を持ち、遮光膜パターン及び位相反転膜は、同じエッチング物質によりエッチングされることを特徴とするブランクマスク。 - 特許庁

The method for manufacturing the electroformed component includes: a step of arranging a child component 4 coated with a removable resin on a substrate 1 having a mask 3; a step of forming an electroformed metallic part 6a integrated with the child part 4; and a step of removing the coating 5 on the incorporated child component 4 from the completed electroformed component 6.例文帳に追加

本発明の電鋳部品の製造方法は、除去可能な樹脂でコーティングした子部品４を、マスク３を有する基板１に配置する工程と、子部品４と一体に電鋳金属部６ａを形成する工程と、完成した電鋳部品６から内包した子部品４のコーティング５を取り除く工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The imaging device with a mask function of masking a specified area in a picked-up image is equipped with a masked area specifying device which specifies the area to be masked in the picked-up image and an image processor which performs image processing while excluding an image signal included in the area to be masked from an object to be processed.例文帳に追加

撮像画像中の特定領域をマスクするマスク機能を備えた撮像装置であって：撮像画像の中からマスク対象領域を特定するマスク対象領域特定装置と；マスク対象領域に含まれる画像信号を処理対象から除外して画像処理する画像処理装置と，を備えることを特徴とする撮像装置が提供される。 - 特許庁

An illuminance correcting filter 4 for correcting the illuminance of the exposure light 10, a correction lens 5 for correcting the track of the exposing light 10, and a light shutoff plate 6 to shut off the light 10 incident to other than a scanning window 61 are installed between the light source 3 and a frame mask assembly 20 in the named sequence from the side with the light source 3.例文帳に追加

露光の際には、光源３とフレーム・マスクアッセンブリ２０との間に、露光光１０の照度を補正するための照度補正フィルタ４と、露光光１０の軌道を補正するための補正レンズ５と、走査窓６１以外に入射した露光光１０を遮光する遮光板６とを、光源３側からこの順番で配置する。 - 特許庁

The reflective mask blank substrate is obtained by polishing the principal surface of a light-transmitting substrate essentially comprising glass to a predetermined surface roughness and then subjecting the substrate to ion beam irradiation while the substrate is placed to allow the ion beam to be incident to the principal surface of the substrate at an incident angle of 20° or more and less than 90° and the substrate is rotated.例文帳に追加

ガラスを主成分とする透光性基板の主表面を所定の表面粗さとなるように研磨した後、イオンビームが透光性基板の主表面に対して入射角度２０度以上９０度未満で入射するように配置し、且つ、透光性基板を回転させながらイオンビーム照射を行い、反射型マスクブランク用基板を得る。 - 特許庁

In a mask 1 for transferring a hole pattern to a photoresist film spread on a semiconductor wafer by exposure using oblique lighting, a pseudo repetition area is formed by providing an anti-phase area 3A, an in-phase half-tone area 3B, and a light-shading area 4 around a real pattern 2H provided for transferring the hole pattern.例文帳に追加

半導体ウエハ上に塗布されたフォトレジスト膜に斜方照明を用いた露光処理によってホールパターンを転写するマスク１において、そのホールパターンを転写するための実パターン２Ｈの周囲に、逆相ハーフトーン領域３Ａ、同相ハーフトーン領域３Ｂおよび遮光領域４を設けることで擬似的な繰り返し領域を形成するようにした。 - 特許庁

An embedding layer 10 for semi-insulation semiconductor to be grown on both sides of a mesa stripe portion 18 including the active layer is formed from a first layer having the identical height to the mesa stripe portion 18, and a second layer, formed on the surface of the first layer along the mesa stripe portion 18, for growing it as far as both sides of a mask wider than the mesa stripe.例文帳に追加

活性層を含むメサストライプ部１８の両側に成長させる半絶縁半導体の埋め込み層１０を、メサストライプ部１８と同じ高さまでの第１の層と、第１の層の表面にメサストライプ部１８上に沿って形成した、メサストライプより幅広のマスクの両側に成長させる第２の層とで構成する。 - 特許庁

Main features of this method are that: a plurality of amorphous silicon islands and a plurality of contact holes are formed by using the same mask; each amorphous silicon island is used to form a channel of a transistor for controlling an LCD pixel in an active area; and each contact hole is used to control an anti-electrostatic-discharge protecting circuit around the active area.例文帳に追加

本方法の主要な特徴は、同じマスクを用いて複数のアモルファスシリコンアイランドと複数のコンタクトホールを形成し、各アモルファスシリコンアイランドはアクティブ領域内のＬＣＤ画素を制御するためトランジスタのチャネルを形成するのに用いられ、各コンタクトホールはアクティブ領域周囲の抗静電放電保護回路を制御するのに用いられる。 - 特許庁

By arranging a reinforcing band 24 on total periphery so as to cover a phosphor screen 16 formed on the inner surface of a face panel 11 and a frame 20 supporting and fixing a shadow mask 19, an air space between the phosphor screen 16 and the frame 20 is shielded from magnetism, consequently, the color shift influenced by terrestrial magnetism 25 is prevented.例文帳に追加

フェースパネル１１内面に形成された蛍光体スクリーン１６と、シャドウマスク１９を支持固定するフレーム２０とに、その全周に亘り補強バンド２４を両者に跨って配置させることで、蛍光体スクリーン１６とフレーム２０間の空隙部分を、磁気シールドすることにより、地磁気２５の影響による色ズレを防止する。 - 特許庁

A photoresist layer is formed on the high part and periphery region, and the amount of exposure to the photoresist on the conductive layer on the high part is reduced by the optical mask of a gray scale, so that the photoresist is left on the upper surface of the high part but will not remain in the periphery region after the development of the photoresist, thus forming a pattern in the photoresist.例文帳に追加

高くなった部分と周囲領域上にフォトレジスト層が形成され、フォトレジストの現像後、高くなった部分の上面にはフォトレジストが残り、周囲領域には残らないよう、グレースケールの光マスクにより高くなった部分上の導電層上のフォトレジストに対する露光量を少なくすることによって、フォトレジストにパターンが形成される。 - 特許庁

At this time, even if noises are mixed into an output from a light-receiving section 210, since the noises are masked by the mask pulse 13 in an output from an AND circuit 330, only the signal 32 after being masked being an output from an AND circuit 320 is reflected on an extracted signal of an output from an OR circuit.例文帳に追加

このとき、受光部２１０からの出力にノイズが混入していたとしても、マスクパルス１３によりＡＮＤ回路３３０からの出力はノイズがマスクされたものとなるため、ＯＲ回路３４０からの出力である抽出信号３４にはＡＮＤ回路３２０からの出力であるマスク後信号３２のみが反映されることとなる。 - 特許庁

A device for stereoscopic image display has: an image display unit 200 which composes and displays an image of visual point images 1 to 6 having parallaxes corresponding to a plurality of horizontal observation points by using mutually different pixel group; and a mask member 400 which has a plurality of aperture parts for making light beams from respective pixels reach only the observation positions corresponding to the respective visual point images.例文帳に追加

水平方向における複数の観察位置に対応した視差を有する複数の視点画像１〜６を互いに異なる画素群を用いて合成表示する画像表示ユニット２００と、各画素からの光を、各視点画像に対応した観察位置にのみ到達させる複数の開口部を有するマスク部材４００とを有する。 - 特許庁

A thin film pattern 10 is formed by preforming a water-soluble polymer film 4 on the surface of a film 2 to be processed, provided on a substrate 1, then performing ablation processing by irradiating the surface of the polymer film 4 with laser beam 8 through a pattern mask 7, and removing resin decomposed matters 6 and remaining water-soluble polymer film 5 by washing.例文帳に追加

基材１上に設けられた被加工膜２の表面に、予め水溶性の高分子膜４を形成し、その高分子膜形成面にパターンマスク７を介してレーザー光８を照射してアブレーション加工を行い、その後水洗を行うことにより、樹脂分解物６と残った水溶性高分子膜５を除去し、薄膜パターン１０を形成する。 - 特許庁

To provide a memory system for attaining optimization in the whole system, appropriately setting an organization to mask an access request from another master, obtaining efficiency in continuous access with respect to the access in the same bank and on the same page, and not necessarily requiring correction when connection is performed to a specified bus, and to provide an access control method for the system, and a program.例文帳に追加

システム全体の最適化を図れ、他マスタからのアクセスリクエストをマスクする機関を適切に設定することができ、同一バンクでかつ同一ページのアクセスに対しての連続アクセスの効率化を図れ、しかも特定のバスへの接続時における修正が必ずしも必要としないメモリシステムおよびそのアクセス制御方法、並びにプログラムを提供する。 - 特許庁

This metal mask has plural through openings and is obtained in such a manner that, as for the surface in which insulating resist patterns with a fixed thickness to be made into plural through openings in an electrically conductive matrix board are formed, from a solution containing metallic ions, the metal is electrodeposited on a part other than the resist patterns at a fixed thickness of the resist patterns or below.例文帳に追加

メタルマスクは、複数の貫通開口を有するメタルマスクであって、金属のイオンを含有する溶液から、金属を、導電性の母型板における複数の貫通開口とすべき一定厚さの絶縁性のレジストパターンが形成された表面のレジストパターン以外の部分上に、レジストパターンの一定厚さ以下で、電着させて得られる。 - 特許庁

To provide detecting method of attracting power between substrates, method of proximity exposure and device for the proximity exposure which permit the prevention of rupture of an exposure mask previously during exposure especially and the contriving of an yield or a throughput with respect to a wafer, a glass substrate or the like by permitting the detection of the attracting power between substrates.例文帳に追加

基板間の吸着力を検出できるようにすることにより、特に露光中における露光マスクの破壊を事前に防止することができ、ウエハやガラス基板などに対する歩留まりや、スループットの向上を図ることが可能となる基板間の吸着力の検出方法、近接場露光方法及び近接場露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed wiring substrate and a burying mask of the printed wiring substrate, in which even when the diameter of a through-hole and a recess is reduced and further they are disposed so that a distance between these centers is at a narrow pitch, a resinous paste can precisely be filled without imperfection in burying nor inclusion of bubbles (voids).例文帳に追加

前記貫通孔や凹所の直径が小径化し、また、これらの中心間距離が狭ピッチで配置されている場合でも、穴埋めが不完全になることなく、気泡（ボイド）を含むことなく、また精度よく樹脂ペーストを充填することができるプリント配線板の製造方法およびプリント配線板の穴埋用マスクを提供する。 - 特許庁

A silicon based conductive material film 6a is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 10, the portion of the conductive material film 6a above the insulating film 3 is removed and planarized by CMP or etch back using the insulating film 3 as a stopper, and then a mask pattern 7 of resist is formed on the conductive material film 6a and the insulating film 3.例文帳に追加

半導体基板１０全面にシリコン系の導電性材料膜６ａを形成し、絶縁膜３をストッパとしたＣＭＰやエッチバックによって、導電性材料膜６ａの絶縁膜３よりも上の部分を除去して平坦化した後、導電性材料膜６ａ及び絶縁膜３上にレジストのマスクパターン７を形成する。 - 特許庁

A diffused layer 15a under a tunnel oxide film in a EEPROM forming region 1 and a diffused layer 15b for a control gate and a low- concentration diffused layer 16 of an offset portion in an NPG transistor forming region 2 are formed in a batch by implanting an n-type impurity 14 to a silicon substrate with a resist pattern 13 serving as a mask.例文帳に追加

レジストパターン１３をマスクとしてシリコン基板１１にＮ型不純物１４をイオン注入することにより、ＥＥＰＲＯＭ形成領域１におけるトンネル酸化膜下の拡散層１５ａ、コントロールゲート用拡散層１５ｂ及びＮＰＧトランジスタ形成領域２におけるオフセット部の低濃度拡散層１６を一括して形成する。 - 特許庁

Further, the method may also have a step of forming a collector region 32 positioned at the offset region 31 of a bipolar transistor by introducing the first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with an element isolation film 25, a gate electrode 44, and a mask film as masks, and for forming a source and a drain 42a, 45 of a MOS transistor.例文帳に追加

さらに、素子分離膜２５、ゲート電極４４、及びマスク膜をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１に位置するコレクタ領域３２を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン４２ａ，４５を形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁

In the cell observation method for acquiring the cell image including an observation object matter by picking up the image of a cell housed in a container by a microscopic observation device, mask information for segmenting an exclusion range excluded from the observation object and an object range included in the observation object in the cell image is generated on the basis of the cell image.例文帳に追加

容器に収容された細胞を顕微観察装置によって撮像して観察対象物を含む細胞画像を取得する細胞の観察方法において、細胞画像において観察対象から除外する除外範囲と観察対象に含める対象範囲とを切り分けるためのマスク情報を細胞画像に基づいて生成する。 - 特許庁

An insulating film having stress, whose absolute value is at least 3×10^9 dynes/cm^2, is formed on an amorphous semiconductor film that is formed on an insulator, an opening is provided for forming a mask insulating film, a catalyst element is added to the selective region of the amorphous semiconductor film for carrying out heating treatment, and a crystalline semiconductor film is formed.例文帳に追加

絶縁体上に形成された非晶質半導体膜上に絶対値が３×１０^9dynes/cm^2以上の応力を有する絶縁膜を成膜し、開口部を設けてマスク絶縁膜を形成し、前記非晶質半導体膜の選択的領域に触媒元素を添加して加熱処理を行い、結晶質半導体膜を形成することを特徴としている。 - 特許庁

In sampling a color difference point sequential signal with a sampling pulse to convert the signal into two kinds of color difference signals, the sampling pulse whose blanking period is masked by a mask signal is used to stabilize the signal level for the blanking period and even when part of the blanking period enters a display area of the LCD as shown in t2, no color is given to the part.例文帳に追加

色差点順次信号をサンプリング用のパルスでサンプリングして２種類の色差信号に変換する際、ブランキング期間をマイクするマスク信号でマスクされたサンプリングパルスを用いることにより、ブランキング期間の信号レベルが安定し、たとえブランキング期間の１部がｔ２で示すように、ＬＣＤの表示領域に入ってもその部分に色が付くことがない。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

In the electrodeposition type display device of passive matrix type in which a transparent electrode and the opposite electrode are arranged opposite to each other via electrolyte and which has a plurality of pixels corresponding to the opposite area between the transparent electrode and the opposite electrode, it has a mask for covering the edge part of the opposite electrode in the opposite area.例文帳に追加

透明電極と対向電極とが電解液を介して対向配置され、前記透明電極と前記対向電極との対向領域に対応して複数の画素を有するパッシブマトリックス駆動のエレクトロデポジッション型表示装置において、前記対向領域における前記対向電極のエッジ部分を覆うマスクを有する。 - 特許庁

In a method of forming storage electrodes of a semiconductor device and also a method of forming a semiconductor, the composition and vapor-deposition conditions of each of a bit line hard mask nitride film and a bit line nitride film spacer are varied so that the two nitride films are formed to have different compositions and also to have different etching ratios.例文帳に追加

本発明は半導体素子の格納電極形成方法に関し、ビットラインハードマスク窒化膜と窒化膜スペーサそれぞれの成分と蒸着条件を変化させることにより、前記２つの窒化膜の組成が異なるよう形成され互いに異なる食刻比率を有するようにする半導体素子の形成方法に関するものである。 - 特許庁

The spatial light modulator having a plurality of pixel areas 50P is provided with a mask 52, which has a grid pattern for optically dividing a pixel that emits the reference light to an emission face side, into a plurality of divided pixels so that the area of a single divided pixel, emitting the reference light, becomes substantially smaller than the area of one pixel emitting the information light.例文帳に追加

空間光変調器は、複数の画素領域(50P)を有し、参照光を出射する１つの分割画素の面積が情報光を出射する１つの画素の面積よりも実質的に小さくなるように、出射面側に参照光を出射する画素を複数の分割画素に光学的に分割するための格子状パターンを有するマスク(52)を有する。 - 特許庁

This mask case 1 has a holder 4 for supporting the photomask substrate 10, a support 5 in linear contact with the photomask substrate 10 to position it in the thickness direction, a support 6 to position the photomask substrate 10 in the lateral direction, a base 2 where those supports are provided, and a lid 3 movably attached to this base 2 and covers the photomask substrate 10.例文帳に追加

マスクケース１は、フォトマスク基板１０を支持する支持用保持手段４と、フォトマスク基板１０と線接触して位置決めする、厚さ方向位置決め用保持手段５及びサイド方向位置決め用保持手段６と、これらが設けられた基部２と、この基部２に着脱自在に取り付けられ、フォトマスク基板１０を覆う蓋部３とを備えた構成としてある。 - 特許庁

The generation method for the mask data comprises a process of resizing a wiring layer pattern 120 and forming a resized pattern 130 so as to make a resize amount positive (+), a process of eliminating the resized pattern having a mutually overlapping part among the resized patterns 130 and a process of forming a stress mitigation layer pattern having a prescribed width on the outer side of the resized pattern.例文帳に追加

マスクデータの生成方法は、リサイズ量がプラス（＋）となるように、配線層パターン１２０をリサイズしてリサイズパターン１３０を形成する工程と、前記リサイズパターン１３０のうち相互に重なる部分を有するリサイズパターンを削除する工程と、前記リサイズパターンの外側に、所定の幅を有する応力緩和層パターンを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

The phase shift mask blank has, at least on a substrate, one or more layers of a phase shift film essentially comprising a metal silicide compound and one or more layers of a metal-containing film, and further has a buffer layer having a continuously varied composition of the film on the interface between the phase shift film and the metal-containing film.例文帳に追加

位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜と前記メタル含有膜との界面に、膜の組成が連続的に変化したバッファ層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 - 特許庁

This component mounting system 1 includes a circuit board pasting device 200, a solder printing machine 300 which detects the pasted state of an FPC 2 with respect to the jig 3, prepares operating condition data based on the pasted state, and prints solder on the FPC 2 through a mask 350, a component mounting device 400, and a management computer 700.例文帳に追加

この部品実装システム１は、基板貼付装置２００と、治具３に対するＦＰＣ２の貼付状態を検出し、貼付状態に基づいて動作条件データを作成するとともに、ＦＰＣ２上にマスク３５０を介して半田を印刷する半田印刷機３００と、部品搭載装置４００と、管理コンピュータ７００とを備えている。 - 特許庁

The information storage medium can record graphic units capable of being outputted and displayed while being superimposed on a main video image, the graphic units include highlight information, mask data to make a shape of a selected button stand out and graphic data for expressing shapes of all buttons, and the highlight information includes color pallet information, button information, adjacent button information, and button commands.例文帳に追加

情報記憶媒体は、主映像と重畳して出力表示可能なグラフィックユニットを記録することができ、グラフィックユニットはハイライト情報、選択されるボタンのボタン形状を浮彫にするマスクデータ及び全てのボタン形状を表現するグラフィックデータを含み、ハイライト情報はカラーパレット情報、ボタン情報、隣接ボタン情報及びボタンコマンドを含む。 - 特許庁

To provide a spot resist film peeling machine which can continuously perform etching added to a quartz substrate 1 and peel a resist film pattern 3' of only a pattern for phase difference measurement without repeating the formation of a resist film, electron beam drawing, and development when it becomes evident that the depth of a shifter is insufficient when a Revenson type phase shift mask 60 is manufactured.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスク６０の製造において、シフターの深さが不足していることが判明した際に、レジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰り返し行うことなく、石英基板１に追加したエッチングを継続して行うことができる、位相差測定用のパターンのみのレジスト膜パターン３’を剥膜するスポットレジスト剥膜機を提供すること。 - 特許庁

With the configuration, the second conductive pattern 6 is buried into the first insulating layer 1, thus preventing a first plating film 3 from adhering onto the second conductive pattern 6 without especially treating a mask, or the like when the first plating film 3 made of a second metal is formed on a first conductive pattern 2.例文帳に追加

この構成により、第２導電性パターン６を第１絶縁層１内に埋め込むことにより、第１導電性パターン２上に第２金属からなる第１めっき膜３を形成する際に、特にマスク等の処理を行わなくても第２導電性パターン６上に第１めっき膜３が付着することを防止することができる。 - 特許庁

In the manufacturing method of a transparent conductive film where a mask is placed on a substrate, a pattern shaped transparent conductive layer is formed on the substrate by a sputtering method, a grid having a magnet is placed between a target and a substrate, and a pattern shaped transparent conductive film comprising the target material is formed over the substrate by a sputtering method.例文帳に追加

基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、ターゲットと基板間にマグネットを備えたグリッドを設け、スパッタリング法により前記基板上にターゲット形成材料からなる透明導電膜をパターン形成することを特徴とする透明導電膜形成方法とした。 - 特許庁

In carrying out a salicide process, at least in a part of an exposure region of a semiconductor substrate surface other than an element formation region, a salicide block used as a mask preventing a silicide layer from being formed on the semiconductor substrate surface in the exposure region of the semiconductor substrate surface other than the element formation region is formed on the semiconductor substrate surface.例文帳に追加

サリサイド工程を行うに際し、素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域の少なくとも一部に、素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域の半導体基板表面にシリサイド層が形成されることを防止するマスクとなるサリサイドブロックを半導体基板表面上に形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device includes a step of forming a pattern by using a mask for exposure having a frame-like light shielding film 2 formed on the peripheral portion of the surface of the side, where the pattern is to be formed of a substrate 10, where the film 2 is divided into square light shielding portions by slits 3.例文帳に追加

基板１０のパターンが形成されている側の面の面上の周辺部に枠状の遮光膜２を有し、該周辺部の枠状の遮光膜をスリット３によって分割したことにより、該遮光膜を四角形の遮光膜部分に区画してなる露光用マスクを用いてパターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A mask material made of an insulation film is formed to cover a control electrode forming region on a first nitride semiconductor layer, and on the first nitride semiconductor layer exposed, a second nitride semiconductor layer made of a group III-V nitride semiconductor layer and made of a fine crystal structure not containing aluminum is selectively formed at a low film forming temperature.例文帳に追加

第１の窒化物半導体層上に、制御電極形成領域を被覆するように絶縁膜からなるマスク材を形成し、露出する第１の窒化物半導体層上に、低い成膜温度で、III−Ｖ族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第２の窒化物半導体層を選択的に形成する。 - 特許庁

A colored layer applying process for applying and forming a negative photosensitive material 13 for a colored layer on a substrate 10A for forming the color filter, an exposure process for collectively exposing a colored layer forming area via the exposure mask 20 by a proximity exposure method and a processing process of developing, drying and baking treatment are performed to form the colored layer.例文帳に追加

カラーフィルタ形成用基板１０Ａに、ネガ型の感光性の着色層用材料１３を塗布形成する着色層塗布工程と、着色層形成領域をプロキシミティ露光方法により露光用マスク２０を介して一括露光する露光工程と、現像処理、乾燥、ベーキング処理のプロセス処理工程とを行い、着色層を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of depositing a transparent conductive film by the magnetron sputtering without any wasteful consumption of a sputtering target material, and easily controlling the resistivity and the transmittance of the transparent conductive film in a target for the magnetron sputter which has a mask on a substrate to perform the pattern-forming of the transparent conductive film on the substrate by the magnetron sputtering method.例文帳に追加

基板上にマスクを設け、マグネトロンスパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成するためのマグネトロンスパッタ用ターゲットにおいて、マグネトロンスパッタリングにより、スパッタリングターゲット材の消費に無駄が無く透明導電膜を形成でき、また透明導電膜の抵抗率や透過率の制御が容易にできるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the color selecting mask 11 for constituting this color selection mechanism 60 of a color cathode ray tube, a contact portion where the element assembly 13 contacts with the damper wires 20 contacting with a surface of the grid element assembly 13, and extended along a direction orthogonal to the grid element assembly 13 to be bridged is joined not to allow moving each other by laser welding.例文帳に追加

カラー陰極線管の色選別機構６０を構成する色選別マスク１１に対して、そのグリット素体１３の表面と接触し、かつグリット素体１３と直交する方向に延在して架張されたダンパー線２０とグリット素体１３との接触箇所をレーザ溶接により互いに移動できないように接合する。 - 特許庁