「Mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(532ページ目) - Weblio英語例文検索

The equipment for producing a semiconductor comprises a section 40 for supplying liquid 24 arranged on a movable stage 36 for mounting a wafer 20 having a resist film formed thereon, an exposure section 34 for irradiating the resist film with exposing light via a mask under a state where the liquid 24 is arranged on the resist film, and an inert gas supply section 50 as a section for preventing ionization of the liquid 24.例文帳に追加

半導体製造装置は、レジスト膜が形成されたウェハ２０を載置する可動ステージ３６の上に配される液体２４を供給する液体供給部４０と、レジスト膜の上に液体２４を配した状態で、レジスト膜にマスクを介した露光光を照射する露光部３４と、液体２４のイオン化を防ぐイオン化防止部としての不活性ガス供給部５０とを有している。 - 特許庁

A semiconductor substrate 21 is etched while a surface electrode 23 and a resist pattern 24 are used as a mask, and etching for expanding the resist opening 24a of the resist pattern 24 and polymerization for forming a polymer film 26 on the surface of the semiconductor substrate 21, the surface electrode 23, and the resist pattern 24 that is exposed after etching, are repeated to form a hole 25 in the semiconductor substrate 21.例文帳に追加

表面電極２３およびレジストパターン２４をマスクとして半導体基板２１をエッチングするとともにレジストパターン２４のレジスト開口部２４ａを広げるエッチングと、エッチング後に露出する半導体基板２１、表面電極２３およびレジストパターン２４などの表面部にポリマ膜２６を形成する重合とを繰返し行ない、半導体基板２１に孔部２５を形成する。 - 特許庁

The mask 10 for forming the waveguide is provided with one or more patterns 12 for forming a long size waveguide on a metallic plate 11, and the pattern 12 for forming the waveguide comprises a plurality of pattern opening parts 12a arranged along the longitudinal direction, and bridges 12b arranged between the pattern opening parts 12a and 12a, and the pattern opening part 12a is not provided with meshes.例文帳に追加

導波路形成用マスク１０は、金属板１１に長尺の導波路形成用パターン１２が１本以上設けられ、導波路形成用パターン１２は、長手方向に沿って設けられた複数のパターン開口部１２ａと、これらパターン開口部１２ａ、１２ａ間に設けられたブリッジ１２ｂからなり、パターン開口部１２ａにメッシュは設けられていないものである。 - 特許庁

After a fine opening part 12 reaching an underlayer wiring layer 9 is formed in an interlayer insulation film 10 by anisotropic etching by using a resist mask 11, a buried resist film 13 is formed within the opening part 12 to etch back the entire surface of the interlayer insulation film 10, whereby an upper part having a bowing shape of the opening part 12 is cut off to form a contact hole 14.例文帳に追加

層間絶縁膜１０に、レジストマスクを１１を用いた異方性エッチングにより、下地配線層９に到達する微細な開口部１２を形成した後、開口部１２内に埋め込みレジスト膜１３を形成して層間絶縁膜１０を全面エッチバックすることにより、開口部１２のボーイング形状となった上部を切除してコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

For example, in a method for manufacturing a microlens array having a plurality of microlenses to be used for a liquid crystal projector, a microlens array with fidelity to a designed feature is manufactured by using a gray scale mask 30 for lithography which has a plurality of correction portions 32 to form an enhancing feature (protruding features) on the borders of the plurality of microlenses and by gray scale lithography techniques and etching techniques.例文帳に追加

例えば、液晶プロジェクタに用いられる複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイの製造方法において、複数のマイクロレンズの境界部に強調形状（突出形状）を形成するための複数の補正部３２を有するグレースケールのリソグラフィ用マスク３０を用いて、グレースケールリソグラフィ技術およびエッチング技術により、設計形状に対して忠実なマイクロレンズアレイを製造する。 - 特許庁

The method for manufacturing organic electroluminescence element provides an advantage that when forming the organic film layer pattern with LITI, the method for manufacturing organic electroluminescence element can adjust incident light having various modes with homogeneity by using the space light modulator, can produce the laser beam having a predetermined mode profile, and can form the organic film layer pattern without using a mask.例文帳に追加

ＬＩＴＩを用いて有機膜層パターンを形成するにおいて、空間光変調器を用いることで、多様な形態を持つ入射光を均質に調節することができ、所望の形態のプロファイルを持つレーザービームを形成することができ、マスクを使わなくても、有機膜層パターンを形成することのできる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供するという利点がある。 - 特許庁

The photomask has a photomask substrate, a mask pattern formed on the photomask substrate and containing at least one first pattern 11, a plurality of second patterns 12 arranged in a higher density than at least one first pattern, and a connecting part 13 connecting one end of at least one first pattern and each one end of the plurality of second patterns.例文帳に追加

このフォトマスクは、フォトマスク基板と、該フォトマスク基板上に形成されたマスクパターンであって、少なくとも１つの第１のパターン１１と、該少なくとも１つの第１のパターンよりも高い密度で配置された複数の第２のパターン１２と、該少なくとも１つの第１のパターンの一端と該複数の第２のパターンの各々の一端とを接続する接続部１３とを含むマスクパターンとを有する。 - 特許庁

The manufacturing method for patterned member which has a patterned insulating member on the substrate is characterized in that it is provided with a process of forming a precursor pattern of the insulating member by performing development after exposing photosensitive paste applied onto the substrate a plurality of times through a mask having a specified pattern and a process of baking the precursor pattern.例文帳に追加

基板上に、パターニングされた絶縁部材を備える部材パターンの製造方法であって、基板上に付与された感光性ペーストを、所定パターンのマスクを介して複数回露光した後、現像して、前記絶縁部材の前駆体パターンを形成する工程と、前記前駆体パターンを焼成する工程と、を備えることを特徴とする部材パターンの製造方法。 - 特許庁

To obtain a modified epoxy resin capable to satisfy a characteristic feature required to form a permanent mask on a film form base material like an FPC (flexible printed circuit) cover lay, particularly simultaneously and fully satisfying photosensitivity, resolution rate, a film forming property, a solder heat resistance, plating resistance and flexibility, a process for its preparation and a photosensitive resin composition.例文帳に追加

ＦＰＣのカバーレイのようなフィルム状の基材上に形成される永久マスクとして要求される特性（特に、光感度、解像度、塗膜性、はんだ耐熱性、耐めっき性、及び可撓性）を同時に十分満足することのできる感光性樹脂組成物を調製できる変性エポキシ樹脂、その製造方法及びその感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A pattern data conversion method is configured to input the image of the pattern data of a photo-mask or wafer, extract the outline of the input pattern data, perform deformation processing so as to more smoothly deform the outline of the pattern data, and extract coordinate data necessary for reproducing the pattern data from the outline, in which the deformation processing is performed, to generate polygon coordinate data.例文帳に追加

フォトマスク又はウェハのパターンデータの画像を入力し、入力したパターンデータの輪郭線を抽出するとともにパターンデータの輪郭線をより滑らかに変形するように変形処理し、変形処理された輪郭線からパターンデータを再現するのに必要な座標データを抽出してポリゴン座標データを生成することを特徴とするパターンデータ変換方法。 - 特許庁

To provide a new nitrogen-containing organic compound suitably used for a chemically-amplified resist material applicable to immersion exposure that gives a high-resolution image and reduces dependence on mask coverage in photolithography for microfabrication, especially in lithography using as a light source a KrF laser, an ArF laser, an F2 laser, extremely-short ultraviolet rays, an electron beam, X-rays and the like.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、ＡｒＦレーザー、Ｆ2レーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、高解像性を達成すると共に、マスク被覆率依存性を低減し、更には液浸露光にも適用可能な化学増幅型レジスト材料に好適に用いられる新規な含窒素有機化合物の提供。 - 特許庁

Especially in a liquid crystal dropping step (ODF) for vacuum bonding using a UV curing seal, a liquid crystal is protected by the imprint resin later 30, so that no shielding mask or alignment is required, UV light can be directly radiated and contamination from the seal to the liquid crystal layer can be suppressed by simplifying the step and shortening the time of contact between the seal and the liquid crystal.例文帳に追加

特に、紫外線硬化シールを用いる真空貼り合わせの液晶滴下工程（ＯＤＦ）では、インプリント樹脂層３０によって液晶が保護されていることによって、遮光マスクとアライメントが不要となり、直接紫外線を照射でき、工程の簡略化とともに、シールと液晶が触れている時間の短縮によりシールからの液晶層への汚染を抑えることができる。 - 特許庁

To provide an organic EL device manufacturing apparatus, method of manufacturing the same, a file forming device, or a film forming method, for precision deposition by reducing deflection of a substrate and a mask, being able to miniaturize a transportation chamber, capable of reducing generation of dust and gas in vacuum by arranging a drive part on the atmosphere side, for high productivity or operation rate.例文帳に追加

本発明は、基板やマスクの撓みを低減し高精度に蒸着できる、または搬送チャンバを小型化できる、あるいは駆動部等を大気側に配置することで真空内の粉塵やガスの発生を低減し、生産性の高いまたは稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造装置またはその製造方法あるいは成膜装置または成膜方法を提供することである。 - 特許庁

A communication apparatus includes a reservation unit of reserving a time frame for communicating with a communication partner, a determination unit of determining an interference of the communication partner in communication with the communication partner within the time frame reserved by the reservation unit, and a mask unit of masking the time frame when the determination unit determines the interference.例文帳に追加

本発明の通信装置は、通信相手と通信するための時間枠を予約する予約手段と、前記予約手段により予約した前記時間枠で前記通信相手と通信した際の、前記通信相手における干渉を判定する判定手段と、前記判定手段により前記干渉が判定された場合、前記時間枠をマスクするマスク手段とを有する。 - 特許庁

The array substrate for the lateral type liquid crystal display device is manufactured through four-mask steps: in a structure wherein a semiconductor layer is exposed at both sides of a data line, a first blocking pattern which blocks light is formed under the semiconductor layer, and second blocking pattern which blocks influence of the semiconductor layer is formed over the data line, while being brought into contact with the data line.例文帳に追加

横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、４マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、半導体層の下部に光を遮断する第１遮断パターンを構成して、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第２遮断パターンを構成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the magnetic head, the pole groove and first and second initial side shield grooves are formed in a nonmagnetic layer using an etching mask layer having first to third openings, and wall faces of first and second initial side shield grooves that are closer to the pole groove are etched by a dry etching to thereby complete the first and second side shield grooves 25b1, 25b2.例文帳に追加

磁気ヘッドの製造方法では、第１ないし第３の開口部を有するエッチングマスク層を用いて非磁性層に磁極溝部、第１および第２の初期サイドシールド溝部を形成し、ドライエッチングによって、第１および第２の初期サイドシールド溝部における磁極溝部により近い壁面をエッチングして、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させる。 - 特許庁

By using such a transfer member 10, an etching mask made of resist is formed on a surface 25 of a body 20 to be transferred without using any photolithography, thus performing etching without forming any films made of chromium (Cr), gold (Au), and the like as before and without using the developer or the like to form a recess 21 on the surface 25 of the body 20 to be transferred.例文帳に追加

このような転写体１０を用いることで、フォトリソグラフィを用いることなく、被転写体２０の表面２５に、レジストからなるエッチングマスクを形成するので、従来のようにクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜することなく、現像液などを用いることもなく、エッチングすることができ、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成することができる。 - 特許庁

Silicon carbide semiconductor devices and methods of fabricating silicon carbide semiconductor devices are provided by successively etching a mask layer to provide windows for formation of a source region of a first conductivity type, a buried silicon carbide region of a second conductivity type opposite to the first conductivity type and a second conductivity type well region in a first conductivity type silicon carbide layer.例文帳に追加

炭化珪素半導体デバイスおよび炭化珪素半導体デバイスの製造方法が、第１の伝導型炭化珪素層の中に、第１の伝導型のソース領域、この第１の伝導型と反対の第２の伝導型の埋込み炭化珪素領域、および第２の伝導型のウェル領域を形成するための窓を設けるためにマスク層を引き続いてエッチングすることによって提供される。 - 特許庁

The method for producing the mask blank includes steps of dropping a resist solution 13 containing a resist material and a solvent onto a square substrate 2, rotating the substrate 2 to spread the dropped resist solution 13 over the substrate 2, and drying the resist solution 13 on the substrate 2 to form a resist coating film composed with the resist material on the substrate 2.例文帳に追加

四角形状の基板２上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液１３を滴下し、前記基板２を回転させ、滴下されたレジスト液１３を前記基板２上に広げるとともに、前記基板２上のレジスト液１３を乾燥させて、前記基板２上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法である。 - 特許庁

A defect repairing device for electronic components includes an ultrashort pulse laser light emitting device which suitably adjusts and emits ultrashort pulse laser light, a flexible mask pattern generator that forms the ultrashort pulse laser light emitted by the ultrashort pulse laser light emitting device into a prescribed shape, an optical system which converges the ultrashort pulse laser light, and a first stage where an electronic component to be repaired is mounted and positioned.例文帳に追加

超短パルスレーザーを適宜調整して発生する超短パルスレーザー発生装置と、前記超短パルスレーザー発生装置から照射された超短パルスレーザーを所定の形状に成形するフレキシブル・マスク・パターン・ジェネレーターと、該超短パルスレーザーを集光する光学系と、修復すべき電子部品を載置して位置決めする第１のステージとを含む電子部品の欠陥修復装置。 - 特許庁

The reflection type mask blank includes: a substrate; a reflection film formed on the substrate to reflect exposed light; an absorber formed on the reflection film to absorb the exposed light; and a reflection prevention film formed on the absorber for preventing the reflection of inspection light and composed of a lower oxide of which the number of oxygen atoms is smaller than a stoichiometric composition ratio.例文帳に追加

基板と、基板上に形成された露光光を反射する反射膜と、露光光を吸収し、反射膜上に形成された吸収体と、吸収体上に形成され、検査光の反射を防止する、酸素原子数が化学量論組成比よりも少ない低級酸化物からなる反射防止膜と、を備えることを特徴とする反射型マスクブランクス。 - 特許庁

The method comprises the steps of providing a mold plate, patterning a set of rings arrayed across the mold plate, opening spaces between the rings so that the rings become an in-situ mask on the mold plate, directing an optical polymer into the spaces between the rings, polymerizing the optical polymer to form an array of ring lenses, and transferring the array of ring lenses to a substrate.例文帳に追加

本方法は、型板を設ける工程と、型板に配列されたリングのセットをパターニングする工程と、リング間に、該リングが上記型板上で原位置マスクとなるようにスペースを開ける工程と、上記リング間のスペースにオプティカル・ポリマを向ける工程と、オプティカル・ポリマを重合させてリング・レンズのアレイを形成する工程と、リング・レンズのアレイを基板へ移送する工程とを含む。 - 特許庁

The beautification method includes: a step of applying creamy cosmetics containing 20-30% oil to the jaw and/or the cheek; a step of massaging the jaw and/or the cheek to which the creamy cosmetics are applied; and a step of lifting up the jaw and the cheek, after the massaging, by using a mask 10 that is made of a nonwoven fabric with stretchability as a base material and that has ear loops 12.例文帳に追加

顎及び／又は頬に20％以上30％以下の油分を含むクリーム状美容料を塗布するステップと、このクリーム状美容料が塗布された顎及び／又は頬に対してマッサージを行うステップと、マッサージの施術後に伸縮性を有する不織布を基材とし耳掛け部１２を有するマスク１０を用いて顎及び頬をリフトアップさせるステップとを有する。 - 特許庁

The dither mask 61 is generated by determining a storage element in which a plurality of threshold values should be stored by using a total evaluation value CE on condition that a dot to be formed by the preceding head PH and a dot to be formed by the following head FH are permitted to be formed on the same dot formation position in the overlap region ORA of the preceding head PH and the following head FH.例文帳に追加

先行ヘッドＰＨと後行ヘッドＦＨとのオーバーラップ領域ＯＲＡにおいて、先行ヘッドＰＨで形成されるドットと、後行ヘッドＦＨで形成されるドットとが同一のドット形成位置に形成されることを許容した条件で、総合評価値ＣＥを用いて複数の閾値を格納すべき格納要素を決定して、ディザマスク６１を生成する。 - 特許庁

A main controller 70 determines focus positions of respective image capturing devices when detecting the position of the alignment mark of the mask and the position of the alignment mark of the underlying pattern on the substrate based upon variation in the image recognition rate, the sharpness value and the contrast value preliminarily detected by the image processing device 50 while moving the focus positions of respective image capturing devices by a focus position moving mechanism.例文帳に追加

主制御装置７０は、予め、焦点位置移動機構により各画像取得装置の焦点位置を移動しながら、画像処理装置５０により検出された画像認識率、シャープネス値、及びコントラスト値の変化に基づいて、マスクのアライメントマークの位置又は基板の下地パターンのアライメントマークの位置を検出する際の各画像取得装置の焦点位置を決定する。 - 特許庁

The sputtering metal mask is a plate material made of metal which includes penetrated aperture parts having nearly rectangular and similar aperture shapes and which has an overhanging part formed by a wall of the aperture part at an end of the aperture part of a plane having the aperture shape having the smaller similitude ratio, wherein a plane having the aperture shape having the larger similitude ratio is on the side in contact with a material to be sputtered.例文帳に追加

略方形で相似形の開口形状を有する貫通した開口部を備え、相似比が小さい方の開口形状を有する平面の開口部縁に、前記開口部の壁が張り出し部を形成している金属製板材で、相似比の大きな方の開口形状を有する平面が、被スパッタ材と接する側であることを特徴とするスパッタ用メタルマスク。 - 特許庁

The photomask is to be used for transferring a predetermined transfer pattern including a line-and-space pattern onto a resist film formed on a process object to be etched to obtain a resist pattern in the resist film, which functions as a mask in the etching process, wherein the line pattern of the line-and-space pattern formed on a transparent substrate comprises a translucent portion while the space pattern comprises a light-transmitting portion.例文帳に追加

エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクにおいて、透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンを半透光部で設け、スペースパターンを透光部で設ける。 - 特許庁

To provide a negative resist material, in particular a chemical amplitude negative resist material, which has a high contrast of alkali dissolution rate before and after light exposure, has a high resolution at high sensitivity and small line edge roughness and is especially suitable as a fine pattern forming material in manufacturing a super LSI or in manufacturing a photo mask pattern material and to provide a pattern formation method and a photomask blank using the negative resist material.例文帳に追加

露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さい、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクパターン作製における微細パターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、これを用いたパターン形成方法及びフォトマスクブランクを提供する。 - 特許庁

The control device 200 removes some of the plurality of fine adhesive particles provided on the exfoliation sheet 20, by holding it with the manipulator; the manipulator holding the fine adhesive particle is moved to a position of foreign matter, and the foreign matter is stuck to the adhesive particles and removed from the mask 116; and the fine adhesive particles to which the foreign matters are stuck is stuck to the adhesive member 22 and is transferred.例文帳に追加

制御装置２００は、剥離シート２０に設けられた複数の微小吸着粒子のいずれか一つをマニピュレータで保持して離脱させ、微小吸着粒子を保持したマニピュレータを異物の位置へ移動し、異物を粘着性粒子に付着させてマスク１１６から除去し、異物が付着した微小吸着粒子を粘着部材２２に付着させて移送する。 - 特許庁

Then, electrodes 8a, 8b are formed so as to get on the semi-buried insulation film 5 and the STI7, respectively, and the impurity is implanted to the imaging region A by using the electrode 8a and the semi-buried insulation film 5 as a mask, thus forming an n-type region 3 constituting a photodiode in a region in contact with the p-type region 4 in the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

次に、半埋込絶縁膜５及びＳＴＩ７にそれぞれ乗り上げるように電極８ａ及び８ｂを形成し、電極８ａ及び半埋込絶縁膜５をマスクとして撮像領域Ａに不純物を注入することにより、半導体基板２におけるｐ型領域４に接する領域に、フォトダイオードを構成するｎ型領域３を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate holder for plating, the power feed surface of which is formed to have a plane contact system for feeding power through a plate-like planar part so that even a thin substrate can be nipped firmly, and in which mask rubber is arranged around the power feed surface so that deposition is decreased sharply on the power feed surface and the service life of the substrate holder can be prolonged drastically.例文帳に追加

本発明は、給電面を、板状の平面部を使って給電を行う面接点方式とすることにより、薄い基板でもしっかりと挟めるものとすると共に、給電面の廻りにマスクゴムを配置することにより、給電面での析出を激減させ、治具自体の寿命を飛躍的に延ばすことのできるメッキ用基板保持具を提供するものである。 - 特許庁

The stencil mask blank is provided with a supporting substrate 13 composed of a single crystal silicon wafer, an active layer 11 for preparing a transfer pattern, an intermediate insulation layer formed between the supporting substrate and the active layer, and an amorphous silicon layer 111 formed at the other side of the supporting substrate while an opening unit corresponding to the transfer pattern is prepared in the amorphous silicon layer, the supporting substrate, and the intermediate insulation layer.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 - 特許庁

In a halftone phase shifting mask blank 1 having on a transparent substrate a halftone phase shifter film for forming a halftone phase shifter portion, the halftone phase shifter film 5 comprises an upper layer 4 comprising a material consisting essentially of silicon, oxygen and nitrogen and a lower layer 3 comprising a material consisting essentially of tantalum and hafnium.例文帳に追加

透明基板上に前記ハーフトーン位相シフター部を形成するためのハーフトーン位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、ハーフトーン位相シフター膜５が、珪素、酸素、及び窒素とから実質的になる材料からなる上層４と、タンタル及びハフニウムとから実質的になる材料からなる下層３とからなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク１。 - 特許庁

Even if mask deposition and formation of cathode separator or the like are not carried out, the individual electrode 6 can be formed precisely.例文帳に追加

表示体を構成するドット間を区切るための空間を、例えばバンク３に形成する工程と、ドットの配列方向と異なる方向から各ドットが形成されるガラス基板１に対して、例えばアルミニウム等の導電性材料を蒸着又はスパッタして個別電極６を形成する工程とを有し、マスク蒸着、カソードセパレータの形成等を行わなくても、正確に個別電極を６を形成できる。 - 特許庁

The thin plate-shaped mask 10 having openings for passing a vapor deposition material corresponding to a pattern of a vapor deposition film to be formed on the substrate has a plurality of openings 12a formed along a prescribed direction, and crosspieces 15 formed along a prescribed direction on a plane opposite to the plane facing the substrate.例文帳に追加

被処理基板上に蒸着成膜するパターンに対応して、蒸着材料を通過させるための開口部を設けた薄板状のマスク１０であって、一定の方向に沿って開口された複数の開口部１２ａと、被処理基板と対向する一方の面の反対側となる他方の面に一定の方向に沿って設けられた桟部１５とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for detecting failure of database patterns of a photomask in which different space widths are applied according to critical dimensions of lines of the patterns of the photo mask to detect patterning failure varied according to illuminating systems, sub-films and thicknesses of resist, and to preliminarily detect failure, such as collapse or bridges, generated from the different lengths of pattern lines having the same critical dimension.例文帳に追加

フォトマスクパターンのライン臨界大きさ別に差等的なスペース幅を適用することで、照明系、サブ膜、レジスト厚さなどによって変わるパターニング不良を検査することができ、同一の臨界大きさを有するが、パターンラインの相異なる長さにより発生する崩れまたはブリッジなどの不良を予め検査できるフォトマスクデータベースパターンの不良検査方法を提供する。 - 特許庁

An initial value calculating part 7 calculates such a split band scaling coefficient that the coefficient after normalization when normalizing the representative value calculated by the representative value calculating part 4 at every split frequency band comes to the prescribed quantized coefficient obtained on the basis of the target amount of codes and the ratio of signal to mask and the all band scaling coefficient as the respective initial values.例文帳に追加

初期値算出部７は、代表値算出部４により算出される代表値を分割周波数帯域毎に正規化する際に正規化後の係数が目標符号量および信号対マスク比に基づいて得られる所定の量子化係数となるような分割帯域スケーリング係数および前記全帯域スケーリング係数をそれぞれの初期値として算出する。 - 特許庁

This device forms a film consisting of a polymer material on the entire surface of the lower part electrode connected to a thin film transistor by a coating method, and after forming the upper part electrode on it, self-matchingly etches the film consisting of the polymer material by etching with a plasma by having the upper part electrode as a mask, and enables to form selectively a polymer material layer.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタと接続される下部電極上に塗布法により全面に高分子系材料からなる膜を形成し、その上に上部電極を形成した後、該上部電極をマスクとしてプラズマによるエッチングによって高分子系材料からなる膜を自己整合的にエッチングし、高分子系材料層の選択的な形成を可能にするものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of subjecting an inter-layer insulating layer 61 to dry etching using a mask having a plurality of first openings and a plurality of second openings arranged more closely than the first openings, and forming first holes reaching a ground layer 10 below the first openings and second holes 41 reaching the ground layer 10 below the second openings.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数の第１の開口と第１の開口よりも密に並んだ複数の第２の開口とを有するマスクを用いて層間絶縁層６１をドライエッチングし、第１の開口の下で下地層１０に達する第１のホールと、第２の開口の下で下地層１０に達する第２のホール４１とを同時に形成する工程を備えている。 - 特許庁

An oxide layer is etched, by which a first oxide spacer 108 is left on a substrate adjacent to the gate polysilicon layer 112, the gate polysilicon layer 112 and the source region 106 of the substrate are selectively etched using a nitride layer or the like deposited on the oxide spacer 108 as a mask, and a recess 117 which includes a vertical plane and a horizontal plane is formed adjacent to the source region 106.例文帳に追加

酸化物層をエッチングして、基板上にゲート１１２に隣接させて第一酸化物スペーサ１０８を残し、その上に堆積した窒化物層等をマスクとしてゲートポリシリコン層１１２及び基板におけるソース領域１０６を選択的にエッチングして、実質的に垂直な面と水平な面を含む凹部１１７をソース領域１０６の隣に形成する。 - 特許庁

After a first resist pattern 52 for opening a logic element formation region 32 is formed, a third insulating film 18A made of silicon oxide is etched by a fluoric acid aqueous solution with the first resist pattern 52 as a mask, thus removing a portion for covering the logic element formation region 32 including a buried element separation film 15B of the third insulating film 18A.例文帳に追加

ロジック素子形成領域３２を開口する第１のレジストパターン５２を形成した後、第１のレジストパターン５２をマスクとして、酸化シリコンからなる第３の絶縁膜１８Ａに対して、弗酸水溶液によるエッチングを行なうことにより、第３の絶縁膜１８Ａの埋め込み素子分離膜１５Ｂを含むロジック素子形成領域３２を覆う部分を除去する。 - 特許庁

A device is equipped with: a plurality of select switches Tx1 to Tx3 for selecting a plurality of electroluminescence elements; a select signal generating circuit which outputs select signals x1 to x3 for sequentially driving the select switches Tx1 to Tx3, and a mask signal-INL generating circuit which masks the select signals x1 to x3 and eliminates the overlap period between successive select signals.例文帳に追加

複数のエレクトロルミネセンス素子を選択する複数の選択スイッチＴｘ１〜Ｔｘ３と、選択スイッチＴｘ１〜Ｔｘ３を順次駆動する選択信号ｘ１〜ｘ３を出力する選択信号発生回路と、選択信号ｘ１〜ｘ３をマスクするマスク信号−ＩＮＬ発生回路とを備え、選択信号間のオーバラップ時間をなくすようにした。 - 特許庁

The equipment for producing a semiconductor comprises a section 45 for supplying liquid 25 arranged on a movable stage 36 for holding a wafer 20 having a resist film formed thereon, an exposure section 34 for irradiating the resist film with exposure light via a mask 32, in a state where the liquid 25 is arranged on the resist film, and a section 40 for degassing the liquid 25.例文帳に追加

半導体製造装置は、レジスト膜が形成されたウェハ２０を保持する可動ステージ３６の上に配される液体２５を供給する液体供給部４５と、レジスト膜の上に液体２５を配した状態で、該レジスト膜にマスク３２を介した露光光を照射する露光部３４と、液体２５に含まれる気体を液体２５から脱気する脱気部４０とを有している。 - 特許庁

The integrated circuit patterns are transferred to pattern transfer regions 12a to 12e of the product mask Md 4 by reduction stepping processing using plural sheets of the IP masks and thereafter the connection between the patterns of the pattern transfer regions 12a to 12e adjacent to each other is performed by the light shielding patterns 2j consisting of organic films formed by exposure processing using energy beams.例文帳に追加

複数枚のＩＰマスクを用いた縮小投影露光処理によって製品マスクＭｄ４のパターン転写領域１２ａ〜１２ｅに集積回路パターンを転写した後、互いに隣接するパターン転写領域１２ａ〜１２ｅのパターン間の接続をエネルギービームを用いた露光処理によって形成された有機膜からなる遮光パターン２ｊで行うようにする。 - 特許庁

To provide a piezoelectric substrate that can solve a defect caused by an inner wall of a border groove between piezoelectric vibrating elements formed by etching to be a slope not orthogonal to the substrate face in the case of manufacturing many piezoelectric vibrating elements from a piezoelectric substrate base material with a large area through etching process employing a mask and to provide the piezoelectric vibrating element, a piezoelectric device and the piezoelectric substrate base material.例文帳に追加

マスクを用いたエッチング加工によって大面積の圧電母材から多数の圧電振動素子を製造する際に、エッチングによって形成される圧電振動素子間の境界溝の内壁が基板面と直交しない傾斜面になることによって発生する不具合を解決できる圧電基板、圧電振動素子、圧電デバイス及び圧電基板母材を提供する。 - 特許庁