「Mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(536ページ目) - Weblio英語例文検索

In the halftone phase shifting mask blank 1 having a phase shifter film 5, the phase shifter film 5 has a phase adjusting layer 4 which chiefly controls the phase of exposure light and a transmittance adjusting layer 3 formed between a transparent substrate 2 and the phase adjusting layer 4 and having a function to chiefly control the transmittance of exposure light, and the thickness of the transmittance adjusting layer 3 is ≤90 Å.例文帳に追加

位相シフター膜５を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランク１において、前記位相シフター膜５は、主に露光光の位相を制御する位相調整層４と、透明基板２と位相調整層４との間に形成され主に露光光の透過率を制御する機能を有すると透過率調整層３とを有し、前記透過率調整層３の膜厚が、９０オングストローム以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The master disk for the optical recording medium is manufactured by exposing and developing the photoresist on the substrate to form the first rugged patterns, subjecting the substrate to dry etching using the photoresist as a mask to form the second rugged patterns, removing the photoresist remaining on the substrate and detecting the reflected and diffracted light obtained by irradiating the second rugged patterns of the substrate with the laser beam in the dry etching process step.例文帳に追加

また、基板上のフォトレジストを露光現像して第１の凹凸パターンを形成し、フォトレジストをマスクとして基板に対してドライエッチングを行って第２の凹凸パターンを形成して、基板上に残ったフォトレジストを除去し、ドライエッチング工程において、基板の第２の凹凸パターンにレーザ光を照射して、得られる反射回折光を検出して光記録媒体用原盤を製造する。 - 特許庁

A sweat gland pore extraction means 17 radially comparatively evaluates densities of near pixel groups around an intended pixel by use of a predetermined radial mask to determine whether to encounter pixels which can be regarded as ridges in every direction, records the direction which does not encounter the ridge pixels as an open direction, and extracts the inside of a pixel group which can be regarded as ridge pixels as a sweat gland pore pixel group.例文帳に追加

汗腺口抽出手段１７は、予め定められた放射状マスクを用いて注目画素を中心とする近傍画素群の濃度を放射状に比較評価し、各々の方向に対して隆線と見なせる画素にぶつかるか否かを判定し、隆線画素にぶつからない方向をオープン方向として記録するとともに、隆線画素と見なせる画素群の内側を汗腺口画素群として抽出する。 - 特許庁

To provide a high-speed, low power consumption logic device capable of reducing a power consumption and making the speed of operation higher by controlling the operation modes of respective transistors constituting a logic device, while coping with the operating condition of respective transistors upon constituting the logic device, when the logic device is constituted of a master slice type integrated circuit, capable of reducing a cost and a time for designing a mask.例文帳に追加

マスク設計のための費用と期間を短縮できるマスタースライス型集積回路により、論理装置を構成する場合に、その論理装置を構成するそれぞれのトランジスタの動作モードを、論理装置を構成した場合のそれぞれのトランジスタの動作状態に対応して制御し、低消費電力化と動作の高速化を行うことが可能な高速低消費電力論理装置を提供する。 - 特許庁

The trench bottom corners are each formed in an arcuate shape having a radius of curvature of 200 nm or more, a doped polysilicon layer is deposited thick enough to be used as an ion implanting mask for forming the source region, and then the doped layer is thinned to be a gate electrode at a TLPM only so that the gate electrode end contacts an oxide film on the arcuate part of the trench bottom corner.例文帳に追加

トレンチ底部角部を、曲率半径が２００ｎｍ以上の円弧形状にし、ドープトポリシリコン層を、ソース領域の形成のためのイオン注入マスクとして充分使用できる程度に厚く被覆した後に、ＴＬＰＭ部のみゲート電極となるドープトポリシリコン層を薄くして、トレンチ底部角部の円弧上の酸化膜に前記ゲート電極端部が接する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a method for airway positive pressure treatment for a patient with cardiac failure for improving the cardiac failure symptom or sign as well as by CPAP by modulating the mask pressure in such a way as to improve comfort without causing hyperventilation, carbon shortage, alkalosis or closing of the upper respiratory tract; and to stabilize or prevent Cheyne-Stokes breathing or central sleep apnea caused by many factors.例文帳に追加

過換気、炭素不足、アルカローシス又は上部気道閉鎖を起こさずに快適さを向上するような仕方でマスク圧力を変調することにより、CPAPで得られるのと同様の心不全症状又は兆候の改善を達成するために、心不全を持つ患者に気道内陽圧療法を提供すること、及び、多くの原因によるチェーン・ストークス型呼吸又は中枢型睡眠無呼吸症の安定化又は防止 - 特許庁

This method of manufacturing the sub master mold 20 from a master pattern mold 30 for imprint having grooves corresponding to the minute pattern includes a minute pattern dimension fluctuation process of performing dry etching using oxygen gas with respect to a resist layer 4 which is formed on a hard mask layer formed on a substrate 1 for the sub master mold and to which the minute pattern of the master pattern mold 30 is transferred.例文帳に追加

微細パターンに対応する溝が設けられたインプリント用の元型モールド３０からサブマスターモールド２０を製造する方法において、前記サブマスターモールド用の基板１上にはハードマスク層が形成され、前記ハードマスク層上に形成され且つ元型モールドの微細パターンが転写されたレジスト層４に対して、酸素ガスを用いたドライエッチングを行う微細パターン寸法変動工程を有する。 - 特許庁

The optical axis adjusting system 1000 includes: an optical component positioning means 5 for positioning an optical component 110 passed by communication light emitted from a variable wavelength light source 1; and a target mask 130 arranged oppositely to the optical component 110 in place of a mirror array 120 for reflecting the communication light passing the optical component 110 to a desired direction, through which the communication light is transmitted.例文帳に追加

光軸調整システム１０００は、可変波長光源１から出射された通信光が通過する光学部品１１０の位置決めを行う光学部品位置決め手段５と、光学部品１１０を通過した通信光を所望の方向へ反射するミラーアレイ１２０に置き換えて光学部品１１０と対向するように配置され、通信光を透過させるターゲットマスク１３０を備える。 - 特許庁

The HLAC feature quantity extracting method includes: a step of mapping one dimensional signal in a time-frequency plane; a step of accumulating the HLAC by moving a two dimensional local mask pattern in a block region for each segmented block by dividing its time axis and frequency axis; and a step of extracting and combining each term from the HLAC feature quantity calculated from blocks which are lined up along the frequency axis.例文帳に追加

１次元信号を時間−周波数平面に写像するステップ、その時間軸及び周波数軸を分割して区分けされたブロック毎に、その領域内で２次元局所マスクパターンを移動させてＨＬＡＣを累積するステップ及び周波数軸に沿って並ぶブロックから求めたＨＬＡＣ特徴量から各次数項を抜き出して結合するステップを含むＨＬＡＣ特徴量の抽出方法 - 特許庁

To accurately detect an end point of plasma etching in a process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film, in a method of manufacturing a mask for extreme ultraviolet exposure including the process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film by performing plasma etching using a gas containing carbon (C) to the extreme ultraviolet absorption film using a substrate having the extreme ultraviolet absorption film formed of a material containing Ta and N.例文帳に追加

ＴａとＮを含有する材料からなる極端紫外線吸収膜を有する基板を用い、前記極端紫外線吸収膜に対して炭素（Ｃ）を含むガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、前記極端紫外線吸収膜にパターンを形成する工程を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、前記工程でのプラズマエッチングの終点を高精度に検出する。 - 特許庁

To provide a soldering method and a soldering apparatus capable of smoothly performing the ultrasonic oscillation of a chip and heating it, and efficiently performing the soldering work when performing the soldering to glass, ceramic, a TTO mask, and a hard-to-solder metal or the like by the chip by providing an oscillator, a chip subjected to the ultrasonic oscillation by the oscillation transmitted from the oscillator, and a heating means for heating the chip.例文帳に追加

振動子と、振動子からの振動が伝えられて超音波振動するチップと、チップを加熱する加熱手段とを備え、該チップによってガラス、セラミック、ＴＴＯマスク、その他、難半田付金属等に対して半田付けを行う際、チップを円滑に超音波振動させるとともに加熱させ、効率的に半田付け作業を行うことが可能な半田付け方法及び装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The resist film 28 patterned and formed on an overcoat layer 12, formed on a thin-film transistor and an upper layer side of a pixel electrode, as a mask for exposing at least a part of a pixel electrode from the overcoat film 12 is removed using a mixed gas of one of COF_2 and F_2 and an oxygen gas, after at least the part of the pixel electrode is exposed from the overcoat layer 12.例文帳に追加

薄膜トランジスタ及び画素電極の上層側に成膜されたオーバーコート膜１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させる際のマスクとして前記オーバーコート層１２上にパターニングして形成されたレジスト膜２８を、前記オーバーコート層１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させた後にＣＯＦ_２またはＦ_２のいずれか一方と酸素ガスとを含む混合ガスを用いて除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing such a tape carrier for a semiconductor device that can suppress or eliminate the occurrence of transfer defects caused by the transition to a photo mask, of contaminations such as resist fragment or the like without using a projection optical system that is complicated in structure and difficult to manufacture, is complicated in maintenance or maintenance and controlling of use environment, and is extremely expensive and has a tendency of increased cost.例文帳に追加

構造が煩雑で製造が難しく、また保守や使用環境の整備・制御等も煩雑で、極めて高価でコスト高となる傾向にある投射光学系やその他の特殊な光学系を用いることなく、レジスト破片等の異物がフォトマスク上に転移することに起因した転写欠陥の発生を抑制ないしは解消することを可能とした、半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a repair method and system that removes a defect of a half tone mask by using a laser, can efficiently form a block film in a defect area, adjusts a film thickness of the block film, enables the defect to be removed even after a pellicle film is formed, adjusts permeability in real time so as to carry out a repair process, and guarantees the uniformity of the permeability of a repaired section.例文帳に追加

本発明は、レーザを用いてハーフトーンマスクの欠陥を除去し、欠陥部領域に遮断膜を効率良く形成でき、遮断膜の膜厚を調節し、ペリクル膜が形成された後も欠陥の除去が可能な機能とともに、リアルタイムで透過率を調節してリペア工程を行うことができるようにし、リペア部位の透過率の均一性を保障できるリペア方法及びそのシステムに関する。 - 特許庁

With respect to the array substrate for an in-plane switching mode liquid crystal display device, a structure which is manufactured through four mask steps and exposes semiconductor layers at both sides of a data line has a first feature that a first blocking pattern for blocking light is formed under the semiconductor layer, and a second feature that a second blocking pattern for blocking an influence of the semiconductor layer is formed over and in contact with the data line.例文帳に追加

本発明による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、４マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、第１特徴は、半導体層の下部に光を遮断する第１遮断パターンを構成して、第２特徴は、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第２遮断パターンを構成する。 - 特許庁

A step between a reflection portion which reflects EUV light and an absorption portion which absorbs the EUV light is adjusted to a size which is an odd multiple of a 1/4 wavelength of the inspection light used for defect inspection that is carried out utilizing edge light shield effect by a phase difference between reflected light from the reflection portion and reflected light from the absorption portion when a reflection-type mask blank is irradiated perpendicularly with the inspection light.例文帳に追加

ＥＵＶ光を反射する反射部とＥＵＶ光を吸収する吸収部との段差を、欠陥検査に使用する検査光の１／４波長の奇数倍の大きさに調整し、検査光を垂直に照射した際の、反射部からの反射光と、吸収部からの反射光の位相差によるエッジ遮光効果を利用して欠陥検査を行うことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

A method of smoothing the surface of a substrate for a reflective type mask blank for EUV lithography is characterized by smoothing the surface of a substrate having concave defects by applying a solution containing a polysilazane compound on the surface of the substrate having the concave defects and heating/curing it to form a silica coating (or a coating containing SiO_2 as a main skeleton).例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用の基板表面を平滑化する方法であって、凹欠点を有する基板表面に、ポリシラザン化合物を含む溶液を塗布し、加熱・硬化してシリカ被膜（またはＳｉＯ_2を主骨格とする被膜）を形成することにより、前記凹欠点を有する基板表面を平滑化することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用の基板表面を平滑化する方法。 - 特許庁

In the read-only recording medium on which information is recorded, a substrate on the surface of which information is recorded, a reflection layer formed on the surface of the substrate by using a phase change substance, a first dielectric layer formed on the reflection layer and a mask layer formed on the first dielectric layer with metal oxide or nanoparticles are provided.例文帳に追加

情報が記録された読み取り専用記録媒体であって、前記情報が表面に記録された基板と、前記基板の前記表面上に相変化物質により形成された反射層と、前記反射層の上に形成された第１誘電体層と、前記第１誘電体層の上に、金属酸化物あるいはナノパーティクルにより形成されたマスク層とが設けられたことを特徴とする読み取り専用記録媒体である。 - 特許庁

To provide a method and a device for smoothly finishing the surface of a micro structural body at an optical level by improving a micro roughness on the surface of the micro structural body by defects of mask edge shape and a reaction in a resist when the micro structural body is finished by X-ray lithography or photo lithography including a lithography step in a LIGA process.例文帳に追加

ＬＩＧＡプロセスにおけるリソグラフィ工程を含むＸ線リソグラフィやフォトリソグラフィ等により微小構造体を加工した際において、マスクエッジ形状の欠陥や、レジスト内に生じる反応等によって発生する微小構造体の表面の微小な荒れを改善し、当該微小構造体の表面を光学レベルで平滑にすることができる表面加工方法及び表面加工装置等を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resist pattern on a surface to be processed by forming a resist film on the surface using the resist composition for immersion exposure, irradiating the resist film with exposure light by immersion exposure, and developing it, and a step of transferring the pattern to the surface to be processed by etching through the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に、本発明の前記液浸露光用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面にパターンを転写するパターン転写工程とを少なくとも含む。 - 特許庁

This label producing method includes both a step for adding a membrane made of a material for functional surfaces onto a substrate made of a material for structure parts and a step for patterning the membrane made of the material for functional surfaces and the substrate made of the material for structure parts by electron-beam lithography or etching using a mask made of a plurality of resin particles adhered onto the membrane made of the material for functional surfaces.例文帳に追加

標識製造方法は、機能性表面用材料の薄膜を構造部用材料の基板上に付加するステップと、電子ビームリソグラフィー、又は、機能性表面用材料の薄膜上に付着した複数の樹脂粒子から成るマスクを使用するエッチングによって、前記機能性表面用材料の薄膜及び構造部用材料の基板をパターニングするステップとを含むものである。 - 特許庁

The metal mask to which the organic EL element material adheres is cleaned using a cleaning solution of a cleaning agent consisting essentially of "alkylene glycol alkyl ether and/or its ester derivatives" such as dipropylene glycol monomethyl ether and not substantially containing water and a water-soluble nonvolatile additive, rinsed using a rinse agent consisting of an organic solvent dissolving the cleaning agent such as isopropyl alcohol, if necessary, then dried.例文帳に追加

洗浄液として、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等の“アルキレングリコールアルキルエーテル及び／又はそのエステル誘導体”を主成分とし、水及び水溶性不揮発性の添加剤を実質的に含有しない洗浄剤を使用して、有機ＥＬ素子材料が付着したメタルマスクを洗浄した後に、必要に応じてイソプロピルアルコール等の前記洗浄剤を溶解する有機溶媒からなるリンス液を用いてリンスを行い、更に乾燥する。 - 特許庁

The process for fabricating a ridge type semiconductor laser comprises a step for forming a structure of a plurality of semiconductor layers including an active layer on a substrate, a step for forming a first electrode having a width narrower than that of the multilayer structure on the surface thereof, and a step for forming a ridge structure by etching the multilayer structure using the first electrode as a mask.例文帳に追加

本発明による製造方法は、基板上に活性層を含む複数の半導体層を積層して積層構造を形成する積層構造形成ステップと、その積層構造の表面において、積層構造よりも狭い幅を有する第１の電極を形成する第１電極形成ステップと、第１の電極をマスクとして積層構造をエッチングし、リッジ構造を形成するリッジ構造形成ステップとを含む。 - 特許庁

A transparent substrate is coated with negative type black resist, which is exposed through the photomask formed of a small opening part-light blocking part composite pattern equipped with many rectangular light blocking patterns arrayed in matrix longitudinally and laterally on the transparent mask substrate mutually at intervals so that many rectangular small opening parts having short sides along the light blocking patterns are successive across the light blocking parts.例文帳に追加

透明基板上にネガ型ブラックレジストを塗布し、透明マスク基板上に縦横に互いに間隔をおいてマトリックス配列で配列された多数の矩形の遮光パターンを備え、隣接する遮光パターンの間は、多数の、遮光パターンの辺に沿う短辺を有する矩形の小開口部が遮光部を介して連なる小開口部−遮光部複合パターンからなるフォトマスクを介して前記ネガ型レジストに露光する。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a mask blank substrate comprising a substrate having two main surfaces opposing to each other includes: a step of polishing the two main surfaces of the substrate; and a step of correcting a surface defect present on the main surface of the substrate by bringing flame at a burning temperature equal to or higher than the softening point of the substrate into contact with the surface defect.例文帳に追加

対向する２つの主表面を有する基板からなるマスクブランク用基板の製造方法であって、前記基板の２つの主表面を研磨する工程と、前記基板の主表面に存在する表面欠陥に対して、前記基板の軟化点以上の燃焼温度の火炎を接触させて前記表面欠陥を修正する工程とを有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法である。 - 特許庁

A printing mask 1, with an opening 2 aligned to a printing region of a board to be printed, has a substrate member 3 in which the opening 2 is formed, and a spacer member 4 formed along the opening 2 on the plane of the substrate member 3 facing the board to be printed and is placed on the board to be printed via the spacer member 4.例文帳に追加

印刷用マスクは、開口部を有し、前記開口部を被印刷基板の印刷領域に位置決めして載置される印刷用マスクにおいて、上記開口部が形成されてなる基体部と、上記基体部の上記被印刷基板と対向する面に、上記開口部に沿って配設されたスペーサ部とを備え、上記スペーサ部を介して上記被印刷基板上に載置されることを特徴とするものである。 - 特許庁

The method of patterning a thin film includes a process for laminating a deposition film 30 on the thin film 20, a process for laminating a photo resist layer 40 on the deposition film, a process for patterning the photoresist layer by photolithography, and etching and patterning the deposition film by using the patterned photoresist layer, and a process for etching and patterning the thin film by using the patterned deposition film as a pattern mask.例文帳に追加

薄膜２０上に、蒸着膜３０を積層する工程と、 前記蒸着膜上に、フォトレジスト層４０を積層する工程と、 フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、 パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

"functional design" means any design applied to any article, whether for the pattern or the shape or the configuration thereof, or for any two or more of those purposes, and by whatever means it is applied, having features which are necessitated by the function which the article to which the design is applied, is to perform, and includes an integrated circuit topography, a mask work and a series of masks works;例文帳に追加

「機能的意匠」とは，物品に応用される意匠であって，その模様，形状若しくは輪郭の何れかに係るものであるか又はこれらの目的の2 以上に係るものであるかを問わず，かつ，如何なる方法によって応用されているかを問わず，当該意匠が応用される物品が果たす機能によって必要とされる特徴を有するものであり，集積回路の回路配置，マスクワーク及び連続マスクワークを含む。 - 特許庁

Since the upper electrode 15a is formed on the dielectric layer 14, the dielectric layer 14 can be patterned by using the upper electrode as a mask, impurities can be restrained from diffusing into the dielectric layer 14, and the dielectric layer 14 can be prevented from being exposed to etchant, developer or the like, thus providing the capacitor 10 that has the dielectric layer 14 of high quality.例文帳に追加

誘電体層１４上に上部電極１５ａが形成されることにより、この上部電極をマスクとして誘電体層１４をパターニングすることが可能となり、誘電体層１４内への不純物の拡散を抑制し、また、誘電体層１４がエッチング液、現像液等に曝される事態を防止し、高品質な誘電体層１４を備えるコンデンサ１０を提供することができる。 - 特許庁

An image accepting device of the image processing apparatus accepts images, a matrix generating device generates a matrix based on a function of assuring the minimum value in the geometrically isotropic and uniform point dispersion, and a noise adding device adds noise to the image accepted with the image accepting device by a periodical mask process using the matrix generated with the matrix generating device.例文帳に追加

画像処理装置の画像受付手段は、画像を受け付け、行列生成手段は、幾何的に等方的で均一的な点分散において最小値を取ることを保証する関数に基づいて、行列を生成し、雑音付加手段は、前記行列生成手段によって生成された行列を用いて周期的にマスク処理して前記画像受付手段によって受け付けられた画像に雑音を付加する。 - 特許庁

The apparatus is a projection exposure apparatus for scanning and exposing a substrate by moving a mask and a photosensitive substrate to illumination light, and it is provided with a means of detecting the illuminance of the illumination light, an illuminance controlling means of maintaining the detected illuminance of the illumination light at a commanded illuminance value, and an exposure amount controlling means of controlling the commanded illuminance value according to the exposure speed.例文帳に追加

本発明による露光装置は、照明光に対してマスクと感光基板とを移動することにより、基板を走査露光する投影露光装置であって、照明光照度を検出する手段と、検出した照明光照度を指令照度値に保つ照度制御手段と、露光速度に応じて指令照度値を制御する露光量制御手段とを備えることを特徴とする - 特許庁

The method of manufacturing the image sensor includes the steps of: forming an interlayer insulating film including pads on a semiconductor substrate having a plurality of unit pixels formed thereon; forming a color filter array on the interlayer insulating film; forming micro lenses on the color filter array; forming a capping film on the semiconductor substrate including the micro lenses; forming a pad mask on the capping film; and exposing the pads.例文帳に追加

複数の単位画素が形成された半導体基板上に、パッドを含む層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜上にカラーフィルタアレイを形成するステップと、カラーフィルタアレイ上にマイクロレンズを形成するステップと、マイクロレンズを含む半導体基板上にキャッピング膜を形成するステップと、キャッピング膜上にパッドマスクを形成するステップと、パッドを露出させるステップとを含むイメージセンサの製造方法とする。 - 特許庁

Upper electrodes 21a, 21b consisting of the polycrystalline silicon film 17 are formed via the insulating film 8 as a capacitance insulating film on the lower electrodes 11a, 11b to form capacitors 36a, 36b by forming the antireflection film and a photoresist pattern on the cap protection film, and sequentially performing dry etching of the cap protection film and the polycrystalline silicon film 17 using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

キャップ保護膜上に反射防止膜およびフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて反射防止膜、キャップ保護膜および多結晶シリコン膜１７を順次ドライエッチングすることで、下部電極１１ａ，１１ｂ上に容量絶縁膜としての絶縁膜８を介して多結晶シリコン膜１７からなる上部電極２１ａ，２１ｂを形成してキャパシタ３６ａ，３６ｂを形成する。 - 特許庁

A method for forming a pattern includes a step of forming a film which comprises a pattern forming material containing a copolymer having a polystyrene derivative and a polymethacrylate derivative containing silsesquioxane, a step of forming a microphase separation structure in the film, and a step of etching the substrate with a phase of a polymer chain containing the silsesquioxane as a mask and transferring a pattern of the microphase separation structure on the substrate.例文帳に追加

ポリスチレン誘導体とシルセスキオキサンを含むポリメタクリレート誘導体とを有するコポリマーを含有するパターン形成材料からなる膜を形成する工程と、前記膜中にミクロ相分離構造を形成する工程と、前記シルセスキオキサンを含むポリマー鎖の相をマスクとして前記基板をエッチングして前記基板にミクロ相分離構造のパターンを転写する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

The image capturing apparatus 22 includes a housing 24, a laser source 40 provided inside the housing 24 for emitting a laser beam, a first lens 44 provided inside the housing 24 for diverging the laser beam, a framing mask 46 for masking the laser beam diverged by the first lens 44 to form the laser viewfinder and a camera lens 26 provided in the housing 24 for capturing an image in the laser viewfinder.例文帳に追加

映像取り込み装置２２は、ハウジング２４と、ハウジング２４内に設けられてレーザービームを発射するレーザー光源４０と、ハウジング２４内に設けられてレーザービームを発散させる第一レンズ４４と、第一レンズ４４により発散したレーザービームを遮蔽してレーザービューファインダーを形成するフレームマスク４６と、ハウジング２４に設けられてレーザービューファインダー内にある映像を取り込むカメラレンズ２６とを含む。 - 特許庁

The method includes steps of: forming an organic antireflection film containing a photoacid generating agent on a film to be etched; heat treating the organic antireflection film at a predetermined temperature; forming a chemically amplified photoresist layer on the organic antireflection film; transferring a pattern on a mask by using a light source at a single wavelength onto the chemically amplified photoresist layer; and developing the chemically amplified photoresist layer.例文帳に追加

被エッチング膜上に、光酸発生剤を含む有機反射防止膜を形成する工程と、有機反射防止膜を所定温度で熱処理する工程と、有機反射防止膜上に化学増幅型フォトレジスト層を形成する工程と、化学増幅型フォトレジスト層に単一波長の光源を用いてマスク上のパターンを転写する工程と、化学増幅型フォトレジスト層を現像する工程とを有する。 - 特許庁

In an integrated circuit in which plural functional module are integrated, mask ROMs, in which operation disabled data for indicating whether respective operation functional modules are disabled fixedly, for at least one part of functional modules among plural modules is stored fixedly and which output operation disabling signal in accordance with operation disabled data, are integrated.例文帳に追加

複数の機能モジュールが集積されてなる集積回路において、それら複数の機能モジュールとともに、それら複数の機能モジュールのうちの少なくとも一部の機能モジュールについて、その機能モジュールそれぞれの動作を固定的に不能にするか否かを指示するための動作不能データを固定的に記憶してその動作不能データに応じた動作不能信号を出力するマスクＲＯＭが集積されている。 - 特許庁

In the manufacturing method of the active matrix substrate constituted by forming the pixel part containing the thin film transistor of LDD structure as a switch and the peripheral circuit part constituted by containing the thin film transistor on the substrate 1, the processes that ion implantation of low density is performed using a gate electrode 8 as a mask, and the gate electrode 8 is anode oxidized, and the ion implantation of further high density are provided.例文帳に追加

基板上に、スイッチとしての薄膜トランジスタを含む画素部と、薄膜トランジスタを含んで構成された周辺回路部とが形成されてなり、画素部の薄膜トランジスタはＬＤＤ構造を有するアクティブマトリクス基板の製造方法において、ゲート電極をマスクとして低濃度のイオン打ち込みを行い、ゲート電極を陽極酸化し、さらに高濃度のイオン打ち込む工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

The etching method includes a process to form a layer of Al or Al alloy on a surface of a substrate, a process to treat the surface of the layer of Al or Al alloy with TMAH, a process to form a resist pattern on the surface of the Al or Al alloy layer treated with TMAH, and a process to wet-etch the Al or Al alloy layer with the resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

下地表面上にＡｌまたはＡｌ合金の層を形成する工程と、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層の表面をＴＭＡＨで処理する工程と、前記ＴＭＡＨで処理したＡｌまたはＡｌ合金の層の表面上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層をウエットエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

The interrupt control circuit 120 for controlling a plurality of interrupt requests in relation to the interrupt processing executed by a processor 110 comprises an interrupt control module unit 150, which is a detection means for determining whether or not there is an interrupt request masked by interrupt processing while executing the interrupt processing, and a priority mask flag 140 for indicating whether or not there is an interrupt request.例文帳に追加

プロセッサ１１０で実行される割り込み処理に関して複数の割り込み要求を制御する割り込み制御回路であって、割り込み処理の実行中に、該割り込み処理によりマスクされている割り込み要求の有無を検出する検出手段である割り込み制御モジュールユニット１５０と、前記割り込み要求の有無を示す優先度マスクフラグ１４０を備えた割り込み制御回路１２０である。 - 特許庁

To provide a technique which increases a speed of write/read of an element and improves a fresh characteristic of the element by designing the semiconductor element so as to form a recess channel area and a fin type channel area on its lower portion, especially, utilizing an island type recess gate mask exposing a predetermined active area and an element separating structure adjacent to it, concerning a semiconductor element and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体素子及びその製造方法に関し、特に所定の活性領域とこれと隣接した素子分離構造を露出するアイランド型リセスゲートマスクを利用してリセスチャンネル領域とその下部にフィン型チャンネル領域を形成するよう半導体素子を設計することにより、素子の書込み及び読取り速度を向上させることができ、素子のリフレッシュ特性を改善することができる技術を提供する。 - 特許庁

A sintered body 19 having dielectric strips 6 and 7 and wind parts 8 and 9 is obtained by forming resist material 13 with an opening 16 formed thereon on the outer surface of a green compact 14 provided with an elimination suppression layer 15, eliminating the prescribed part of the compact 14 with the material 13 as a mask by a sand blasting method until the layer 15 is exposed and firing and obtained structure 18.例文帳に追加

除去抑制層１５が設けられたグリーン成形体１４の外表面上に、開口１６が形成されたレジスト材１３を形成し、レジスト材１３をマスクとして、サンドブラスト法によって、除去抑制層１５が露出するまで、グリーン成形体１４の所定部分を除去し、得られた構造物１８を焼成して、誘電体ストリップ６，７およびウイング部８，９を有する焼結体１９を得る。 - 特許庁

In the exposure mask M to be used for an exposure apparatus S, a plurality of pattern blocks comprising a pair of a light blocking pattern to block light emitting from the exposure apparatus S and a transmissive pattern to transmit the light are continuously arranged in such a manner that the pitch of the continuous pattern blocks is constant while a ratio of the light blocking pattern to the transmissive pattern is gradually varied.例文帳に追加

本発明は、露光装置Ｓで用いられ露光用のマスクＭにおいて、露光装置Ｓから出射される光を遮断する遮光パターンと、この光を透過する透過パターンとの対から構成されるパターンブロックが複数連続して配置されているとともに、その連続するパターンブロックのピッチが一定で、しかも遮光パターンと透過パターンとの比率が徐々に変化するよう設けられている。 - 特許庁

To provide a low-cost and plane cathode ray tube device having a flattened cathode-ray tube realized by using a deflection corrector consisting of a panel with a flat outer face, a shadow mask having a smaller radius of curvature and two sets of quadrupole coils, allowing a high-definition color image to be reproduced by providing a static convergence adjusting magnet assembly on the outer periphery of the first quadrupole coil.例文帳に追加

陰極線管の平面化を外面が平面のパネルと小さな曲率半径を有するシャドウマスクと２組の４重極コイルからなる偏向補正装置を用いて実現するカラー陰極線管装置において、第１の４重極コイルの外周部にスタテックコンバーゼンス調整用マグネット組立を設けることにより、高品位なカラー画像を再生できる低価格な平面陰極線管装置を提供する。 - 特許庁