「Mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(533ページ目) - Weblio英語例文検索

Silicon carbide semiconductor devices and methods of fabricating silicon carbide semiconductor devices are provided by successively etching a mask layer to provide windows for formation of a source region of a first conductivity type, a buried silicon carbide region of a second conductivity type opposite to the first conductivity type and a second conductivity type well region in a first conductivity type silicon carbide layer.例文帳に追加

炭化珪素半導体デバイスおよび炭化珪素半導体デバイスの製造方法が、第１の伝導型炭化珪素層の中に、第１の伝導型のソース領域、この第１の伝導型と反対の第２の伝導型の埋込み炭化珪素領域、および第２の伝導型のウェル領域を形成するための窓を設けるためにマスク層を引き続いてエッチングすることによって提供される。 - 特許庁

The method for producing the mask blank includes steps of dropping a resist solution 13 containing a resist material and a solvent onto a square substrate 2, rotating the substrate 2 to spread the dropped resist solution 13 over the substrate 2, and drying the resist solution 13 on the substrate 2 to form a resist coating film composed with the resist material on the substrate 2.例文帳に追加

四角形状の基板２上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液１３を滴下し、前記基板２を回転させ、滴下されたレジスト液１３を前記基板２上に広げるとともに、前記基板２上のレジスト液１３を乾燥させて、前記基板２上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法である。 - 特許庁

A defect repairing device for electronic components includes an ultrashort pulse laser light emitting device which suitably adjusts and emits ultrashort pulse laser light, a flexible mask pattern generator that forms the ultrashort pulse laser light emitted by the ultrashort pulse laser light emitting device into a prescribed shape, an optical system which converges the ultrashort pulse laser light, and a first stage where an electronic component to be repaired is mounted and positioned.例文帳に追加

超短パルスレーザーを適宜調整して発生する超短パルスレーザー発生装置と、前記超短パルスレーザー発生装置から照射された超短パルスレーザーを所定の形状に成形するフレキシブル・マスク・パターン・ジェネレーターと、該超短パルスレーザーを集光する光学系と、修復すべき電子部品を載置して位置決めする第１のステージとを含む電子部品の欠陥修復装置。 - 特許庁

The reflection type mask blank includes: a substrate; a reflection film formed on the substrate to reflect exposed light; an absorber formed on the reflection film to absorb the exposed light; and a reflection prevention film formed on the absorber for preventing the reflection of inspection light and composed of a lower oxide of which the number of oxygen atoms is smaller than a stoichiometric composition ratio.例文帳に追加

基板と、基板上に形成された露光光を反射する反射膜と、露光光を吸収し、反射膜上に形成された吸収体と、吸収体上に形成され、検査光の反射を防止する、酸素原子数が化学量論組成比よりも少ない低級酸化物からなる反射防止膜と、を備えることを特徴とする反射型マスクブランクス。 - 特許庁

The method comprises the steps of providing a mold plate, patterning a set of rings arrayed across the mold plate, opening spaces between the rings so that the rings become an in-situ mask on the mold plate, directing an optical polymer into the spaces between the rings, polymerizing the optical polymer to form an array of ring lenses, and transferring the array of ring lenses to a substrate.例文帳に追加

本方法は、型板を設ける工程と、型板に配列されたリングのセットをパターニングする工程と、リング間に、該リングが上記型板上で原位置マスクとなるようにスペースを開ける工程と、上記リング間のスペースにオプティカル・ポリマを向ける工程と、オプティカル・ポリマを重合させてリング・レンズのアレイを形成する工程と、リング・レンズのアレイを基板へ移送する工程とを含む。 - 特許庁

The beautification method includes: a step of applying creamy cosmetics containing 20-30% oil to the jaw and/or the cheek; a step of massaging the jaw and/or the cheek to which the creamy cosmetics are applied; and a step of lifting up the jaw and the cheek, after the massaging, by using a mask 10 that is made of a nonwoven fabric with stretchability as a base material and that has ear loops 12.例文帳に追加

顎及び／又は頬に20％以上30％以下の油分を含むクリーム状美容料を塗布するステップと、このクリーム状美容料が塗布された顎及び／又は頬に対してマッサージを行うステップと、マッサージの施術後に伸縮性を有する不織布を基材とし耳掛け部１２を有するマスク１０を用いて顎及び頬をリフトアップさせるステップとを有する。 - 特許庁

The dither mask 61 is generated by determining a storage element in which a plurality of threshold values should be stored by using a total evaluation value CE on condition that a dot to be formed by the preceding head PH and a dot to be formed by the following head FH are permitted to be formed on the same dot formation position in the overlap region ORA of the preceding head PH and the following head FH.例文帳に追加

先行ヘッドＰＨと後行ヘッドＦＨとのオーバーラップ領域ＯＲＡにおいて、先行ヘッドＰＨで形成されるドットと、後行ヘッドＦＨで形成されるドットとが同一のドット形成位置に形成されることを許容した条件で、総合評価値ＣＥを用いて複数の閾値を格納すべき格納要素を決定して、ディザマスク６１を生成する。 - 特許庁

A main controller 70 determines focus positions of respective image capturing devices when detecting the position of the alignment mark of the mask and the position of the alignment mark of the underlying pattern on the substrate based upon variation in the image recognition rate, the sharpness value and the contrast value preliminarily detected by the image processing device 50 while moving the focus positions of respective image capturing devices by a focus position moving mechanism.例文帳に追加

主制御装置７０は、予め、焦点位置移動機構により各画像取得装置の焦点位置を移動しながら、画像処理装置５０により検出された画像認識率、シャープネス値、及びコントラスト値の変化に基づいて、マスクのアライメントマークの位置又は基板の下地パターンのアライメントマークの位置を検出する際の各画像取得装置の焦点位置を決定する。 - 特許庁

The sputtering metal mask is a plate material made of metal which includes penetrated aperture parts having nearly rectangular and similar aperture shapes and which has an overhanging part formed by a wall of the aperture part at an end of the aperture part of a plane having the aperture shape having the smaller similitude ratio, wherein a plane having the aperture shape having the larger similitude ratio is on the side in contact with a material to be sputtered.例文帳に追加

略方形で相似形の開口形状を有する貫通した開口部を備え、相似比が小さい方の開口形状を有する平面の開口部縁に、前記開口部の壁が張り出し部を形成している金属製板材で、相似比の大きな方の開口形状を有する平面が、被スパッタ材と接する側であることを特徴とするスパッタ用メタルマスク。 - 特許庁

The photomask is to be used for transferring a predetermined transfer pattern including a line-and-space pattern onto a resist film formed on a process object to be etched to obtain a resist pattern in the resist film, which functions as a mask in the etching process, wherein the line pattern of the line-and-space pattern formed on a transparent substrate comprises a translucent portion while the space pattern comprises a light-transmitting portion.例文帳に追加

エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクにおいて、透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンを半透光部で設け、スペースパターンを透光部で設ける。 - 特許庁

To provide a negative resist material, in particular a chemical amplitude negative resist material, which has a high contrast of alkali dissolution rate before and after light exposure, has a high resolution at high sensitivity and small line edge roughness and is especially suitable as a fine pattern forming material in manufacturing a super LSI or in manufacturing a photo mask pattern material and to provide a pattern formation method and a photomask blank using the negative resist material.例文帳に追加

露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さい、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクパターン作製における微細パターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、これを用いたパターン形成方法及びフォトマスクブランクを提供する。 - 特許庁

The control device 200 removes some of the plurality of fine adhesive particles provided on the exfoliation sheet 20, by holding it with the manipulator; the manipulator holding the fine adhesive particle is moved to a position of foreign matter, and the foreign matter is stuck to the adhesive particles and removed from the mask 116; and the fine adhesive particles to which the foreign matters are stuck is stuck to the adhesive member 22 and is transferred.例文帳に追加

制御装置２００は、剥離シート２０に設けられた複数の微小吸着粒子のいずれか一つをマニピュレータで保持して離脱させ、微小吸着粒子を保持したマニピュレータを異物の位置へ移動し、異物を粘着性粒子に付着させてマスク１１６から除去し、異物が付着した微小吸着粒子を粘着部材２２に付着させて移送する。 - 特許庁

Then, electrodes 8a, 8b are formed so as to get on the semi-buried insulation film 5 and the STI7, respectively, and the impurity is implanted to the imaging region A by using the electrode 8a and the semi-buried insulation film 5 as a mask, thus forming an n-type region 3 constituting a photodiode in a region in contact with the p-type region 4 in the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

次に、半埋込絶縁膜５及びＳＴＩ７にそれぞれ乗り上げるように電極８ａ及び８ｂを形成し、電極８ａ及び半埋込絶縁膜５をマスクとして撮像領域Ａに不純物を注入することにより、半導体基板２におけるｐ型領域４に接する領域に、フォトダイオードを構成するｎ型領域３を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate holder for plating, the power feed surface of which is formed to have a plane contact system for feeding power through a plate-like planar part so that even a thin substrate can be nipped firmly, and in which mask rubber is arranged around the power feed surface so that deposition is decreased sharply on the power feed surface and the service life of the substrate holder can be prolonged drastically.例文帳に追加

本発明は、給電面を、板状の平面部を使って給電を行う面接点方式とすることにより、薄い基板でもしっかりと挟めるものとすると共に、給電面の廻りにマスクゴムを配置することにより、給電面での析出を激減させ、治具自体の寿命を飛躍的に延ばすことのできるメッキ用基板保持具を提供するものである。 - 特許庁

The stencil mask blank is provided with a supporting substrate 13 composed of a single crystal silicon wafer, an active layer 11 for preparing a transfer pattern, an intermediate insulation layer formed between the supporting substrate and the active layer, and an amorphous silicon layer 111 formed at the other side of the supporting substrate while an opening unit corresponding to the transfer pattern is prepared in the amorphous silicon layer, the supporting substrate, and the intermediate insulation layer.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 - 特許庁

The method for manufacturing organic electroluminescence element provides an advantage that when forming the organic film layer pattern with LITI, the method for manufacturing organic electroluminescence element can adjust incident light having various modes with homogeneity by using the space light modulator, can produce the laser beam having a predetermined mode profile, and can form the organic film layer pattern without using a mask.例文帳に追加

ＬＩＴＩを用いて有機膜層パターンを形成するにおいて、空間光変調器を用いることで、多様な形態を持つ入射光を均質に調節することができ、所望の形態のプロファイルを持つレーザービームを形成することができ、マスクを使わなくても、有機膜層パターンを形成することのできる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供するという利点がある。 - 特許庁

The photomask has a photomask substrate, a mask pattern formed on the photomask substrate and containing at least one first pattern 11, a plurality of second patterns 12 arranged in a higher density than at least one first pattern, and a connecting part 13 connecting one end of at least one first pattern and each one end of the plurality of second patterns.例文帳に追加

このフォトマスクは、フォトマスク基板と、該フォトマスク基板上に形成されたマスクパターンであって、少なくとも１つの第１のパターン１１と、該少なくとも１つの第１のパターンよりも高い密度で配置された複数の第２のパターン１２と、該少なくとも１つの第１のパターンの一端と該複数の第２のパターンの各々の一端とを接続する接続部１３とを含むマスクパターンとを有する。 - 特許庁

A solid state imaging device of single layer electrode structure having a planar surface is fabricated by forming an interelectrode insulating film 6 on the sidewall of a first electrode 3 and then etching back a second electrode 7 using mask patterns 4 and 5 for forming the pattern of the first electrode as an etching stopper.例文帳に追加

単層電極構造の固体撮像素子を形成するに際し、第１の電極３の側壁に電極間絶縁膜６を形成したのち、第１の電極のパターンを形成するためのマスクパターン４，５をエッチングストッパとして第２の電極７をエッチバックするようにし、平坦な表面をもつ単層電極構造の固体撮像素子を形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the change in a width of a line of a connecting part of a transferred pattern and effectively connecting a plurality of divided patterns in the case of forming the pattern of the semiconductor device, by transferring to a resist coating the wafer by using an electron beam exposure device by forming a plurality of the divided patterns on the mask.例文帳に追加

分割された複数のパターンをそれぞれのマスク上に形成し、ウエハ上に塗布したレジストに電子線露光装置を用いて転写して半導体装置のパターンを形成する際に、転写されたパターンの接続部の線幅変化を小さくし、かつ、分割された複数のパターンを確実に接続できるような半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method for patterned member which has a patterned insulating member on the substrate is characterized in that it is provided with a process of forming a precursor pattern of the insulating member by performing development after exposing photosensitive paste applied onto the substrate a plurality of times through a mask having a specified pattern and a process of baking the precursor pattern.例文帳に追加

基板上に、パターニングされた絶縁部材を備える部材パターンの製造方法であって、基板上に付与された感光性ペーストを、所定パターンのマスクを介して複数回露光した後、現像して、前記絶縁部材の前駆体パターンを形成する工程と、前記前駆体パターンを焼成する工程と、を備えることを特徴とする部材パターンの製造方法。 - 特許庁

To obtain a modified epoxy resin capable to satisfy a characteristic feature required to form a permanent mask on a film form base material like an FPC (flexible printed circuit) cover lay, particularly simultaneously and fully satisfying photosensitivity, resolution rate, a film forming property, a solder heat resistance, plating resistance and flexibility, a process for its preparation and a photosensitive resin composition.例文帳に追加

ＦＰＣのカバーレイのようなフィルム状の基材上に形成される永久マスクとして要求される特性（特に、光感度、解像度、塗膜性、はんだ耐熱性、耐めっき性、及び可撓性）を同時に十分満足することのできる感光性樹脂組成物を調製できる変性エポキシ樹脂、その製造方法及びその感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide various substrates having good flatness and surface roughness in a high-precision area with the material of itself without providing a coated layer and the like, preferably a substrate for a liquid crystal display, a substrate for an electronic device such as a semiconductor wafer and information recording substrate, and further preferably, a mask substrate for EUV lithography; and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

被覆層等を設けることなくそれ自身の材料のみで、高精度領域における良好な平面度と表面粗さを兼ね備えた各種基板、好ましくは、液晶ディスプレイ用基板、半導体ウエハーまたは情報記録媒体用基板等の電子デバイス用基板、より好ましくはＥＵＶリソグラフィー用マスク基板、およびそれらの製造方法を提供することである。 - 特許庁

The method comprises processes of: forming a clad layer 12 on a substrate 11; forming in the clad layer 12 a mask 13 corresponding to the core pattern of the optical waveguide and forming a groove 14 for imbedding the core therein; forming the core 15 in the groove 14 through selective epitaxial growth; and forming an upper clad 16 on the core 15 through the selective epitaxial growth.例文帳に追加

基板１１上に、クラッド層１２を形成する工程と、クラッド層１２に光導波路のコアのパターンに応じたマスク１３を形成し、コアを埋め込むための溝１４を形成する工程と、選択エピタキシャル成長により溝１４にコア１５を形成する工程と、選択エピタキシャル成長によりコア１５の上に上部クラッド１６を形成する工程とを備えた。 - 特許庁

A mask 18 having an arbitrary pattern shape provided for forming the track guide separation area in the magnetic film 14 is formed on the magnetic film 14, and the track guide separation area 19 is formed by irradiating a surface of the magnetic film with ions 15 and electrons 16 and applying an intermittent voltage to the substrate 11, thereby non-magnetizing the area irradiated.例文帳に追加

磁性膜１４中にトラックガイド分離域を形成するために設けられた任意のパターン形状をしたマスク１８を磁性膜１４上に形成し、イオン１５と電子１６を磁性膜表面に対して照射し、かつ、基板１１に対して間欠的な電圧を印加することによって、照射された領域を非磁性化することでトラックガイド分離域１９を形成する。 - 特許庁

To improve defects of hay fever suppressor, a mask for pollen and air refresher which use pollen, or pollen composition of Bacillus natto and Bacillus cells having imperfectly fermented straws as the carrier, which are conventionally understood as hay fever suppressors, but as they use straws as the carrier and has reduced freedom of processability, hard to deal with the various lifestyles of patients of hay fever.例文帳に追加

従来、花粉症を抑制するものとした、不完全醗酵の藁を担体とする納豆菌（Ｂｕｃｉｌｌｕｓ ｎａｔｔｏ）及びバチルス属菌の胞子、もしくは胞子組成物を用いた花粉症抑制剤、花粉マスク、並びに芳香剤は、藁を担体とする故に、加工の自由度が小さく、従って花粉症患者の多様な生活様式に対応することが難しいと云える。 - 特許庁

To provide a resistor capable of eliminating a dimensional classification of each substrate sliced to a piece and a mask exchange process conventionally required depending on each dimensional rank of the substrate sliced, facilitating drawing out a taping from a storage at the time of mounting thereof, and securing an insulating distance between adjacent resistors even if they are mounted at a narrow pitch.例文帳に追加

個片状基板の寸法分類が不要となって、従来のような個片状基板の寸法ランクに応じてマスクを交換するという工程をなくすることができ、かつ実装時におけるテーピングの収納部からの取り出しも容易に行え、しかも狭ピッチで実装した場合においても、隣り合う抵抗器間の絶縁距離を確保できる抵抗器を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The one substrate 2 is manufactured by forming transparent electrodes 11 for forming the color filters on one surface 10a of a plastic substrate 10 having translucency, then forming the color filters 12 by an electrodeposition method using these electrodes 11 and patterning and forming transparent electrodes 13 for display by a photolithography method on the other substrate 10b of the substrate 10 with the formed color filters 12 as a mask.例文帳に追加

一方基板２は、透光性を有するプラスチック基板１０の一方表面１０ａにカラーフィルタ形成用透明電極１１を形成した後、該電極１１を用いて電着法によってカラーフィルタ１２を形成し、形成したカラーフィルタ１２をマスクとして基板１０の他方表面１０ｂにフォトリソグラフィ法によって表示用透明電極１３をパターン形成して作製される。 - 特許庁

In this method for producing a liquid crystal display device which holds a liquid crystal composition 300 between an array substrate 100 and a counter substrate 200, a colored photoresist is disposed on the array substrate 100 and is exposed with illuminance of ≥200 mW/cm2 via a mask, the exposed colored photoresist is developed and a columnar spacer 180 of a prescribed pattern is formed.例文帳に追加

アレイ基板１００と対向基板２００との間に液晶組成物３００を挟持した液晶表示装置の製造方法において、アレイ基板１００上に着色されたフォトレジストを設け、マスクを介して着色フォトレジストを２００ｍＷ／ｃｍ^２以上の照度で露光し、露光された着色フォトレジストを現像することにより、所定のパターンの柱状スペーサ１８０を形成する。 - 特許庁

The exposure mask comprises a substrate 100 having a transmitting property for exposure light and a light shielding layer 101 disposed in contact on the substrate and having a light shielding region 102 and a transmissive region 103, wherein the transmissive region 103 comprises a porous structure having a plurality of pores 104 perpendicular to the substrate 100.例文帳に追加

露光光に対して透過性を有する基体１００と、該基体上に接して配置された遮光性領域１０２と透過性領域１０３とを備える遮光層１０１と、を有する露光マスクであって、該遮光層の透過性領域１０３は、該基体１００に対して垂直な複数の細孔１０４を有するポーラス構造であることを特徴とする露光マスク。 - 特許庁

To provide a cosmetic composition affording especially a skin cleansing preparation, particularly a form of peel-off mask intended for care of the face and/or the neck, in particular designed to cleanse the skin to the depth through removing dead cells in the skin surface stratum corneum or removing fatty matter (e.g. sebum) existing in excess on the skin surface.例文帳に追加

特に皮膚クレンジング製品、特に顔及び／又は首のケアを意図したピールオフマスクの形態のもの、を構成することができる化粧品組成物、特に、表面角質層の死細胞を除去することによって又は皮膚表面に過剰に存在する脂肪物質（例えば皮脂）を除去することによって、皮膚深くまでクレンジングするための化粧品組成物を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, a first switch circuit which outputs the external clock input to the first group during testing and outputs the second clock to the first group during normal operation, and a first mask circuit which interrupts the outputting to the second group when the second group is not operated by the external clock input during testing and outputs the third clock to the second group during normal operation, are provided.例文帳に追加

さらに、試験時には外部クロック入力を第１の群に出力し、通常の使用時には第２のクロックを第１の群に出力する第１のスイッチ回路と、試験時において外部クロック入力で第２の群が動作しない場合には第２の群への出力を遮断し、通常の使用時には第３のクロックを第２の群に出力する第１のマスク回路とを設ける。 - 特許庁

Light entering each lens part 23b is individually regulated by the light shielding mask 24 to prohibit other lens part 23b to irradiate light on an area where the light irradiated on the irradiation surface 50 by a reference lens part 23b located in a central part is not superimposed when the fly eye lens 23 irradiates incident light on an irradiation surface 50 at a set distance C.例文帳に追加

この遮光マスク２４によって、フライアイレンズ２３が入射光を設定距離Ｃ離れた照射面５０に照射する場合に、中心部に位置する基準レンズ部２３ｂが照射面５０に照射する光と重畳しない領域に他のレンズ部２３ｂが光を照射することを禁止するよう各レンズ部２３ｂに入射する光を個別に制限する。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display device comprises: a process of forming an electrode layer 120a for pixel electrode on a first substrate 100; a process of forming a prescribed alignment layer pattern 500 on the electrode layer 120a for pixel electrode; and a process of patterning the electrode layer 120a for pixel electrode by using the alignment layer pattern 500 as a mask and forming a pixel electrode pattern 120.例文帳に追加

第１基板１００上に画素電極用電極層１２０ａを形成する工程と、画素電極用電極層１２０ａ上に所定の配向膜パターン５００を形成する工程と、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する工程と、を含んで液晶表示素子の製造方法を構成する。 - 特許庁

When the SiCO film is used as the hard mask, a method includes: exposing the CF film for about 5-10 seconds in a plasma atmosphere activated with an organic compound of silicon, for example, trimethyl silane gas; next, adding nitrogen plasma to this plasma and depositing the SiCN film on the fluorine-added carbon film; and thereafter, depositing the SiCO film by the plasma activating trimethyl silane gas and oxygen gas.例文帳に追加

ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。 - 特許庁

The method consists of a step 120 obtaining data representing the pattern, a step 122 defining a plurality of distinct zones based on the critical dimensions of the plurality of features, a step 124 categorizing each of the features into one of the plurality of distinct zones and steps 126,128,130 modifying the mask pattern for each feature categorized into a predefined distinct zone of the plurality of distinct zones.例文帳に追加

該方法は、パターンを示すデータを取得するステップ１２０と、複数のフィーチャの臨界寸法に基づいて複数のゾーン区分を定義するステップ１２２と、区分された複数のゾーンの１つに各フィーチャを分類するステップ１２４と、複数区分ゾーンの予め定義されたゾーンに分類がなされたフィーチャごとにマスクパターンを修正するステップ１２６，１２８，１３０とから成る。 - 特許庁

By using a photomask or a reticle formed with an auxiliary pattern having a light intensity reduction function formed of a diffraction grating pattern or a translucent film, the width of a region with a small thickness of a gate electrode can be freely set, and the widths of two LDD regions capable of being formed in a self-aligned manner with the gate electrode as a mask can be different in accordance with the each circuit.例文帳に追加

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることによって、ゲート電極の膜厚の薄い領域の幅を自由に設定でき、そのゲート電極をマスクとして自己整合的に形成できる２つのＬＤＤ領域の幅を個々の回路に応じて異ならせることができる。 - 特許庁

Using a photoresist film 3e, which is a mask for etching/ removing a gate insulating film 7a in a formation region of a relatively thin gate insulating film, an impurity for adjusting the threshold voltage of an n- channel type field effect transistor and p-channel type field effect transistor having a relatively thin gate insulating film, is introduced in batch in a semiconductor substrate 1 exposed there.例文帳に追加

相対的に薄いゲート絶縁膜の形成領域におけるゲート絶縁膜７ａをエッチング除去するためのマスクであるフォトレジスト膜３ｅを用いて、そこから露出する半導体基板１に相対的に薄いゲート絶縁膜を持つｎチャネル型電界効果トランジスタおよびｐチャネル型電界効果トランジスタのしきい値電圧調整用の不純物を一括して導入する。 - 特許庁

In applying smoothing processing to the object image in order to eliminate noise from the object image (an image or the like obtained by radiant ray photographing), a coefficient generating means 113 generates a coefficient (mask size or the like) used for the smoothing processing based on an external input (parameters denoting a noise elimination range and its strength inputted by a user depending on a displayed object image or the like).例文帳に追加

対象画像（放射線撮影により得られた画像等）からノイズを除去するために、対象画像への平滑化処理を行う際に、係数生成手段１１３は、外部入力（ユーザが、表示された対象画像に応じて入力したノイズ除去範囲及びその強度を示すパラメータ等）に基づいて、平滑化処理に用いる係数（マスクサイズ等）を生成する。 - 特許庁

In a halation determination circuit 22, a brightness signal (signal U) from a mask processing circuit 40 is input in an integral circuit 19 and nonlinear correction circuit 21 respectively and then, respective levels of an integral result (signal E) integrated by the integral circuit 19 and a correction result (signal D) nonlinearly corrected by the nonlinear correction circuit 21 are compared to each other by a comparator circuit 20.例文帳に追加

この場合、ハレーション判別回路２２では、マスク処理回路４０からの輝度値（信号Ｕ）が積分回路１９と非線形補正回路２１とに各々入力され、その後、積分回路１９により積分された積分結果（信号Ｅ）と、非線形補正回路２１により非線形補正処理された補正処理結果（信号Ｄ）との各レベルが前記比較回路２０にて比較される。 - 特許庁

The plurality of imaging means simultaneously perform exposure, and the sensor driving signal generating means performs mask control of a driving signal to make output timing of imaging data from the imaging means different to thereby enable the camera signal processing means, it is possible for the number of which is smaller than the number of the imaging means to perform camera signal processing of video data outputted by the plurality of imaging means.例文帳に追加

複数の撮像手段が同時に露光を行い、センサ駆動信号発生手段が駆動信号のマスク制御を行い撮像手段からの撮像データの出力タイミングを異ならせることにより、複数の撮像手段が出力する映像データを撮像手段より少ない数のカメラ信号処理手段でカメラ信号処理を行うことを可能とする。 - 特許庁

The resist material containing the nitrogen-containing organic compound provides high resolution and satisfactory mask coverage dependency, is useful in microfabrication using an electron beam or far-ultraviolet radiation, and is suitable for use as a fine pattern forming material for VLSI production.例文帳に追加

（Ｒ^1は両端で結合する窒素原子と共に含窒素へテロ脂肪族環又は含窒素ヘテロ芳香族環を形成する炭素数２〜２０の２価の置換基を表し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はハロゲン原子を含んでもよい。Ｒ^2は炭素数２〜１０のカルボニル基を含んでもよいアルキレン基。Ｒ^3は炭素数２２〜５０の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基又はアシル基。） - 特許庁

The low oxygen gas generator has an oxygen separator 2 which separates high concentration oxygen gas from air by employing a pressure fluctuation gas separation method and discharges low concentration oxygen gas, and a compressor 3 which supplies air to the oxygen separator 2, supplying the low concentration oxygen gas discharged from the oxygen separator 2 to a chamber 1 or a low oxygen mask 8.例文帳に追加

本発明に係る低酸素気体の発生装置は、圧力変動ガス分離法を採用して空気から高濃度酸素気体を分離すると共に低濃度酸素気体を排気する酸素分離装置２と、酸素分離装置２に空気を供給するコンプレッサー３とを有し、酸素分離装置２から排気された低濃度酸素気体を室１又は低酸素マスク８に供給し得るように構成する。 - 特許庁

The radio receiver in a radio communication system having a transmission diversity measures a reception information level inherent to symbol by antenna of transmission from the radio transmitter, estimates the number of transmission antennas from the reception information level, performs demodulation of the estimated number of transmission antennas preferentially, performs a CRC test by using a CRC mask pattern, and detects the number of transmission antennas.例文帳に追加

送信ダイバーシティを有する無線通信システムにおける無線受信装置は、無線送信装置からの送信の送信アンテナ毎の固有シンボルごとの受信情報レベルを測定し、その受信情報レベルから送信アンテナ数を推定し、推定された送信アンテナ数に対する復調を優先的に行い、ＣＲＣマスクパターンを使ってＣＲＣ検査を行い、送信アンテナ数を検出する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor which can manufacture a high quality of nitride-based compound semiconductor by forming a nitride-based compound semiconductor layer having a flat surface and fewer dislocations without using a mask material, and which can enhance characteristics of a nitride-based compound semiconductor device formed on the flat surface of the semiconductor.例文帳に追加

マスク材料を用いることなしに、表面が平坦で低転位な窒化物系化合物半導体層を形成可能とすることによって高品質な窒化物系化合物半導体を製造することができ、その平坦な表面上に形成される窒化物系化合物半導体デバイスの特性を向上させることができる窒化物系化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin plate-shaped mask 10 having openings for passing a vapor deposition material corresponding to a pattern of a vapor deposition film to be formed on the substrate has a plurality of openings 12a formed along a prescribed direction, and crosspieces 15 formed along a prescribed direction on a plane opposite to the plane facing the substrate.例文帳に追加

被処理基板上に蒸着成膜するパターンに対応して、蒸着材料を通過させるための開口部を設けた薄板状のマスク１０であって、一定の方向に沿って開口された複数の開口部１２ａと、被処理基板と対向する一方の面の反対側となる他方の面に一定の方向に沿って設けられた桟部１５とを有することを特徴とする。 - 特許庁