「Mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(534ページ目) - Weblio英語例文検索

The deteriorated character image generation program and method include steps of: rendering a character image onto a background plane; parallel moving and rotating the background plane according to the various parameters, determining the projection region of the character image on the image plane according to the various parameters; generating a pixel region mask; and generating the final deteriorated character image by super sampling.例文帳に追加

劣化文字画像生成プログラムおよび方法は、背景平面上に文字画像をレンダリングし、背景平面を種々のパラメータに従って平行移動および回転し、文字画像の投影領域を種々のパラメータに従って画像平面上に決定し、画素領域マスクを生成し、およびスーパーサンプリングにより最終劣化文字画像を生成する諸ステップを備える。 - 特許庁

Providing a valley-shape part 21 to a root base direction of an electrode terminal of the electronic component at an opening part 2 of the metal mask 1 suppresses the flow of the melted solder to the region on an electrode pad without the solder print formed by the valley-shape part 21 at the time of soldering to prevent the occurrence of the solder ball.例文帳に追加

メタルマスク１の開口部２において、電子部品の電極端子の付け根方向に谷形形状部２１を設けることにより、半田付けの際、溶けた半田が、谷形形状部２１により形成された半田印刷の無い電極パッド上の領域に広がることにより、半田が電極パッドの外へ流出することが抑えられ、ハンダボールの発生を防止することができる。 - 特許庁

The device is constituted with an ODC 120 to capture the timing of variation in signal amplitude of a tracking error signal or a focus error signal as processing start timing for request for data recording or data readout, and a holder timing signal output circuit 125 to output a mask signal to hold tracking control of focus control at timing before and after the signal amplitude changes.例文帳に追加

トラッキングエラー信号またはフォーカスエラー信号の信号振幅の変動タイミングをデータの記録要求またはデータの読み出し要求に対する処理開始タイミングとして捉えるＯＤＣ１２０と、信号振幅が変動する前後のタイミングでトラッキング制御またはフォーカス制御をホールドさせるマスク信号を出力するホールドタイミング信号出力回路１２５を備える。 - 特許庁

After a first metal film and a first silicone oxide film are successively deposited on an insulating film 101 on a semiconductor substrate 100, a first inter-layer insulating film 103A composed of the first silicon oxide film and having an opening part and first metal wiring 102A composed of the first metal film, are formed by etching with a first resist pattern 104 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１００上の絶縁膜１０１の上に、第１の金属膜及び第１のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第１のレジストパターン１０４をマスクとしてエッチングを行なって、第１のシリコン酸化膜からなり開口部を有する第１の層間絶縁膜１０３Ａ及び第１の金属膜からなる第１の金属配線１０２Ａを形成する。 - 特許庁

The simulation apparatus is equipped with a dividing means 1 of dividing the layout of a photomask (mask layout) into a plurality of regions; an average calculating means 2 for the light intensity for calculating the average of the light intensity in each region; a smoothing means 3 for smoothing the calculated average; and a multiplying means 4 for multiplying the smoothed average by a specified multiple.例文帳に追加

本発明のシミュレーション装置は、フォトマスクのレイアウト（マスクレイアウト）を複数の領域に分割する分割手段１と、各領域内の光強度の平均値を算出する光強度平均値算出手段２と、算出された平均値に平滑化処理を施す平滑化手段３と、平滑化処理された平均値に一定の乗数を掛ける乗算手段４とを有して構成される。 - 特許庁

This surface unevenness forming method includes a process for forming an energy-sensitive negative resin composite layer containing at least one or more kinds of polymarizable monomers or oligomers, a process for irradiating activated energy rays at least once or more via a mask with the pattern formed or a process for directly plotting the pattern and a process for performing afterbaking without performing an etching operation.例文帳に追加

少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上照射する工程またはパターンを直接描画する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。 - 特許庁

The aligner for transferring a mask pattern to an wafer coated with resist comprises means for setting a light exposure based on the intensity of X-rays passed through a filter and the intensity of X-rays not passed through a filter wherein the filter is made of such a material as not causing chemical reaction in the exposure wavelength region of X-rays.例文帳に追加

本発明の露光装置は、レジストを塗布したウエハーにマスクパターンを転写する露光装置において、フィルターを透過したＸ線の強度とフィルターを介さないＸ線の強度に基づいて露光量を設定する手段を備え、該フィルターは、前記Ｘ線の露光波長領域において、化学反応を起こさない材料で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

An adhesive rim 58 is arranged around the active part of the detector array, and the dimensions are determined to prevent the scintillation material from entering an area other than the active region to be covered by performing a desired, accurate alignment of the mask for the detector array and forming a sealing means along with a substrate 62 of the detector array and the pallet assembly.例文帳に追加

検出器アレイの活性部分の周囲には接着剤リム（５８）が配置されていて、それの寸法は検出器アレイに対するマスクの所望の正確な位置合せを可能にし且つ検出器アレイの基板（５２）及びパレット・アセンブリと共に封止手段を形成して被覆すべき活性領域外へのシンチレータ材料の侵入を防止するように定められている。 - 特許庁

The pattern forming method for group III nitride semiconductor substrate includes steps of irradiating a first area A of a group III nitride semiconductor substrate 100 with laser to convert the first area A having nitrogen polarity to a group III element polarity, and using the first area A converted to the group III element polarity by the laser irradiation as a mask to wet-etch a second area B.例文帳に追加

本発明のIII族窒化物半導体基板のパターン形成方法は、III族窒化物半導体基板１００の第１領域Ａ上にレーザを照射して、窒素極性の第１領域ＡをIII族元素極性に変換する段階と、レーザが照射されてIII族元素極性に変換された第１領域Ａをマスクとして利用して第２領域Ｂをウェットエッチングする段階とを含んでいる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern by using the above resist composition on a surface to be processed and then applying a resist pattern thickening material to cover the surface of the resist pattern, and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching with the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

Then, electrodes 8a and 8b are formed to run on the half-embedded insulation films 5 and the STIs 7, respectively, and an n-type region 3 constituting a photodiode is formed in a region contacting the p-type region 4 in the semiconductor substrate 2 by injecting impurities into the image pickup region A by using the electrode 8a and the half-embedded insulation film 5 as a mask.例文帳に追加

次に、半埋込絶縁膜５及びＳＴＩ７にそれぞれ乗り上げるように電極８ａ及び８ｂを形成し、電極８ａ及び半埋込絶縁膜５をマスクとして撮像領域Ａに不純物を注入することにより、半導体基板２におけるｐ型領域４に接する領域に、フォトダイオードを構成するｎ型領域３を形成する。 - 特許庁

To provide a stage device capable of preventing bad affection affected mutually in a constitution equipped with a plurality of stages, an aligner and a method capable of transferring the pattern of a mask onto a substrate disposed on the stage device without inviting the deterioration of the accuracy of exposure, and to provide a device manufacturing method for manufacturing a device by employing the aligner and its method.例文帳に追加

複数のステージを備える構成において互いに及ぼしあう悪影響を防止することができるステージ装置、当該ステージ装置上に載置された基板上にマスクのパターンを露光精度の悪化を招かずに転写することができる露光装置及び方法、並びに当該露光装置及び方法を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法を提供する。 - 特許庁

When a connection hole 20 corresponding to a part of the wiring layer 14 is formed in the interlayer insulating film by dry etching using a resist layer as a mask, etching is applied up to the insulating film 16b wherein sand etching tends to progress under a condition with high deposition containing no N_2, and the insulating film 16a is etched thereafter under a condition with low deposition containing N_2.例文帳に追加

レジスト層１８をマスクとするドライエッチング処理により配線層１４の一部に対応する接続孔２０を層間絶縁膜に形成する際に、サイドエッチが進行しやすい絶縁膜１６ｂまではＮ_２を含まないデポジション性の強い条件でエッチングを行い、その後はＮ_２を含むデポジション性の弱いい条件で絶縁膜１６ａのエッチングを行なう。 - 特許庁

The etching method comprises the steps of: forming a resist 10 on the surface of a masking material 9 layered on an electroconductive foil 11 of a material to be etched; forming a pattern on the resist 10; etching the masking material 9 by using the resist 10 as a mask; removing the resist 10; and etching the electroconductive foil 11 of the material to be etched, through the masking material 9.例文帳に追加

本実施の形態のエッチング方法は、被エッチング材である導電箔１１に積層されたマスク材９の表面にレジスト１０を形成する工程と、レジスト１０をパターニングする工程と、レジスト１０をマスクとして用いてマスク材９をエッチングする工程と、レジスト１０を除去する工程と、マスク材９を介して被エッチング材である導電箔１１をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

The printing apparatus 100 includes: a printing mechanism 40 for providing printing to a print substrate 5; a frame structure 30 including a reference mark 70 to be used for correcting distortion, movably supporting at least part of the printing mechanism 40 and statically installed in the printing apparatus; and a camera 29 for a mask, which images the reference mark 70 of the frame structure 30 in correcting distortion.例文帳に追加

この印刷装置１００は、プリント基板５への印刷を行う印刷機構部４０と、歪み補正に使用される基準マーク７０が設けられ、印刷機構部４０の少なくとも一部を移動可能に支持するとともに固定的に設置されたフレーム構造体３０と、歪み補正を行う際にフレーム構造体３０の基準マーク７０を撮像するマスク用カメラ２９とを備える。 - 特許庁

In this method of producing the optical reflecting surface, wherein the optical reflecting surface consisting of 111 faces is formed on a monocrystal Si substrate with 100 faces, using anisotropic etching, the shape of the etching mask for forming the optical reflecting surface is formed into a circular or polygonal recessed shape comprising segments with angles larger than 1° and smaller than 44° to the direction of the faces 111 predicted from orientation flat.例文帳に追加

（１００）面の単結晶Ｓｉ基板に異方性エッチングを用いて（１１１）面からなる光学反射面を形成する光学反射面作製方法であって、光学反射面を形成するためのエッチングマスクの形状を、オリフラから予想される（１１１）面の方向に対して１度より大きく４４度より小さい角度の線分からなる円弧または多角形の凹形状としている。 - 特許庁

The method may be used in production a variety of products, including automotive pleated fluid and air filters 21, pleated heating and/or air conditioning filters, shaped breathing mask filters and bacterial filters, laminated cleaning products with super-absorbent middle layers, such as a mop wipe shape to fit a cleaning mop head, and other products.例文帳に追加

この方法は、自動車用の襞付きの流体および空気フィルタ２１、襞付きの加熱および／または空調フィルタ、成形された呼吸用マスク・フィルタ、およびバクテリア用フィルタを含む広汎のさまざまな製品、クリーニング・モップ・ヘッドに嵌まるように成形されたモップ・ワイパー形状のような超吸収性の中間層を有する積層クリーニング用製品、および他の製品の製造に使用できる。 - 特許庁

First and second information on allocation of patterns are added to boundary lines among small regions, and the patterns which are kept in contact with the boundary Lines and selected out of the complementarily divided patterns are allocated as referring to the first and second information, so that parallel processing can be realized by small region unit, and a troublesome pattern can be prevented from occurring in the mask pattern forming method.例文帳に追加

小領域の境界線にパターンの振り分けに関する第１および第２の情報を付加し、相補分割されたパターンのうち、境界線に接するパターンについては、第１および第２の情報を参照してパターンの振り分けを行うことにより、小領域単位での並列処理と問題パターンの発生防止を可能とするマスクパターン作成方法。 - 特許庁

After a bit rate B of intensity modulated light outputted from the optical transmitter being an evaluation object and a cumulative wavelength distribution D of an optical fiber being an optical transmission line on which the light is transmitted are set so as to satisfy a prescribed relation, the performance of the optical transmitter is evaluated on the basis of a position relation between an optical waveform after transmission on the optical fiber and a pulse mask M.例文帳に追加

評価対象である光送信器より出力される強度変調光のビットレートＢと、その光が伝送される光伝送路である光ファイバの累積波長分散Ｄとが、所定の関係を満たすように設定された上で、その光ファイバにより伝送された後の光波形とパルスマスクＭとの間の位置関係に基づいて、光送信器の性能が評価される。 - 特許庁

To solve the problem that a correspondent method for a best remedy is nothing but an unctuous mask or a heavy protective suit forcing behavioral restriction like a space suit in dangerous modern society with multiplicity of dangers such as a breath in daily air pollution, a breath and mucosal adhesion of pollen dispersal in the air and a room, a breath in an office generating usual hazard gas, and a smog influx generated in China.例文帳に追加

日常的大気汚染の中での呼吸、花粉飛散の外気と室内での呼吸と粘膜付着、通常的有害ガス発生職場での呼吸、中国発生の煙霧の到来、等数えればきりがない危険な現状社会での最善策は、気安めのマスクか、宇宙服のような行動制約を強いられる重厚防護服しか対応方法が無い。 - 特許庁

After an n-type AlInP clad layer 11, an active layer 12 having a multiple quantum well structure, a p-type AlInP clad layer 13, and a p-type GaAs layer 14 are grown in sequence on an n-type GaAs substrate via an n-type GaAs etching stop layer, those layers are patterned through dry etching using a resist pattern 19 having a rectangular plane shape as a mask.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓエッチングストップ層を介してｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１、多重量子井戸構造を有する活性層１２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３およびｐ型ＧａＡｓ層１４を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン１９をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。 - 特許庁

The method of manufacturing the mask blank comprises the steps of causing a resist agent coming from a liquid tank 20 storing a liquid resist agent 21 to the opening at the end of a nozzle 22 through the nozzle 22 to touch the coated surface of a substrate having a thin film on which a transfer pattern is formed, moving the substrate and the nozzle relatively, and thus forming a resist film on the coated surface.例文帳に追加

転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤２１を収容した液槽２０からノズル２２を通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させ、基板とノズルとを相対的に移動させることによって、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法である。 - 特許庁

To simply mask a part of a film forming region X in manufacturing a film molded material 1 by a first injection process for molding first and second molded bodies 2 and 3 using a movable mold 5 and a fixed mold 6, a film forming process for forming the first molded body 2 into a film 2a and a second injection process for integrating the first and second molded bodies 2 and 3 by a resin material 8.例文帳に追加

可動金型５、固定金型６を用い、第一、第二成形体２、３を型成形する第一射出工程、第一成形体２を成膜２ａする成膜工程、第一、第二成形体２、３を樹脂材８により一体化する第二射出工程により成膜成形体１を製造するにあたり、成膜領域Ｘの一部を簡単にマスキングする。 - 特許庁

To provide a method of forming a partial mask of SiO_2 or SiN_x having an opening in a substrate or a group III nitride semiconductor crystal, and thereby to reduce a damage given to a front surface of the substrate or the group III nitride semiconductor crystal by ion species in plasma at the original time of forming a film according to former plasma CVD methods.例文帳に追加

基板やIII族窒化物半導体結晶に開口部を有するＳｉＯ_２やＳｉＮ_ｘの部分的なマスクを形成させる方法において、従来のプラズマＣＶＤ法はプラズマ中のイオン種が膜形成初期に基板やIII族窒化物半導体結晶の表面にダメージを与えていたが、本発明はこのダメージを少なくしたマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁

Furthermore, a first switch circuit which outputs the external clock input to the first group during testing and outputs the second clock to the first group during normal operation, and a first mask circuit which interrupts the outputting to the second group when the second group is not operated by the external clock input during testing and outputs the third clock to the second group during normal operation, are provided.例文帳に追加

さらに、試験時には外部クロック入力を第１の群に出力し、通常の使用時には第２のクロックを第１の群に出力する第１のスイッチ回路と、試験時において外部クロック入力で第２の群が動作しない場合には第２の群への出力を遮断し、通常の使用時には第３のクロックを第２の群に出力する第１のマスク回路とを設ける。 - 特許庁

Light entering each lens part 23b is individually regulated by the light shielding mask 24 to prohibit other lens part 23b to irradiate light on an area where the light irradiated on the irradiation surface 50 by a reference lens part 23b located in a central part is not superimposed when the fly eye lens 23 irradiates incident light on an irradiation surface 50 at a set distance C.例文帳に追加

この遮光マスク２４によって、フライアイレンズ２３が入射光を設定距離Ｃ離れた照射面５０に照射する場合に、中心部に位置する基準レンズ部２３ｂが照射面５０に照射する光と重畳しない領域に他のレンズ部２３ｂが光を照射することを禁止するよう各レンズ部２３ｂに入射する光を個別に制限する。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display device comprises: a process of forming an electrode layer 120a for pixel electrode on a first substrate 100; a process of forming a prescribed alignment layer pattern 500 on the electrode layer 120a for pixel electrode; and a process of patterning the electrode layer 120a for pixel electrode by using the alignment layer pattern 500 as a mask and forming a pixel electrode pattern 120.例文帳に追加

第１基板１００上に画素電極用電極層１２０ａを形成する工程と、画素電極用電極層１２０ａ上に所定の配向膜パターン５００を形成する工程と、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する工程と、を含んで液晶表示素子の製造方法を構成する。 - 特許庁

When the SiCO film is used as the hard mask, a method includes: exposing the CF film for about 5-10 seconds in a plasma atmosphere activated with an organic compound of silicon, for example, trimethyl silane gas; next, adding nitrogen plasma to this plasma and depositing the SiCN film on the fluorine-added carbon film; and thereafter, depositing the SiCO film by the plasma activating trimethyl silane gas and oxygen gas.例文帳に追加

ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。 - 特許庁

The method consists of a step 120 obtaining data representing the pattern, a step 122 defining a plurality of distinct zones based on the critical dimensions of the plurality of features, a step 124 categorizing each of the features into one of the plurality of distinct zones and steps 126,128,130 modifying the mask pattern for each feature categorized into a predefined distinct zone of the plurality of distinct zones.例文帳に追加

該方法は、パターンを示すデータを取得するステップ１２０と、複数のフィーチャの臨界寸法に基づいて複数のゾーン区分を定義するステップ１２２と、区分された複数のゾーンの１つに各フィーチャを分類するステップ１２４と、複数区分ゾーンの予め定義されたゾーンに分類がなされたフィーチャごとにマスクパターンを修正するステップ１２６，１２８，１３０とから成る。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition capable of faithfully reproducing the design size of a mask pattern with high sensitivity, excellent in adhesion to a substrate, capable of obtaining a satisfactory spacer shape and film thickness under an exposure energy of ≤1,500 J/m^2, excellent also in strength and heat resistance, and excellent in controllability of spacer shape and film thickness in a low exposure energy region.例文帳に追加

高感度でマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつ基板との密着性に優れ、１，５００Ｊ/ｍ^2以下の露光量で十分なスペーサー形状および膜厚を得ることを可能とし、また強度、耐熱性等にも優れ、低露光量領域におけるスペーサーの形状、膜厚の制御性に優れている感放射線性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

In the case of subtraction by a computing element 34, the differential arithmetic coefficient adjusting part 8 adjusts a differential arithmetic coefficient to perform weighting on each image on the basis of displayed results of a basic image (mask image) and a high frequency component eliminated image (live image) on a monitor 4, so that the subtraction image of the image pickup part of the subject can be appropriately obtained by weighting.例文帳に追加

その差分演算係数調整部８が演算器３４によるサブトラクションの際に基本画像（マスク像）と高周波数成分除去画像（ライブ像）とのモニタ４での表示結果に基づいて、それぞれの画像に対して差分演算係数を調整して重み付けを行うので、その重み付けによって被検体の撮像部位のサブトラクション像を好適に得ることができる。 - 特許庁

An exposure pattern determination means 15 determines positions, shapes and transmitted light volumes of openings of the reconstructible mask 5 used for exposure on the basis of information capable of specifying the exposure region of the exposure object 7 so as to decide the exposure pattern, and the exposure device 1 exposes the exposure object 7 to light according to the exposure pattern determined by the exposure pattern determination means 15.例文帳に追加

被露光対象物７における露光領域を特定可能な情報に基づいて、露光パターン決定手段１５が再構成可能マスク５の露光に使用される各開口部の位置、各開口部の形状及び各開口部の光の透過量を決定して露光パターンを決定し、露光装置１は決定された露光パターンに従って被露光対象物７を露光する。 - 特許庁

A transparent layer 46 consists of the alignment controlling depressions and a flat part 45 which are formed by subjecting a transparent photosensitive resin layer provided on color pixels 42 to exposure treatment via a density distribution mask PM1 and development treatment and the parts of a transparent conductive film 43 above the alignment controlling depressions are removed by photo etching of a transparent conductive film provided on the entire upper surface of the transparent layer.例文帳に追加

透明層４６は、着色画素４２上に設けた透明感光性樹脂層への濃度分布マスクＰＭ１を介した露光、現像処理によって形成された配向制御凹みと平坦部４５からなり、透明導電膜４３は透明層の上面の全面に設けた透明導電膜へのフォトエッチングによって配向制御凹み上の部分は除去されている。 - 特許庁

Upon exposure, the upper face of a mask substrate of the photomask 1 is irradiated with i-line (365 nm wavelength) from a light source 20 such as a high-pressure mercury lamp via an illumination optical system 30; and near-field light permeates near an opening of the light shielding film 2 formed in the photomask 1 to expose a resist layer 11 on the surface of the object placed directly under the opening.例文帳に追加

露光に際して、フォトマスク１のマスク基板の上面から、例えば高圧水銀ランプ等の光源２０からｉ線（波長３６５ｎｍ）が照明光学系３０を介して照射され、フォトマスク１に形成された遮光膜２の開口の近傍に近接場光がしみだし、開口の直下に位置する被処理体表面のレジスト層１１が露光される。 - 特許庁

In the photomask for near field exposure having a transparent base material and a light shielding body having an aperture constituting the mask pattern on the base material with the aperture width made equal to or smaller than the wavelength of the light source, the light shielding body is constituted to have a thickness to give a desired intensity of light directly under the aperture in consideration of the relationship with the width of the aperture in the light shielding body.例文帳に追加

透明な母材と、該母材上にマスクパターンを構成する開口部の開口幅が光源波長以下に形成された遮光体を有する近接場光露光用のフォトマスクにおいて、前記遮光体は、その厚さが前記遮光体の開口部の開口幅との関係において該開口部直下で所望の光強度を与える厚さに構成する。 - 特許庁

A stage is controlled accurately by measuring the position in the scanning direction of first stages 10, 11 movable while holding a mask 12 using a plurality of measuring beams LRy1, LRy2 and measuring the position in the scanning direction of a second stage 4 movable while holding a substrate 5 using a plurality of measuring beams LWy1, LWy2 thereby reducing error due to fluctuation of air.例文帳に追加

マスク（１２）を保持して移動可能な第１ステージ（１０，１１）の走査方向の位置を複数の計測ビーム（ＬＲｙ１，ＬＲｙ２）を用いて計測するとともに、基板（５）を保持して移動可能な第２ステージ（４）の走査方向の位置を複数の計測ビーム（ＬＷＹ１，ＬＷＹ２）を用いて計測することによって、空気揺らぎによる誤差を低減してステージの制御を正確に行なう。 - 特許庁

The manufacturing method of a plasma display panel and the green sheet include a step exposing a first green sheet containing a cover film using a first mask on which a black matrix pattern is formed, a black matrix dry film and a base film, a step removing the cover film and laminating the first green sheet on a substrate, and a step removing the base film and forming a black matrix on the substrate.例文帳に追加

本発明は、ブラックマトリックスパターンが形成された第１マスクを利用してカバーフィルム、ブラックマトリックスドライフィルム及びベースフィルムを含む第１グリーンシートを露光するステップと、前記カバーフィルムを除去して基板上に前記第１グリーンシートをラミネーティングするステップと、前記ベースフィルムを除去して前記基板上にブラックマトリックスを形成するステップと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a polyorganosiloxane-cured relief pattern obtained by a method comprising a step of applying a certain polyorganosiloxane composition to obtain a coating film on a substrate; a step of irradiating the coating film with an active ray through a patterning mask to photo-cure an exposure part; a step of removing an uncured part of the coating film by using a developer; and a step of heating each of the substrates.例文帳に追加

基材上に、特定のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、 パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程該基材ごと加熱する工程からなる方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを含む半導体装置。 - 特許庁

A photo-resolving catalyst for precipitating a catalyst only at a portion irradiated with light is applied to the surface of an insulating substrate, a plating resist which is decomposed and removed by exposure and development is applied on the photo-resolving catalyst, and a mask forming a predetermined pattern is placed on the plating resist and is subjected to exposure and development in this state to produce a predetermined metal wiring pattern.例文帳に追加

絶縁基板の表面に光照射部のみ触媒が析出する光解像性触媒を塗布し、光解像性触媒の上に露光・現像により分解・除去されるメッキレジストを塗布し、メッキレジストの上に所定のパターンに形成されたマスクを設置し、その状態で露光・現像を施すことにより所定の金属配線パターンを得るようにしたもの。 - 特許庁

The printed wiring board 1 comprises an insulation base material 2, a wiring pattern formed of a metal foil formed on the surface of the insulation base material 2, a resist film for permanently covering the wiring pattern 3 having some part uncovered and exposed, and a mask film 4 for temporarily protecting at least part of the exposed part of the wiring pattern 3 which becomes connection terminals 3 from damages and contamination.例文帳に追加

プリント配線基板１は、絶縁性の基材２と、その表面に形成された金属箔からなる配線パターン３と、配線パターン３の一部分を露出した状態で他の部分を恒久的に被覆するレジストフィルムと、配線パターン３の露出部分の内少くとも外部との接続端子３ｃとなる領域を傷や汚れから一時的に保護するマスクフィルム４とを備えている。 - 特許庁

The method of manufacturing the mask blank comprises the steps of causing a resist agent coming from a liquid tank storing a liquid resist agent to the opening at the end of a nozzle 22 through the nozzle 22 to touch the coated surface of a substrate having a thin film on which a transfer pattern is formed, moving the substrate and the nozzle relatively, and thus forming a resist film on the coated surface.例文帳に追加

転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤を収容した液槽からノズル２２を通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させ、基板とノズルとを相対的に移動させることによって、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法である。 - 特許庁

A dot impact printer having a recording head 18 further comprises a reflex photosensor 41B for detecting information concerning to a sheet medium using a detecting light, and a ribbon mask holder 41 for moving the reflex photosensor 41B in the main scanning direction of the recording head 18 integrally with a carriage 19 and holding it movably in the direction substantially perpendicular to the recording face of the sheet S.例文帳に追加

記録ヘッド１８を有するドットインパクトプリンタにおいて、検出用光を用いてシート媒体に関する情報を検出する反射型光センサ４１Ｂと、反射型光センサ４１Ｂを記録ヘッド１８の主走査方向にキャリッジ１９と一体となって移動可能、かつ、シートＳの記録面に対して略垂直方向に移動自在に保持するリボンマスクホルダ４１を備える。 - 特許庁

The exposure data forming method comprises steps of arranging patterns inside a block so as to satisfy a pattern size and an inter-pattern distance determined by a design rule, of forming data for manufacturing a block mask mounted with the block, and of extracting a pattern layout satisfying the pattern size and inter-pattern distance of the block from layout data concerning semiconductor integrated circuits to form wafer manufacturing exposure data.例文帳に追加

露光データ生成方法は、設計規則で定められるパターンサイズ及びパターン間距離を満たすようにパターンをブロックの内部に配置し、該ブロックを搭載したブロックマスク製造用露光データを生成し、該ブロックの該パターンサイズ及び該パターン間距離を満たすパターン配置を半導体集積回路のレイアウトデータから抽出してウエハ製造用露光データを生成する各段階を含む。 - 特許庁

The first region is protected by a mask, an aluminum ion is injected, and heat treatment is performed, thus forming a high-dielectric-constant interface dielectric layer 3 of AlxOv between the gate dielectric layer 2 and the N+ polysilicon gate 4, strengthening Fermi pinning effect, and hence adjusting a work function of the P-MOS of N+ polysilicon to a value close to the function of a P+ polysilicon gate.例文帳に追加

マスクで第１領域保護し、アルミイオンをイオン注入し、熱処理することにより、ゲート誘電体層（２）と、Ｎ＋ポリシリコンゲート（４）との間に、ＡｌｘＯｖの高誘電率界面誘電体層（３）が形成され、フェルミピニング効果が強化され、結果として、Ｎ＋ポリシリコンのＰ−ＭＯＳの仕事関数は、Ｐ＋ポリシリコンゲートの関数に近い値に調整される。 - 特許庁

To provide a member giving a mask film in which even light transmittance is obtained in a portion of an ultraviolet screening resin layer decolored by laser light, in which the ultraviolet screening resin layer is hard to scuff, and which ensures easy positioning work in manufacture of a large printing plate and is less liable to catch up air when made to adhere to the plate, whereby the whole surface adheres easily to the plate material.例文帳に追加

レーザー光で紫外線遮蔽性樹脂層を消色した部分に、ムラのない光透過性が得られ、かつ紫外線遮蔽性樹脂層に傷が付きにくく、しかも大型印刷版の作製において、位置決め作業が容易で、かつ版と密着させる際に空気を抱き込みにくく版材に全面が密着しやすいマスクフィルムを与える部材を提供する。 - 特許庁