「Mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(537ページ目) - Weblio英語例文検索

An image accepting device of the image processing apparatus accepts images, a matrix generating device generates a matrix based on a function of assuring the minimum value in the geometrically isotropic and uniform point dispersion, and a noise adding device adds noise to the image accepted with the image accepting device by a periodical mask process using the matrix generated with the matrix generating device.例文帳に追加

画像処理装置の画像受付手段は、画像を受け付け、行列生成手段は、幾何的に等方的で均一的な点分散において最小値を取ることを保証する関数に基づいて、行列を生成し、雑音付加手段は、前記行列生成手段によって生成された行列を用いて周期的にマスク処理して前記画像受付手段によって受け付けられた画像に雑音を付加する。 - 特許庁

The image capturing apparatus 22 includes a housing 24, a laser source 40 provided inside the housing 24 for emitting a laser beam, a first lens 44 provided inside the housing 24 for diverging the laser beam, a framing mask 46 for masking the laser beam diverged by the first lens 44 to form the laser viewfinder and a camera lens 26 provided in the housing 24 for capturing an image in the laser viewfinder.例文帳に追加

映像取り込み装置２２は、ハウジング２４と、ハウジング２４内に設けられてレーザービームを発射するレーザー光源４０と、ハウジング２４内に設けられてレーザービームを発散させる第一レンズ４４と、第一レンズ４４により発散したレーザービームを遮蔽してレーザービューファインダーを形成するフレームマスク４６と、ハウジング２４に設けられてレーザービューファインダー内にある映像を取り込むカメラレンズ２６とを含む。 - 特許庁

The method includes steps of: forming an organic antireflection film containing a photoacid generating agent on a film to be etched; heat treating the organic antireflection film at a predetermined temperature; forming a chemically amplified photoresist layer on the organic antireflection film; transferring a pattern on a mask by using a light source at a single wavelength onto the chemically amplified photoresist layer; and developing the chemically amplified photoresist layer.例文帳に追加

被エッチング膜上に、光酸発生剤を含む有機反射防止膜を形成する工程と、有機反射防止膜を所定温度で熱処理する工程と、有機反射防止膜上に化学増幅型フォトレジスト層を形成する工程と、化学増幅型フォトレジスト層に単一波長の光源を用いてマスク上のパターンを転写する工程と、化学増幅型フォトレジスト層を現像する工程とを有する。 - 特許庁

In an integrated circuit in which plural functional module are integrated, mask ROMs, in which operation disabled data for indicating whether respective operation functional modules are disabled fixedly, for at least one part of functional modules among plural modules is stored fixedly and which output operation disabling signal in accordance with operation disabled data, are integrated.例文帳に追加

複数の機能モジュールが集積されてなる集積回路において、それら複数の機能モジュールとともに、それら複数の機能モジュールのうちの少なくとも一部の機能モジュールについて、その機能モジュールそれぞれの動作を固定的に不能にするか否かを指示するための動作不能データを固定的に記憶してその動作不能データに応じた動作不能信号を出力するマスクＲＯＭが集積されている。 - 特許庁

In the manufacturing method of the active matrix substrate constituted by forming the pixel part containing the thin film transistor of LDD structure as a switch and the peripheral circuit part constituted by containing the thin film transistor on the substrate 1, the processes that ion implantation of low density is performed using a gate electrode 8 as a mask, and the gate electrode 8 is anode oxidized, and the ion implantation of further high density are provided.例文帳に追加

基板上に、スイッチとしての薄膜トランジスタを含む画素部と、薄膜トランジスタを含んで構成された周辺回路部とが形成されてなり、画素部の薄膜トランジスタはＬＤＤ構造を有するアクティブマトリクス基板の製造方法において、ゲート電極をマスクとして低濃度のイオン打ち込みを行い、ゲート電極を陽極酸化し、さらに高濃度のイオン打ち込む工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

The etching method includes a process to form a layer of Al or Al alloy on a surface of a substrate, a process to treat the surface of the layer of Al or Al alloy with TMAH, a process to form a resist pattern on the surface of the Al or Al alloy layer treated with TMAH, and a process to wet-etch the Al or Al alloy layer with the resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

下地表面上にＡｌまたはＡｌ合金の層を形成する工程と、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層の表面をＴＭＡＨで処理する工程と、前記ＴＭＡＨで処理したＡｌまたはＡｌ合金の層の表面上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層をウエットエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

The interrupt control circuit 120 for controlling a plurality of interrupt requests in relation to the interrupt processing executed by a processor 110 comprises an interrupt control module unit 150, which is a detection means for determining whether or not there is an interrupt request masked by interrupt processing while executing the interrupt processing, and a priority mask flag 140 for indicating whether or not there is an interrupt request.例文帳に追加

プロセッサ１１０で実行される割り込み処理に関して複数の割り込み要求を制御する割り込み制御回路であって、割り込み処理の実行中に、該割り込み処理によりマスクされている割り込み要求の有無を検出する検出手段である割り込み制御モジュールユニット１５０と、前記割り込み要求の有無を示す優先度マスクフラグ１４０を備えた割り込み制御回路１２０である。 - 特許庁

To provide a technique which increases a speed of write/read of an element and improves a fresh characteristic of the element by designing the semiconductor element so as to form a recess channel area and a fin type channel area on its lower portion, especially, utilizing an island type recess gate mask exposing a predetermined active area and an element separating structure adjacent to it, concerning a semiconductor element and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体素子及びその製造方法に関し、特に所定の活性領域とこれと隣接した素子分離構造を露出するアイランド型リセスゲートマスクを利用してリセスチャンネル領域とその下部にフィン型チャンネル領域を形成するよう半導体素子を設計することにより、素子の書込み及び読取り速度を向上させることができ、素子のリフレッシュ特性を改善することができる技術を提供する。 - 特許庁

Since the upper electrode 15a is formed on the dielectric layer 14, the dielectric layer 14 can be patterned by using the upper electrode as a mask, impurities can be restrained from diffusing into the dielectric layer 14, and the dielectric layer 14 can be prevented from being exposed to etchant, developer or the like, thus providing the capacitor 10 that has the dielectric layer 14 of high quality.例文帳に追加

誘電体層１４上に上部電極１５ａが形成されることにより、この上部電極をマスクとして誘電体層１４をパターニングすることが可能となり、誘電体層１４内への不純物の拡散を抑制し、また、誘電体層１４がエッチング液、現像液等に曝される事態を防止し、高品質な誘電体層１４を備えるコンデンサ１０を提供することができる。 - 特許庁

The apparatus is a projection exposure apparatus for scanning and exposing a substrate by moving a mask and a photosensitive substrate to illumination light, and it is provided with a means of detecting the illuminance of the illumination light, an illuminance controlling means of maintaining the detected illuminance of the illumination light at a commanded illuminance value, and an exposure amount controlling means of controlling the commanded illuminance value according to the exposure speed.例文帳に追加

本発明による露光装置は、照明光に対してマスクと感光基板とを移動することにより、基板を走査露光する投影露光装置であって、照明光照度を検出する手段と、検出した照明光照度を指令照度値に保つ照度制御手段と、露光速度に応じて指令照度値を制御する露光量制御手段とを備えることを特徴とする - 特許庁

The method of manufacturing the image sensor includes the steps of: forming an interlayer insulating film including pads on a semiconductor substrate having a plurality of unit pixels formed thereon; forming a color filter array on the interlayer insulating film; forming micro lenses on the color filter array; forming a capping film on the semiconductor substrate including the micro lenses; forming a pad mask on the capping film; and exposing the pads.例文帳に追加

複数の単位画素が形成された半導体基板上に、パッドを含む層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜上にカラーフィルタアレイを形成するステップと、カラーフィルタアレイ上にマイクロレンズを形成するステップと、マイクロレンズを含む半導体基板上にキャッピング膜を形成するステップと、キャッピング膜上にパッドマスクを形成するステップと、パッドを露出させるステップとを含むイメージセンサの製造方法とする。 - 特許庁

Upper electrodes 21a, 21b consisting of the polycrystalline silicon film 17 are formed via the insulating film 8 as a capacitance insulating film on the lower electrodes 11a, 11b to form capacitors 36a, 36b by forming the antireflection film and a photoresist pattern on the cap protection film, and sequentially performing dry etching of the cap protection film and the polycrystalline silicon film 17 using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

キャップ保護膜上に反射防止膜およびフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて反射防止膜、キャップ保護膜および多結晶シリコン膜１７を順次ドライエッチングすることで、下部電極１１ａ，１１ｂ上に容量絶縁膜としての絶縁膜８を介して多結晶シリコン膜１７からなる上部電極２１ａ，２１ｂを形成してキャパシタ３６ａ，３６ｂを形成する。 - 特許庁

In the read-only recording medium on which information is recorded, a substrate on the surface of which information is recorded, a reflection layer formed on the surface of the substrate by using a phase change substance, a first dielectric layer formed on the reflection layer and a mask layer formed on the first dielectric layer with metal oxide or nanoparticles are provided.例文帳に追加

情報が記録された読み取り専用記録媒体であって、前記情報が表面に記録された基板と、前記基板の前記表面上に相変化物質により形成された反射層と、前記反射層の上に形成された第１誘電体層と、前記第１誘電体層の上に、金属酸化物あるいはナノパーティクルにより形成されたマスク層とが設けられたことを特徴とする読み取り専用記録媒体である。 - 特許庁

To provide a method and a device for smoothly finishing the surface of a micro structural body at an optical level by improving a micro roughness on the surface of the micro structural body by defects of mask edge shape and a reaction in a resist when the micro structural body is finished by X-ray lithography or photo lithography including a lithography step in a LIGA process.例文帳に追加

ＬＩＧＡプロセスにおけるリソグラフィ工程を含むＸ線リソグラフィやフォトリソグラフィ等により微小構造体を加工した際において、マスクエッジ形状の欠陥や、レジスト内に生じる反応等によって発生する微小構造体の表面の微小な荒れを改善し、当該微小構造体の表面を光学レベルで平滑にすることができる表面加工方法及び表面加工装置等を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resist pattern on a surface to be processed by forming a resist film on the surface using the resist composition for immersion exposure, irradiating the resist film with exposure light by immersion exposure, and developing it, and a step of transferring the pattern to the surface to be processed by etching through the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に、本発明の前記液浸露光用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面にパターンを転写するパターン転写工程とを少なくとも含む。 - 特許庁

This label producing method includes both a step for adding a membrane made of a material for functional surfaces onto a substrate made of a material for structure parts and a step for patterning the membrane made of the material for functional surfaces and the substrate made of the material for structure parts by electron-beam lithography or etching using a mask made of a plurality of resin particles adhered onto the membrane made of the material for functional surfaces.例文帳に追加

標識製造方法は、機能性表面用材料の薄膜を構造部用材料の基板上に付加するステップと、電子ビームリソグラフィー、又は、機能性表面用材料の薄膜上に付着した複数の樹脂粒子から成るマスクを使用するエッチングによって、前記機能性表面用材料の薄膜及び構造部用材料の基板をパターニングするステップとを含むものである。 - 特許庁

The process for fabricating a ridge type semiconductor laser comprises a step for forming a structure of a plurality of semiconductor layers including an active layer on a substrate, a step for forming a first electrode having a width narrower than that of the multilayer structure on the surface thereof, and a step for forming a ridge structure by etching the multilayer structure using the first electrode as a mask.例文帳に追加

本発明による製造方法は、基板上に活性層を含む複数の半導体層を積層して積層構造を形成する積層構造形成ステップと、その積層構造の表面において、積層構造よりも狭い幅を有する第１の電極を形成する第１電極形成ステップと、第１の電極をマスクとして積層構造をエッチングし、リッジ構造を形成するリッジ構造形成ステップとを含む。 - 特許庁

By pressing this circular arc with a fine pattern 3 formed for the circumstance of the mask substrate 2 to a photosensitive resin layer to which this fine pattern 3 is transferred by exposure, the interval between the fine pattern 3 and photosensitive resin layer can be controlled to be shorter than the wavelength of exposure light so that the fine pattern 3 can be transferred satisfactorily by exposure.例文帳に追加

マスク基体２の外周面の微細パターン３が形成された円弧形状部分をこの微細パターン３を露光転写しようとする感光性樹脂層に押し当てることにより、微細パターン３と感光性樹脂層との間隔を露光光の波長以下に抑えることができ、露光光として近接場光を用いた露光転写を行うことができ、微細パターン３の露光転写を良好に行うことができる。 - 特許庁

The mask for extreme ultraviolet rays exposure comprises a portion of a thin film which absorbs extreme ultraviolet rays, and a portion of light transmission holes which are formed by carrying out the opening in the above thin film so as to transmit the ultraviolet rays.例文帳に追加

極端紫外線を吸収する薄膜の部分と、前記紫外線を透過するために前記薄膜に開口した透過孔の部分からなり、前記極端紫外線を吸収する薄膜の部分を透過する透過光の、入射光に対する透過率をＴ、前記透過孔を透過する透過光の、入射光に対する透過率をＴ０とするとき、下式で表されるＤが３以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The image registration method for performing accurate registration between a reference image and an attentive image in a time-series image of an object comprises setting a predetermined area on the reference image an attention area; and estimating, at the time of registration, a motion parameter based on the pixel of a mask image showing an area accurately registrable by planar projection conversion within the set attention area.例文帳に追加

対象を撮影した時系列画像中の参照画像と注目画像との間に高精度なレジストレーションを行う画像レジストレーション方法であって、参照画像上の所定の領域を注目領域に設定し、レジストレーションを行う際に、設定された注目領域内で、平面射影変換によって正確にレジストレーションできる領域を表すマスク画像の画素に基づき、モーションパラメータを推定する。 - 特許庁

The mask inspection light source 101' includes: a laser device with a mode-lock titanium sapphire laser oscillator 111 that generates a laser beam and a titanium sapphire regenerative amplifier 112 that excites the laser beam generated from the mode-lock titanium sapphire laser oscillator 111 with a green laser beam in continuous operation; and a wavelength converting device that generates fourth harmonics of the laser beam extracted from the laser device.例文帳に追加

本発明の一態様に係るマスク検査光源１０１'は、レーザ光を発生するモードロック型チタンサファイアレーザ発振器１１１と、モードロック型チタンサファイアレーザ発振器１１１から発生するレーザ光を連続動作のグリーンレーザ光で励起させるチタンサファイア再生増幅器１１２とを備えるレーザ装置と、レーザ装置から取り出されるレーザ光の第四高調波を発生する波長変換装置とを有するものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming an upper gate 16 by partly etching a silicon nitride film layer 15 and a metal layer 14, forming an upper sidewall 17 of a silicon nitride film on a sidewall of the gate 16, etching the layer 13 and the film 12 with the sidewall 17 as a mask, and conducting a sidewall oxidation of the remaining layer 13.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法では、シリコン窒化膜層１５およびメタル層１４が部分的にエッチングされて上側ゲート部１６が形成され、その上側ゲート部１６の側壁部にシリコン窒化膜の上側サイドウォール１７が形成され、その上側サイドウォール１７をマスクとして、ポリシリコン層１３およびゲート酸化膜１２がエッチングされるとともに、残留しているポリシリコン層１３の側壁酸化が行われる。 - 特許庁

ALIGNMENT MASK OF HEAD UNIT, ASSEMBLY DEVICE OF HEAD UNIT SETTABLE THEREOF, METHODS FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY, ORGANIC EL DEVICE, ELECTRON EMISSION DEVICE, PDP DEVICE, ELECTROPHORETIC DISPLAY DEVICE, COLOR FILTER AND ORGANIC EL, AND METHODS FOR FORMING SPACER, METAL WIRING, LENS, RESIST, AND OPTICAL DIFFUSER例文帳に追加

ヘッドユニットのアライメントマスクおよびこれがセット可能なヘッドユニットの組立装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法 - 特許庁

The present invention relates to the nitride light-emitting element comprising an n-type clad layer 30, an active layer 40, a p-type clad layer 50 and a transparent conductive film layer 60 that are sequentially laminated on a substrate 10, wherein the transparent conductive film layer 60 including a surface patterned in nanometer scale using wet etching and post-thermal-treatment without a separate etching mask.例文帳に追加

基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。 - 特許庁

The image coding method of compressing and coding input image data, composed of a plurality of components comprises a step of adding an alpha channel having mask information recorded per pixel for forming a composite image to the input image data as a new component, coding image data, containing a plurality of components and the new component after converting the resolutions thereof in an hierarchical form, thereby forming an integrated image file.例文帳に追加

複数のコンポーネントから構成される入力画像データを圧縮符号化する画像符号化方法において、前記入力画像データに、画像の合成に用いるマスク情報を画素毎に記録されたアルファチャンネルを新たなコンポーネントとして追加し、前記複数のコンポーネントと前記新たなコンポーネントとを含む画像データを、その解像度を階層化して符号化処理し、一体化した画像ファイルを生成する。 - 特許庁

The method for producing the device for releasing molecules comprises the step of providing a substrate, the step of accumulating an insulation material on the substrate followed by patterning for the purpose of using as an etching mask, the step of etching a plurality of reservoirs in the substrate, the step of filling a releasing system and a capping material in the reservoirs, and the step of etching the releasing system and the capping material.例文帳に追加

分子の放出のためのデバイスを製造する方法であって、基板を提供する工程；エッチマスクとして使用するために、基板上に絶縁性材料を堆積させ、そしてパターニングする工程；基板中に複数のリザーバをエッチングする工程；リザーバに放出システムおよびキャップ材料を充填する工程；および放出システムおよびキャップ材料をエッチングする工程を包含する、方法。 - 特許庁

In the step of forming a non-circuitry phase shift alignment region is formed in the manufacture of a phase shift mask, alignment accuracy is measured at least partially by using an aerial image measurement equipment so as to determine the alignment of patterns to be formed in a photoresist applied a substrate before the material is etched to form the non-circuitry phase shift alignment region and while the photoresist is present on the substrate.例文帳に追加

位相シフトマスクの製造において、非回路位相シフトアライメント領域を形成するとき、前記非回路位相シフトアライメント領域を形成するために材料をエッチングする前で、基板上にフォトレジストがあるときに、前記基板上に受け入れられる前記フォトレジストに形成されるパターンのアライメントを決定するために、少なくとも一部空間イメージ測定装置を用いて、アライメント精度を測定する。 - 特許庁

In the photosensitive resin printing plate precursor, a photosensitive resin layer (A) containing a water-soluble or water-dispersible resin and an ultraviolet-curable monomer, an adhesive strength adjusting layer (B), and the thermosensitive mask layer (C) containing an infrared absorbing substance are installed, in this order on a substrate, wherein the adhesive strength adjusting layer (B) contains at least an amine compound.例文帳に追加

基板上に、水に溶解または分散可能な樹脂および紫外光により硬化可能なモノマーを含有する感光性樹脂層（Ａ）、接着力調整層（Ｂ）、および赤外線吸収物質を含有する感熱マスク層（Ｃ）がこの順に積層された感光性樹脂印刷原版であって、該接着力調整層（Ｂ）が少なくともアミン化合物を含有することを特徴とする感光性樹脂印刷版原版による。 - 特許庁

To provide a projection aligner for forming a specified pattern on a printed wiring board by transferring the image of a mask where a specified pattern is formed to the printed wiring board, where the height of a mask's image forming surface or the height of the photosensitive surface of a printed board need not be manually adjusted even in the case of exposing several kinds of printed boards having different thicknesses.例文帳に追加

所定のパターンが形成されたマスクの像をプリント配線基板に転写してプリント配線基板に所定のパターンを形成する投影露光装置であって、異なる厚さを有する複数種類のプリント基板に露光する場合であっても手動でマスクの像の結像面の高さまたはプリント基板の感光面の高さを調整する必要のない投影露光装置を提供することである。 - 特許庁

Also, this method of manufacturing the semiconductor device is for irradiating a semiconductor film formed on a substrate with a laser beam to crystalize the semiconductor film, in which a first laser irradiation area is restricted by a projection mask which transmits a first laser beam having a wavelength in an ultraviolet area, and in which the material of a light-shielding section is an alloy of a composition including an aluminum and a refractory metal.例文帳に追加

また、本発明の半導体デバイスの製造方法は、基板上に形成された半導体膜にレーザを照射して結晶化する製造方法において、紫外線領域の波長を有する第１のレーザを通過させる投影マスクであって、遮光部の材質がアルミニウムと高融点金属を含む組成の合金である投影マスクにより第１のレーザの照射領域を限定することを特徴とする。 - 特許庁

A method includes the steps of: preparing a substrate; sequentially forming a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer on the substrate; forming a photoresist pattern on the upper semiconductor layer so that its side wall is inclined to an upper surface of the substrate; and sequentially etching the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer by using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process in which the metal film is etched by a first reactive etching with the resist pattern as a mask to form a metal film pattern, a process where a transparent substrate is etched by a second reactive etching with the resist pattern and the metal film pattern as masks to form a pattern on the transparent substrate, and a process for removing the metal film pattern.例文帳に追加

第１の反応性エッチングにより前記金属膜を前記レジストパターンをマスクとしてエッチングし金属膜パターンを形成する工程と、第２の反応性エッチングにより前記透過性基板を前記レジストパターンと前記金属膜パターンとをマスクとしてエッチングし前記透過性基板上にパターンを形成する工程と、前記金属膜パターンを除去する工程と、を具備することを特徴とする位相変調素子の製造方法である。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element that can prevent a reduction in MR ratio to keep performance as a magnetoresistance effect element high even when an oxide layer is formed as an outermost surface layer of a protection layer in an oxidation step inevitably included in a manufacturing process by laminating a mask material used for microfabrication double without specially altering the manufacturing step of microfabrication of dry etching carried out under a vacuum.例文帳に追加

真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

The production process for facilitating machining on the surface in following process by planarizing protrusions and recesses on the surface of a workpiece 1 comprises a step for coating the surface with photosensitive resin 2, a step for exposing the photosensitive resin using a gray scale mask 3 corresponding to the surface profile of the photosensitive resin coating, and a step for developing exposed photosensitive resin and removing uncured photosensitive resin (shaded portion).例文帳に追加

加工対象物１の表面の凹凸を平坦化し後工程における表面への加工を容易にする製造方法であって、表面に感光性樹脂２を塗布する塗布工程と、塗布された感光性樹脂の表面形状に対応するグレースケールマスク３を用いて感光性樹脂を露光する露光工程と、露光された感光性樹脂を現像し硬化していない感光性樹脂（斜線部分）を除去する現像工程とを含む。 - 特許庁

The mask for exposure having at least one photosensitive silver halide emulsion layer on a glass substrate and produced by forming blackened silver in the silver halide emulsion layer by development after exposure has a protective layer disposed by coating after image formation as an upper layer on the same side as the image forming layer with respect to the glass substrate and the protective layer comprises an organic-inorganic hybrid material.例文帳に追加

ガラス基材上に少なくとも一層の感光性ハロゲン化銀乳剤層を有し、露光後現像処理することによって黒化銀を該ハロゲン化銀乳剤層中で形成して作製される露光用マスクにおいて、ガラス基材に対して画像形成層と同じ側の上層に画像形成後に塗設した保護層を有し、該保護層が有機無機ハイブリッド材料を含有することを特徴とする露光用マスク、および露光用マスク保護液。 - 特許庁

The etching method includes the steps of forming the antireflective film (Si-ARC film) on an etched layer, forming the resist film (ArF resist film) patterned on the antireflective film, and etching the antireflective film with an etching gas containing CF_4 gas, COS gas and O_2 gas using the resist film as the mask to form a desired pattern on the antireflective film.例文帳に追加

被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 - 特許庁

A sheet for introducing active components of one or more layers to a subject is formed by electronically recording and capturing an image of the subject, electronically processing the image to specify one or more locations with one or more specific color tones or absorption wavelength for mapping, and accurately printing a solution containing one or more active components in mapped positions H, I on mask sheets A, B in units of μm using a printer.例文帳に追加

被写体の画像を電子的に記録して取り込み、その画像を電子処理して単数又は複数の特定の色調又は吸収波長をもつ場所を単数又は複数特定してマッピングし、そのマッピングされた位置Ｈ、Ｉに単数又は複数の有効成分を含む溶液を、印刷装置を用いてμｍ単位で正確にマスクシートＡ、Ｂに印刷した、単層又は複層の有効成分の被写体への導入用シート。 - 特許庁

In miniaturization of the supporting leg wiring, the supporting leg 3 can be reduced in height, by etching only a region equivalent to the supporting leg 3 to a BPSG 10 and a TEOS 11, namely, surrounding interlayer insulation films, and thereby reducing the sectional area of the supporting leg 3, thus providing an infrared image pickup device that has miniaturized supporting leg structure, independently of the size rule determined by a mask.例文帳に追加

本発明では、支持脚配線の微細化において、支持脚３の断面積を小さくするため、周囲の層間絶縁膜であるＢＰＳＧ１０及びＴＥＯＳ１１に対し、支持脚３に相当する領域のみをエッチングすることにより、支持脚３を低背化することができ、マスクで決定するサイズ立則にとらわれない微細化された支持脚構造を有する赤外線撮像素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The exposure device includes a mask holder which fixes a photomask; a chuck which fixes the periphery of the substrate; a work stage having one or more pressure adjustment portions which adjust the pressure to the substrate; an image acquisition portion which obtains the images of the photomask pattern and the substrate; and a control portion which adjusts the pressure of the pressure adjustment portion against the substrate, based on the information from the image acquisition portion.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係る露光装置は、フォトマスクを固定するマスクホルダと、基板の外周部を固定するチャック及び前記基板に対する圧力を調整する１つ以上の圧力調整部を有するワークステージと、前記フォトマスクのパターン及び前記基板の画像を取得する画像取得部と、前記画像取得部からの情報に基づき、前記圧力調整部の前記基板に対する圧力を調整する制御部と、を備える。 - 特許庁

In the near field light mask having a light shielding film and an opening made therein and exposing an object with near field light generated from the opening, the opening consists of at least two first parallel rows of slit openings having a width smaller than 100nm, and second slit openings perpendicular to the first rows of slit openings and connecting between the first rows of slit openings.例文帳に追加

遮光膜と遮光膜に設けた開口とを有し，開口から発生する近接場光で被露光物を露光する近接場光マスクであって、該遮光膜に設けた開口が、１００ｎｍより小さい幅を有する少なくとも２本以上の平行な第１のスリット開口列と、１００ｎｍより小さい幅を有し、かつ、該第１のスリット開口列間を結び、第１のスリット開口列に垂直な第２のスリット開口とからなることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor devices related to the present invention has processes of: forming a conductive membrane on a semiconductor substrate; forming a sacrificial membrane on the conductive membrane; patterning the sacrificial membrane; forming a side wall on the side of the patterned sacrificial membrane; removing the patterned sacrificial membrane; and patterning the conductive membrane by using the side wall as a mask and form wiring.例文帳に追加

半導体基板上に導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜上に犠牲膜を形成する工程と、前記犠牲膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記犠牲膜の側面に、サイドウォールを形成する工程と、パターニングされた前記犠牲膜を除去する工程と、前記サイドウォールをマスクとして用いて前記導電性膜をパターニングして、配線を形成する工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。 - 特許庁

When the source-drain diffusion layer of an MOSFET is formed, a gate electrode 13 having a sidewall is formed at first and In or As ions are implanted from a direction aligned with the orientation face of a substrate 1 using the gate electrode 13 as a mask thus forming a deep SD region 24 having a channeling tail of small concentration gradient in the depth direction of the substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散層を形成するにあたって、まず側壁を有するゲート電極１３を形成し、これをマスクとし且つ基板１１の配向面と整合した方向からＩｎ又はＡｓイオン注入を行って、基板深さ方向に濃度勾配が小さなチャネリングテールを有するディープＳＤ領域２４を形成し、次いで、Ｂ又はＡｓの通常のイオン注入によってソース・ドレイン領域２５を形成する。 - 特許庁

(3) For the purposes of this Act, a "set of articles" means a number of articles of the same general character which are ordinarily on sale together or intended to be used together, and in respect of which the same design, or the same design with modifications or variations not sufficient to alter the character of the articles or substantially affect the identity thereof, is applied to each separate article: Provided that a series of mask works shall not be a set of articles.例文帳に追加

(3) 本法の適用上，「組物」とは，通常一緒に販売され又は一緒に使用される同じ一般的性格を有する複数の物品であって，同じ意匠，又は当該物品の性格を変更する程度には至らない若しくは同一性に実質的な影響を及ぼさない程度の修正若しくは変化を施した同じ意匠が各個別の物品に応用されているものをいう。ただし，連続マスクワークは，組物ではない。 - 特許庁

To provide a solder mask ink excellent in photosensitivity to active energy rays, able to form patterns by developing with a dilute aqueous alkali solution, not only highly insulative and excellent in tight adhesiveness and plating resistance with having sufficient film strength of cured films prepared by heat curing in the postbake treatment, but expressing stable electric characteristics, especially under high temperature and moisture.例文帳に追加

本発明はプリント配線基板の高信頼性を達成する為に、活性エネルギー線に対する感光性に優れ、希アルカリ水溶液による現像にてパターン形成できると共に、後硬化（ポストベーク）にて熱硬化して得られる硬化膜が十分な膜強度を有し高絶縁性で密着性、メッキ耐性に優れるだけでなく、特に高温高湿下にて安定した電気特性を示すソルダーマスクインキを提供することを目的とする。 - 特許庁

The waveform processing circuit 6 has a waveform shaping circuit for inverting the output of the ion current detecting circuit 5 to be compared with a first reference voltage and outputted, and a mask circuit for comparing the discharge waveform of a time constant circuit for charging or discharging according to the output of the waveform shaping circuit with a second reference voltage to produce fixed time for masking.例文帳に追加

イオン電流検出回路（イオン電流検出装置）５及び波形処理回路６を備えた内燃機関点火装置であって、波形処理回路６が、イオン電流検出回路５の出力を反転して第一の基準電圧と比較出力する波形整形回路と、波形整形回路の出力により充放電する時定数回路の放電波形を第二の基準電圧と比較してマスクのための一定時間を作り出すマスク回路とを有する。 - 特許庁