「Mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(537ページ目) - Weblio英語例文検索

When a semiconductor device provided with at least an organic material film on a semiconductor substrate is etched to form a gate electrode, or the organic material film is etched, or when the dimension of a resist mask pattern is adjusted, a process wherein the organic material film is etched by using an etching gas atmosphere containing oxygen-contained gas, chlorine- contained gas and bromine-contained gas, is contained, thereby solving the problem.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも有機材料膜を有する半導体装置をエッチングしてゲート電極を形成し、又は有機材料膜をエッチングするにあたり、若しくはレジストマスクパターンの寸法を調整するにあたり、酸素含有ガスと塩素含有ガスと臭素含有ガスとを含むエッチングガス雰囲気を用いて、この有機材料膜をエッチングする工程を含むことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a dummy gate on a semiconductor substrate, a process for forming a source/drain diffusion region by introducing impurities in the semiconductor substrate using the dummy gate as a mask, a process for forming an insulating film around the dummy gate, a process for forming an opening by removing the dummy gate, and a process for forming a gate electrode in the opening via a gate insulating film.例文帳に追加

半導体基板上にダミーゲートを形成する工程、前記ダミーゲートをマスクとして前記半導体基板に不純物を導入して、ソース・ドレイン拡散領域を形成する工程、前記ダミーゲートの周囲に絶縁膜を形成する工程、前記ダミーゲートを除去して開口部を形成する工程、及び前記開口部にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程を具備する方法である。 - 特許庁

This laser irradiation device includes a stage 110 for mounting a first substrate 101, a laser oscillation member 120 irradiating a joining member 103 arranged between the first substrate 101 and a second substrate 102 with laser, a temperature keeping member 150 for keeping the temperature of the first substrate 101 at a predetermined temperature, and a mask 140 having a pattern formed in a part corresponding to the joining member 103.例文帳に追加

本発明のレーザ照射装置は、第１基板１０１を載置するステージ１１０と、第１基板１０１と第２基板１０２との間に配置される接合部材１０３にレーザを照射するレーザ発振部材１２０と、第１基板１０１の温度を所定の温度に維持する温度維持部材１５０と、接合部材１０３に対応する部分にパターンが形成されたマスク１４０とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

In this manufacturing method of a group 3-5 nitride semiconductor independent substrate having this structure, a semiconductor layer 12 having lower crystallinity than the group 3-5 nitride semiconductor crystal 14 is formed on the base substrate 11, a mask 13 is formed on the semiconductor layer 12, then the group 3-5 nitride semiconductor crystal 14 is formed by selective growth, and finally the base substrate 11 is separated at semiconductor layer 12.例文帳に追加

この構成を有する３−５族窒化物半導体自立基板の製造は、下地基板１１の上に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を形成し、半導体層１２上にマスク１３を形成してから選択成長によって３−５族窒化物半導体結晶１４を形成した後、半導体層１２において下地基板１１を分離する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises a selective mask 12, having an opening 13 opening into a stripe-like state at a base 11, a semiconductor layer formed to have a ridge 17 parallel to the long side of the opening 13 according to selective growth from the opening 13, a first conductivity-type clad layer formed on the semiconductor layer, an active layer and a second conductivity-type clad layer.例文帳に追加

半導体発光素子を、基体１１にストライプ状に開口した開口部１３を有する選択マスク１２を設け、その開口部１３からの選択成長により開口部１３の長辺に平行な稜線１７を有するように形成された半導体層と該半導体層上に形成される第１導電型クラッド層、活性層、及び第２導電型クラッド層とを有する構成とする。 - 特許庁

The arrival time of an ambulance is reported to delay year after year, on average, taking 6 minutes or more to get there, so that it is desired, in emergency, to provide a light and handy micromini oxygen and gas mask which is expected as a protective gear from toxic gas and an effective means of protecting own life under the worst situation by arresting the initial-stage cerebral hypoxia to the minimum.例文帳に追加

救急車の到着時間が年々遅れ平均が６分以上掛かる事が報告されていることから緊急の場合、有毒ガスの防具として効果を期待出来、初期段階の脳酸欠症を最小限に食い止めることが最悪の事態に対して自分の命を守る有効な手段となり得る事から、軽便でハンデイな超小型の酸素・防毒マスクの提供が望まれている。 - 特許庁

The method for manufacturing a printing plate includes at least steps of: (a) irradiating a photosensitive layer of a photosensitive printing plate original having the photosensitive layer and a support with active rays through an image mask; (b) removing a portion not irradiated with the active rays in the photosensitive layer by development to form a relief; and (c) correcting at least a part of the formed relief by laser engraving.例文帳に追加

（ａ）少なくとも支持体および感光層を有する感光性印刷版原版の感光層に、画像マスクを介して活性光線を照射する工程、（ｂ）前記感光層の活性光線未照射部を現像により除去してレリーフを形成する工程、（ｃ）形成されたレリーフの少なくとも一部分をレーザー彫刻によって修正する工程、を少なくとも含む印刷版の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the structure having the uneven pattern includes a coating step of coating to a processing object a liquid (a) containing first particles and a matrix material composed of a material different from the first particles; a removal step of removing the first particles; and an etching step of forming the uneven pattern by etching a processing object with the matrix material as an etching mask.例文帳に追加

本発明の凹凸パターンを有する構造体の製造方法は、第一の粒子と、前記第一の粒子と異なる材料からなるマトリクス材とを含む液体（ａ）を被加工体上に塗布する塗布工程と、前記第一の粒子を除去する除去工程と、前記マトリクス材をエッチングマスクとして前記被加工体をエッチングして凹凸パターンを形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a color filter substrate by which patterning processes such as pattern exposure and development are performed to form alignment controlling protrusions by using an exposure mask having a pattern exposure region where transmittance is changed stepwise in an alignment controlling protrusion forming step for forming the alignment controlling protrusions by performing the patterning processes such as pattern exposure and development to a transparent photosensitive resin layer.例文帳に追加

透明感光性樹脂層をパターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成する配向制御突起形成工程において、段階的に透過率が変化するパターン露光領域を有する露光マスクを用いて、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a material suitable to produce a flexographic printing plate by an ink-jet method in a conventional form, especially in relation to light used for flood exposure of a photopolymer layer, a material having high acceptability of water base ink so as to enable application of an exposure mask having high optical density, and a material retaining high acceptability of water base ink during storage.例文帳に追加

インキ−ジェット方法により従来方式でフレキソ印刷版を製造するために適する改良された材料、特に、光重合体層のフラッド露光用に使用される光に関して高い光学濃度を有する露光マスクを適用できるようにするための水性インキの高い受容性により特徴づけられる材料、および貯蔵中に水性インキの高い受容性を保有する材料を提供すること。 - 特許庁

The mask is provided with a first light transmitting region 4 which is used for forming the region for the penetrating part on the substrate and whose mean transmittance is at least 90% and a second light transmitting region 5 which is used for forming the region for the not-penetrating surface layer part and whose mean transmittance is at most 50%.例文帳に追加

多孔質の絶縁体における平均空隙の大きさは、回転半径で前記露光光の波長に対して1/20以上10倍以下であり、マスクは、基板に貫通部用領域を形成するための平均透過率90％以上の第一の光透過領域４と、非貫通表層部用領域を形成するための平均透過率50％以下の第二の光透過領域５とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In the anodizing process, the cathode 25 is arranged opposite to the other surface side of the semiconductor substrate 10 and a mask for patterning is designed so as to form a light intensity distribution in accordance with a desired lens shape on the other surface of the semiconductor substrate 10 and is arranged between a light source 30 composed of a tungsten lamp and the other surface of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

陽極酸化工程において半導体基板１０の上記他表面側に対向配置される陰極２５が、半導体基板１０の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源３０と半導体基板１０の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the wiring structure comprises a process for forming a conductive film made of an oxidation-resistant metal or its nitride, a process for eliminating a natural oxide film on the conductive film, a process for forming a conductive oxide film on the conductive film, and a process for machining the conductive film and the conductive oxide film to the same pattern by the same mask.例文帳に追加

耐酸化性金属又はその窒化物からなる導電膜を形成する工程と、該導電膜上の自然酸化膜を除去する工程と、前記導電膜上に導電性酸化物膜を形成する工程と、前記導電膜及び導電性酸化物膜を同一のマスクにより同一のパターンに加工する工程とを有することを特徴とする配線構造の製造方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device comprises steps for forming an N type semiconductor region 102, a field oxide film 103 and a gate oxide film 104, implanting high energy ions and low energy ions, forming a gate electrode, forming source and drain by implanting ions using the gate electrode as a mask, making a contact hole, forming an interconnection and then forming a final protective film through final heat treatment.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域を形成し、フィールド酸化膜を形成し、ゲート酸化膜を形成し、高エネルギ−のイオン注入と低エネルギーのイオン注入し、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクにイオン注入にてソース、ドレインを形成し、コンタクトホールを形成し、配線を形成し、最終熱処理し、最終保護膜形成する工程とからなる半導体装置およびその製造方法。 - 特許庁

The method includes the stages of forming a metal film 13 on a semiconductor substrate 11, forming an insulating film on the metal 13, forming a resist 15 patterned in a specified shape on the insulating film 14, forming a hole 14a in the insulating film 14 by using the resist 15 as a mask, and ashing the resist 15 by using a catalyst and other decomposition accelerators for decomposing fluorocarbon gas.例文帳に追加

半導体基板１１上に金属膜１３を形成する工程と、金属膜１３の上に絶縁膜１４を形成する工程と、絶縁膜１４上に所定の形状にパターニングされたレジスト１５を形成する工程と、レジスト１５をマスクとして絶縁膜１４に孔１４ａを形成する工程と、フロロカーボンガスと、フロロカーボンガスを分解するための、触媒その他の分解促進物とを用いてレジスト１５をアッシングする。 - 特許庁

To provide a method of forming a fine pattern to form the pattern by covering, with a cover forming agent, a substrate including a photoresist pattern (mask pattern) in which pattern size can be well controlled, a fine pattern satisfying the excellent profile and requested chararacteristic for a semiconductor device can be obtained and moreover generation of particles which can result in contamination of device can be prevented.例文帳に追加

ホトレジストパターン（マスクパターン）を有する基板上に被覆形成剤を被覆してパターン形成を行う微細パターンの形成方法において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができ、さらにデバイスの汚染の原因となり得るパーティクルの発生を防止した、微細パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

It is a network traffic monitor system applied to WAN, and comprises a traffic monitor 5 connecting a branch cable at point T between TA 2 and DSU 3 and monitoring Internet traffic, and a monitor 6 controlling an initiation/stop of an accumulating process, setting a subnet mask defining an accumulation unit, and acquiring traffic information from the traffic monitor 5 by SNMP from the traffic monitor 5.例文帳に追加

ＷＡＮに適用されるネットワークトラフィック監視システムであり、ＴＡ２−ＤＳＵ３間のＴ点にて分岐ケーブルを接続し、インターネットトラフィックのモニタを行うトラフィックモニタ装置５と、トラフィックモニタ装置５に対し、集計処理の開始／停止などの制御、集計単位を定めるサブネットマスクの設定、及び、集計結果としてトラフィックモニタ装置５よりトラフィック情報をＳＮＭＰで取得する監視装置６より構成される。 - 特許庁

The mask for extreme ultraviolet rays exposure comprises a portion of a thin film which absorbs extreme ultraviolet rays, and a portion of light transmission holes which are formed by carrying out the opening in the above thin film so as to transmit the ultraviolet rays.例文帳に追加

極端紫外線を吸収する薄膜の部分と、前記紫外線を透過するために前記薄膜に開口した透過孔の部分からなり、前記極端紫外線を吸収する薄膜の部分を透過する透過光の、入射光に対する透過率をＴ、前記透過孔を透過する透過光の、入射光に対する透過率をＴ０とするとき、下式で表されるＤが３以上であることを特徴とする。 - 特許庁

By pressing this circular arc with a fine pattern 3 formed for the circumstance of the mask substrate 2 to a photosensitive resin layer to which this fine pattern 3 is transferred by exposure, the interval between the fine pattern 3 and photosensitive resin layer can be controlled to be shorter than the wavelength of exposure light so that the fine pattern 3 can be transferred satisfactorily by exposure.例文帳に追加

マスク基体２の外周面の微細パターン３が形成された円弧形状部分をこの微細パターン３を露光転写しようとする感光性樹脂層に押し当てることにより、微細パターン３と感光性樹脂層との間隔を露光光の波長以下に抑えることができ、露光光として近接場光を用いた露光転写を行うことができ、微細パターン３の露光転写を良好に行うことができる。 - 特許庁

The image registration method for performing accurate registration between a reference image and an attentive image in a time-series image of an object comprises setting a predetermined area on the reference image an attention area; and estimating, at the time of registration, a motion parameter based on the pixel of a mask image showing an area accurately registrable by planar projection conversion within the set attention area.例文帳に追加

対象を撮影した時系列画像中の参照画像と注目画像との間に高精度なレジストレーションを行う画像レジストレーション方法であって、参照画像上の所定の領域を注目領域に設定し、レジストレーションを行う際に、設定された注目領域内で、平面射影変換によって正確にレジストレーションできる領域を表すマスク画像の画素に基づき、モーションパラメータを推定する。 - 特許庁

The mask inspection light source 101' includes: a laser device with a mode-lock titanium sapphire laser oscillator 111 that generates a laser beam and a titanium sapphire regenerative amplifier 112 that excites the laser beam generated from the mode-lock titanium sapphire laser oscillator 111 with a green laser beam in continuous operation; and a wavelength converting device that generates fourth harmonics of the laser beam extracted from the laser device.例文帳に追加

本発明の一態様に係るマスク検査光源１０１'は、レーザ光を発生するモードロック型チタンサファイアレーザ発振器１１１と、モードロック型チタンサファイアレーザ発振器１１１から発生するレーザ光を連続動作のグリーンレーザ光で励起させるチタンサファイア再生増幅器１１２とを備えるレーザ装置と、レーザ装置から取り出されるレーザ光の第四高調波を発生する波長変換装置とを有するものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming an upper gate 16 by partly etching a silicon nitride film layer 15 and a metal layer 14, forming an upper sidewall 17 of a silicon nitride film on a sidewall of the gate 16, etching the layer 13 and the film 12 with the sidewall 17 as a mask, and conducting a sidewall oxidation of the remaining layer 13.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法では、シリコン窒化膜層１５およびメタル層１４が部分的にエッチングされて上側ゲート部１６が形成され、その上側ゲート部１６の側壁部にシリコン窒化膜の上側サイドウォール１７が形成され、その上側サイドウォール１７をマスクとして、ポリシリコン層１３およびゲート酸化膜１２がエッチングされるとともに、残留しているポリシリコン層１３の側壁酸化が行われる。 - 特許庁

ALIGNMENT MASK OF HEAD UNIT, ASSEMBLY DEVICE OF HEAD UNIT SETTABLE THEREOF, METHODS FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY, ORGANIC EL DEVICE, ELECTRON EMISSION DEVICE, PDP DEVICE, ELECTROPHORETIC DISPLAY DEVICE, COLOR FILTER AND ORGANIC EL, AND METHODS FOR FORMING SPACER, METAL WIRING, LENS, RESIST, AND OPTICAL DIFFUSER例文帳に追加

ヘッドユニットのアライメントマスクおよびこれがセット可能なヘッドユニットの組立装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法 - 特許庁

The present invention relates to the nitride light-emitting element comprising an n-type clad layer 30, an active layer 40, a p-type clad layer 50 and a transparent conductive film layer 60 that are sequentially laminated on a substrate 10, wherein the transparent conductive film layer 60 including a surface patterned in nanometer scale using wet etching and post-thermal-treatment without a separate etching mask.例文帳に追加

基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。 - 特許庁

The image coding method of compressing and coding input image data, composed of a plurality of components comprises a step of adding an alpha channel having mask information recorded per pixel for forming a composite image to the input image data as a new component, coding image data, containing a plurality of components and the new component after converting the resolutions thereof in an hierarchical form, thereby forming an integrated image file.例文帳に追加

複数のコンポーネントから構成される入力画像データを圧縮符号化する画像符号化方法において、前記入力画像データに、画像の合成に用いるマスク情報を画素毎に記録されたアルファチャンネルを新たなコンポーネントとして追加し、前記複数のコンポーネントと前記新たなコンポーネントとを含む画像データを、その解像度を階層化して符号化処理し、一体化した画像ファイルを生成する。 - 特許庁

The method for producing the device for releasing molecules comprises the step of providing a substrate, the step of accumulating an insulation material on the substrate followed by patterning for the purpose of using as an etching mask, the step of etching a plurality of reservoirs in the substrate, the step of filling a releasing system and a capping material in the reservoirs, and the step of etching the releasing system and the capping material.例文帳に追加

分子の放出のためのデバイスを製造する方法であって、基板を提供する工程；エッチマスクとして使用するために、基板上に絶縁性材料を堆積させ、そしてパターニングする工程；基板中に複数のリザーバをエッチングする工程；リザーバに放出システムおよびキャップ材料を充填する工程；および放出システムおよびキャップ材料をエッチングする工程を包含する、方法。 - 特許庁

In the step of forming a non-circuitry phase shift alignment region is formed in the manufacture of a phase shift mask, alignment accuracy is measured at least partially by using an aerial image measurement equipment so as to determine the alignment of patterns to be formed in a photoresist applied a substrate before the material is etched to form the non-circuitry phase shift alignment region and while the photoresist is present on the substrate.例文帳に追加

位相シフトマスクの製造において、非回路位相シフトアライメント領域を形成するとき、前記非回路位相シフトアライメント領域を形成するために材料をエッチングする前で、基板上にフォトレジストがあるときに、前記基板上に受け入れられる前記フォトレジストに形成されるパターンのアライメントを決定するために、少なくとも一部空間イメージ測定装置を用いて、アライメント精度を測定する。 - 特許庁

In the photosensitive resin printing plate precursor, a photosensitive resin layer (A) containing a water-soluble or water-dispersible resin and an ultraviolet-curable monomer, an adhesive strength adjusting layer (B), and the thermosensitive mask layer (C) containing an infrared absorbing substance are installed, in this order on a substrate, wherein the adhesive strength adjusting layer (B) contains at least an amine compound.例文帳に追加

基板上に、水に溶解または分散可能な樹脂および紫外光により硬化可能なモノマーを含有する感光性樹脂層（Ａ）、接着力調整層（Ｂ）、および赤外線吸収物質を含有する感熱マスク層（Ｃ）がこの順に積層された感光性樹脂印刷原版であって、該接着力調整層（Ｂ）が少なくともアミン化合物を含有することを特徴とする感光性樹脂印刷版原版による。 - 特許庁

To provide a projection aligner for forming a specified pattern on a printed wiring board by transferring the image of a mask where a specified pattern is formed to the printed wiring board, where the height of a mask's image forming surface or the height of the photosensitive surface of a printed board need not be manually adjusted even in the case of exposing several kinds of printed boards having different thicknesses.例文帳に追加

所定のパターンが形成されたマスクの像をプリント配線基板に転写してプリント配線基板に所定のパターンを形成する投影露光装置であって、異なる厚さを有する複数種類のプリント基板に露光する場合であっても手動でマスクの像の結像面の高さまたはプリント基板の感光面の高さを調整する必要のない投影露光装置を提供することである。 - 特許庁

Also, this method of manufacturing the semiconductor device is for irradiating a semiconductor film formed on a substrate with a laser beam to crystalize the semiconductor film, in which a first laser irradiation area is restricted by a projection mask which transmits a first laser beam having a wavelength in an ultraviolet area, and in which the material of a light-shielding section is an alloy of a composition including an aluminum and a refractory metal.例文帳に追加

また、本発明の半導体デバイスの製造方法は、基板上に形成された半導体膜にレーザを照射して結晶化する製造方法において、紫外線領域の波長を有する第１のレーザを通過させる投影マスクであって、遮光部の材質がアルミニウムと高融点金属を含む組成の合金である投影マスクにより第１のレーザの照射領域を限定することを特徴とする。 - 特許庁

A method includes the steps of: preparing a substrate; sequentially forming a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer on the substrate; forming a photoresist pattern on the upper semiconductor layer so that its side wall is inclined to an upper surface of the substrate; and sequentially etching the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer by using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

The etching method includes the steps of forming the antireflective film (Si-ARC film) on an etched layer, forming the resist film (ArF resist film) patterned on the antireflective film, and etching the antireflective film with an etching gas containing CF_4 gas, COS gas and O_2 gas using the resist film as the mask to form a desired pattern on the antireflective film.例文帳に追加

被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 - 特許庁

A sheet for introducing active components of one or more layers to a subject is formed by electronically recording and capturing an image of the subject, electronically processing the image to specify one or more locations with one or more specific color tones or absorption wavelength for mapping, and accurately printing a solution containing one or more active components in mapped positions H, I on mask sheets A, B in units of μm using a printer.例文帳に追加

被写体の画像を電子的に記録して取り込み、その画像を電子処理して単数又は複数の特定の色調又は吸収波長をもつ場所を単数又は複数特定してマッピングし、そのマッピングされた位置Ｈ、Ｉに単数又は複数の有効成分を含む溶液を、印刷装置を用いてμｍ単位で正確にマスクシートＡ、Ｂに印刷した、単層又は複層の有効成分の被写体への導入用シート。 - 特許庁

In miniaturization of the supporting leg wiring, the supporting leg 3 can be reduced in height, by etching only a region equivalent to the supporting leg 3 to a BPSG 10 and a TEOS 11, namely, surrounding interlayer insulation films, and thereby reducing the sectional area of the supporting leg 3, thus providing an infrared image pickup device that has miniaturized supporting leg structure, independently of the size rule determined by a mask.例文帳に追加

本発明では、支持脚配線の微細化において、支持脚３の断面積を小さくするため、周囲の層間絶縁膜であるＢＰＳＧ１０及びＴＥＯＳ１１に対し、支持脚３に相当する領域のみをエッチングすることにより、支持脚３を低背化することができ、マスクで決定するサイズ立則にとらわれない微細化された支持脚構造を有する赤外線撮像素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The exposure device includes a mask holder which fixes a photomask; a chuck which fixes the periphery of the substrate; a work stage having one or more pressure adjustment portions which adjust the pressure to the substrate; an image acquisition portion which obtains the images of the photomask pattern and the substrate; and a control portion which adjusts the pressure of the pressure adjustment portion against the substrate, based on the information from the image acquisition portion.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係る露光装置は、フォトマスクを固定するマスクホルダと、基板の外周部を固定するチャック及び前記基板に対する圧力を調整する１つ以上の圧力調整部を有するワークステージと、前記フォトマスクのパターン及び前記基板の画像を取得する画像取得部と、前記画像取得部からの情報に基づき、前記圧力調整部の前記基板に対する圧力を調整する制御部と、を備える。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object.例文帳に追加

この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a method of forming a patterned retardation control functional layer by applying a photosensitive composition containing a polymerizable liquid crystal on a substrate, exposing the composition through a mask, developing an uncured portion of the photosensitive composition coating layer with an organic solvent and rinsing, wherein no residue of the photosensitive composition is produced on the substrate and an optimally patterned retardation control functional layer can be formed.例文帳に追加

重合性液晶を含む感光性組成物を基材に塗布した後、マスクを用いて露光し、感光性組成物塗布層の未硬化部分を有機溶媒で現像し、リンスしてパターン化された位相差制御機能層を形成する方法において、基材に上に感光性組成物の残渣を発生させることがなく、最適にパターン化された位相差制御機能層を形成することができるパターン化位相差制御機能層の形成方法を提供する。 - 特許庁

A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing an oxirane group or anhydride group that can participate in cation polymerization of carbon nanotube surfaces, dispersing the carbon nanotubes in an organic solvent together with a photoacid generator or photobase generator, coating them on a group material, exposing them to an ultraviolet ray via a photo mask, inducing them into cation polymerization at an exposing part, and removing non-exposed parts by a developing solution.例文帳に追加

カーボンナノチューブの表面に陽イオン重合に参加することが可能なオキシラン基又はアンハイドライド基を導入し、前記カーボンナノチューブを光酸発生剤又は光塩基発生剤と共に有機溶媒に分散させ、基材上にコーティングした後、フォトマスクを介してＵＶに露光させ、露光部でカーボンナノチューブの陽イオン重合を誘発した後、非露光部を現像液で除去することにより、カーボンナノチューブのネガティブパターンを形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: forming a high specific dielectric insulating layer on an SOI substrate; forming a gate electrode layer on the high specific dielectric insulating layer; forming a resist layer on the gate electrode layer; selectively removing the gate electrode layer using the resist layer as a mask; and removing the resist layer by ashing processing using gas not containing oxygen.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩ基板上に、高比誘電率絶縁層を形成する工程と；前記高比誘電率絶縁層上に、ゲート電極層を形成する工程と；前記ゲート電極層上に、レジスト層を形成する工程と；前記レジスト層をマスクとして前記ゲート電極層を選択的に除去する工程と；酸素を含まないガスを用いたアッシング処理によって前記レジスト層を除去する工程とを含んでいる。 - 特許庁

The mask for exposure having at least one photosensitive silver halide emulsion layer on a glass substrate and produced by forming blackened silver in the silver halide emulsion layer by development after exposure has a protective layer disposed by coating after image formation as an upper layer on the same side as the image forming layer with respect to the glass substrate and the protective layer comprises an organic-inorganic hybrid material.例文帳に追加

ガラス基材上に少なくとも一層の感光性ハロゲン化銀乳剤層を有し、露光後現像処理することによって黒化銀を該ハロゲン化銀乳剤層中で形成して作製される露光用マスクにおいて、ガラス基材に対して画像形成層と同じ側の上層に画像形成後に塗設した保護層を有し、該保護層が有機無機ハイブリッド材料を含有することを特徴とする露光用マスク、および露光用マスク保護液。 - 特許庁

(3) For the purposes of this Act, a "set of articles" means a number of articles of the same general character which are ordinarily on sale together or intended to be used together, and in respect of which the same design, or the same design with modifications or variations not sufficient to alter the character of the articles or substantially affect the identity thereof, is applied to each separate article: Provided that a series of mask works shall not be a set of articles.例文帳に追加

(3) 本法の適用上，「組物」とは，通常一緒に販売され又は一緒に使用される同じ一般的性格を有する複数の物品であって，同じ意匠，又は当該物品の性格を変更する程度には至らない若しくは同一性に実質的な影響を及ぼさない程度の修正若しくは変化を施した同じ意匠が各個別の物品に応用されているものをいう。ただし，連続マスクワークは，組物ではない。 - 特許庁

A plurality of times of engraving can be conducted to the same resin by a photolithographic method by using a positive type photosensitive polyimide resin material to an insulating layer 21, mask formation by a resist in a solder ball forming process and a rear etching process in the manufacture can be omitted, processes can be simplified, and a material used can be decreased, and manufacturing cost can be reduced.例文帳に追加

絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。 - 特許庁

This three-dimensional nose covering mask can improve the adhesion, even if the expression of the face is changed in the conversation, prevent the easy deviation, prevent the intrusion of the pollen and dust as much as possible and suppress the symptoms of the pollen allergy.例文帳に追加

鼻とマスクとの隙間を減少させるため、鼻だけを覆う袋状のマスク本体と、該袋状マスク本体図２参照を立体的にする鼻フレーム本体図３参照を挿入し、袋状マスク本体で包み込む事により出来た、立体的な鼻覆いマスクによって密着性を高める事が出来、又、会話などで、顔の表情が変わっても立体的な鼻覆いマスクがズレにくく、花粉や粉塵の侵入を極力防ぎ、花粉症などの症状を抑える事もできる。 - 特許庁

To provide a solder mask ink excellent in photosensitivity to active energy rays, able to form patterns by developing with a dilute aqueous alkali solution, not only highly insulative and excellent in tight adhesiveness and plating resistance with having sufficient film strength of cured films prepared by heat curing in the postbake treatment, but expressing stable electric characteristics, especially under high temperature and moisture.例文帳に追加

本発明はプリント配線基板の高信頼性を達成する為に、活性エネルギー線に対する感光性に優れ、希アルカリ水溶液による現像にてパターン形成できると共に、後硬化（ポストベーク）にて熱硬化して得られる硬化膜が十分な膜強度を有し高絶縁性で密着性、メッキ耐性に優れるだけでなく、特に高温高湿下にて安定した電気特性を示すソルダーマスクインキを提供することを目的とする。 - 特許庁

The waveform processing circuit 6 has a waveform shaping circuit for inverting the output of the ion current detecting circuit 5 to be compared with a first reference voltage and outputted, and a mask circuit for comparing the discharge waveform of a time constant circuit for charging or discharging according to the output of the waveform shaping circuit with a second reference voltage to produce fixed time for masking.例文帳に追加

イオン電流検出回路（イオン電流検出装置）５及び波形処理回路６を備えた内燃機関点火装置であって、波形処理回路６が、イオン電流検出回路５の出力を反転して第一の基準電圧と比較出力する波形整形回路と、波形整形回路の出力により充放電する時定数回路の放電波形を第二の基準電圧と比較してマスクのための一定時間を作り出すマスク回路とを有する。 - 特許庁