V-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8949件
To enable reduction of crystal defect of a conventional strain- relaxation buffer layer and a burden on a growing device in III-V compound semiconductor epitaxial wafer having an operative region where a substrate crystal and a grating constant are different equal to or greater than 0.15%.例文帳に追加
基板結晶と格子定数が0.15%以上異なる動作領域を持つIII−V族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、従来の歪緩和バッファ層の結晶の欠点と、成長装置の負担を低減することを可能とする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a III-V compound semiconductor crystal which is free from composition separation and subjected to carbon doping with good crystallinity small in hole-type defect density, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the manufacturing method.例文帳に追加
組成分離がなく、かつ空孔型欠陥密度が小さい良好な結晶性で炭素ドーピングを行ったIII−V族化合物半導体結晶の製造方法及び該製造方法を用いた半導体デバイスの製造方法の提供。 - 特許庁
In a double-fold structured raw crystal glass, surface clear glass 1 is fabricated into cabochon shape of an ellipse spheroidal, and V-shaped cuts are engraved on the colored glass 2 of the back layer, thus the geometrical patterns emerge on the cut glass decorative accessories.例文帳に追加
二重被せのクリスタルガラスの生地において、表層の透明ガラス1を楕円球状のカボッション型に成形し、裏層の有色ガラス2にV字状の彫り込み加工を施し、幾何学的模様を浮かび上がらせる切子身飾品である。 - 特許庁
The projections 140a are formed in-situ on the p-type nitride semiconductor layer 140 because a plurality of V-pits 120a are formed on the n-type nitride semiconductor layer 120.例文帳に追加
本発明によれば、n型窒化物半導体層120上に複数のV‐ピット120aが形成されており、これによってp型窒化物半導体層140上にはインシチュー(in‐situ)工程で突出部140aを形成することができる。 - 特許庁
This electrolyte for the lithium battery includes lithium salt, nonaqueous organic solvent and compound additives which start to decompose at 4-5V by an LSV measurement and retains a fixed current in a region having a section width of 0.5 V or more.例文帳に追加
本発明のリチウム二次電池用電解質は,リチウム塩と,非水性有機溶媒と,LSV測定によって4〜5Vで分解が開始されて0.5V以上の区間幅を有する領域で一定の電流が持続する化合物添加剤とを含む。 - 特許庁
A III-V group compound semiconductor layer which contains at least gallium, indium, arsenic and antimony is formed on the GaAs substrate wherein a surface which is sloped from a (100) face or a face equivalent to the (100) face in crystallography at a given angle is made a surface.例文帳に追加
(100)面またはその面と結晶学的に等価な面から所定の角度にて傾斜した面を表面とするGaAs基板上に、少なくともガリウムとインジウムと砒素とアンチモンとを含むIII−V族化合物半導体層を形成する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an electrode foil for an aluminum electrolytic capacitor capable of raising the capacitance of an electrode foil in a breakdown voltage region of ≥170 V and reducing the dielectric loss (tan δ) and the leakage current.例文帳に追加
170V以上の耐電圧領域における電極箔の静電容量を高めることができ、かつ誘電体損失(tanδ)、漏れ電流を低減させることができるアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁
The quinacridone derivative compound bears in the molecule both a group represented by general formula (I) (wherein the phenyl group may bear a substituent group) and a group represented by general formula (V) (wherein n is a natural number; and R is an alkyl group).例文帳に追加
下記一般式(I)で表わされる基 (ただし、フェニル基は置換基を有していても良い)および、下記一般式(V)で表わされる基 (ただし、nは自然数、Rはアルキル基)を分子内に共に有することを特徴とするキナクリドン誘導体化合物。 - 特許庁
Also, the difference in capacitance between the first fixed electrodes 3 and 4 and the movable electrode 2 and between the second fixed electrodes 5 and 6 and the movable electrode 2 is converted to a voltage corresponding to acceleration by a C-V conversion circuit 8 and is outputted.例文帳に追加
また、第1の固定電極3、4と可動電極2間および第2の固定電極5、6と可動電極2間のそれぞれの静電容量の差が、C−V変換回路8によって加速度に対応した電圧に変換され出力される。 - 特許庁
The photosensitive lithographic printing plate has, on a hydrophilic support, a photopolymerizable photosensitive layer containing (i) a sensitizing dye having an absorption maximum in a wavelength range of 360-450 nm; (ii) a hexaarylbisimidazole compound; (iii) an addition polymerizable compound having an ethylenically unsaturated double bond; (iv) a binder polymer; and (v) a specific mercapto compound.例文帳に追加
(i)360nmから450nmの波長域に吸収極大を持つ増感色素 (ii)ヘキサアリールビスイミダゾール化合物 (iii)エチレン性不飽和二重結合を有する付加重合性化合物 (iv)バインダーポリマー (v)特定のメルカプト化合物 - 特許庁
The end face which becomes an abutted part is preliminarily formed into a taper shape and a groove 9 having a V groove shape is beforehand formed in a position which is an inner corner formed with the mutual members 2, 5 and equivalent to a one side part 8a among the four side parts 8a o 8d of a striking part.例文帳に追加
突き合わせ部となる端面を予めテーパ状に形成して、メンバ2,5同士のなす内隅部であって且つ突き当て部の四辺部8a〜8dのうちの一辺部8aに相当する位置にV溝状の開先9をしておく。 - 特許庁
When defined that M (mg/cc) is the volume of mercury, 9.9≥M≥7.7 is fulfilled, and 25-100 atom% of excessive halogen against the halogen contained in the metal halide is enclosed, here, the tube voltage is 200 V, class and the tube output power is 2000 W class - 3000 W class.例文帳に追加
水銀の量をM(mg/cc)としたとき、9.9≧M≧7.7であり、過剰のハロゲンが、ハロゲン化金属に含まれるハロゲンの25〜100原子%封入され、管電圧200V級で管電力2000W級〜3000W級とした。 - 特許庁
In this case, R (diffuse regular reflection intensity) is the intensity of a diffuse regular reflection direction, and V is the total of diffuse reflection intensities measured at every degree from -θ to +θ° to the diffuse regular reflection direction when irradiating the optical sheet with a visible light beam.例文帳に追加
0.19<R/V (I)R(拡散正反射強度);拡散正反射方向の強度V;光学シートに可視光線を照射した際の拡散正反射方向に対して−θ度〜+θ度まで1度ごとに測定した拡散反射強度の総和 - 特許庁
The first and second sleeve division bodies 31, 32 are provided with joining means of joining the first and second sleeve division bodies 31, 32 together so that the press surface maintains the state in which the optical fiber strands are pressed against the bottom of the V-shaped groove.例文帳に追加
押付け面が両方の光ファイバ素線をV溝の底部に押し付けた状態を維持するように第1スリーブ分割体31と第2スリーブ分割体32とを接合させる接合手段を第1、第2スリーブ分割体31,32に設けた。 - 特許庁
Meanwhile, an almost V-shaped engagement projecting part 33f corresponding to the shape of the positioning recessed part 13a is formed in the elastic support 33, and the engagement projecting part 33f is made to face the positioning recessed part 13a to be engaged with the positioning recessed part 13a when assembling.例文帳に追加
一方、弾性保持具33には、位置決め凹部13aの形状に対応する略V字形状の係合凸部33fを形成しておき、組付時に当該係合凸部33fを位置決め凹部13aに突き合わせ係合する。 - 特許庁
To provide a continuously cast steel slab which has little center segre gation and V segregation and does not generate an internal crack even in the case of hot-rolling the slab into a thick steel plate, and a continuous casting method of this cast slab and a producing method of the thick steel plate by hot-rolling this cast slab.例文帳に追加
中心偏析やV偏析の少なく、厚鋼板に熱間圧延しても内部割れが発生しない鋼の連続鋳造鋳片、その鋳片の連続鋳造方法およびその鋳片を熱間圧延する厚鋼板の製造方法の提供。 - 特許庁
A substantially linear inclined portion extending rearward and upward from a lower side portion of the transom 17 is disposed at a lower edge part of the overhanging part 18 when viewed from side, and a lower edge part of the overhanging part 18 when viewed from behind is formed in a substantially V-shape.例文帳に追加
張り出し部18の側面視による下縁部に、トランサム17の下部側部分から後方でかつ上方に向う略直線状の傾斜部分を設け、張り出し部18の後面視による下縁部を略V字状に形成した。 - 特許庁
Two engaging sections 14C and 14D are formed in a V-shape, a metal ring 20A of a metal ring 20A of the right shielding member 12 is engaged with the engaging section 14C, and a metal ring 20C of the left shielding member 12 is engaged with the engaging section 14D.例文帳に追加
二つの係合部14C、14Dは、V字状に形成され、係合部14Cには、右側の遮蔽部材12の金属リング20Aが係合され、係合部14Dには、左側の遮蔽部材12の金属リング20Cが係合される。 - 特許庁
Also, the control circuit 20 controls transition timings from the power injecting period to the power non-injecting one and its reverse transition timing in such a way as to synchronize with the zero-cross timing of an AC voltage V.例文帳に追加
また、制御回路20は、電力注入期間から電力非注入期間へ遷移するタイミング及び電力非注入期間から電力注入期間へ遷移するタイミングを交流電圧Vがゼロクロスするタイミングと一致させるように制御する。 - 特許庁
Since, moreover, the U/V passes outside a safety region on the safety region figure by the Mathieu equation at changing-over of the masses in a step shape, unwanted ions hardly pass the quadrupole mass filter to enable to alleviate damage on the detector.例文帳に追加
また、質量をステップ状に切り替える際にマチウ方程式による安定領域図上でU/Vが安定領域の外側を通るため、不所望のイオンが四重極質量フィルタを通過しにくくなり検出器のダメージを軽減できる。 - 特許庁
With a table in accordance with a condition S of current where a data D is taken out of a variable-length code stream which is to be decoded for each single byte a record of a number indicated by the data D is referenced, so that a decoding data stream V and a next state S' are acquired.例文帳に追加
復号対象の可変長符号列から1バイト毎にデータDを取り出し、現在の状態Sに対応したテーブルにおいて、データDが示す番号のレコードを参照し、復号データ列Vと、遷移する次の状態S′とを得る。 - 特許庁
Each cross sectional area S of holes 21A-m, each length L of interfaces 29A-m between the holes 21A-m and air spaces 25, and each capacity V of the air spaces 25 in respective sound absorption panels 20A-m (m=1 to 3) are set to be identical for all three types.例文帳に追加
吸音パネル20A−m(m=1〜3)の各々における孔21A−mの断面の面積S、孔21A−mと空気層25との境界面29A−mの長さL、および空気層25の容積Vを3種類のすべてについて同じにする。 - 特許庁
The three dimensional configuration stored in the memory of a 3DCAD of a first body is read out so as to allow its volume V to be operated, and the weight M1g(=μVg) of the first body is operated so as to be obtained by multiplying its specific gravity μ to the aforesaid volume.例文帳に追加
3DCADのメモリ23にストアされた第1物体の3次元形状を読出して、その第1物体の体積Vを演算し、比重μを掛算することによって第1物体の重量M1・g(=μ・V・g)を演算して求める。 - 特許庁
A variable win device 30 of a Pachinko machine is provided with a "Kurun (a plate-shaped generator)" 34 and balls inflowing in the variable win device 30 are guided to one of general holes 36 and 37 and a V zone 35 by the "Kurun" 34 at a probability of approximately 1/3.例文帳に追加
パチンコ機の変動入賞装置30にはクルーン34が設けられ、変動入賞装置30内に流入した球は、クルーン34によって通常口36,37とVゾーン35とのいずれかへほぼ1/3の確率に従って誘導される。 - 特許庁
The sill 7 having the sectionally V-shaped guide groove 8 is provided at the lower edge of an access 1 and a holding mechanism 9 is provided at the lower end of the sliding door 4 for opening/closing the access 1 in such a manner as to be energized downward and normally held at a predetermined move-down position.例文帳に追加
横断面V字状の案内溝8を有する敷居7を出入口1の下縁部に設け、また出入口1を開閉する引き戸4の下端部に保持機構9を設けて下方に付勢し常時は所定の下降位置に保持する。 - 特許庁
This method comprises the following practice: the velocities v and v2 of an airflow and/or the moving velocities v1 and v3 of respective articles 12 and 14 are regulated so that the relative airflow velocity on the respective surfaces of the articles 10, 12 and 14 placed in an atmosphere where microparticles are suspended comes to 1.5-2.5 m/s.例文帳に追加
微粒子が浮遊する雰囲気内に置かれた物品10、12、14に対して、物品表面における相対的な気流速度が1.5〜2.5m/sとなるように、気流の速度v、v2や物品の移動速度v1、v3を調整する。 - 特許庁
v) Digitally controlled radio receivers with exceeding 1,000 channels (excluding those designed for the use in public cellular wireless communication) or components or accessories thereof that fall under all of the following (a) through (c 例文帳に追加
五 チャネルの数が一、〇〇〇を超えるデジタル制御方式の無線受信機(民生用のセルラー無線通信に使用するように設計したものを除く。)又はその部分品若しくは附属品であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
(v) when rendering Adverse Dispositions, which are specified by a Cabinet Order as being not subject to the requirement to hear the opinion of those who will become the subject parties owing to the fact that, in light of the nature of such Dispositions, the contents of the duties imposed by such Dispositions are extremely slight. 例文帳に追加
五 当該不利益処分の性質上、それによって課される義務の内容が著しく軽微なものであるため名あて人となるべき者の意見をあらかじめ聴くことを要しないものとして政令で定める処分をしようとするとき。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
(v) "Incoming transfer" means the provision of assistance in the enforcement of a final and binding decision upon the surrender by a member state to Japan of a Japanese national, etc. who is being detained pursuant to a final and binding decision imposing foreign punishment rendered by the member state, based on Treaties. 例文帳に追加
五 受入移送 条約に基づき、締約国において外国刑の確定裁判を受けその執行として拘禁されている日本国民等の引渡しを当該締約国から受けて、当該確定裁判の執行の共助をすることをいう。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
The lattice constants of the In GaAsP semiconductor layers 16, 20 are larger than the lattice constant of the InP substrate 4, and smaller than that of the group III-V compound semiconductor light-absorbing layer 18.例文帳に追加
InGaAsP半導体層16、20の格子定数はInP基板4の格子定数より大きく、また、InGaAsP半導体層16、20の格子定数はIII−V族化合物半導体光吸収層18の格子定数より小さい。 - 特許庁
The ink composition comprises a microparticle dispersion prepared by dispersing microparticles containing an oil-soluble compound having an oxidation potential nobler than 1.0 V (vs. SCE) and an ultraviolet absorber and/or an antioxidant in an aqueous medium.例文帳に追加
酸化電位が1.0V(vs SCE)よりも貴である油溶性化合物と、紫外線吸収剤及び/又は酸化防止剤とを含む微粒子が水性媒体中に含有してなる微粒子分散物を含有することを特徴とするインク組成物である。 - 特許庁
Since the substrate potential of the semiconductor element 101 is fixed at 0 V by a substrate plate 102, voltage stress is applied between the gate electrode within the semiconductor wafer and the substrate, a burn-in test for the semiconductor element 101 can be conducted.例文帳に追加
半導体素子101の基板電位はサブストレートプレート102により0Vに固定されているため、半導体ウエハー内のゲート電極と基板との間には電圧ストレスがかかるため、半導体素子101にバーンインテストを行うことができる。 - 特許庁
Because the substrate potential of the semiconductor element 101 is fixed at 0 V by a substrate plate 102, voltage stress is applied to between the gate electrode and the substrate of the semiconductor wafer, thereby performing a burn-in test on the semiconductor element 101.例文帳に追加
半導体素子101の基板電位はサブストレートプレート102により0Vに固定されているため、半導体ウエハ内のゲート電極と基板との間には電圧ストレスがかかるため、半導体素子101にバーンインテストを行うことができる。 - 特許庁
A multi component oxide semiconductor containing the vanadium (V) expressed by general formula; BVO_4 (where B denotes the group 3b element in periodic table or tervalent transition meal) is used as a photocatalyst component.例文帳に追加
光触媒成分として、一般式;BVO_4で表されるバナジウム(V)含有複合酸化物半導体(ただし、Bは周期律表中3b族元素或いは3価の遷移金属を表す。)を使用することによって、解決手段とするものである。 - 特許庁
A decoder uses specific vectors in the space V^* as key vectors, performs pairing operation with respect to the encryption vectors generated by the encryption device and the key vectors, decodes the encryption vectors and extracts information relative to the transmission information.例文帳に追加
復号装置は、空間V^*における所定のベクトルを鍵ベクトルとして、暗号化装置が生成した暗号ベクトルと鍵ベクトルとについて、ペアリング演算を行い前記暗号ベクトルを復号して送信情報に関する情報を抽出する。 - 特許庁
The concave part 7a is configured by notching the protrusion 6a in a V shape from the outer periphery side and has a straight line part, and a first reference side part 8a and a second reference side part 9a crossing each other are formed.例文帳に追加
基準位置形成凹部7aは、第1の位置決め突起6aを外周側の辺からV字形状に切り欠いて構成され、直線部分を有しかつ交差する第1の基準辺部8aと第2の基準辺部9aが形成される。 - 特許庁
On a base material 1 based on Fe, a barrier layer 3 consisting of a metal whose standard electrode potential is not higher than -0.44 V, an Ni layer 4, a Pd layer 5 are formed in order, and an Au layer 6 is formed on the most surface.例文帳に追加
Feを主たる成分とする基材1上に、標準電極電位が−0.44V以下である金属からなるバリア層3と、Ni層4と、Pd層5とが順次形成されており、最表面にAu層6が形成されている。 - 特許庁
A difference ΔVf of forward voltage between forward current-voltage characteristic K1 immediate after start of conduction and that K2 in one hour at forward current density of 100 A/cm^2 is 0.1 V or less, showing almost no difference.例文帳に追加
順方向電流密度100A/cm^2での通電開始直後の順方向電流電圧特性K1と、1時間通電後の順方向電流電圧特性K2との順方向電圧差ΔVfは、0.1V以下であり、ほとんど差がなかった。 - 特許庁
To inexpensively provide a high-strength bolt that suppresses an increase in a production cost, which is caused by adding a large amount of expensive alloying elements such as Mo, Co and V, has excellent delayed fracture resistance and corrosion resistance, is easily worked, and besides, has high strength.例文帳に追加
MoやCo、V等の高価な合金元素を多量に添加することによる製造コストの増加を抑制して、加工しやすく、しかも高強度で耐遅れ破壊特性および耐腐食性に優れる高強度ボルトを安価に提供すること。 - 特許庁
In addition, the flowmeter is equipped with a temperature sensor 24 for detecting the temperature of the liquid 11, and the ultrasonic propagation velocity C is determined as a function of the temperature, and thereby the flow velocity V and the flow rate Q can be measured accurately even when the liquid temperature is changed.例文帳に追加
しかも、液体11の温度を検出する温度センサ24を備え、超音波の伝播速度Cを温度の関数として求めるので、液温が変化した場合にも精度よく流速V及び流量Qを計測することが可能になる。 - 特許庁
This device is provided with microprisms 31 of high refractive index, which are arranged at positions corresponding to organic EL light emitting elements 20R, 20G, 20B and which make light L be refracted, and auxiliary prisms 40 of a low refractive index embedded in a gap V between the respective microprisms 31.例文帳に追加
有機EL発光素子20R,20G,20Bに対応する位置に配置され、光Lを屈折させる高屈折率のマイクロプリズム31と、各マイクロプリズム31間の間隙Vに埋設された低屈折率の補助プリズム40とを備える。 - 特許庁
In the system, an inspection PC 11 converts acquired images of RGB into uniform color space images, and then, computes multiple resolution images composed of a low resolution image, a middle resolution image, an upper middle resolution image and a high resolution image with respect to space values L, u and v.例文帳に追加
検査PC11は取得したRGB画像を均等色空間画像に変換した後、Luvそれぞれで低解像度画像と中解像度画像と高中解像度画像と高解像度画像からなる多重解像度画像を算出する。 - 特許庁
A leading nose 15 of a tape pull out member formed in an iron shape is constituted so as to contact with pressure to both side edges of the nearly V shape groove 23 with line contact, and suppress an abrasion by lowering face pressure, and consequently, positioning is always correctly made even though contact with pressure is made repetitively.例文帳に追加
テープ引出し部材の先頭ノーズ部15はアイロン型とし、略V字溝23の両側縁と線接触にて圧接するように構成し、面圧を低下させることで摩耗を抑制して繰り返し圧接しても常に正しく位置決めがなされる。 - 特許庁
The fastener free from biting is prevented from biting the peripheral end of the garment etc. during running and engaging by providing a V- or U-recess at the end in the engagement direction of the slider consisting of the front plate and the back plate of the fastener.例文帳に追加
本発明はファスナーの表板と裏板とからなるスライダーの咬合方向の先端をV形またはU形に凹ませて咬合走行時に衣類など周辺の端を噛み挟みしないようにしたことを特徴とする噛み挟みのないファスナーにある。 - 特許庁
This cigarette extinguisher 1 is characterized in that the extinguisher 1 has a wholly plate-like unit having a V-shaped cross section or the like and has one or more groove portions 2 whose cigarette-inserting portions 3 are somewhat larger than the thickness of a cigarette and whose bottom portions 4 are narrow.例文帳に追加
全体を断面V字状などとした板状であって、タバコ挿入部3がタバコ8の太さよりも若干広く、底部4では狭くなっている溝状部2をひとつ以上形成したものをユニット(単位)とし、タバコ消火具1とする。 - 特許庁
Then, in the control of this subroutine 1, at the initial agitation time or printing time, a charge enhancing capacity of a developing device 4 is raised by making VppA (AC/DC overlap bias) applied, as the electrode bias, instead of normal VE (DC bias of -600 V).例文帳に追加
そして、このサブルーチン1の制御において、初期攪拌時やプリント時に、電極バイアスとして、通常のVE(−600VのDCバイアス)に代えて、VppA(AC・DC重畳バイアス)を印加させて、現像装置の帯電助長能力を高める。 - 特許庁
This V-ribbed belt is constituted of an elongation part 2, a cushion rubber layer 5 buried with a core wire 4 along a belt longitudinal direction and a compressive rubber layer 6 which is provided adjacently to the cushion rubber layer 5 and has a plurality of ribs extending in the belt longitudinal direction.例文帳に追加
伸張部2と、ベルト長手方向に沿って心線4を埋設したクッションゴム層5と、クッションゴム層5に隣接して設けられベルト長手方向に延びる複数本のリブを有する圧縮ゴム層6とからなるVリブドベルトに関する。 - 特許庁
Next, the work 1 is rotated around the central axis while sucking air in a space enclosed by the inner surface of the V-groove 4 and the outer peripheral surface of the work 1 through the suction hole 7, and the rotation angle is adjusted to a target angle.例文帳に追加
次に、V溝4の内面とワーク1の外周面とによって取り囲まれた空間内の空気を吸引孔7を介して吸引しながら、ワーク1を中心軸の回りで回転させ、その回転角度を目標の角度に調整する。 - 特許庁
To provide a method for evaluating a silicon single crystal wafer which comprises judging an N(V) area and an N(I) area in an N region with ease and accuracy and without spending much time, and to provide a method for producing a silicon single crystal using the method.例文帳に追加
少なくとも、N領域のN(V)領域とN(I)領域を、簡単かつ時間をかけずに正確に判定することができるシリコン単結晶ウエーハの評価方法、およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
The screen 4 is partitioned and displayed to a left screen 4a and a right screen 4b by the ordinate axis of the point, and states of the speed and the pressure after the switching is started are continuously displayed in waveform on the time base display screen from before the V-P switching.例文帳に追加
時間軸表示画面4をV−P切換点の縦軸により左画面4aと右画面4bに表示区分して、V−P切換開始後の速度・圧力の状況をV−P切換前から時間軸表示画面に連続して波形表示する。 - 特許庁
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| ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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