「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(192ページ目) - Weblio英語例文検索

An annular dummy plate 10 is arranged in surface-contact with the flexible film 2 to surround the arranging region PZ, and the wafer W arranged on the inside of the dummy plate 10 is subjected to single side polishing by imparting hydraulic pressure thereto.例文帳に追加

そして、可撓膜２の表面２ｐと面接触して配置領域ＰＺを取り囲むように、リング状のダミープレート１０を配置し、そのダミープレート１０の内側に配置されるウェーハＷに流体圧が付与されるようにして片面研磨を行う。 - 特許庁

The communicating part 11 of the nut passage 9 is inclined against the vertical part 10 by the inclination angle of θ, and the nut at the communicating part 10 is inclined in a state that the nut over its upper side is almost separated from both the projections W of them.例文帳に追加

また、ナット通路９の連通部１１を垂直部１０に対し傾斜角度θで傾斜させ、連通部１１のナットＷがその上側のナットＷと両者の突起Ｗ１，Ｗ１を略分離させた状態で傾くようにする。 - 特許庁

To provide a heating furnace wall 22 to be suitably used for microwave firing of ceramic compacts, having construction easily adaptable to different materials for fired objects W while holding uniform temperature distribution in a firing chamber 20 of a microwave firing furnace 1.例文帳に追加

マイクロ波焼成炉１が備える焼成室２０の炉内の温度分布を均一に保持でき、かつ被焼成体Ｗの材料の違いに容易に対応した発熱炉壁２２の構成とし、セラミック成形体のマイクロ波焼成に適するようにする。 - 特許庁

A liquid is supplied from the lower port 226 to replace gas in the treatment tank 22, and a treatment liquid replaced with the liquid and used to treat the substrate W to be treated, as well as a liquid to prevent it from drying, are supplied from the upper port 234.例文帳に追加

下部ポート２２６からは液体が供給されて処理槽２２内の気体が置換され、上部ポート２３４からは前記液体と置換され、被処理基板Ｗを処理する処理液及びその乾燥を防止する液体が供給される。 - 特許庁

In the R/W apparatus, a value of inductance of a coil for an antenna or a value of capacitor for resonance frequency is set to adjust the resonance frequency by a bit map pattern of controlling an antenna circuit generated on the basis of this information and information of a host apparatus.例文帳に追加

Ｒ／Ｗ装置はこの情報、及び上位装置の情報を基に生成されたアンテナ回路制御のビットマップパターンにより、アンテナ用コイルのインダクタンス又は共振周波数用コンデンサの値が設定されて共振周波数が調整される。 - 特許庁

The dispenser 60 sucks from the container 51 the solder material S with the solder particles afloat in the liquid as stirred by the magnetic stirrer 50 using a nozzle 61 serving both for suction and delivery, and delivers the solder material S to the work W.例文帳に追加

ディスペンサ６０は、マグネチックスターラ５０によって撹拌されることにより液体中にはんだ粒子が漂っている状態のはんだ材料Ｓを、吸引兼吐出用のノズル６１を用いて容器５１から吸引してワークＷ上へ吐出する。 - 特許庁

A gas such as nitrogen supplied from the outside is heated to an in-furnace temperature during passage through the gas preheating chamber 5 and is injected into the furnace chamber 1, and the harmful gas generated from the baked article W is discharged outside the furnace from a discharge port 12.例文帳に追加

外部から供給された窒素などのガスをガス予熱室５を通過する間に炉内温度まで加熱したうえ炉室１内に打込み、被焼成品Ｗから発生する有害な気体を排気口１２から炉外に排出する。 - 特許庁

The substrate treatment apparatus includes a nozzle 12 which discharges a treatment liquid to a substrate W, a treatment liquid supply pipe 25 connected to the nozzle 12, and first and second treatment liquid valves 28A and 28B interposed in the treatment liquid supply pipe 25.例文帳に追加

この基板処理装置は、基板Ｗに処理液を吐出するノズル１２と、ノズル１２に接続された処理液供給管２５と、処理液供給管２５に介装された第１および第２処理液バルブ２８Ａ，２８Ｂとを備えている。 - 特許庁

A beam working device is provided with a linear scale 46 for detecting the position in the X axis direction of the work W and a position detecting sensor 48 reading the scale, the linear scale is fixedly disposed, and the position detecting sensor moves along with the work.例文帳に追加

ビーム加工装置には、ワークＷのＸ軸方向位置を検出するためのリニアスケール４６及びその目盛りを読み取る位置検出センサ４８が備わっており、リニアスケールは固定配置され、位置検出センサはワークと一緒に移動する。 - 特許庁

This faucet post 1 is provided with a water supply part 11 and a hot water supply part 12 at the base part of a hollow columnar case 2, and a combination faucet 3, a feed water pipe W, a feed hot water pipe H, a communicating pipe M and feed pipes M1, M2 built in the columnar case 2.例文帳に追加

水栓柱１は、中空の柱状ケース２の基部に給水部１１，給湯部１２が設けられ、柱状ケース２内に、湯水混合栓３・給水管Ｗ・給湯管Ｈ・連絡管Ｍ・送給管Ｍ_1 ，Ｍ_2 が内蔵される。 - 特許庁

This method for producing the polysaccharides comprises extracting a raw material in which the polysaccharides are wholly distributed, such as Corchorus olitorius, Basella rubra, Abelmoschus esculentus Moench, or Dioscorea batatas, with a 40 to 80 %W/V ammonium sulfate aqueous solution.例文帳に追加

モロヘイヤ、ツルムラサキ、オクラ、伊勢いも等のように、多糖類が全体に分布している原料について、４０％Ｗ／Ｖ〜８０％Ｗ／Ｖの硫安水溶液を用いることにより、上記課題を解決する多糖類の抽出方法が提供される。 - 特許庁

U-phase, V-phase and W-phase coils connected by using a Δcable connection system are constituted of each first and second coils 54u1, 54u2, 54v1, 54v2, 54w1, 54w2 connected in parallel respectively, and distribution- wound between the same slots of a stator core every same phase.例文帳に追加

Δ結線方式を用いて結線されるＵ相，Ｖ相，Ｗ相コイルはそれぞれ並列接続される第１及び第２各相コイル５４u1，５４u2，５４v1，５４v2，５４w1，５４w2から構成され、該コイルは同相毎にステータコアの同じスロット間に分布巻される。 - 特許庁

In a vehicle C, four wheels W (right and left front wheels Wfl, Wfr and right and left rear wheels Wr1, Wrr) are respectively provided with wheel speed sensors VS (VSfl, Vsfr, Vsrl, VSrr) for detecting the wheel speed (Vfl, Vfr, Vrl, Vrr) as a wheel vibration detecting means.例文帳に追加

車両Ｃは、４つの車輪Ｗ（左右前輪Ｗｆｌ，Ｗｆｒおよび左右後輪Ｗｒｌ，Ｗｒｒ）にそれぞれ、車輪振動検出手段として、車輪速Ｖ（Ｖｆｌ，Ｖｆｒ，Ｖｒｌ，Ｖｒｒ）を検出する車輪速センサＶＳ（ＶＳｆｌ，ＶＳｆｒ，ＶＳｒｌ，ＶＳｒｒ）を有している。 - 特許庁

The driver 61 moves up and down driven by a cylinder 69, and hoists and lowers the wafer W between a transportation position (I) higher than a liquid level of a plating liquid accommodated in a plating liquid tank 42 and a plating position (V) lower than the liquid level of a plating liquid.例文帳に追加

このドライバ６１はシリンダ６９の駆動により上下動し、ウエハＷをメッキ液槽４２内に収容されているメッキ液の液面より高い搬送位置（Ｉ）とメッキ液の液面より低いメッキ位置（Ｖ）との間で昇降させる。 - 特許庁

An electronic display body 5 where pixels varying in transmissivity to light under electronic control are arrayed is used instead of a reticle and pattern data inputted to the electronic display body 5 are changed to project a different pattern on a wafer W.例文帳に追加

電子制御に基づいて光の透過率が変化する画素が配列された電子表示体５をレチクルの代わりに使用し、電子表示体５に入力されるパターンデータを入れ替えることにより、異なるパターンをウェハＷ上に投影させる。 - 特許庁

A substrate W is stored inside a treatment vessel 1, film deposition raw material comprising cobalt amidinate or nickel amidinate and a reducing agent comprising carboxylic acid are introduced in a gaseous phase state into the treatment vessel state so as to deposit a Co film or an Ni film on the substrate.例文帳に追加

処理容器１内に基板Ｗを収容し、処理容器内にコバルトアミジネートまたはニッケルアミジネートを含む成膜原料とカルボン酸を含む還元剤とを気相状態で導入して、基板上にＣｏ膜またはＮｉ膜を成膜する。 - 特許庁

Since the temperature dependency of the etching rate of hydrofluoric acid in vapor-phase etching is extremely high, the polymer left on the wafer W can be removed satisfactorily and selectively without damaging the copper wiring film and insulating film.例文帳に追加

ふっ酸の気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、銅配線膜および絶縁膜に損傷を与えることなく、ウエハＷ上のポリマーを良好に選択除去できる。 - 特許庁

In the formula 1, each of X and Y is an O, S, Se, or Te atom; M is a methine chain having conjugated ≥5C atoms; each of Rx1-Rx4 and Ry1-Ry4 is an H or halogen atom or a cyano group or the like and W is an anion.例文帳に追加

式中、Ｘ及びＹは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、又はテルル原子を、Ｍは、共役炭素数５以上のメチン鎖を、Ｒｘ_1〜Ｒｘ_4、及びＲｙ_1〜Ｒｙ_4は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基等を、Ｗ^-は陰イオンを表す。 - 特許庁

Relating to a plasma cutting machine as a thermal cutting machine, a carrier 7 is moved back/forth for a work W on a work table, a torch head 33 is movable for the carrier 7 in a left/right direction, a plasma torch 35 is freely ascendable and descendable to the torch head 33.例文帳に追加

熱切断加工機としてのプラズマ加工機１はワークテーブル３上のワークＷに対してキャリア７が前後方向に移動しトーチヘッド３３がキャリア７に左右方向に移動自在であり、プラズマトーチ３５がトーチヘッド３３に昇降自在である。 - 特許庁

In this heat treatment device, the disturbance light L2 existent inside the reflection cavity space 41 formed from the wafer W, a guard ring 31 and reflection plane 40 is absorbed and suppressed by a light-absorbing chip 45 provided on the reflection plane 40.例文帳に追加

この熱処置装置では、基板Ｗおよびガードリング３１と反射面４０とによって形成される反射キャビティ空間４１内に存在する外乱光Ｌ２を、反射面４０上に設けた光吸収チップ４５によって吸収して抑制する。 - 特許庁

A laser beam 5 passed through and converged by a condensing lens 3 is turned back by reflecting with a return mirror 4 and an optical path selecting mirror 6, and then further reflected with an irradiation mirror 7, so that the laser beam is emitted to the base material W in the form of vertical incidence.例文帳に追加

集光レンズ３で透過・集光したレーザ光５を折り返しミラー４および光路選択ミラー６で反射させて折り返し、さらに照射ミラー７で反射させて母材Ｗに対し垂直入射の形態で照射する。 - 特許庁

Thereafter, when the nozzle 2 is separated from the coating surface Wa of the object W to be opened, the viscous coating material S raised in pressure within the cylinder 1a is emitted from the nozzle 2 without generating a coating sump to start coating.例文帳に追加

その後、ノズル２を塗布対象Ｗの塗布面Ｗａから離隔させてノズル２を開放すると、シリンダ１ａ内で圧力が上昇している粘性塗布材Ｓが塗布溜りを発生することなくノズル２から吐出し、塗布が開始される。 - 特許庁

The supporting member 20 supports a cable or a pipe in the state that it is mounted on the mounting portion 12 of the fixed member 10 facing to the surface side of the heat insulating material H after the foaming material is applied onto the construction surface W to form the heat insulating material H.例文帳に追加

支持部材２０は、施工面Ｗに発泡材料が塗布されて断熱材Ｈが形成された後、断熱材Ｈの表面側に臨まされた固着部材１０の取付部１２に取付けられて、ケーブルまたは管を支持する。 - 特許庁

The supporting member 12 is structured in comprising an outer periphery surface 14 and an inner periphery surface 15 having a circular arc like curved surface, and a supporting groove 19 opended to the outer periphery surface 14 side and capable of receiving an insertion of a part of a peripheral border of the semiconductor wafer W.例文帳に追加

円弧状の曲面となる外周面１４及び内周面１５と、外周面１４側に開放し、半導体ウェハＷの周縁の一部分を挿入可能な支持溝１９とを備えて支持部材１２が構成されている。 - 特許庁

The film forming method using the atomic layer deposition (ALD) method is characterized in that a liquid raw material composed of an organic metal compound is directly jetted into a film forming chamber 2 holding a substrate W therein by a liquid raw material jetting valve 41.例文帳に追加

原子層成長（ＡＬＤ）法を用いた成膜方法であって、基板Ｗを内部に保持する成膜室２内に、有機金属化合物からなる液体原料を液体原料噴射弁４１により直接噴射することを特徴とする。 - 特許庁

In wear W for electronic devices having pockets 21 for the electronic devices and capable of housing the electronic devices (a portable telephone K), supporting structure substances Z for supporting the electronic devices are attached by arranging them on the back sides of the pockets 21 for the electronic devices.例文帳に追加

電子機器（携帯電話Ｋ）を収納可能な電子機器用ポケット２１を備えた電子機器用衣服Ｗにおいて、この電子機器用ポケット２１の裏面側に配されて電子機器を支持する支持構造部材Ｚが取り付けられている。 - 特許庁

Taking into consideration of at least the size or the shape of an irradiated region of each measurement point on a substrate W to be irradiated with measurement light, a controller 20 selects measurement points to be used for the detection of the position of the substrate in the optical axis direction.例文帳に追加

基板Ｗ上の各計測点に照射される計測光の照射領域の大きさ及び形状の少なくとも一方を考慮して、基板の光軸方向位置の検出に使用する計測点が制御装置２０により選択される。 - 特許庁

In this device, a wrist band W (ID tag) is held between a carrying belt 13 of an upper carrying part 10 which can be moved vertically and is pressed downward by an elastic body 15 and a carrying belt 23 of a lower carrying part 20 and is carried.例文帳に追加

本発明のＩＤタグ回収装置は、上下に可動で弾性体１５により下方に押圧された上側搬送部１０の搬送ベルト１３と、下側搬送部２０の搬送ベルト２３との間にリストバンドＷ（ＩＤタグ）を挟持して搬送する。 - 特許庁

The wheel W for the aircraft between a cleaning operation start position 4 of a carrying-in device 2 and a cleaning operation finish position 8 of the high-pressure cleaning device 5, the wet-blast device 6, the rinsing device 7 and a carrying-out device 8 is carried by a robot 10.例文帳に追加

搬入装置２の洗浄作業スタート位置４、高圧洗浄装置５、ウェットブラスト装置６、リンス洗浄装置７、及び搬出装置９の洗浄作業終了位置８間での航空機用ホイルＷはロボット１０によって搬送される。 - 特許庁

When the outside diameter of the wire (w) is different by its tolerance or more from a normal one, it is determined that there is a defective factor such as a depression and a crack on its surface, and the looseness of a core resulting in the breakage of the core or a contact failure has occurred inside the sheath.例文帳に追加

電線ｗの外径が正規のものから公差以上に離れたものは表面に窪みや亀裂等の不良因子があると判定し、外皮の内部で芯線切れや接触不良に繋がる芯線のばらけが生じているとみなす。 - 特許庁

The substrate W with a pretreatment liquid film formed on its surface in a preprocessing unit 1 is conveyed from the unit 1 to a freezing treatment unit 2 which is provided separately from the unit 1 by a substrate transfer robot 300.例文帳に追加

前処理ユニット１においてその表面に前処理液による液膜が形成された基板Ｗは、基板搬送ロボット３００により前処理ユニット１から該前処理ユニット１とは分離して設けられた凍結処理ユニット２に搬送される。 - 特許庁

In this measuring method, the period from the time A when ultrasonic waves are transmitted to the time B when clock waves L rise immediately before a first zero-cross time D of received waves W is obtained by counting the clock waves L outputted simultaneously with the transmission of the ultrasonic waves.例文帳に追加

超音波が送信されてた時刻Ａから、受信波Ｗの第１ゼロクロス時Ｄ直前にクロック波Ｌが立ち上がる時刻Ｂまでの時間Ｔを、超音波の送信と同時に出力されたクロック波Ｌをカウントすることによって求める。 - 特許庁

In titanium, fluorescent X rays have a different wavelength from that of tungsten and a zircaloy alloy and the amount of fluorescent X rays being detected by a detector at a spectral angle of spectrum W-Lα of the fluorescent X rays of tungsten is smaller than that of tungsten and zircaloy alloy.例文帳に追加

チタンは、蛍光Ｘ線がタングステンやジルカロイ合金と波長が異なり、しかもタングステンの蛍光Ｘ線のスペクトルＷ−Ｌαの分光角度で検出器２２で検出する蛍光Ｘ線量が、タングステンやジルカロイ合金より小さい。 - 特許庁

In the apparatus 1 for supplying the chemical liquid, a hydrochloric acid is supplied to the cleaning line 7 of a semiconductor substrate W while the duct 39 made of a fluororesin is covered with a resin sheet 37 having more excellent gas barrier properties to a hydrogen chloride than the fluororesin.例文帳に追加

薬液供給装置１においては、塩化水素に対するガス遮断性がフッ素樹脂よりも優れる樹脂シート３７で、フッ素樹脂製の配管３９を被覆しつつ、塩酸を半導体基板Ｗの洗浄ライン７に供給する。 - 特許庁

When the V wining hole specified by the wining hole specification information stored in the RAM 52 is accorded with the V wining hole where the game ball W actually enters, the maximum winning balls of an attacker 16 is set to 20.例文帳に追加

ＲＡＭ５２に記憶された入賞口特定情報によって特定されるＶ入賞口が、実際に遊技玉Ｗが入賞したＶ入賞口に一致する場合、アタッカー１６の最大入賞可能個数が２０個に設定される。 - 特許庁

After outputting pick finding order signal, the loom control computer Co calculates transfer amount (virtual transfer amount) of woven fabric W transferring while 1.5 revolutions in weaving and feeds it to a delivery controller C1 and a rolling controller C2.例文帳に追加

口出し指令信号の出力後、織機制御コンピュータＣｏは、製織時の織機１回転半の間に移動する織布Ｗの移動量（仮想移動量）を算出して送り出し制御装置Ｃ１及び巻き取り制御装置Ｃ２へ送る。 - 特許庁

Plating equipment has a handling mechanism 12 for immersing the surface to be treated (main surface) of a substrate W by a face down system into a plating bath in a plating bath 10 and a plating solution supplying section 14 for supplying the required plating solution M into the plating-bath 10.例文帳に追加

メッキ装置はメッキ槽１０内のメッキ浴に基板Ｗの被処理面（主面）をフェースダウン方式で浸漬するためのハンドリンング機構１２と、メッキ槽１０に所要のメッキ液Ｍを供給するためのメッキ液供給部１４とを有する。 - 特許庁

A proximity sensor 97 is installed on the back gauge device 55 in its position, for example below the part behind the butting surface 79, and when the sensor 97 has sensed the work W placed on the oversurface of the conveyor 83, it 83 is stopped rising or is sunk.例文帳に追加

このときに、例えばバックゲージ装置５５における突当て面７９より後方の下部に設けた近接センサ９７がサポートコンベア８３の上面にある素材Ｗを検出したときにサポートコンベア８３の上昇が停止又は下降される。 - 特許庁

An edge part of the mirror member 25 is supported by a mirror support groove part 29 formed at a roughly center in the height direction of the inner surface of the mirror support frame 23 to form a card insertion area W between a back surface of the mirror member 25 and the inner surface of the second semi body 13.例文帳に追加

ミラー支持枠２３内面の高さ方向略中央に形成されたミラー支持用溝部２９によりミラー部材２５の縁部を支持し、ミラー部材２５裏面と第２半体１３内面との間にカード挿入空間Ｗを形成する。 - 特許庁

This prevents application of a residual pressure of a M/C (master cylinder) pressure generated in an M/C 13a to the W/Cs 14b, 15b of the driving rear wheels RL, RR, thus prevents the vehicle from becoming unstable.例文帳に追加

このため、そのときにＭ／Ｃ１３ａ内に発生しているＭ／Ｃ圧の残圧が駆動輪となる後輪ＲＬ、ＲＲのＷ／Ｃ１４ｂ、１５ｂに加えられないようにすることができ、車両が不安定になることを防止することが可能となる。 - 特許庁

A ground terminal 24, a read/write terminal 25 to input a read/write control signal W/R, a clock terminal 26 to input a clock signal CLK and a ground terminal 27 are included in the lower section of the counter face 13 of the circuit board 10.例文帳に追加

回路基板１０の対向面１３の下段には、接地端子２４、リード・ライト制御信号Ｗ／Ｒを入力するためのリード・ライト端子２５、クロック信号ＣＬＫを入力するためのクロック端子２６、および接地端子２７が備えられている。 - 特許庁

The nozzle cover 40 covering the entire circumference of the nozzle plate 24 is provided with an opening 41 for exposing an nozzle array consisting of a plurality of nozzle holes 25 and a wiping space sufficiently wider than the wiping range W of the wiper blade is provided in the extending direction of the nozzle array.例文帳に追加

ノズルプレート２４の全周を覆うノズルカバー４０には、複数のノズル孔２５からなるノズル列を露出する開口部４１が形成され、ノズル列の延長方向にワイパーブレードの払拭範囲Ｗより広い充分なワイピング空間を有する。 - 特許庁

Then, a distal end area ta in the insertion direction of a photographed image is extracted, and whether or not the distal end area ta indicates a true fingertip is determined depending on whether or not the width W of the distal end area ta is a reasonable value.例文帳に追加

そこで、撮影画像の挿入方向における先端領域ｔａを抽出し、その先端領域ｔａの幅Ｗが妥当な値になっているか否かに応じて、該先端領域ｔａが真の指先を示すものであるか否かを判定する。 - 特許庁

Then, a preceding control command W is calculated by using the low frequency components of the future values and plant characteristics recorded in a plant characteristic recording means 223 by a preceding control command calculating means 222, and used for preceding control by a normal control controller 380.例文帳に追加

先行制御指令算出手段２２２は将来値の低周波成分及びプラント特性記録手段２２３に記録したプラント特性を用いて先行制御指令Ｗを求め、通常制御コントローラ３８０で先行制御に用いる。 - 特許庁

The upper and lower clampers 65 clamp the work W in cooperation with a lower clamp jaw 67 protruded forward of a lower side of the stopper and an upper clamp jaw 77 protruded forward of a stopping surface of the stopper 63.例文帳に追加

上下クランパ６５では、突当ての下面から前方に突出している下クランプジョー６７と、突当て６３の突当て面から前方に突出して上下移動自在に設けられている上クランプジョー７７との協働によりワークＷをクランプする。 - 特許庁