「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(188ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a section wherein a degree exceeds a prescribed threshold W in the luminance histogram h is extracted as a recording object section R, and the image data belonging to the recording object section R are detected as ground color image data due to the ground color of the original.例文帳に追加

そして、輝度ヒストグラムｈにおいて度数が所定の閾値Ｗを超えた区分を記録対象区分Ｒとして抽出し、当該記録対象区分Ｒに属する画像データを原稿の地色に起因する地色画像データとして検出する。 - 特許庁

When a wafer W is delivered from a main wafer transfer mechanism 22 into a heat treatment chamber 51, the air pressure in the chamber 51 is made higher than the air pressure on the transfer mechanism 22 side by blowing nitrogen gas into the chamber 51.例文帳に追加

主ウエハ搬送機構２２から加熱処理室５１内にウエハＷを受け渡す際には、加熱処理室５１内に窒素ガスが噴出され、加熱処理室５１内が主ウエハ搬送機構２２側の気圧よりも高い気圧に設定されている。 - 特許庁

A suction hole 23a of a vacuum-suction holding device 23 is arranged in the center of a suction surface as a slender hole, and when the semiconductor device W is smaller than a width dimension of the suction hole 23a, a vacuum leaks.例文帳に追加

真空吸着保持装置２３の吸着穴２３ａは吸着面の中央に細い長穴として設けられており、半導体装置Ｗが吸着穴２３ａの幅寸法よりも小さい場合に真空がリークするようになっている。 - 特許庁

When beveling and etching performed, and generated reaction gas sticks to the gaps between the outer peripheral parts of the respective wafers W, the gas can be swept away by the brush bristles 16a, so that etching irregularity is scarcely generated in each valley part and between the valley parts.例文帳に追加

さらに面取りエッチング時は、発生した反応ガスＰが各ウェーハＷの外周部間の隙間に付着しても、このブラシ毛１６ａで掃き出せるので、ギャザリングウェーハＧの各谷部分および谷部分間にエッチングムラが生じにくい。 - 特許庁

A manufacturing method of the reflector is characterised in that the substrate sheet having a luminous layer is three-dimensionally processed so that the cross section has nearly the large W-shape, the luminous layer on the central mountain part is then removed with the irradiation of laser light.例文帳に追加

反射傘の製造方法は、光輝性層を有する基体シートが断面大略Ｗ字状の形状になるよう立体加工し、次いで中央の山部の光輝性層をレーザー光照射によって除去することを特徴とする。 - 特許庁

When executing a movement command to a movement source agent system AS instead of the agent A, the wrapper W transfers information obtained till then to the agent A to restore the agent A to the active state in the movement source agent AS.例文帳に追加

エージェントＡに代わって移動元エージェントシステムＡＳへの移動コマンドを実行する場合などは、ラッパＷはエージェントＡに対して、それまで得られた情報などを渡すことでエージェントＡを移動元エージェントＡＳにおける活動状態に復帰させる。 - 特許庁

The engine 1 is stopped with a control unit if an engine stop condition is satisfied, and the engine 1 is restarted if an engine restart condition is satisfied, when the automatic transmission 10 is in a D-range while the automobile W stops.例文帳に追加

自動車Ｗの停止時において自動変速機１０がＤレンジにあるときに、エンジン停止条件が成立すればコントロールユニットによってエンジン１が停止させられ、エンジン再始動条件が成立すればエンジン１が再始動させられる。 - 特許庁

To obtain a ceramic heater type glow plug having an ideal self temperature control function in which the saturation temperature is sustained at about 1300°C causing or not causing thermal deterioration of silicon nitride ceramic and the temperature of a W wire material can be raised quickly without causing breakage.例文帳に追加

窒化ケイ素質セラミックスが熱で変質したりしない１３００℃程度の飽和温度を保ち、Ｗ線材が断線することもなく急速昇温が可能で、しかも理想的な自己温度制御機能をもつセラミックヒータ型グロープラグを得る。 - 特許庁

The lower section of an elastic king pin shaft K near a ground section 26 of the rear wheel W is defined by one first lateral link 15, so that distance between the elastic king pin shaft K and the ground section 26 is made constant to stabilize the toe-in effect at turning.例文帳に追加

後輪Ｗの接地部２６に近い弾性キングピン軸Ｋの下部が１本の第１ラテラルリンク１５によって規定されるので、弾性キングピン軸Ｋと接地部２６との距離を一定にして旋回時のトーイン効果を安定させることができる。 - 特許庁

Sash bars 5 are provided at a part of the opening so that the opening width W in the maximum opened state of a sliding-out sash 2 turned by a link mechanism 4 to open/close the opening 3 is a predetermine opening width or less.例文帳に追加

リンク機構４により回動して開口部３を開閉する滑り出し障子２の最大開放時における開口幅Ｗが所定の開口幅以下になるようにその開口領域の一部に桟材５を設けた構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

A white calibration value calculation part 254 corrects a standardizing value A stored in an evaluating value memory part 251 to a standardizing value A' measured under the second condition based on the correction coefficient K and calculates a white calibration value W by A'/D3.例文帳に追加

白色校正値算出部２５４は、補正係数Ｋを基に、値付け値記憶部２５１に記憶された基準値付け値Ａを第２の条件で測色された基準値付け値Ａ´に補正し、Ａ´／Ｄ３により、白色校正値Ｗを算出する。 - 特許庁

An inspection device of the present invention has chucking means, for chucking a cylindrical body W at an intake position A, comprising a pair of insertion supporting parts 12 each including a main roller 20 and a sub-roller 30 which is movable in a direction approaching or separating from the main roller.例文帳に追加

本発明の検査装置は、取込位置Ａにおいて円筒体Ｗをチャックするチャック手段が、メインローラ２０と、メインローラに接離する方向に移動可能なサブローラ３０とをそれぞれ有する一対の挿入支持部１２を備える。 - 特許庁

A lengthwise width L1 and a widthwise width L2 of a frame main part 1, of which an attachment frame A are consisted of are larger than a vertical width K1 and a horizontal width K2 of an attachment hole 81 formed in a wall W respectively.例文帳に追加

取付枠Ａを構成する枠本体１の長手方向の幅寸法Ｌ１及び短幅方向の幅寸法Ｌ２を、壁面Ｗに設けた取付孔８１の上下方向並びに左右方向の各幅寸法Ｋ１，Ｋ２よりも大きくしてある。 - 特許庁

A plurality of screw pins 13 are arranged on a periphery corresponding to the outer shape of a wafer W at almost equal intervals in the upper face peripheral edge of a spin base 12, and they are disposed so that they can rotate around center axes along a vertical direction.例文帳に追加

複数のスクリューピン１３は、スピンベース１２の上面周縁部において、ウエハＷの外形に対応する円周上にほぼ等間隔に配置されて、それぞれ鉛直方向に沿う中心軸線まわりに回転可能に設けられている。 - 特許庁

The nozzle N has such a structure that a fixed pipe 51 having a slit 51A formed is sheathed with a restriction body 52, and a jet width W is controlled by varying the angle of rotation of the restriction body 52 in accordance with a processing width of the photographic paper P.例文帳に追加

このノズルＮはスリット５１Ａを形成した固定パイプ５１に規制体５２を外嵌した構造を有し、印画紙Ｐの処理幅に対応して規制体５２の回転角度を変更することで噴出幅Ｗを調節できるように構成した。 - 特許庁

In the laser beam machining device 20, a condenser lens CV1 and a condenser lens CV2 capable of continuously changing the relative distance by a lens moving mechanism are provided on the optical axis Lo of laser beams L to be emitted from a laser beam source toward a wafer W.例文帳に追加

レーザ加工装置２０では、レーザ光源からウェハＷに向けて出射されるレーザ光Ｌの光軸Ｌｏ上に、レンズ移動機構により相対距離を連続的に可変可能な集光レンズＣＶ１および集光レンズＣＶ２が設けられる。 - 特許庁

A welded screw 131 is fixed to an intermediate cylinder body 2 by welding W using a welding opening part 2h of the intermediate cylinder body 2 in a state of the welded screw 131 being connected to a screw hole 121 of a cylinder 12 by screwing.例文帳に追加

シリンダ１２のねじ穴１２１に被溶接用ねじ１３１を螺合により結合させた状態で、被溶接用ねじ１３１を中間筒体２の溶接用開口部２ｈを用いて中間筒体２に溶接Ｗにより固定されている。 - 特許庁

A plurality of turn-tables 13 are disposed over to one identical straight line, a plurality of turrets 14 are disposed over to one identical straight line parallel with the arrangement direction of the turn-tables 13, and the plural number of processes are carried out in order while can shells W are being carried on.例文帳に追加

複数のターンテーブル１３が同一直線上に配列され、複数のターレット１４がターンテーブル１３の配列方向に平行する同一直線上に沿って配列されて缶胴Ｗを搬送しつつ複数の工程を順次行う。 - 特許庁

A first and a second substrate holding part 21a and 21b for holding the substrates are added to the substrate holding member 20, so that either of the first or the second substrate holding parts 21a or 21b can hold a substrate W in an extrusion state.例文帳に追加

基板保持部材２０に、それぞれ基板を保持する第１および第２の基板保持部２１ａ，２１ｂを付設し、突出状態において、第１および第２の基板保持部２１ａ，２１ｂのいずれかに一枚の基板Ｗを保持できるようにする。 - 特許庁

After washing, the work W is discharged from the work capturing pocket 40 by rotating the rotary drum 3 in a first rotary direction once or more and fed by the work feed fin 22 to be delivered to the work feed fin 23 on the downstream side.例文帳に追加

洗浄後に、回転ドラム３を第１回転方向に１周以上回転させることにより、ワークＷがワーク捕捉用ポケット４０から放出され、ワーク送りフィン２２によって送られて下流側のワーク送りフィン２３に引き渡される。 - 特許庁

The liquid crystal layer side surface of the CF substrate 51 has a projection 33 of height H and width W, while the liquid crystal layer side surface of the TFT substrate 52 in the region facing the projection 33 has a recess 34 of a depth D and a width W2.例文帳に追加

ＣＦ側基板５１の液晶層側表面には高さＨ、幅Ｗ１の凸部３３を有し、ＴＦＴ側基板５２の液晶層側表面であって凸部３３に対向する領域には深さＤ、幅Ｗ２の凹所３４を有する。 - 特許庁

The carrying face is formed so that the transparent member covers at least a part of the light emitting opening 60a and a light receiving opening 61a, when the part W is carried with the opaque member not in a desired attitude of coming into contact with the carrying face 19a.例文帳に追加

搬送された部品Ｗが、不透明部材が搬送面１９ａと接する所望の姿勢でないとき、透明部材が発光開口６０ａ及び受光開口６１ａの少なくとも一部を覆うように搬送面が形成されている。 - 特許庁

The width W and the depth H of a notch part of a wafer are calculated on the basis of a change in distance of a peripheral line when the peripheral line 40 extending from a central axis line 29 to the peripheral part of the wafer performs angular displacement about the central axis line 29.例文帳に追加

中心軸線２９からウェハの周縁部まで延びる周縁直線４０が、中心軸線２９まわりを角変位する場合の、周縁直線の距離変化に基づいて、ウェハの切欠き部分の幅Ｗと、深さＨとを算出する。 - 特許庁

To produce, in a high yield and high productivity, an aluminum nitride sintered compact having a bending strength of 400 MPa or higher and a thermal conductivity coefficient of 150 W/mK or higher without imparting thermal shock or controlling a crystal grain size and a particle size distribution.例文帳に追加

熱衝撃を与えたり、結晶粒の大きさと粒度分布の制御を行わなくても、曲げ強度４００ＭＰａ以上、熱伝導率１５０Ｗ／ｍ・ｋ以上の窒化アルミニウム焼結体を、歩留まりよく生産性を高めて製造する。 - 特許庁

Then, SiH_4 gas, N_2O gas and He gas is supplied through a shower head part 40 connected to a high frequency power source R to each chamber 4 in which an Si wafer W is housed so that a reflection preventive film constituted of an SiON film can be formed.例文帳に追加

ＳｉウェハＷが収容された各チャンバ４には、高周波電源Ｒに接続されたシャワーヘッド部４０を通してＳｉＨ_4ガス、Ｎ_2Ｏガス及びＨｅガスが供給され、ＳｉＯＮ膜から成る反射防止膜が成膜される。 - 特許庁

It is possible by such a constitution as this to prevent the thin thickness part 5A of the peripheral edge of the grommet seal part 5 from being deformed and damaged and to suppress entanglement of wire harnesses W each other and to efficiently store the grommet 4 in the box main body 11.例文帳に追加

このような構成により、グロメットシール部５の周縁の薄肉部５Ａの変形や損傷を防止することができ、ワイヤハーネスＷどうしが絡まるのを抑制すると共に、箱本体１１内にグロメット４を効率よく収納することができる。 - 特許庁

In the silicon wafer that is supported by a wafer supporting jig for heat treatment, a groove 11 is formed around a contact portion with a supporting jig for the silicon wafer W so as to suppress the extension of dislocation due to the contact portion.例文帳に追加

ウェーハ保持治具により支持されて熱処理されるシリコンウェーハにおいて、前記シリコンウェーハＷの前記保持治具と接触する接触部の周囲に、前記接触部を起因として発生する転位の伸張を抑制する溝部１１を形成する。 - 特許庁

The system controlling device 3 may control the loader 2 so as to move the work W in order of the upstream side machining portion 4, the upstream side reversing device 6, the downstream side machining portion 5, the downstream side reversing device 7, and the downstream side machining portion 5.例文帳に追加

システム制御装置３は、上流側加工部４、上流側反転装置６、下流側加工部５、下流側反転装置７、下流側加工部５の順にワークＷが移って行くようにローダ２を制御するものとしても良い。 - 特許庁

A stepping motor 122 is connected to a control circuit 140 provided with an irradiation timer 142, and the irradiation timer sets irradiation time T1 for making a laser shutter in an open state during time corresponding to a predetermined irradiation range of a substrate W to be processed.例文帳に追加

ステッピングモータ１２２には、照射タイマ１４２を備えた制御回路１４０が接続され、照射タイマは、被処理基板Ｗの所定照射範囲に対応した時間の間、レーザシャッタを開状態とするための照射時間Ｔ１を設定する。 - 特許庁

Clamping positions for clamping the string W by the bias in the penetration hole 1 of the male tool M are positioned at a biasing front side Sb at the other hole opening 1b side rather than one side hole opening 1a of the penetration hole 1.例文帳に追加

雄具Ｍの通し孔１における前記付勢により紐Ｗを挟持する挟持箇所が、この通し孔１の一方の孔口１ａ側よりも他方の孔口１ｂ側において、前記付勢先側Ｓｂに位置されるようになっている。 - 特許庁

The cooling pipe 2 is constituted so that a plurality of the electronic parts 4 may be pinched in the state of one line by pointing a crossing direction W perpendicular to the laminating direction D of the cooling pipe 2 and a passage forming direction L of the cooling medium passage 21.例文帳に追加

冷却管２は、冷却管２の積層方向Ｄ及び冷媒流路２１の流路形成方向Ｌに直交する直交方向Ｗに向けて、電子部品４を１列に並ぶ状態で複数個挟持するよう構成してある。 - 特許庁

This film cutting device 1 is composed of a pair of receiving blades 2 and 2 having the receiving edges 5 and 5 on the tip and a rotary blade 3 determining a prescribed cutting width W and having a pair of side surfaces 7 and 7 for forming the peripheral edges 8 and 8 in a peripheral edge part.例文帳に追加

フィルム切断装置１は、先端に受けエッジ５，５を有する一対の受け刃２，２と、所定の切断幅Ｗを定めると共に周縁部に周縁エッジ８，８が形成された一対の側面７，７を有する回転刃３とから成っている。 - 特許庁

When machining this linear guide rail having a track groove 2 on a side surface, the track groove 2 is rollingly worked on a rail raw material W by using a rotary die having in a circumferential part a projecting work part T adjusted to a shape of the track groove 2.例文帳に追加

側面に軌道溝２を有する直動案内レールを加工するにあたり、当該軌道溝２の形状に合わせた凸状加工部Ｔを円周部に備えた回転ダイスを用い、レール素材Ｗに軌道溝２を転造加工する。 - 特許庁

A resilient holding layer 3 is stuck onto a frame 2 having a hollow to cover the hollow, and the holding layer 3 is formed thereon with recesses 4 which removably hold a semiconductor wafer W having a large diameter and increase the rigidity of the frame 2 in its front-to-back thickness direction.例文帳に追加

フレーム２にその中空を覆う弾性の保持層３を貼着し、この保持層３上に大口径の半導体ウェーハＷを着脱自在に保持させ、フレーム２の表裏厚さ方向に、剛性を向上させる凹凸部４を形成する。 - 特許庁

Semiconductor switches Q1-Q8 are provided in parallel on the high voltage side and low voltage side of the arm of each phase U, V, W, respectively, and a gate controller GU performs on/off control of each switching sequentially while distributing at a carrier period of four times of frequency.例文帳に追加

Ｕ，Ｖ，Ｗの各相のアームの高圧側および低圧側にそれぞれ半導体スイッチＱ１〜Ｑ８を並列に設け、ゲートコントローラＧ_Uは各スイッチングを４倍の周波数にしたキャリア周期で振り分けて順次オン・オフ制御する。 - 特許庁

The capstan 12 has a capstan body 20 which comprises the capstan device 10, is rotated by imparting rotational force and the wear resisting layer 22 which is formed in the region on which a wire W is wound on the side of the outer periphery of the capstan body 20.例文帳に追加

キャプスタン１２は、キャプスタン装置１０を構成し回転力が与えられて回転するキャプスタン本体２０と、キャプスタン本体２０の外周側のうちワイヤＷが巻き付けられる領域に形成された耐摩耗層２２と、を有する。 - 特許庁

To provide a method for fixing heavy metal by restraining pH of 10 (w/v)% aqueous solution after treatment within the range where heavy metal elution is little even when pH of ash to be treated fluctuates with age and to provide a heavy metal fixing agent used in the method.例文帳に追加

被処理灰のｐＨが経時的に変動しても処理後の１０（ｗ／ｖ）％水溶液のｐＨを重金属溶出の少ない範囲内に収めてこれを固定する方法、およびこの方法に用いられる重金属固定剤を提供する。 - 特許庁

Each of a U-phase arm circuit 1, V-phase arm circuit 2 and W-phase arm circuit 3 of the inverter device INV has transistors Q12, Q22, Q32 and diodes D12, D22, D32 connected in reverse parallel with the transistors Q12, Q22, Q32, respectively.例文帳に追加

インバータ装置ＩＮＶのＵ相アーム回路１，Ｖ相アーム回路２，Ｗ相アーム回路３は、それぞれ、トランジスタＱ１２，Ｑ２２，Ｑ３２と、トランジスタＱ１２，Ｑ２２，Ｑ３２に逆並列接続されたダイオードＤ１２，Ｄ２２，Ｄ３２とを有する。 - 特許庁

A spinning chuck 52 on which the wafer W is placed is divided into a plurality of regions H1-H4 concentrically circular in a radial direction and the respective regions are set to different temperatures so that temperature gradually rises from the outer peripheral part of the chuck to the central part thereof.例文帳に追加

ウエハＷが載置されるスピンチャック５２は、径方向に同心円状に複数の領域Ｈ１〜Ｈ４に分割され、外周部から中心部に向かって次第に温度が上昇するように各領域毎に異なる温度設定がなされている。 - 特許庁

A position data storage means 46 stores storing position data for making the storing position of the articles arranged at equal intervals and stored in the storing parts correspond to the traveling position, based on a dimensional section of the article W.例文帳に追加

位置データ記憶手段４６は、物品Ｗの寸法区分に基づいて前記収納部内に当該物品が等間隔で配置されて収納されるように定められる物品の収納位置を走行位置と対応させる収納位置データを記憶する。 - 特許庁

Accordingly, even when the output, the frequency of the supersonic oscillation or the like is set in a degree of not giving damage to the substrate W, the particles are removed effectively by the wave oscillation and the surface Wf of the substrate can be nicely cleaned.例文帳に追加

したがって、基板Ｗにダメージを与えない程度に超音波振動の出力や周波数などを設定したとしても、波立振動によりパーティクルを効果的に除去して基板表面Ｗｆを良好に洗浄することができる。 - 特許庁

The method for culturing the plant is characterized by irradiating the plant with light having light main wavelengths of 400 to 500 nm at an irradiation illuminance of ≤2.5 W/m^2 on the surface of a culture bed in a time zone not irradiated with solar light.例文帳に追加

植物に対し、太陽光が照射されない時間帯において、発光主波長が４００〜５００ｎｍにあり、かつ上記波長域の栽培ベッド面上の放射照度が２．５W／ｍ^２以下の光を照射する植物栽培方法である。 - 特許庁

The rotary table 10 is turned and the wafer W is rotated, and the measurement optical system 50 is moved by the measurement optical system traveling mechanism 30, thus moving the overlapped mark into an observation visual field in the measurement optical system 50 for measurement.例文帳に追加

回転テーブル１０を旋回作動させてウェハＷを回転させ、測定光学系移動機構３０で測定光学系５０を移動させることで測定光学系５０の観測視野内に重ね合わせマークを移動させて測定を行う。 - 特許庁

In the crystallizing method of the succinic acid crystal from a solution containing succinic acid, the ratio (Pv) of the power required for stirring is set to 70-350 W/m^3 and the dimensionless supersaturation degree (Sc) is set to 1-1.3.例文帳に追加

上記課題は、コハク酸を含有する溶液からコハク酸の結晶を晶析させる方法において、攪拌所要動力比（Ｐｖ）を７０〜３５０Ｗ／ｍ^３、無次元過飽和度（Ｓｃ）を１〜１．３とするコハク酸の晶析方法により解決される。 - 特許庁

Seats 53A and 53B facing to each other are provided at the side edges of a passage 51 provided in a microbus W, a footrest 62 turnable from an approximately horizontal attitude to a rising direction is provided on the lower side of the seat 53A.例文帳に追加

マイクロバスＷに設けられた通路５１の側縁には対面式の座席５３Ａ、５３Ｂが設けられており、このうち座席５３Ａの下部側にはほぼ水平姿勢から起立方向へ回動可能とされたフットレスト６２が設けられている。 - 特許庁