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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > by wellに関連した英語例文

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by wellの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 10880



例文

The strain amount as an entire of the multiple quantum well layers is reduced by allowing part of a group of the quantum well layers and barrier layers to be formed by average strain which is a small value or whose code is inverse even if the group of the quantum well layers and barrier layers having the average large strain value is formed in the other part.例文帳に追加

量子井戸層と障壁層の組の一部が、小さい値もしくは符号が逆となっている平均歪で形成されることにより、他方に、大きな値の平均歪を有する量子井戸層と障壁層の組が形成されていても、多重量子井戸層全体としての歪量を低下させる。 - 特許庁

By such a device, when well voltage of the pocket P-type well region is increased by applying voltage to a unselected bit line, program/pass voltage is applied to a word line at the point of time at which well voltage being made higher by such a way is lower than detected voltage (e.g. 0.1 V) of the well voltage detecting circuit.例文帳に追加

このような装置によると、前記ポケットPウェル領域のウェル電圧が非選択ビットラインへの電圧印加により増加する場合において、そのように増加したウェル電圧がウェル電圧検出回路の検出電圧(例えば、0.1V)より低くなる時点に、プログラム/パス電圧をワードラインに印加する。 - 特許庁

According to the method, the ground is bored by pressing ground earth around a pile head into the peripheral ground, or a well is bored in the ground by using a casing, and then a sampler is set in the well, followed by calculating an N value for penetration test.例文帳に追加

杭頭部周辺の地盤土砂を側方地盤に圧入して、地盤を削孔し、あるいはケーシングを使用して竪孔を削孔し、その削孔内にサンプラーをセットしてN値を算出する。 - 特許庁

The N well-ion-implantation is carried out in the region where the oxide film 120 is removed, and a second alignment key 220 is formed in the inside of the region key, which is provided by removing the oxide film 120, by etching using a P well mask, in a process where the N well is formed using a P well-ion-implantation mask.例文帳に追加

前記酸化膜120が除去された領域にNウェルイオン注入を実行し、Pウェルイオン注入マスクを利用してNウェル形成工程時、前記酸化膜120除去により既設定された領域キーの内部にPウェルマスクを利用したシリコンエッチングで第2整列キー220を形成する。 - 特許庁

例文

The respective transistors are located together in either an N-well area 701 and a P-well area 704 in which the voltage is controlled by the forward phase clock signal CB, or in a P-well area 702 and an N-well area 703 in which the voltage is controlled by the backward phase clock signal CN on the basis of an input signal and a conductive type thereof.例文帳に追加

各MOSトランジスタは、その入力信号および導電型に基づいて、正相クロック信号CBにより電圧が制御されるNウェル領域701およびPウェル領域704並びに逆相クロック信号CNにより電圧が制御されるPウェル領域702およびNウェル領域703のいずれかの領域にまとめて配置される。 - 特許庁


例文

The Trade Registry Department shall, ex officio, reject any application to register any mark which is identical with a well-known mark and is intended for products which are identical with those of the well-known mark, unless the application is submitted by the owner of the well-known mark. 例文帳に追加

標章登録局は、周知標章と同一の標章及び周知標章の製品と同一の製品を対象とした標章のいかなる登録出願をも職権上拒絶しなければならない。ただし、当該出願が周知標章の保有者による提出である場合を除く。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device capable of uniformizing carrier amounts distributed in respective quantum well layers by ununiformizing band gap wavelengths of barrier layers of the respective quantum well layers in a multiquantum well layer, and capable of enhancing an optical output and a modulation characteristic.例文帳に追加

多重量子井戸層中の各量子井戸層のバリア層のバンドギャップ波長を不均一にすることで、各量子井戸層に分布するキャリアの量を均一化し、光出力及び変調特性を向上させた光半導体装置を提供する。 - 特許庁

To shorten an erasure time by holding potential relation (VPW≤VDW) between a P well PW and a deep N well DW with simple circuit constitution and dissolving overhead of a charge/discharge time for the deep N well surrounding a memory cell in applying an erasure pulse.例文帳に追加

簡易な回路構成でPウェルPWと深いNウェルDWとの電位関係(V_PW≦V_DW)を保つと共に、消去パルス印加時にメモリセルを囲む深いNウェルへのチャージ、ディスチャージ時間のオーバーヘッドを解消して、消去時間の短縮化を図る。 - 特許庁

This LED uses a GaN nano rod 30 in which an n-type GaN nanorod 31, an InGaN quantum well 33, and a p-type GaN nano rod 35 are arranged continuously in the longitudinal direction, by inserting the InGaN quantum well 33 between the junction surfaces of the p-n junction GaN nanorods 31 and 35.例文帳に追加

p-n接合GaNナノロッドのp-n接合面にInGaN量子井戸(quantum well)を差し込んで、n型GaNナノロッド31、InGaN量子井戸33、およびp型GaNナノロッド35がこの順に長手方向に連続してなるGaNナノロッド30を用いる。 - 特許庁

例文

Since the coating part side opening is released at this time, though the ink stored in a valve chamber or the like flows in a coating part side, the well part side opening is clogged with the valve element, the coating part side is shut off from a liquid well part so as not to be influenced by the pressure in the liquid well part.例文帳に追加

この時、塗布部側開口が開放されるため、弁室内に溜まったインキ等が塗布部側に流れ込むが、弁体によって溜部側開口が閉塞されるため、塗布部側と液体溜部は遮断され、塗布部側は液体溜部の圧力の影響を受けない。 - 特許庁

例文

It is possible to repeat the process of thermal denaturation (95°C)→annealing (55°C)→extension reaction (72°C) by rotating the PCR reactor 20 to move a liquid drop P of the PCR reactor liquid among the first well 103, the second well 104, and the third well 105.例文帳に追加

PCR反応装置20を回転させて、PCR反応液の液滴Pを第1のウェル103、第2のウェル104、第3のウェル105の間で移動させることにより、熱変性(95℃)→アニーリング(55℃)→伸長反応(72℃)を繰り返すことができる。 - 特許庁

A p-well 3 and an n-well 4 separated by an element separation region 2 are formed on the main face of a semiconductor substrate 1, and a gate insulating film 5, a titanium nitride film 6, and a first polysilicon film 7 are laminated, and the polysilicon film 7 and a titanium nitride film 6 on the well 4 are removed.例文帳に追加

半導体基板1の主面に素子分離領域2で分離したpウェル3及びnウェル4形成し、その上にゲート絶縁膜5、チタンナイトライド膜6、及び第一のポリシリコン膜7を積層形成した後、ウェル4上のポリシリコン膜7及びチタンナイトライド膜6を除去する。 - 特許庁

To reasonably construct a deep well together with an earth retaining wall by driving a well construction pipe as a part of an earth retaining wall forming pile while constructing the earth retaining wall, and achieving the excavation of the installation depth of a pump from the lower end of the well construction pipe.例文帳に追加

土留め壁の構築作業中に、その土留め壁構成杭の一部としてウエル構築管を打込んで、そのウエル構築管の下端から揚水ポンプの設置深さ分の掘削をして、土留め壁とともにディープウエルを合理的に構築できるようにする。 - 特許庁

To provide a vehicular wheel with a sub air chamber member whose end can be fitted into a well easily and securely when pressing the sub air chamber member toward a side of the well by a pusher and fits it into the well.例文帳に追加

本発明の課題は、副気室部材をプッシャでウェル部側に向けて押圧してウェル部に嵌め込んで取り付ける際に、副気室部材の端部を、簡単にかつ確実にウェル部に嵌め込むことができる副気室部材を備える車両用ホイールを提供することにある。 - 特許庁

Moreover, in an example of a multiple quantum well structure, the semiconductor light emitting device has an active layer including a multiple quantum well structure of a band structure, shown in Fig. 1 (b), in which InN well layers 48A to 48C are sandwiched by GaN barrier layers 46A to 46D, respectively.例文帳に追加

また、本半導体発光素子は、多重量子井戸構造の例では、GaN障壁層46A〜DとGaN障壁層46A〜Dの各障壁層間にそれぞれ挟まれたInN井戸層48A〜Cと有する、図1(b)に示すようなバンド構造の多重量子井戸構造からなる活性層を備えている。 - 特許庁

To provide a camera apparatus capable of extremely easily performing visual inspection of a side wall and the bottom of a well in comparison with the conventional case by providing one camera object with both of a camera part capable of visually recognizing the side wall side of the well and a camera part capable of visually recognizing the bottom side of the well.例文帳に追加

1つのカメラ体に井戸の側壁側を視認し得るカメラ部と、底側を視認し得るカメラ部との双方を設けることで従来より極めて簡易に井戸の側壁及び底の視認調査を行うことができるカメラ装置を提供するものである。 - 特許庁

To enable a multiple quantum well to suppress the occurrence of a characteristic change due to the dispersion of Au by applying an extremely simple alteration to the structure of a multiple quantum well infrared ray detector and to enable the improvement of element characteristics distribution, regarding the multiple quantum well infrared ray detector.例文帳に追加

多重量子井戸赤外線検出器に関し、多重量子井戸赤外線検出器の構造に極めて簡単な改変を加えることで多重量子井戸がAuの拡散で特性変化を生じることを抑止できるようにし、素子特性分布を改善できるようにする。 - 特許庁

CO_2 dissolved water 3 of higher density than that of stratum water 2 is pressed in the stratum water 2 existing storage layer from a press-in well 4 arranged in a structural position lower than a production well 5, and the stratum water 2 is pushed up toward the production well 5 by this CO_2 dissolved water 3.例文帳に追加

生産井5よりも構造下位に設けられた圧入井4から地層水2が存在する貯留層に、地層水2よりも高密度のCO_2溶解水3を圧入し、このCO_2溶解水3により地層水2を生産井5に向けて押し上げる。 - 特許庁

Although the growth condition of the GaInNaAs well layer that is emitting the light is completely identical to both the semiconductor lasers, the light-emitting characteristics from the GaInNaAs well layer can be improved, by changing a method of manufacturing the GaAs barrier layers holding the well layer.例文帳に追加

発光しているGaInNaAs井戸層の成長条件が両半導体レーザで全く同等であるけれども、井戸層を挟むGaAs障壁層の作製方法を変更することによって、GaInNaAs井戸層からの発光特性を向上できる。 - 特許庁

Well-known kumiuta composed by YATSUHASHI include titles such as 'Fuki' and 'Kumoi no kyoku,' while well-known Danmono by him include 'Rokudan no shirabe' (music of six steps) (however, there is some controversy over who actually composed 'Rokudan no shirabe'). 例文帳に追加

組歌としては「菜蕗」(ふき)、「雲井の曲」など、段物としては「六段の調」などが知られている(「六段の調」の作曲者について異説もある)。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The well-drained katsuobushi could be prevented from decaying during long-term preservation, but it continued to be troubled by pests, including buffalo bugs, as well as by harmful mold. 例文帳に追加

水分を十分除去した鰹節は長期保存での腐敗は防止できたものの、カツオブシムシなどの害虫の発生と、有害なカビの発生に悩まされ続けた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Kunai is well known as well as shuriken (ninja throwing stars, multi-pointed throwing weapon) and makibishi (small, spiked caltrops used by ninja) as tools used by ninja, but kunai was little used except the case where it was needed immediately as a substitution because it was made of a high quality wrought iron. 例文帳に追加

忍者の使う道具としては手裏剣やまきびしと同様に良く知られているが、良質な鍛鉄で作られるためとっさの代用以外はあまり利用されなかった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Kyoho-chogin is a silver coin by weight standard as well as a kind of chogin that was issued in September 1714, and it was called by "Shotoku-chogin"as well. 例文帳に追加

享保丁銀(きょうほうちょうぎん)とは正徳(日本)4年(1714年)8月に発行された丁銀の一種で秤量銀貨であり、正徳丁銀(しょうとくちょうぎん)と呼ぶ場合もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Uraga bansho and Shimoda bansho are well-known as the ones established by the Edo bakufu (Japanese feudal government headed by a shogun) and funaaratame bansho (vessel inspection bansho) were installed in major ports in various places as well as in large river basin like the Tone-gawa River and the Yodo-gawa River. 例文帳に追加

江戸幕府設置のものでは浦賀番所・下田番所などが知られ、各地の主要港や利根川・淀川などの大河川流域などに船改番所が設置されていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Capital account liberalisation should be carried out in a careful and well-sequenced manner, accompanied by a sound and well-regulated financial sector and by a consistent macroeconomic policy framework. 例文帳に追加

資本勘定の自由化は、注意深くよく順序立った方法で実行されるべきである。また、健全かつ適切に規制された金融セクター及び一貫性のあるマクロ経済政策のフレームワークが伴わなければならない。 - 財務省

Through this, the EPSA initiative was improved upon by being combined with the Accelerated Co-financing Scheme for Africa (ACFA) which was already being utilized by ADB and JBIC for sovereign guaranteed projects, as well as the Fund for African Private Sector Assistance (FAPA) which provides technical support. In order for African countries to achieve sustainable economic growth and to reduce poverty they must not only develop infrastructure but expand their private sectors as well, including financial sector. 例文帳に追加

アフリカ各国が持続的な経済成長を達成し、貧困を削減していくためには、インフラ整備の重要性に加え、金融を含む民間部門の発展が必要不可欠です。 - 財務省

The new facility would be used by countries with a good track record on macro-economic policies as well as on financial sector supervision, as certified through regular surveillance, for quick disbursements to those relatively well-managed economies affected by contagion.例文帳に追加

新ファシリティーは、マクロ経済政策及び金融セクターの監督について普段からのサーベイランスで良いトラック・レコードを持つ国に対して、危機の伝播に際して資金をより機動的に供与するために使用される。 - 財務省

With respect to the programming transistor operated by the active well bias, the fuse 31 can be programmed by the larger energy than that in the case of utilizing in the well with the transistor of the same size grounded.例文帳に追加

アクティブ・ウエル・バイアスで動作するプログラミング・トランジスタに関しては、同じ大きさのトランジスタを接地されたウエルで利用するよりも、より大きなエネルギーが、ヒューズ31をプログラムすることを可能にする。 - 特許庁

The electromagnetic wave generation/detection element has a gain medium 10 for giving a gain to electromagnetic waves by the transition between subbands generated in a quantum well in a quantum well structure by a semiconductor material on a substrate 1.例文帳に追加

電磁波発生・検出素子は、半導体材料による量子井戸構造の量子井戸に生成されたサブバンド間の遷移により電磁波に対する利得を与える利得媒体10が基板1に備えられている。 - 特許庁

Finally, starting/stopping timing or the like of rainwater pumps 2 is controlled on the basis of the starting/stopping water level calculated by a pump controller 5 and the pumping well water level measured by a pumping well water level indicator 3.例文帳に追加

最後に、ポンプ制御手段15により、演算された起動/停止水位とポンプ井水位計3により計測されたポンプ井水位とに基づいて雨水ポンプ2の起動/停止タイミング等を制御する。 - 特許庁

To provide a new technology capable of further efficiently using ground heat of underground water, by eliminating a defect by a conventional vertical well and a horizontal well requiring a wide site.例文帳に追加

従来型縦型井戸によるものや広い敷地を必要とする水平井戸によるものの欠点を解消し、一段と効率的に地下水の地熱を利用可能とする新たな技術を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the tape T is transferred well by the platen 12 and a tape guide pin 26 regardless of its state, brought in the contact state the same as that of the printing head via an ink ribbon R, and printed well by the printing head.例文帳に追加

この結果、テープTは、その性状に関わらずプラテン12とテープガイドピン26とで良好に搬送され、インクリボンRを介して印字ヘッドと同じ接触状態となり、印字ヘッドにより良好に印字される。 - 特許庁

To provide a low cost high dielectric strength IC and its manufacturing method by forming a 1st well area and a 2nd well area which forms a dielectric strength junction termination structure by one photomask.例文帳に追加

1枚のフォトマスクで、第1ウエル領域および耐圧接合終端構造を形成する第2ウエル領域を形成し、低コストの高耐圧ICおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

While a potential well is formed in a well 12 by applying positive voltages to the separating electrode 14a, the storage electrode 14b, and the barrier control electrode 14c, light is received to integrate electric charges by the light irradiation.例文帳に追加

分離電極14aと蓄積電極14bと障壁制御電極14cとに正極性の電圧が印加されてウェル12にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。 - 特許庁

While a potential well is formed in a well 12 by applying positive voltages to the separating electrode 14a, the storage electrode 14b, and the barrier control electrode 14c, light is received to integrate electric charges by the light irradiation.例文帳に追加

分離電極14aと蓄積電極14bと障壁制御電極14cとに正極性の電圧を印加してウェル12にポテンシャル井戸を形成した状態で受光し、光照射による電子を集積する。 - 特許庁

The predetermined start-stop water level set values of the rainwater pump 2 are corrected on the basis of the amount of rainfall measured by a rain gage, and the pump well water level detected by a pump well water level gage 5.例文帳に追加

雨量計4で計測された降雨量及びポンプ井水位計5で検出されたポンプ井水位に基づいて予め定められた雨水ポンプ2の起動停止水位設定値を補正する。 - 特許庁

To restore and regenerate a hot spring deep well unusable due to difficulty in equipment as well as to raise the temperature of water by efficiently pumping up hot spring water and raise the water temperature by utilizing the hot spring heat source.例文帳に追加

温泉水を効率よく揚湯したり、温泉の熱源を利用して用水を昇温することができるし、装置上の困難等のために使用できない温泉深井戸を復活、再生することができる。 - 特許庁

As the result, an increase of the potential of p^-well 10 can be controlled, which is caused by remaining positive holes when the secondary ions generated by the nuclear reaction with neutrons pass through the pn junction in the p^-well 10.例文帳に追加

この結果、p^−ウェル10内のpn接合を中性子との核反応によって生成した2次イオンが貫通する際に残る正孔によるp^−ウェル10の電位上昇を抑制できる。 - 特許庁

The well-known person having the face image most similar to the face image taken by the user in the category designated by the user is determined, and the face of the well-known person is provided to the user.例文帳に追加

この発明は、利用者が指定したジャンルのなかで利用者が撮影した顔画像に最も似ている顔の有名人を判定し、利用者へ提供するようにしたものである。 - 特許庁

The quantum well 4 is disposed in a position where the intensity of electric field of light is enhanced by the resonator mode and, thereby, the efficiency of generating the correlated photon pair by hyperparametric scattering on the quantum well 4 is improved.例文帳に追加

この共振器モードによって光の電場強度が高くなっている位置に量子井戸4を設けることによって、量子井戸4におけるハイパーパラメトリック散乱による相関光子対の生成効率を向上させる。 - 特許庁

To accelerate a writing operation and an erasing operation and to reduce power consumption by reducing the resistance of a well region in a semiconductor storage device having well regions partitioned by an element isolation region used as bit lines.例文帳に追加

素子分離領域により区分されたウェル領域をビット線として使用する半導体記憶装置において、ウェル領域を低抵抗化することで書込み動作および消去動作を高速化および低消費電力化する。 - 特許庁

To provide a water filling pipe structure of return underground water and a condensate well structure, capable of dispensing with cleaning operation, by preventing the occurrence of clogging by a floating suspended substance, bacteria and oxide of the dissolving iron content in a condensate well.例文帳に追加

復水井において浮遊懸濁物質、バクテリア、溶解鉄分の酸化物などによる目詰まりが発生するのを防止し、洗浄操作を不要とすることができる返送地下水の注水管構造及び復水井構造を提供する。 - 特許庁

Then, a plurality of fuzzy rule tables are switched on the basis of the weather mode by a fuzzy operation device 13, and starting/stopping water level correction value is obtained by a fuzzy operation combining a pumping well water level with a pumping well water level variable amount.例文帳に追加

次に、ファジィ演算手段13により、天候モードに基づいて複数のファジィルールテーブルを切り替え、ポンプ井水位とポンプ井水位変化量とを組み合わせたファジィ演算により起動/停止水位補正値を求める。 - 特許庁

By forming an N-channel MOS device 114 and a P-channel MOS device 116 in the GaAs well 106 and the Ge well 110, respectively, an integrated circuit is formed by interconnection.例文帳に追加

NチャンネルMOS装置114及びPチャンネルMOS装置116を夫々GaAsウエル106及びGeウエル110内に形成し、相互接続して集積回路を形成する。 - 特許庁

Consequently, when, for example, the first well layer emits blue light and the second well layer emits yellow light having a complementary color relation with the blue light, a white light source can be provided by using one light emitting element by mixing the blue light with the yellow light.例文帳に追加

これにより、例えば第1井戸層が青色光を、第2井戸層がその補色関係にある黄色光を発光すると、これらの光が混色することにより、1つの発光素子で白色光源を提供することができる。 - 特許庁

In an N well 2 of the semiconductor circuit device, active regions Rtp for PMIS are formed as surrounded by the trench isolation Ris, while in a P well 3, active regions Rtn for NMIS are formed, also being surrounded by the trench isolation Ris.例文帳に追加

半導体回路装置のNウェル2には、PMIS用活性領域Rtpが、Pウェル3には、NMIS用活性領域Rtnがそれぞれトレンチ分離Risで囲まれて設けられている。 - 特許庁

To obtain a simple manufacturing method of a high-performance J-FET element by forming the N-channel type J-FET element in a P-well region, and by so forming the respective regions of an NPN transistor as to use the P-well region in common with the J-FET element.例文帳に追加

Pウェル領域内にNチャネル型のJ−FET素子を形成し、且つNPNトランジスタの各領域を共用して形成することにより、高性能のJ−FET素子を簡素な製造工程で形成すること。 - 特許庁

When an elimination pulse is applied, 6 V is applied on a P type well 12 by using a first high voltage pump circuit 1, and 9 V is applied on an N type well 11 by using a second high voltage pump circuit 2.例文帳に追加

消去パルス印加時には、第1の高電圧ポンプ回路1を用いてP型ウエル12に6Vを印加すると共に、第2の高電圧ポンプ回路2を用いてN型ウエル11に9Vを印加する。 - 特許庁

例文

A red/green signal is decided in respective P wells, by insulating the P wells from the deep N well and by deciding electric potentials between respective P wells and the deep N well, after a charge accumulation cycle.例文帳に追加

赤/緑信号は、Pウエルと深いNウエルを絶縁して、電荷集積サイクル後に各Pウエルと深いNウエル間の電位を決定することにより各Pウエルに決定される。 - 特許庁

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