「control layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索

At the charging, a control part 120 compares a relation between an inter-terminal voltage of the electric double-layer capacitor 44 detected by an inter-terminal voltage detection circuit 45 and a charging time at the detection, and a relation between an inter-terminal voltage when prestored normal charging is performed and a charging time at the charging, thus determining the presence or absence of the abnormality.例文帳に追加

かかる充電時に制御部１２０は、端子間電圧検知回路４５によって検知される電気二重層コンデンサ４４の端子間電圧および検知した時の充電時間と、予め記憶されている正常な充電が行われた場合の端子間電圧と充電時間との関係とを比較し、異常の有無を判断する。 - 特許庁

Protons generated as a result are moved from the first electrode 7 to the second electrode 8 through a first proton conduction layer 5 or, (for example, when the concentration of hydrogen in the gas to be measured is extremely low), protons are moved from the second electrode 8 to the first electrode 7 to control the concentration of hydrogen in the first measuring chamber 2 constant.例文帳に追加

これにより発生したプロトンを第１プロトン伝導層５を介して第１電極７から第２電極８へ移動させること、或いは（例えば、被測定ガス中の水素濃度がきわめて低い場合）、プロトンを第２電極８から第１電極７へ移動させることにより、第１測定室２内の水素濃度を一定に制御する。 - 特許庁

In order to constitute an LDD region having a gradient of impurity concentration as described, a tapered gate electrode 119 is provided to energize ionized impurity element for conductive control through electric field, and to include it to a semiconductor layer via the gate electrode 119 and a gate insulating film 130.例文帳に追加

このような不純物元素の濃度勾配を有するＬＤＤ領域２１１を形成するために、本発明ではテーパー部を有するゲート電極１１９を設け、イオン化した導電型制御用の不純物元素を、電界で加速してゲート電極１１９とゲート絶縁膜１３０を通過させて半導体層に添加する方法を用いる。 - 特許庁

An active layer 502 having wavelength selectivity, a waveguide core 503 having no gains and no wavelength selectivity, and a reflection region (waveguide end face) 509 having no gains, are connected in series to the advance direction of light; and an electrode 506 for phase control for changing the optical effective length of the waveguide core 503 is provided.例文帳に追加

波長選択性を有する活性層５０２と、利得および波長選択性を有しない導波路コア５０３と、利得を有しない反射領域（導波路端面）５０９とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、導波路コア５０３の光学的実効長を変化させるための位相制御用電極５０６を備えている。 - 特許庁

The resending control network that transfers the data packets by using the protocol having a mechanism for resending the data packets has a packet transfer network which performs hop-by-hop transfer and an optical network which performs layer-1 transfer, and the packet transfer network is switched to the optical network when the data packets transferred by using the packet transfer network are resent.例文帳に追加

データパケットの再送の仕組みを持つプロトコルを用いてデータパケットを転送する再送制御ネットワークであって、ホップ・バイ・ホップ転送を行うパケット転送ネットワークと、レイヤ１転送を行う光ネットワークとを有し、前記パケット転送ネットワークを使用して転送されたデータパケットの再送を行うときに、前記パケット転送ネットワークから前記光ネットワークヘ切り替える。 - 特許庁

The method for manufacturing an near IR absorption filter is carried out by coating a substrate with a coating liquid comprising a near IR absorption dye containing at least a diimonium salt compound, a binder resin and a solvent, drying under the following conditions (1) to (3) so as to control the proportion of the residual solvent in the coating layer to 5.0 mass%.例文帳に追加

少なくともジイモニウム塩化合物を含む近赤外線吸収色素、バインダー樹脂、溶剤を含むコーティング液を基材上にコーティングし、下記式（１）〜（３）を満足する条件下で乾燥させて、前記コート層中の残留溶剤量を５．０質量％とすることを特徴とする近赤外線吸収フィルターの製造方法。 - 特許庁

The vapor deposition angle is controlled and the uniform alignment layer can be obtained by providing a slit between a substrate and a vaporization source and applying an electric field to the slit, in alignment control of a liquid crystal display panel wherein an inorganic compound is vapor- deposited from a direction oblique to the substrate, with respect to the manufacturing method and the manufacturing equipment for the liquid crystal device.例文帳に追加

液晶装置の製造方法及び製造装置に関して、基板に対して斜め方向から無機化合物を蒸着して行う、液晶表示パネルの配向制御において、基板と蒸発源との間にスリットを設け、前記スリットに電界をかけることで蒸着角を制御し均一な配向膜を得ることができる。 - 特許庁

In the resistance change sections, a second-conductivity type that has lower impurity concentration than that of the first and second main electrode regions is provided at a part sandwiched by at least one electrode region of the first and second main electrode regions and a channel formation region 12 that faces the control electrode in the surface layer regions of the semiconductor substrate.例文帳に追加

抵抗変化部は、半導体基板の表層領域のうち、第１及び第２主電極領域のうちの少なくとも一方の電極領域と、制御電極と対向するチャネル形成領域１２とによって挟まれる部分に第１及び第２主電極領域よりも不純物濃度の低い第２導電型で設けられている。 - 特許庁

After applying a paste containing an inorganic oxide semiconductor particle to a transparent substrate equipped with a transparent conductive layer and drying it, the calcination is carried out while detecting changes of color of the inorganic oxide semiconductor particle film by a sensor, the completion of the calcination is detected by comprehending the change of the color and the calcination process is made to be completed by feeding back this to the heat control circuit.例文帳に追加

透明導電層を具えた透明基板に無機酸化物半導体粒子を含むペーストを塗布し、乾燥させた後、無機酸化物半導体粒子膜の色の変化をセンサで検出しながら焼成し、色の変化を捉えて焼成の完了を検出し、これを熱制御回路にフィードバックして焼成工程を完了させる。 - 特許庁

In an induction heating fixing apparatus, the heat generating efficiency η is made almost constant in a heating layer in a fixing belt even when the surface temperature of a fixing roller rises by having a control circuit 27 vary the driving current frequency of the induction heating apparatus 16 by controlling the on/off frequency of a switching circuit 39 according to the surface temperature of the fixing roller.例文帳に追加

制御回路２７によって、定着ローラの表面温度に応じてスイッチング回路３９のオン・オフ周波数を制御して誘導加熱装置１６の駆動電流周波数を変化させ、上記定着ローラの表面温度が上昇しても定着ベルトにおける発熱層の発熱効率ηが略一定になるようにする。 - 特許庁

A method of controlling driving of a micro machine device 11 having first and second electrodes 24 and 25 and a dielectric layer 26 between them contains steps of applying a control voltage VC between the first and second electrodes 24 and 25, generating an electrostatic force on the electrodes 24 and 25, causing the first electrode 24 or the second electrode 25 to move, and reversing the polarities of the control voltage VC within a predetermined cycle.例文帳に追加

互いに対向する第１の電極２４と第２の電極２５を有しかつそれらの間に誘電体層２６が形成されてなるマイクロマシンデバイス１１の駆動制御方法であって、第１の電極２４と第２の電極２５との間に制御電圧ＶＣを加えることによって、第１の電極２４と第２の電極２５とに静電力を作用させて第１の電極２４または第２の電極２５を変位させるとともに、制御電圧ＶＣの正負極性を所定の周期以内で反転させる。 - 特許庁

The problem is solved by forming a gradual zigzag shaped inclined alignment control region to align directors of liquid crystal molecules in a direction inclined against the substrate normal direction in individual regions corresponding to pixels on a surface of an alignment layer constituting the substrate for aligning the liquid crystal used in a liquid crystal panel for display in the multidomain mode liquid crystal display device.例文帳に追加

マルチドメイン方式の液晶表示装置の表示用液晶パネルに使用される液晶配向用基板を構成している配向膜の表面のうちで画素に対応する個々の領域内に、液晶分子のダイレクタを基板法線方向に対して傾斜して配向させる緩やかなジグザグ状の傾斜配向規制領域を形成することにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

To provide a ventilating direction control device capable of leading outside air into a building or exhausting air in the building to the outside air besides utilizing a hollow layer between a double window sash such as a double glazing sash or a double wall for ventilation and air-conditioning if necessary, and compactly installed on either the ceiling side or floor side besides realizing energy saving.例文帳に追加

必要に応じて二重ガラス障子等の二重窓障子又は二重壁間の中空層を換気及び空調に利用できる上に、外気を建物内に導入又は建物内の空気を外気に排出でき、しかも、省エネルギ化を実現できる上に、天井側又は床側のいずれにもコンパクトに設置することができる通気方向制御装置を提供すること。 - 特許庁

The device 10 for ultraviolet ray irradiation comprises the light emitting diode 23 which irradiates an adhesive sheet S, having an ultraviolet curing type adhesive layer A stuck on a semiconductor wafer W, as a body to be irradiated with ultraviolet radiation, a temperature sensor 27 which detects the temperature of the light emitting diode 23, and a control means 28 of controlling a current value I of the light emitting diode 23.例文帳に追加

半導体ウエハＷに貼付された紫外線硬化型接着剤層Ａを有する接着シートＳを被照射体として紫外線を照射する発光ダイオード２３と、当該発光ダイオード２３の温度を検知する温度センサ２７と、前記発光ダイオード２３の電流値Ｉを制御する制御手段２８とを備えて紫外線照射装置１０が構成されている。 - 特許庁

While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.例文帳に追加

ロジック領域Ｒlogcにおける導体膜１５を残したままで、メモリ領域Ｒmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極１７，電極間絶縁膜１８及び浮遊ゲート電極１９を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜２２を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁

A first gas passage for supplying a first reaction gas is formed, by discharge devices 20a and 20b, on a first substrate carried by a belt conveyor BC1 driven by a driving device 58 based on a signal from a control device 56; and a first current collection layer is formed, by a discharge device 20d, on the first substrate carried by the belt conveyor BC1.例文帳に追加

制御装置５６からの信号に基づいて駆動装置５８により駆動されるベルトコンベアＢＣ１により搬送された第１の基板に、吐出装置２０ａ、２０ｂにおいて第１の反応ガスを供給するための第１のガス流路を形成し、ベルトコンベアＢＣ１により搬送された第１の基板に、吐出装置２０ｄにおいて第１の集電層を形成する。 - 特許庁

To simplify the manufacturing process of a semiconductor device having a Co silicide electrode and realize the reduction of an aspect ratio in a contact hole by permitting the control of thickness of a Co silicide film and a cap layer, while permitting to maintain cleanness by eliminating the generation of residue consisting of non-reacted Co upon forming the Co silicide film and removing easily Co oxide.例文帳に追加

Ｃｏシリサイド電極をもつ半導体装置の製造プロセスを簡素化し、Ｃｏシリサイド膜及びキャップ層の厚さを制御可能とすることでコンタクトホールに於けるアスペクト比の減少を実現し、Ｃｏシリサイド膜を形成する際の未反応Ｃｏからなる残渣の発生を皆無にすると共にＣｏ酸化物を容易に除去して清浄を維持できるようにする。 - 特許庁

The recording and reproducing apparatus has a magnetic recording medium in which servo information including position information is recorded by an irregular pattern formed in a magnetic layer, and a signal processing circuit 12 generating the position control signal of the magnetic head 114 based on an amplitude value of a fundamental wave component and at least one harmonic component in a reproduced signal of position information.例文帳に追加

磁性層で形成された凹凸パターンによって位置情報を含むサーボ情報が記録された磁気記録媒体と、位置情報の再生信号における基本波成分及び少なくとも１つの高調波成分の振幅値に基づいて磁気ヘッド１１４の位置制御信号を生成する信号処理回路１２と、を有する磁気記録再生装置とした。 - 特許庁

In the method of manufacturing the electrode for the electrochemical device, electrode materials including electrode active materials, a binding agent, a conductive auxiliary, and an electrification control resin are electrified and supplied to at least one face on a collector, thereby forming an electrode layer, and the electrochemical device includes the electrode for the electrochemical device obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

電極活物質、結着剤、導電助剤及び帯電制御樹脂を含んでなる電極材料を、帯電させ、集電体上の少なくとも一面上に供給することにより電極層を形成させることを特徴とする電気化学素子用電極の製造方法、および前記製造方法により得られる電気化学素子用電極を備える電気化学素子。 - 特許庁

To provide a retardation film comprising a layer comprising a resin composition containing a (meth)acrylic polymer having a ring structure in a main chain and a cellulose ester polymer, which has a low photoelastic coefficient and moisture permeability, has high degree-of-freedom of control of wavelength dispersion in retardation, which exhibits, for example, reverse wavelength dispersion in retardation, or has flat wavelength dispersion in retardation.例文帳に追加

主鎖に環構造を有する（メタ）アクリル重合体とセルロースエステル重合体とを含む樹脂組成物からなる層を含み、光弾性係数および透湿度が低いとともに、位相差の波長分散性の制御の自由度が高く、例えば、位相差の逆波長分散性を示す、あるいは位相差の波長分散性がフラットである位相差フィルムを提供する。 - 特許庁

In a liquid crystal display element, a reflective section on which a projecting and recessing reflective pixel electrode conducting a display by reflecting light incident from a display surface side is formed, and a transmissive section on which a transmissive pixel electrode conducting a display by transmitting light emitted from a backlight is formed, are provided so as to each independently control voltages to be applied to a liquid crystal layer of the reflective section and that of the transmissive section.例文帳に追加

液晶表示素子内に、表示面側からの入射光を反射して表示を行う凹凸反射ピクセル電極が形成された反射部と、バックライトから出射した光を透過させて表示を行う透過ピクセル電極が形成された透過部とを設け、反射部及び透過部の液晶層に印加する電圧を夫々独立に制御する。 - 特許庁

The method for producing activated carbon for an electric double-layer capacitor electrode comprises: oxidizing a carbon powder, which is prepared by adjusting a grain size of a carbon material in a crude state or in a fired state into a range of 0.5-15 μm in an average particle diameter, so as to control an oxygen content of 3 mass% or more; and activating the obtained oxidized material with an alkali activator.例文帳に追加

炭素材料をそのままもしくは焼成処理したものを平均粒子径が０．５μｍ〜１５μｍの範囲に粒度調整して得られる炭素粉末を酸素含有量が３質量％以上となるように酸化処理し、得られる酸化処理物をアルカリ賦活剤で賦活処理することを特徴とする電気二重層キャパシタ電極用活性炭の製造方法。 - 特許庁

The nonvolatile memory device comprises: a semiconductor substrate having a body and a pair of fins projecting upward from the body; an embedded insulating layer which is embedded between the pair of fins; a pair of floating gate electrodes that are formed on each outer side of the pair of fins to be higher than the pair of fins; and control gate electrodes formed on the pair of floating gate electrodes.例文帳に追加

ボディ及びそのボディから上向きに突出した一対のフィンを備える半導体基板と、一対のフィンの間を埋め込む埋没絶縁層と、一対のフィンそれぞれの外側面上に形成され、一対のフィンの高さより高く形成された一対のフローティングゲート電極と、一対のフローティングゲート電極上の制御ゲート電極と、を備える不揮発性メモリ素子。 - 特許庁

The dimensional conversion difference of the etching pattern corresponding to the resist pattern 13 is adjusted within a prescribed range by generating the plasma by adjusting the ratio of the mixed gas and by varying the vertical etching rate of the polycrystalline silicon layer 12 to be reflected in the control of the duration of isotropic etching using the fluorine radical by changing the etching rate by controlling the bias power which accelerates bromine ions to the wafer 10 side.例文帳に追加

この混合ガスの比率を調整しつつプラズマ化し、少なくとも臭素イオンをウェハ側へと加速するバイアスパワーを制御して多結晶シリコン層１２の垂直方向のエッチング速度を変化させることにより、フッ素ラジカルによる等方性エッチング時間の制御に反映させ、レジストパターン１３に応じたエッチングパターンの寸法変換差を所定範囲で調整する。 - 特許庁

The sound insulator contains as the thermoplastic resin material a polyolefin such as polypropylene to which EPDM is added as rubber material, and the wood material grains added to the intermediate layer are kenaf cores with grain diameters of about 3 to 6 mm, and a foaming agent is added to the laminated body to provide the sound insulator with good sound insulating performance and control sounds propagating through solids.例文帳に追加

この遮音材は、例えば、熱可塑性樹脂材料として、ゴム材料であるＥＰＤＭが添加されたポリプロピレン等のポリオレフィンを含有し、中間層に添加される木質材料粒子が粒径３〜６ｍｍ程度のケナフコアで、発泡剤が添加されている多層体とされると、良好な遮音性能を備えるとともに、固体伝搬音の発生が抑制された、遮音材となる。 - 特許庁

To provide a one-component thruster which can be easily manufactured and is advantageous for the reliability and cost, can prevent the catalyst particles from being collapsed or abraded locally or wholly in the catalyst layer, resulting in allowing the control of trouble occurrence such as efficiency degradation of hydrazine degradation reaction or decrease of thrust, and is excellent in durability, and to provide a method of operation thereof.例文帳に追加

製造し易くそして信頼性及びコストの面で有利であるのは勿論のこと、触媒層における局所的ないし全体的な触媒粒子の崩壊や摩耗を防ぐことができ、その結果、ヒドラジン分解反応の効率低下や推力の低下などの不具合の発生を抑制することが可能な耐久性に優れた一液スラスタ及びその作動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming, inserting, and permanently bonding ribs in boiler tubes, for the purpose of providing allocation of flow inside the tubes under a preventive control of an operating condition in which, for example, steam bubbles formed during nuclear boiling and stagnant form an insulation layer, impeding thermal transfer to a flow inside the tubes through tube walls.例文帳に追加

核沸騰中に形成され、停滞する蒸気泡が絶縁層を形成し、管壁を介して管内の流れに向かう熱移動を阻害する如き運転状況を防止する制御下の管内流れ配分を提供するための、リブを形成し、ボイラー管内に挿通し、恒久的に結合するための、リブを形成し、ボイラー管内に挿通し、恒久的に結合するための方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a vibration control structure of a hung ceiling capable of controlling run-out width of the second ceiling member in the case of earthquake to allowable value or below without passing through the first ceiling member in the hung ceiling successively suspending the first and the second ceiling member from an upper layer structural skeleton and installing facility equipment on the second ceiling member below.例文帳に追加

上層の構造躯体から順次第１および第２の天井部材が吊設され、下方の第２の天井部材に設備機器が設置されている吊り天井において、第１の天井部材を貫通することなく、地震時における第２の天井部材の振れ幅を許容値以下に抑制することができる、吊り天井の制振構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

In crystallizing the amorphous silicon layer by utilizing a SGS method, through the selective irradiation of the laser beam, uniform low concentration diffusion control of the metal catalyst is enabled, and the size of the crystal grain and the position and direction where the crystal grows is regulated to improve the element characteristics, consequently the method for manufacturing the thin film transistor in which a uniform value is obtained is provided.例文帳に追加

ＳＧＳ法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 - 特許庁

A multiplexer circuit 40 multiplexes TxCLAV signals outputted from a plurality of PHY #0-#N of a PHY 50, an ATM layer chip 10 receives the multiplexed signal, a latch circuit 30 latches a TxADDR signal of a selected transmission destination PHY by one cell time as a routing signal 7 to control a Banian routing circuit 20 so as to transmit transmission data 6 to a selected PHY.例文帳に追加

ＰＨＹ５０の複数のＰＨＹ＃０〜＃Ｎから出力されるＴｘＣＬＡＶ信号を、多重回路４０により多重してＡＴＭレイヤｃｈｉｐ１０に取り込み、選択された送信先ＰＨＹのＴｘＡＤＤＲ信号をラッチ回路３０により１セル時間ラッチし、それをルーティング信号７としてバニヤン型ルーティング回路２０を制御し、送信データ６を選択されたＰＨＹに送信する。 - 特許庁

The virtual Ethernet (R) layer 13 has a function for transferring a packet from the client through a service network 3 to the other node through a control network 4, and a function for instructing the transmission of Grat uitousARP applying a MAC address of the other node as a transmission source MAC address to the client, to an ARP processing portion 19 when the packet is transferred.例文帳に追加

そして、仮想イーサネット（登録商標）層１３は、サービス用ネットワーク３経由のクライアントからのパケットを制御用ネットワーク４経由で他のノードに転送する機能と、このパケットの転送を行った場合に、他のノードのＭＡＣアドレスを送信元ＭＡＣアドレスとするGratuitousＡＲＰをクライアントに送信するようにＡＲＰ処理部１９に指示する機能とを有している。 - 特許庁

The planar display device is provided with display pixels PX of a structure holding a light modulation layer between a pair of electrodes, pixel switches 11 for retrieving video signals, static memory parts 13 for holding the video signals applied to the display pixels PX from the pixel switches, and connection control parts 14 for controlling the electrical connections between the display pixels PX and the static memory parts 13.例文帳に追加

平面表示装置は一対の電極間に光変調層を挟持した構造の表示画素ＰＸと、映像信号を取り込む画素スイッチ１１と、画素スイッチから表示画素ＰＸに印加される映像信号を保持するスタティックメモリ部１３と、表示画素ＰＸおよびスタティックメモリ部１３間の電気的な接続を制御する接続制御部１４とを備える。 - 特許庁

The distributed constant circuit by a conductor layer 3 is formed on the dielectric board 1 formed of a dielectric material having the permittivity which can be arbitrarily changed in a two-dimensional manner, a physical change is externally given to the substrate 1, based on signals from voltage control mechanisms 8 and 9, and the permittivity of a desired area of the board 1 is locally changed to a desired value.例文帳に追加

誘電率を２次元的に任意に変化できる誘電体材料で形成された誘電体基板１上に導体層３による分布定数回路を形成し、電圧制御機構８、９からの信号に基づいて誘電体基板１に外部から物理的な変化を与え、誘電体基板１の所望の領域の誘電率を局所的に所望の値に変化させる。 - 特許庁

(iii) The part of the provision of Article 1 that revises row 35 of appended table 2 of the Export Trade Control Order (excluding the part adding the term "and group III" below "group II"): The day on which the revision to the Montreal Protocol on Substances that Deplete the Ozone Layer, adopted on September 17, 1997 (the revision adopted at the Ninth Meeting of the Parties), comes into effect in Japan 例文帳に追加

三　第一条中輸出貿易管理令別表第二の三五の項の改正規定（「グループＩＩ」の下に「及びグループＩＩＩ」を加える部分を除く。）　平成九年九月十七日に採択されたオゾン層を破壊する物質に関するモントリオール議定書の改正（締約国の第九回会合において採択されたもの）が日本国について効力を生ずる日 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The photosensitive compound containing at least a polymerization liquid crystal material, a photopolymerization initiator, a cross-linking agent and a solvent, the cross-linking agent consists of mixture of a compound having two or more alkyrol groups and a compound having two or more alkoxy groups and the phase difference control functional layer is formed using the photosensitive compound in the optical element.例文帳に追加

少なくとも重合性液晶材料と光重合開始剤と架橋剤と溶剤とを含む感光性組成物であって、前記架橋剤が、２つ以上のアルキロール基を有する化合物と、２つ以上のアルコキシ基を有する化合物との混合物からなることを特徴とし、この感光性組成物を用いて位相差制御機能層を形成した光学素子であることを特徴とする。 - 特許庁

The exhaust emission control device 30 is provided including a housing 31 defining a flow out direction of exhaust gas and a plurality of porous thin plates 32 which is nonwoven porous heat resistant alloy containing aluminum and is provided with oxidized layer and contains A1_20_3 on a surface, the thin plates being laminated in the flow out direction 33 inside of the housing 31, and carrying catalyst such as platinum or palladium.例文帳に追加

排ガスの流出方向を規定するハウジング３１と、そのハウジング３１の内部に、流出方向３３に積層された複数の多孔性の薄板３２とを有し、薄板３２は、不織多孔性のアルミニウム含有耐熱性合金で、表面にＡｌ_2Ｏ_3を含む酸化層を備え、白金やパラジウムなどの触媒を担持した排ガス浄化装置３０を提供する。 - 特許庁

The packaging structure is provided with the optical modulator 10, a metal wire 60 connected in order to apply the signal voltage from the prescribed external power source to the signal electrode existing alongside the optical modulator and a member 50 having a grounding electrode layer in at least a portion of a major face of the optical modulator 10 for the purpose of impedance control of the optical modulator 10.例文帳に追加

光変調器１０と、この光変調器の側方に位置する前記信号電極に所定の外部電源からの信号電圧を印加するために接続された金属線６０と、この金属線６０の周囲において、光変調器１０のインピーダンス制御のために、光変調器１０の主面の、少なくとも一部に接地電極層を有する部材５０を設ける。 - 特許庁

The curved waveguide 26 is optically coupled with the resonator by two separated optical couplers 27A, 27B penetrating the layer of the spacer 24, and is turned by a first phase shifter 28 for controlling the optical path length of the resonator and a second phase shifter 29 which is operated so as to control coupling strength between the waveguide and the resonator in the waveguide.例文帳に追加

曲線導波管２６は、スペーサ２４層を貫通する２個の離間した光学カプラ２７Ａ，２７Ｂにより共振器と光学的に結合され、共振器の光路長を制御するための第１の位相シフタ２８、および導波管において、導波管と共振器の間の結合強度を制御するよう動作する第２の位相シフタ２９により同調が与えられる。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a word gate 14 formed on a semiconductor substrate 10 via a first gate insulating layer 12, a source region or a drain region 16, 18 formed on the semiconductor substrate 10, and side wall-shaped first and second control gates 20, 30 formed along one side surface and the other side surface of the word gate, respectively.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は半導体基板１０上に第１ゲート絶縁層１２を介して形成されたワードゲート１４と、半導体基板１０に形成されたソース領域またはドレイン領域１６，１８と、ワードゲートの一方の側面および他方の側面に沿ってそれぞれ形成されたサイドウォール状の第１および第２コントロールゲート２０，３０と、を有する。 - 特許庁

An OBC 10 finds sunrise/sunset times in an orbit and times navigated in sun shine/shading partions, based on a position in a change of shading and sun shine during one cycle detected by a solar sensor 12 for posture control, and a disclosure time and a finish time of observing the ozone layer in the next cycle and thereafter are calculated in the artificial satellite based on a data found therein.例文帳に追加

ＯＢＣ１０は、１周回する間に姿勢制御用の太陽センサ１２が検出する日陰と日照の変わり目の位置から軌道上における日の出／日の入り時刻及び日照／日陰部分を航行する時間を求め、このデータに基づき次の周回以降のオゾン層観測の開示時刻及び終了時刻を人工衛星において算出する。 - 特許庁

A heat-processing tool 9 includes: a heat-processing tool in which a cristobalitized oxide film is formed in an area where a semiconductor silicon substrate is in contact held, or the heat-processing tool 9a; and a masking shield 9b that has a larger diameter than the heat-processing tool and is used to control the adhesion of particles generated by the cristobalitized oxide layer to the semiconductor silicon substrate.例文帳に追加

半導体シリコン基板を接触保持する領域にクリストバライト化させた酸化膜が形成されている熱処理治具、または、この熱処理治具９ａと、前記クリストバライト化させた酸化膜に起因して発生するパーティクルの半導体シリコン基板への付着を抑制するための、前記熱処理治具よりも径が大きい遮蔽板９ｂとで構成される熱処理治具９。 - 特許庁

For instance, when an electric power station stops power supply for a lightning protection, a calm state and a dark state are made and direct current is not supplied from all the wind power generation part 2, the solar battery part 3 and the ordinary power source part 4 to the elevator box driving part 1, the motor control circuit 12 is operated by power stored in the electric double layer condenser 13.例文帳に追加

そして、例えば、落雷防止のために発電所が電力供給を停止し、更に、凪状態かつ暗闇状態になり、風力発電部２，太陽電池部３，普通電源部４の何れからもエレベータボックス駆動部１に対して直流電流が供給されなくなると、モータ制御回路１２は、電気二重層コンデンサ１３に蓄えられている電力によって動作する。 - 特許庁

To realize a manufacturing method for a semiconductor optical element in which a mesa structure containing an active layer formed by a selective growth operation is used as a waveguide without being etched, in which a buried structure comprising a current blocking structure can be formed without a need of the strict control of an etching rate and without a need of an alignment operation in a photolithographic operation and whose reproducibility, uniformity and throughout are superior.例文帳に追加

選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The present invention relates to: metal oxide particles having a central part (1) with the number of moles of alumina and silica larger than that of ceria, and a surface layer (2) with the number of moles of ceria larger than the total number of moles of alumina and silica; the exhaust emission control catalyst containing the metal oxide particles and a noble metal carried thereon; and the production method of the metal oxide particles.例文帳に追加

セリアのモル数よりもアルミナ及びシリカのモル数の合計が多い中心部（１）と、アルミナ及びシリカのモル数の合計よりもセリアのモル数が多い表面層（２）とを有する金属酸化物粒子、この金属酸化物粒子及びこの金属酸化物粒子に担持された貴金属を含む排ガス浄化触媒、並びにこの金属酸化物粒子の製造方法とする。 - 特許庁

In the oil coating device formed by installing the fiber felt 11 on the oil coating side of a porous cylindrical oil holding member 2 to be impregnated with silicon oil and further an oil coating quantity control layer 3 thereon, an oil coating roller is used as the fiber felt 11, in which the hardness of the surface of the oil coating side is softer than that of the surface of the porous cylindrical oil holding member 2 side.例文帳に追加

シリコーンオイルを含浸する多孔質円筒状オイル保持部材２のオイル塗布側に繊維フェルト１１を付設し、更に、そのオイル塗布側にオイル塗布量制御層３を付設してなるオイル塗布装置において、前記繊維フェルト１１は、オイル塗布側の面の硬さが、多孔質円筒状オイル保持部材２側の面の硬さより柔らかいものであることを特徴とするオイル塗布ローラ１。 - 特許庁