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element currentの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7999件
The pressure chamber 95 has first and second guide surfaces 93, 97 generating fuel pressure for pressing the valve element 84 toward the open position by reversing a flowing direction of fuel, and when the solenoid 8 is energized by a prescribed current value, the valve element 84 is moved to the closing position against energizing force of the spring 23 and fuel pressure.例文帳に追加
圧力室は、燃料の流れ方向を反転させることで弁体を開き位置に向けて押圧する燃料圧力を発生させる第1および第2のガイド面93,97を有し、ソレノイドを所定の電流値で励磁させた時に、弁体がスプリングの付勢力および燃料圧力に抗して閉じ位置に移動される。 - 特許庁
By connecting a resistive element 22 between the collector of a transistor 5 and the cathode of a Zener diode 7, a passage for flowing a current via the resistive element 22 when surge voltage having a positive polarity is applied to the input terminal 1 of a semiconductor integrated circuit is formed to set the collector potential Vc to one smaller than the potential of the input terminal 1.例文帳に追加
トランジスタ5のコレクタとツェナーダイオード7のカソードとの間に抵抗素子22を接続することで、半導体集積回路の入力端子1に正極性のサージ電圧が印加された際に抵抗素子22を介して電流を流す経路を形成し、コレクタ電位Vcを、入力端子1の電位未満に設定する。 - 特許庁
In the electronic apparatus 30, when the temperature of the AC adapter 10 rises, and the input voltage from the AC adapter 10 in the off-state of the switching element 31 is lower than a set voltage, the control circuit 32 blocks an input current from the AC adapter 10 by switching the state of the switching element 31 into the off-state.例文帳に追加
電子機器30は、ACアダプタ10の温度が高くなって、スイッチング素子31のオフ状態におけるACアダプタ10からの入力電圧が設定電圧よりも低くなると、制御回路32がスイッチング素子31をオフに切り換えてACアダプタ10からの入力電流を遮断する。 - 特許庁
In an electrolyte impregnation method for impregnating a poured electrolyte into a battery element 2, which is housed within an exterior member 3 and includes a positive electrode 4 and a negative electrode 6 laminated via a separator 5, an AC voltage or an AC current is applied between the positive electrode 4 and the negative electrode 6 of the battery element 2.例文帳に追加
外装部材3内に収容した、セパレータ5を介して積層された正極4と負極6とからなる電池要素2に、注液された電解液を含浸させる電解液含浸方法であり、前記電池要素2の正極4・負極6間に交流電圧または交流電流を印加するようにした。 - 特許庁
In the electromagnetic-field generating element, the magnetization of the spin-wave excitation layer is biased in a direction substantially perpendicular to its layer surface by a portion of the magnetic field generated from the first magnetic pole, and an electric current for exciting the spin-wave flows in the electromagnetic-field generating element in a direction from the second pole to the first pole.例文帳に追加
さらにこの電磁界生成素子においては、スピン波励起層の磁化が第1の磁極から発生する磁界の一部によって層面に実質的に垂直な方向にバイアスされ、スピン波を励起するための電流が電磁界生成素子内を第2の磁極から第1の磁極へ向かう方向に流れる。 - 特許庁
It is canceled by controlling a source voltage in an MOS amplifying transistor 10 in a column amplifying circuit 9 that an elevation of a temperature, of a thermoelectric transducing picture element 1, caused by Joule heat generated by a bias current for reading out temperature information inside the picture element is contained in an output signal as a self-heating voltage component.例文帳に追加
画素内部の温度情報を読み出すためのバイアス電流により発生するジュール熱に起因する、熱電変換画素1の温度の上昇が自己加熱電圧成分として出力信号中に含まれるのを、カラム増幅回路9のMOS増幅トランジスタ10におけるソース電圧を制御することで、キャンセルする。 - 特許庁
To obtain a small-sized power module wherein a metal wiring board is installed which is connected to an emitter electrode of a power semiconductor element without applying a high temperature and high pressure, connection resistance between the metal wiring board and the emitter electrode is small, damage to the power semiconductor element is excluded, reliability is superior and a current carrying capacity is large.例文帳に追加
電力半導体素子のエミッタ電極に高温、高圧力を印加することなく接続された金属の配線板を備え、金属の配線板とエミッタ電極と接続抵抗が小さい、電力半導体素子のダメージがなく信頼性に優れ、且つ、小形で電流容量の大きなパワーモジュールを得ること。 - 特許庁
To provide a carrier diffusion control means which prevents the increase of the loss of the main circuit element of an inverter device and also minimizes the error in element loss estimating operation and besides reduces the noise caused by electromagnetic sound and further does not exert a bad influence on current control at the time of low carrier frequency.例文帳に追加
鉄道車両において、インバータ装置の主回路素子の損失増加を防止するとともに、素子損失推定演算誤差を最小限にし、かつ電磁音による騒音を低減し、さらに低キャリア周波数時に電流制御に悪影響を与えないキャリア拡散制御手段を提供する。 - 特許庁
When each pixel of the line for which the second mode is designated is output, each of the plurality of light emitting elements E is driven by the supply of a driving current according to the image data G of the line and a correction value Ab of the light emitting element E without any correction according to the characteristic of each light emitting element E being carried out.例文帳に追加
第2モードが指定されたラインの各画素の出力時には、各発光素子Eの特性に応じた補正が実行されることなく、複数の発光素子Eの各々が、このラインの画像データGと当該発光素子Eの補正値Abとに応じた駆動電流の供給によって駆動される。 - 特許庁
The amplifier 100 includes: a filter circuit for interrupting a basic wave component and a secondary higher harmonic component which are included in a current supplied from a power supply; a switching element 104 connected between the filter circuit and ground potential; and a capacitor connected in parallel with the switching element 104 and connected between the filter circuit and the ground potential.例文帳に追加
電源からの供給電流に含まれる基本波成分および2次高調波成分を遮断するフィルタ回路と、フィルタ回路と接地電位との間に接続されるスイッチング素子と、スイッチング素子と並列に接続され、フィルタ回路と接地電位との間に接続されるキャパシタと、を備える、増幅器が提供される。 - 特許庁
A positioning device 1 as one embodiment of the impact driving device is provided with a direct current voltage power source 51, a charge switch 52 for charging the piezoelectric element 13, a discharge switch 53 for discharging the piezoelectric element 13, and a signal generator 54 for transmitting the ON/OFF signal to the charge switch 52 and the discharge switch 53.例文帳に追加
インパクト駆動装置の一実施形態である位置決め装置1は、直流電圧電源51と、圧電素子13を充電する充電スイッチ52と、圧電素子13を放電する放電スイッチ53と、充電スイッチ52と放電スイッチ53にオン/オフ信号を送信する信号発生器54を具備する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加
高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
This light source is characterized by comprising: a laser element 11 which has the plurality of light emitting parts 12 emitting light, and wherein cut parts 22 electrically cutting an electrode supplying current to at least the plurality of light emitting parts 12 are formed between at least partial light emitting parts 12; and a support board 20 with the laser element 11 mounted thereon.例文帳に追加
光を射出する複数の発光部12を有し、少なくとも一部の発光部12間に、少なくとも複数の発光部12に電流を供給する電極を電気的に切断する切断部22が形成されたレーザ素子11と、該レーザ素子11が実装された支持基板20とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
To provide an integrated small-size and high-performance drive circuit by enhancing a current drive capability of an element at an output stage of the drive circuit of a semiconductor insulated gate type switching element for power conversion to reduce the circuit size, and a small-size and high-performance power converter using the drive circuit.例文帳に追加
電力変換用の半導体絶縁ゲート型スイッチング素子の駆動回路の出力段の素子の電流駆動能力を高め小型化することで、駆動回路を集積化したより小型で高性能な駆動回路と、さらにこれを用いることでより小型で高性能な電力変換装置を提供する。 - 特許庁
A third winding is wound around the energy transfer element core to generate a third-winding electrostatic field to compensate significantly for relative electrostatic fields generated by the first and second windings with respect to the energy transfer element core and to reduce significantly a capacitive displacement current between the first and second windings.例文帳に追加
第3の巻線がエネルギー伝達要素コアの回りに巻かれ、第3の巻線静電界を発生し、エネルギー伝達要素コアに対して第1の巻線及び第2の巻線によって生じた相対静電界を大幅に相殺し、第1の巻線と第2の巻線との間の容量性変位電流を大幅に低減させる。 - 特許庁
When the addressing light emitted from the external light emitting element 10 is accepted by the photo-addressable display element 7, the carrier is multiplied by the current amplification mechanism of the photoconductive layer and a voltage is applied on the electrochromic layer to cause the developing or erasing reaction only in the part where the addressing light is accepted and to display an image.例文帳に追加
外部発光素子10から出射された書込み光が、光書込み表示素子7に受光されると、キャリアが光導電層の電流増幅機構によって増倍され、エレクトロクロミック層に電圧が印加されて、書込み光の受光部分のみに発消色反応が生じて表示が行われる。 - 特許庁
A controller 100 controls to switch a switching element Q3 connected in parallel to the switching element Q1 and the field winding 50, thereby controlling the field current to adjust magnetic flux density between a rotor and a stator, and converting the output voltage of the battery B into a voltage according to a voltage command value.例文帳に追加
制御装置100は、スイッチング素子Q1および界磁巻線50に並列接続されるスイッチング素子Q3をスイッチング制御することにより、界磁電流を制御してロータおよびステータの間の磁束密度を調整するとともに、バッテリBの出力電圧を電圧指令値に従った電圧に変換する。 - 特許庁
Furthermore, the organic electroluminescence element manufacturing device is arranged by forming an angle of 30 to 70 ° relative to the upper face of the organic electroluminescence element in which a protective layer should be formed on the upper part, and has a sputtering device provided with two targets of a protective layer constituent material impressed with alternating current power, respectively.例文帳に追加
また本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置は、上部に保護層を形成すべき有機エレクトロルミネッセンス素子の上面に対して30〜70度の角度を成して配置され、各々交流電力の印加される保護層構成材質の二つのターゲットを備えたスパッタリング装置を有する。 - 特許庁
The magnetic memory in which the memory has the element 10 and an electrode connected to the element 10, the current in the in-face direction is made to flow into the layer 4 through the electrode when the information is recorded and the directions of the magnetizations of the layers 1 and 3 at the lower end and the upper end are changed is configured.例文帳に追加
また、上記磁気記憶素子10と、磁気記憶素子10に接続された電極とを有し、情報の記録を行う際に、電極を通じて、記憶層4にその面内方向の電流が流れ、下端部及び上端部の高飽和磁束密度層1,3の磁化の向きが変化する磁気メモリを構成する。 - 特許庁
This pulse is to be set so that its width is narrower than that of the blanking signal, and the potential of the output terminal OA1 is a little lower than that of the forward voltage VF1 of the organic EL element at which the organic EL element can be made to emit with a desired brightness, at the falling point of the pulse of the large current control signal PC.例文帳に追加
このパルス幅は、ブランキング信号のパルス幅より狭く、大電流制御信号PCのパルスの立ち下がり時点で、出力端子OA1の電位が有機EL素子を所望の輝度で発光することができる有機EL素子の順方向電圧VF1の電位より若干低くなるように設定する。 - 特許庁
Mechanical strength required for working the semiconductor element 100, used to make a current flow across a first electrode E1 and a second electrode E2, in such a way that the inside of the semiconductor wafer 110 is passed through the first main face and the second main face of the semiconductor wafer, which face each other is ensured by a thickness do of the semiconductor wafer on which the element is formed.例文帳に追加
半導体ウエハ10の内部を該半導体ウエハの互いに対向する第一、第二の主面に抜けるように第一、第二電極E1,E2間で主たる電流を流す半導体素子100 を加工するときに必要な機械強度は、当該素子を作り込む半導体ウエハの厚みdoにより確保する。 - 特許庁
To provide a low-pass filter circuit (loop filter) for making a capacitive element compact, in which a variation in a PLL response characteristic due to voltage dependence when a MOS capacitor is used as a capacitive element and a deterioration in a jitter characteristic by gate leak current when a thin-film gate transistor is used as a MOS capacitor are suppressed.例文帳に追加
容量素子の小型化を図る低域ろ波回路(ループフィルタ)において、容量素子としてMOS容量を使用した場合の電圧依存によるPLL応答特性のばらつきと、MOS容量として薄膜ゲートトランジスタを使用した場合のゲートリーク電流によるジッタ特性の劣化を抑制する。 - 特許庁
In the chip region TAR, there are formed a trimmed circuit 11, a fuse element Fm(m=1 to 2M), and a constant current source IPm(m=1 to 2M) and an invertor INm(m=1 to 2M) which play a role of a detection circuit for detecting whether or not the fuse element Fm(m=1 to 2M) is disconnected.例文帳に追加
チップ領域TARには、トリミング対象回路11と、ヒューズ素子Fm(m=1〜2M)と、ヒューズ素子Fm(m=1〜2M)が断線状態であるか否かを検出する検出回路としての役割を果たす定電流源IPm(m=1〜2M)及びインバータINm(m=1〜2M)とが形成されている。 - 特許庁
The electrooptical device is provided with: liquid crystal E filled into a gap between an element substrate 11 and a counter substrate 70; a PIN diode 31 which is formed on the element substrate 11 and detects the brightness of external environment; and a control part which controls the luminance of a backlight on the basis of a photoelectric current signal from the PIN diode 31.例文帳に追加
素子基板11と対向基板70との間隙に封入された液晶Eと、素子基板11上に形成されて外部環境の明るさを検知するPINダイオード31と、PINダイオード31からの光電流信号に基づいて、バックライトの輝度を調節する制御部とを備える。 - 特許庁
When a telephone line is closed by a hook relay 7, and a supply current is caused to flow from the line and exceeds a prescribed value, a light emitting side of an optical connection element 16 of an overcurrent detection circuit 14 conducts and emits light, and a light receiving element of a light receiving side receives it to generate an overcurrent detection signal.例文帳に追加
電話回線がフックリレー7により電話回線を閉じて回線より供給電流が流れ、この供給電流が既定値を越えて流れると、過電流検出回路14の光結合素子16の発光側が導通して発光し、受光側の受光素子により受光されて過電流検出信号が生成される。 - 特許庁
The slippage of the gate signal timing of individual semiconductor switching elements connected in series is suppressed with magnetic coupling means, and a voltage unbalance caused by a difference in element property such as a tail current property, etc. is suppressed by adding a means for adjusting the charge time of input capacity, based on the element voltage at turn on.例文帳に追加
直列接続した各半導体スイッチング素子のゲート信号タイミングのズレは磁気結合手段で抑制し、テイル電流特性などの素子特性の違いに起因する電圧アンバランスはターンオン時の素子電圧に基づいて入力容量の充電時間を調整する手段を付加することにより抑制する。 - 特許庁
A switching element 3 whose ON/OFF is performed by a desired pulse input voltage is so connected with an end of a solenoid coil 1 as to constitute a solenoid driving circuit for generating intermittently a magnetism in the solenoid coil 1, and a diode 2 for preventing the reverse current of the solenoid coil 1 is connected in series with the switching-element side of the solenoid coil 1.例文帳に追加
ソレノイドコイル1の一端に所望のパルスの入力電圧によってオンオフされるスイッチング素子3を接続し、前記ソレノイドコイル1に磁気を断続的に発生させるソレノイド駆動回路を構成し、前記ソレノイドコイル1の前記スイッチング素子側に逆流防止のダイオード2を直列に接続する。 - 特許庁
A temperature protection element 21 is connected in series to at least one electrode outside lead wire 15 at the vicinity of the electrode sealing parts 10, 11, and at the end of life of the fluorescent lamp, the temperature protection element 21 is put in current break state in response to heating of the electrode sealing parts 10, 11.例文帳に追加
口金部12内の、電極封止部10,11の近傍に、温度保護素子21が少なくとも一本の電極外部リード線15に直列に接続されて設けられており、蛍光ランプの寿命末期に、電極封止部10,11の発熱に感応して温度保護素子21が電流遮断状態となる。 - 特許庁
A plurality of display pixels PX which are arranged in matrix have a self-luminous element 16, a driving transistor 22 which controls the amount of a current made to flow to the self-luminous element according to a video signal, and a switch 24 which is composed of a thin-film transistor and connected between the gate and the drain of a driving transistor 22.例文帳に追加
マトリクス状に配列された複数の表示画素PXは、自己発光素子16、自己発光素子に流れる電流量を映像信号に応じて制御する駆動トランジスタ22、および薄膜トランジスタにより形成され駆動トランジスタのゲート、ドレイン間に接続されたスイッチ24をそれぞれ有している。 - 特許庁
The power conversion circuit 10 converts DC power obtained from a battery 12 into an alternate current, and comprises a first switching element 22, a second switching element 24, and three pairs of series switch parts 20a, 20b and 20c which are connected in series toward a negative pole line 12n from a positive pole line 12p in this order.例文帳に追加
電力変換回路10はバッテリ12から得られる直流電源を交流に変換するものであって、正極ライン12pから負極ライン12nに向かって順に直列接続された第1スイッチング素子22及び第2スイッチング素子24からなる3組の直列スイッチ部20a、20b及び20cを有する。 - 特許庁
This head is provided with a write-in head element having a coil conductor in which a write-in current is made to flow and a yoke, an overcoat layer laminated on the write-in head element, and a heat block layer formed in the overcoat layer being an upper part of the coil conductor and made of a material having lower heat conductivity than this overcoat layer.例文帳に追加
書込み電流が流れるコイル導体及びヨークを有する書込みヘッド素子と、書込みヘッド素子上に積層されたオーバーコート層と、コイル導体の上方のオーバーコート層内に形成されておりこのオーバーコート層より低い熱伝導率を有する材料による熱ブロック層とを備えている。 - 特許庁
In the magnetic resonance-type magnetic field sensing element, in order to effectively utilize the imaginary part of the complex permeability of the magnetic material 3, the size of the magnetic field sensing element 1 is manufactured, so as to match an oscillation wavelength TJ of the current distribution at the inside of the magnetic material 3, having the complex permeability obtained by Maxwell's field equations for electromagnetic fields.例文帳に追加
磁気共鳴型磁気検出素子において、磁性体3の複素透磁率の虚部を有効に利用するために、磁気検出素子1の寸法を電磁場のマクスウエルの電界方程式から得られる複素透磁率を有する磁性体3内部の電流分布の振動波長T_J に合わせて作製する。 - 特許庁
The PTC element 24, changed into an insulating body by increasing the inherent resistance value of the same in accordance with temperature rise due to heat generating operation upon overcurrent or heating to limit a current delicately, is arranged while connecting the same in series electrically to a lead member 22 between a pair of lead members 22, 23 provided in a capacitor element 21.例文帳に追加
コンデンサ素子21に設けた一対のリード部材22および23のうち、一方のリード部材22に、過電流時または加熱時の発熱作用による温度上昇に応じて固有抵抗値が増大して絶縁体へ変化し電流を微少に制限するPTC素子24を電気的に直列接続して配備する。 - 特許庁
Since N element or further Fe element are added to the RuTe_2 which is a catalyst for fuel cell demonstrating a superior catalyst action capable of substituting a noble metal catalyst such as platinum with low cost, the catalyst for the fuel cell with increased oxygen reduction reaction starting potential and having a higher potential and much current can be obtained.例文帳に追加
安価で、白金等の貴金属触媒に代替しうる、優れた触媒作用を発揮する燃料電池用触媒であるRuTe_2にN元素、或いは更にFe元素を加えることにより、酸素還元反応開始電位が上昇し、より高い電位で多くの電流を与える燃料電池触媒が得られる。 - 特許庁
For example, the composite member contains a semi-conductive element of a fibril shape contained in a binder polymer suitable for attaining a predetermined resistance value, and the fibril integrates and combines each other so that an array of a resistance element which defines and controls precisely a current flow passing through a related device is generated.例文帳に追加
例えば、複合部材は、特定の抵抗値を実現するのに好適なバインダポリマに含まれるフィブリル形状の半導電型素子を含むことができ、フィブリルは、関連デバイスを通る電流の流れを精密に定義して制御する抵抗素子のアレイを生成するように、統合し相互連結することができる。 - 特許庁
An injection current is supplied in the extent at which the semiconductor laser element is not excited, light wave is turned toward a recording layer of the optical recording medium from the surface emitting semiconductor laser element, and a plurality of beam spots are formed, and this recording layer is retrieved by that the beam spots plot loci being not overlapped on the recording layer.例文帳に追加
半導体レーザ素子が励起されない程度に注入電流が供給されて表面発光半導体レーザ素子から光記録媒体の記録層に光波を向けて複数のビームスポットを形成され、ビームスポットが記録層上で重なり合わない軌跡を描いてこの記録層が検索される。 - 特許庁
A CPU 7 turns off the switch 10 when the fire detection signal from the first amplifier 4 is the predetermined level or less, and reduces current consumption by stopping power supply, and turns on the switch 10 when the fire detection signal is the predetermined level or more, and supplies a power to the first fire deciding element 2 and the second fire deciding element 3.例文帳に追加
CPU7は、第1増幅器4からの火災検出信号が所定レベル未満でスイッチ10をオフして電源供給停止により消費電流を低減し、所定レベル以上でスイッチ10をオンして第1火災判定用素子2及び第2火災判定用素子3に電源を供給する。 - 特許庁
The liquid crystal display controller includes a driving circuit which outputs a signal driving a signal line while controlling its polarity, an inductance element whose current inflow is controlled in synchronism with the control over the polarity, and a driving switching unit which switches and connects the inductance element and driving circuit to the signal line in order.例文帳に追加
液晶表示制御装置が、信号線を駆動する信号をその極性を制御して出力する駆動回路と、極性の制御と同期して、電流の流入が制御されるインダクタンス素子と、インダクタンス素子および前記駆動回路を順に切り換えて、前記信号線に接続させる駆動切換部と、を具備する。 - 特許庁
A storage element (MC) is constituted of four variable resistance elements (VREa-VREd) arranged circularly, write-in bit lines (WBLa, WBLb) and digit lines (DLa, DLb) are current-driven, and a magnetic field having intensity in accordance with data of arithmetic operation and contents of arithmetic operation is applied to the variable resistance element.例文帳に追加
環状に配置される4個の可変抵抗素子(VREa−VREd)で記憶素子(MC)を構成し、書込ビット線(WBLa,WBLb)およびデジット線(DLa,DLb)を電流駆動して、可変磁性体抵抗素子に演算データおよび演算内容に応じた強度の磁界を印加する。 - 特許庁
To provide a disk memory system, having an electric power supply unit obtaining stable output voltage without having to depend on a load current, by using a circuit constitution with no short-circuiting impediment element in the output of the electric power supply unit, and correcting a voltage drop of the output voltage caused by a voltage drop element of an output diode, transistor, etc.例文帳に追加
電源装置出力の短絡障害要素の無い回路構成を用い、出力ダイオード、トランジスタ等の電圧降下素子に起因する出力電圧の電圧降下を補正し、負荷電流に依存がなく安定な出力電圧が得られる電源装置ユニットを有するディスク記憶システムを提供する。 - 特許庁
A tilt error signal is compensated to apply tilt servo by using the tilt controller comprising a filter element which does not permeate the signal component near the primary resonance frequency of a tilt actuator, a filter element which amplifies the signal by a band below a medium rotating frequency and a means which controls the current value to be energized to a tilt drive coil.例文帳に追加
チルトアクチュエータの1次共振周波数付近の信号成分を非通過にするフィルタ要素、媒体回転周波数以下の帯域で信号を増幅するフィルタ要素、及び、チルト駆動コイルに通電する電流値を制限する手段から構成されるチルト制御器を用いてチルトエラー信号を補償し、チルトサーボをかける。 - 特許庁
The device for applying the substances comprises an applicator element 22 having a surface suitable to be filled with the substances, and an electric exciter having at least two electrodes 30 permanently contacting the applicator element for enabling electric current to flow between the two electrodes.例文帳に追加
物質を塗布するための装置を提供し、この装置は、物質で満たすのに適切な表面を有するアプリケータ要素22と、アプリケータ要素と永久的に接触した少なくとも2つの電極30を有し、電流を起こしてこの2つの電極間に流すことを可能にする電気励起装置とを含むものである。 - 特許庁
The semiconductor ceramic composition is constituted so that a divalent element and a tetravalent element are added to a lanthanum cobalt based compound to give negative resistance temperature property and as a result, the semiconductor ceramic device capable of reducing the power consumption of electronic equipments and instruments and suppressing the rush current at a temperature near room temperature is obtained.例文帳に追加
ランタンコバルト系化合物に対し、2価の元素と4価の元素とを添加した負の抵抗温度特性の半導体磁器組成物の構成としたものであり、これにより、電子機器の消費電力量を低減し、常温付近での突入電流を抑制することができる半導体磁器素子を得ることができる。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser element that can more easily reduce a drive current and a drive voltage at a high output with excellent long term reliability by intentionally using a film with a high stress for a film providing void atoms in the case of forming a window structure of the semiconductor laser element through disordering, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
半導体レーザ素子の窓構造を無秩序化によって形成する際、空孔原子を与える膜として、意図的に、よりストレスの高い膜を用いることにより、より容易に、高出力時の駆動電流,駆動電圧を低減し、且つ、長期信頼性に優れた半導体レーザ素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
When discharging the capacitor 16 by turning both of the switching element Swp on the high potential side and the switching element Swn on the low potential side of a U phase and a V phase to the ON state, in the case that a current flows to the motor generator 10, a voltage change command signal Rv is outputted to a drive unit DU on the high potential side.例文帳に追加
U相およびV相の高電位側のスイッチング素子Swpおよび低電位側のスイッチング素子Swnの双方をオン状態とすることでコンデンサ16を放電するに際し、モータジェネレータ10に電流が流れる場合、高電位側のドライブユニットDUに電圧変更指令信号Rvを出力する。 - 特許庁
A charge/discharge current Icp is input from the charge pump 14 to the capacitive element 15 to reduce the difference between the phase of a reference oscillation signal RCLK and that of a feedback oscillation signal PCLK input to the phase comparison unit 12, and the potential of a first end of the capacitive element 15 is adjusted by the potential adjustment unit 16.例文帳に追加
位相比較部12に入力される基準発振信号RCLKと帰還発振信号PCLKとの位相差が小さくなるように、チャージポンプ14から容量素子15へ充放電電流Icpが入力され、また、電位調整部16により容量素子15の第1端の電位が調整される。 - 特許庁
By manufacturing a two-layer structure provided by depositing the manganese oxide on an amorphous substrate or an amorphous film, the switching element or the memory element, having the characteristics of reversibly changing from a high resistance condition to a low resistance condition, or from a low resistance condition to a high resistance condition by applying specific current threshold or voltage threshold.例文帳に追加
マンガン酸化物をアモルファス基板またはアモルファス膜に堆積した2層構造物を作製することにより、特定の電流閾値、あるいは電圧閾値の印加により、高抵抗から低抵抗状態へ、低抵抗から高抵抗状態に可逆的に変化する特性を持つスイッチング素子あるいはメモリー素子が出来る。 - 特許庁
A power semiconductor element 6 connected to the direct current output of the fuel cell main body 3 is mounted to a cooling fin 5a, and the cooling fin 5a is arranged at a flow path of the water to be supplied to a reforming device 1 by a pump 9, and the exhausted heat of the power semiconductor element 6 is utilized as a thermal output.例文帳に追加
燃料電池本体3の直流電気出力に接続された電力用半導体素子6を冷却フィン5aに取り付け、改質器1にポンプ9により供給される水の流路に冷却フィン5aを配置し、電力用半導体素子6の排熱を熱出力として利用する。 - 特許庁
Power supply is made to the lighting circuit through a semiconductor switching element 11 that is installed in the switch control circuit 8, and, by detecting a part of the current flowing in the semiconductor switching element 12 and comparing this with the reference value by comparators 21, 22, abnormality of the lighting circuit or the discharge lamp is detected.例文帳に追加
スイッチコントロール回路8に設けられた半導体スイッチ素子11を介して点灯回路に電源供給を行うとともに、半導体スイッチ素子12に流れる電流の一部を検出して、これをコンパレータ21、22で基準値と比較することにより、点灯回路又は放電灯の異常検出を行う構成にした。 - 特許庁
To simply obtain an organic electroluminescence element capable of stably perform good light emission by restraining lowering of light emission luminance due to leakage current flowing through a high conductive defective part or gradual increase in size of a defective part such as a dark spot when the organic electroluminescence element is caused to emit light.例文帳に追加
有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させた場合に、導電性の高い欠陥部分にリーク電流が流れて発光輝度が低下したり、ダークスポット等の欠陥部分が次第に拡大したりするのを抑制し、良好な発光が安定して行える有機エレクトロルミネッセンス素子が簡単に得られるようにする。 - 特許庁
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