「growth pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the designed face 1a has a silicified wood texture by a resin coating film, it is possible to obtain the wooden block 1 in which the texture of growth rings pattern is sufficiently applied.例文帳に追加

また、樹脂塗膜によって、意匠面１ａに珪化木の風合いを持たせることが可能となり、年輪模様の風合いを十分に活かした木質ブロック１を提供することが可能となる。 - 特許庁

After an epitaxial growth process is carried out, line widths Dx and Dy become nearly equal to each other or approximate Dx=Dy, and the sensitivity difference becomes small when the pattern is detected, so that alignment operation can be improved in alignment accuracy.例文帳に追加

エピタキシャル成長後の線幅は、（ｂ）に示すように、ＤＸ＝ＤＹに近くなり、パターン検出の際の感度の違いが小さくなり、位置合せの精度を向上させることができる。 - 特許庁

Following the etching of the upper dielectric layer, a metal selectively grows on each of exposed part of the metal layer to obtain an inverted mask pattern consisting of the selective metal growth.例文帳に追加

上側誘電体層のエッチングに続いて金属層の各露出した部分に選択的金属成長を適用して選択的金属成長からなる反転されたマスク・パターンが得られる。 - 特許庁

We need to shift from public to private sources of demand, establish a pattern of growth across countries that is more sustainable and balanced, and reduce development imbalances. 例文帳に追加

我々は、需要の源を公から民間に移行し、各国を通じてより持続可能かつ均衡ある成長のパターンを構築し、発展の不均衡を減少させる必要がある。 - 財務省

While governments have started moving in the right direction, a shared understanding and deepened dialogue will help build a more stable, lasting, and sustainable pattern of growth. 例文帳に追加

各国政府は正しい方向に動き始めている一方で、共有された理解と深化された対話は、より安定し、継続し、持続可能な成長パターンを築くことに役立つであろう。 - 財務省

To substantially reproduce a pattern of all minute defects observed in a silicon signal crystal grown by a CZ method with a couple of model constants against practical growth conditions.例文帳に追加

ＣＺ法により成長したシリコン単結晶に観察される全ての微小欠陥のパターンを実際の成長条件に対して、一組のモデル定数で実質的に再現する。 - 特許庁

This solar cell substrate includes a transparent substrate 411, and a transparent conductive film 412 formed over the transparent substrate, and including a zinc oxide (ZnO) thin-film layer 412a doped with a dopant, where both a growth plane (0002) and a growth plane (α) are present based on X-Ray Diffraction (XRD) pattern data.例文帳に追加

太陽電池基板は、透明基板４１１と、透明基板に形成され、Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンのデータを基準に、（０００２）成長面と成長面がともに存在する、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層４１２ａを含む透明導電膜４１２とを含む。 - 特許庁

Using as a mask the mask pattern for selective growth, the imbedding layer is made to selectively grow under the conditions growing sideways from the side face of the mesa extending in the second direction opposite from the first direction with the first boundary position as a reference, with the front face of the growth becoming a slope.例文帳に追加

選択成長用マスクパターンをマスクとして用い、第１の境界位置を基準として第１の向きとは反対の第２の向きに向かって延びるメサの側面から側方に向かって成長し、成長の前面が斜面になる条件で埋込層を選択成長させる。 - 特許庁

To provide a method for growing a high quality SiC single crystal at a high growth rate, in which an ideal flow of a solution is achieved by finding an ideal ACRT (Accelerated Crucible Rotation Technique) pattern of so called an ACRT, in the production of a SiC single crystal by a solution growth method.例文帳に追加

溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、いわゆる坩堝加速回転法（ＡＣＲＴ：Accelerated Crucible Rotation Technique）の理想的なＡＣＲＴパターンを見いだして、理想的な溶液の流れを実現し、高速成長かつ高品質のＳｉＣ単結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

A method of forming a nanostructure aggregate includes steps for transferring a nano-pattern from a porous anodized aluminum template to a mask material layer, and growing a nanostructure on an unreformed growth surface of a substrate in regions exposed through the nano-pattern formed in the mask material layer by a bottom-up growth method where the nanostructure is composed of nano-rings or nano-doughnuts.例文帳に追加

多孔質陽極酸化アルミニウムテンプレートからマスク材層にナノパターンを転写し、マスク材層のナノパターンを介して露出された領域において基板上にボトムアップ成長法によって基板の未改質成長面上に形成されたナノ構造体を成長させ、前記ナノ構造体が、ナノリング又はナノドーナツからなることを特徴とするナノ構造体集合体を製造する方法。 - 特許庁

In this manufacturing method, as shown by Figure 1(a), a process for forming a step-difference pattern 2 on a surface of a semiconductor substrate 1, and a process for forming a CVD oxide film 10 whose film thickness d1 exceeds 1 μm on the step-difference pattern 2 by using a chemical vapor growth method, are performed.例文帳に追加

図１（ａ）に示すように、半導体基板１の表面に段差パターン２を形成する工程と、段差パターン２の上に化学気相成長法を用いて膜厚ｄ１が１μｍを超えるＣＶＤ酸化膜１０を形成する工程を行う。 - 特許庁

An element isolation region is formed in a boundary of the element isolation region by forming a dielectric pattern locally in a boundary of an element region and carrying out etching using the dielectric pattern as a mask, and thereafter a semiconductor film is formed in an element region adjacent to the element isolation region by selective growth using the dielectric pattern as a mask.例文帳に追加

誘電体パターンを素子領域の境界部に局所的に形成し、前記誘電体パターンをマスクにエッチングを行うことで素子分離領域を前記素子領域の境界部に形成し、その後、前記素子分離領域に隣接する素子領域に半導体膜の成膜を、前記誘電体パターンをマスクとした選択成長によりに実行する。 - 特許庁

To provide a luminous pattern-configuring toy enhancing the growth of intelligence and sensibility by varying brightness and colors in accordance with a spatially arranged configuration.例文帳に追加

空間的な配置形態に応じて明るさや色が変化するようにして、従来よりも知性および感性の一層の発達向上を図ることが可能な発光式形態構成玩具を提供する。 - 特許庁

Growth of at least one zinc oxide nanostructure is induced on the catalyst metal substantially over the pattern on the surface of the substrate based on a vapor-liquid-solid technique.例文帳に追加

気相−液相−固相法に基づいて、実質的に、基板の表面上のパターンの上において、触媒金属上に少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長が引き起こされる。 - 特許庁

There is a need to transition the source of demand from the government to the private sector, establish a more sustainable and balanced growth pattern by various countries and reduce the imbalances in development.例文帳に追加

我々は需要の源を公的部門から民間部門に移行し、各国を通じて、より持続可能かつ均衡ある成長のパターンを構築し、発展の不均衡を減少させる必要がある。 - 経済産業省

Thus, a varying pattern designation command is calculated by computing the upper and lower bytes as required without varying patterns and varying pattern designation commands stored in one to one correspondence, thereby enabling increase in the performance contents while inhibiting an extra growth in the capacity of data.例文帳に追加

これにより、変動パターンと変動パターン指定コマンドを予め対応付けて記憶しておかなくても、その都度上位バイトと下位バイトを演算して変動パターン指定コマンドを算出することにより、データ容量の増大を抑制しつつ、演出内容を増加させることができる。 - 特許庁

The method comprises (202) forming a pattern of clustered selective growth regions on a wafer for manufacturing an LSI, (203) analyzing optical constant data of the entire pattern, to obtain the thickness and the composition of a selectively grown layer and (206) feeding back the result to the next batch and thereafter, thereby controlling the process.例文帳に追加

ＬＳＩを製造するウエハ上に選択成長領域が密集したパターンを形成し（２０２）、そのパターン全体の光学定数データを解析することで選択成長層の膜厚や組成を求め（２０３）、その結果を次バッチ以降にフィードバックする（２０６）ことで、プロセス管理を行う。 - 特許庁

The child's clothing management apparatus is connected via a communication line to a clothing database holding appropriate body sizes for a plural kinds of child's clothes as allowable sizes, and a growth pattern database in which a plural kinds of growth patterns showing the relation between the age and the body size of a child is set.例文帳に追加

子供衣類管理装置は、複数種類の子供衣類について着用可能な身体サイズを許容サイズとして保持する衣類データベース、および、子供の年齢と身体サイズの関係を示す成長パターンが複数種類設定されている成長パターンデータベースと通信回線を介して接続される。 - 特許庁

We ask the IMF to support our effort under the Framework for Strong, Sustainable and Balanced Growth through its surveillance of our countries’ policy frameworks and their collective implications for financial stability and the level and pattern of global growth. 例文帳に追加

我々は、「強固で持続可能かつ均衡ある成長のための枠組み」の下での我々の努力を、各国の政策枠組み及びその政策枠組みが金融の安定と世界的な成長の水準とパターンに与える集合的な影響についてのサーベイランスを行うことを通して支援することをIMFに要請する。 - 財務省

To provide an improved SiGe device including an SiGe-embedded dummy pattern which surrounds the SiGe device and is specially designed so as to reduce micro loading effect during epitaxial growth of SiGe.例文帳に追加

ＳｉＧｅ装置を取り囲んで、ＳｉＧｅのエピタキシャル成長時にマイクロローディング効果を軽減できるように特別に設計されたＳｉＧｅ埋め込みダミーパターンを備えた改良されたＳｉＧｅ装置を提供する。 - 特許庁

G-20 members will set out our medium-term policy frameworks and will work together to assess the collective implications of our national policy frameworks for the level and pattern of global growth and to identify potential risks to financial stability. 例文帳に追加

G20メンバーは、中期的政策枠組みを設定し、各国の政策枠組みの世界の成長水準とパターンへの集合的な影響を評価し金融の安定への潜在的リスクを特定するために協働する。 - 財務省

G-20 members will set out their medium-term policy frameworks and will work together to assess the collective implications of our national policy frameworks for the level and pattern of global growth, and to identify potential risks to financial stability. 例文帳に追加

G20メンバーは、中期的政策の枠組みを設定し、各国の政策枠組みの世界の成長の水準とパターンへの集合的な影響を評価し、金融の安定への潜在的リスクを特定するために協働する。 - 財務省

In dry etching for patternizing a silicon nitride 12 and silicon oxide film 11 by using a resist pattern 13, introduction defects at the time of growth in a silicon substrate 10, which cause conical pattern defects, are removed by digging the surface part of the groove formation region of the silicon substrate 10 at overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

In dry etching employing a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, a defect introduced into a silicon substrate 10 at the time of growth to cause a conical pattern defect is removed by digging down the surface of an isolation trench forming region on a silicon substrate at the time of overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

The manufacturing process of this substrate device comprises subjecting a substrate 8 consisting of SiC to heating and thermal decomposition in a vacuum atmosphere, to form carbon and adsorbing and depositing the resulting carbon only on metal parts 13 which are formed so as to shape a pattern on the substrate 8 beforehand and function as growth nuclei of the carbon, to produce graphite nanotubes 15 formed so as to shape an optional pattern on the substrate 8.例文帳に追加

SiCから成る基体８を、真空雰囲気中で加熱し熱分解し、この結果生じる炭素を、基体８上に予めパターニングされて付与されている成長核となる金属部１３にのみ吸着、析出させて、基体上に任意のパターン化されて形成されたグラファイトナノチューブ１５を形成する。 - 特許庁

In dry etching using a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, introduction defects in growth in the silicon substrate 10, which cause conical-pattern defects, are removed by digging a surface part of a separation groove forming region of the silicon substrate 10 at overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor epitaxial substrate 10 comprises forming an ELO growth layer 4 of the composition of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) on a group III nitride layer 2 formed on a substrates 1, wherein the ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) growth layer 4 is formed using a mask pattern 3 consisting of carbon formed on the group III nitride layer 2.例文帳に追加

基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物層２上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成のＥＬＯ成長層４が形成されてなり、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長層４は、ＩＩＩ族窒化物層２上に形成された炭素からなるマスクパターン３を用いて形成されたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板１０。 - 特許庁

Since the oil substrate 100 and the coil component 1 are produced through plating growth of a conductor pattern (planar coil 34), the portion 34K in the vicinity of the top of a conductor which became high through plating growth of the conductor is flattened by polishing or cutting while shortening the distance (G) between conductors and the size is reduced.例文帳に追加

本発明の方法によって製造されたコイル基材１００及びコイル部品１は、導体パターン（平面コイル３４）をめっき成長して作られているので、導体間距離（Ｇ）を狭くしつつ、導体のめっき成長に伴って高くなった導体の頂面付近の部分３４Ｋは、研磨や切削によって平坦化されるので、小型化になる。 - 特許庁

Growth pattern as seen in India is like an industry leapfrogging intermediate stages and instantly moving into the most advanced stage. Behind the achievement of such growth in India were abundant human resources – those who can speak English and have high academic background – and the 117 country having actively accepted the wave of economic globalization in the world by encouraging investment by U.S. and European businesses.例文帳に追加

このような成長パターンは、一気に最先端産業の発展を見せる「蛙跳び」的なものであるが、このような経済成長パターンをインドが実現できた背景には、高学歴で英語を話す人材に恵まれていること、グローバル化の波を欧米企業の進出という形で積極的に受け入れたこと等が指摘されている。 - 経済産業省

Specific half-toning technology is proposed to achieve the reduction or limitation and by using an input density value of an image pixel to gradually increase, image dots are alternately added to both sides to produce a linear growth pattern in the predetermined direction.例文帳に追加

これを達成するために、特定のハーフトーン化技術を提案し、次第に増加する画像画素の入力密度値を用いて、両側に画像ドットを交互に加えることにより、所定方向に線形成長パターンを生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element provided with a bulb-type recessed channel which can prevent growth and move of a void produced inside a ball pattern when a conductive film used as a gate electrode is formed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極として用いられる導電膜を形成する際、ボールパターンの内部に発生するボイドの成長及び移動を阻止し得るバルブ型埋め込みチャネルを備えた半導体素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An original pattern 10, which is formed on an Si substrate that is to serve as an epitaxial wafer, is so regulated in a line width dx in the direction of an X-axis and a line width dy in the direction of a Y-axis as to compensate for anisotropy in epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャルウエハの元になるＳｉ基板上に形成する原パターン１０で、エピタキシャル成長の異方性を補償するように、Ｘ軸方向の線幅ｄｘとＹ軸方向の線幅ｄｙとを調整する。 - 特許庁

The Al electrode layer 4 is an oriented film grown by epitaxial growth and is also a polycrystalline thin film having a twin structure in which a diffraction pattern observed in an X-ray diffraction pole figure has a plurality of symmetry centers.例文帳に追加

Ａｌ電極層４は、エピタキシャル成長した配向膜であり、かつＸ線回折極点図において観察される回折パターンが複数の対称中心を有する双晶構造を持つ多結晶薄膜となるようにされる。 - 特許庁

Our priorities are to address remaining financial sector fragilities; ensure strong growth in private sector demand and job creation; secure sound public finances and debt sustainability; work toward a more balanced pattern of global growth, recognizing the responsibilities of surplus and deficit countries; and address the challenges of large and volatile capital movements, which can be disruptive.例文帳に追加

我々の優先事項は、依然残る金融セクターの脆弱性に対処すること、民需の強固な成長と雇用創出を確保すること、健全な財政と債務の持続可能性を確保すること、黒字国と赤字国の責任を認識し、世界経済がよりバランスの取れた形となるように取り組むこと、大きく不安定な資本移動という課題に取り組むことである。 - 財務省

The manufacturing method for the solar cell has a process in which the power generation layer 102 is formed on the first surface of the polycrystalline semiconductor substrate 101, a pattern by a growth preventive film 103 is formed on the surface of the layer 102, and a texture structure is formed by selectively growing a semiconductor layer 105 on the surface of the layer 102 in an epitaxial manner by a liquid-phase growth method.例文帳に追加

多結晶半導体基板１０１の第一の表面に発電層１０２を形成し、該発電層１０２表面上に成長阻止膜１０３によるパターンを形成し、該発電層１０２表面上に液相成長法にて半導体層１０５を選択的にエピタキシャル成長することによりテクスチャ構造を形成する工程を有する太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The method comprises processes of: forming a clad layer 12 on a substrate 11; forming in the clad layer 12 a mask 13 corresponding to the core pattern of the optical waveguide and forming a groove 14 for imbedding the core therein; forming the core 15 in the groove 14 through selective epitaxial growth; and forming an upper clad 16 on the core 15 through the selective epitaxial growth.例文帳に追加

基板１１上に、クラッド層１２を形成する工程と、クラッド層１２に光導波路のコアのパターンに応じたマスク１３を形成し、コアを埋め込むための溝１４を形成する工程と、選択エピタキシャル成長により溝１４にコア１５を形成する工程と、選択エピタキシャル成長によりコア１５の上に上部クラッド１６を形成する工程とを備えた。 - 特許庁

To provide a defect inspection device that can efficiently detect an actual defect by removing a false defect due to unevenness caused by the growth of crystal grains or the like generating on the circuit pattern of a semiconductor integerated circuit, and to provide a defect inspection method.例文帳に追加

半導体集積回路の回路パターン上に発生する結晶粒成長等によって生じる凹凸による疑似欠陥を除去し、実欠陥を効率よく検出する欠陥検査装置、および、欠陥検査方法を提供する。 - 特許庁

Then the N gamma converting cells are applied repeatedly in specific order pattern (#4, #3, #5, #2, and #1) to N×N pixels so that dots are grown on an N×N pixel screen around the N growth kernels 9.例文帳に追加

そして、このＮ個のガンマ変換セルをＮ×Ｎ画素に所定の順序パタ−ン（＃４、＃３、＃５、＃２、＃１）で繰り返し適用することにより、Ｎ×Ｎ画素スクリーン７においてＮ個の成長核９をそれぞれ中心にしてドットが成長していくようにする。 - 特許庁

In the <1-100> direction where the growth speed of the crystal is slow at a portion, where the interval D_1 of the alignment mark 15A is larger than the interval D_2 at the seed crystal section 15, an interval D_3 of the pattern of the alignment mark 15A should be 4 μm or less.例文帳に追加

なお、アライメントマーク１５Ａのパターンの間隔Ｄ_1 が、種結晶部１５の間隔Ｄ_2 より大きいところでは、結晶の成長速度が遅い＜１—１００＞方向において、アライメントマーク１５Ａのパターンの間隔Ｄ_3 を４μｍ以下とする。 - 特許庁

A replacement period or cleaning period of the EUV mask is determined in accordance with the difference in growth amount of the foreign bodies growing through EUV exposure on the sunny side and shade side of the pattern of the EUV mask (multilayer reflective mask) for EUV lithography.例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィ用のＥＵＶマスク（多層膜反射マスク）のパターンにおける日向面側と日陰面側とにＥＵＶ露光に伴いそれぞれ成長する異物の成長量の差に応じて、ＥＵＶマスクの交換時期又はクリーニング時期を決定する。 - 特許庁

To provide single crystal seed as well as molding pattern and the method for manufacturing of a single crystal casting which overcomes problems of oxide growth and of the formation of nuclei by forged particles and the necessity of special gating scheme.例文帳に追加

本発明は、酸化物成長及び偽造粒子の核形成の問題及び特別なゲーティングスキームの必要性を克服する単結晶鋳物を製造するための鋳物型及び方法と同様に、単結晶シードの提供を目的とする。 - 特許庁

To perform selective growth of a solid on a fine scale of nano meter with high accuracy in a short time, by readily conducting drawing of a high resolution pattern at a high speed and a low cost, when a solid s selectively grown on a substrate surface.例文帳に追加

基材上に固体を選択的に成長させる場合のパターンの描画を、高速にかつ高解像度で、また低コストで容易に行い、固体の選択成長をナノメーターの微細なスケールで高精度にかつ短時間で行えるようにする。 - 特許庁

The establishment of a presence overseas thus also potentially offers major business opportunities. In China, especially in the East China region around Shanghai, where a succession of enterprises have established production operations and the local market is exhibiting conspicuous growth, it is becomingly increasingly common to establish a presence with the aim of developing new customers in the host market, as in pattern. 例文帳に追加

製造拠点の進出が相次ぎ、現地市場の成長が著しい中国、特に上海を中心とした華東地区などでは、〔4〕のように現地市場での新規顧客開拓を目的に進出するケースも増えつつある。 - 経済産業省

We learned that entries are increasing not just in the areas of the family-run business or the small factory, as was seen during the high-growth period, but also in a new pattern of entries, in which university graduates employed at large enterprises spin-out to become startup founders.例文帳に追加

高度成長期に多く見られた「家業的」な個人商店や町工場のような形の開業だけではなく、大学を出て、大企業に勤めた人がスピンアウトして開業するという新しい形の開業も増加していることが分かった。 - 経済産業省

The countries also acknowledged in unison the need to correct the imbalance by stating, "there is a need to transition the source of demand from the government to the private sector, establish a more sustainable and balanced growth pattern by various countries and reduce the imbalances in development."例文帳に追加

そして「需要の源を公から民間に移行し、各国を通じてより持続可能かつ均衡ある成長のパターンを構築し、発展の不均衡を減少させる必要がある。」とされ、グローバル・インバランスの是正が必要との認識で一致した。 - 経済産業省