「lower process」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The invention relates to the process for producing the N-vinylpyrrolidone graft polymer comprising a process reacting a vinyl monomer to the N-vinylpyrrolidone polymer, wherein the N-vinylpyrrolidone polymer to be reacted as a raw material is regulated so as to have a 2-pyrrolidone content of 10,000 ppm or lower.例文帳に追加

Ｎ−ビニルピロリドン系重合体にビニル系単量体を反応させる工程を含むＮ−ビニルピロリドン系グラフト重合体の製造方法であって、上記製造方法は、原料となるＮ−ビニルピロリドン系重合体中の２−ピロリドンの含有量を１００００ｐｐｍ以下として反応させるＮ−ビニルピロリドン系グラフト重合体の製造方法。 - 特許庁

Provided are a process for producing a polyester film which comprises orienting an unoriented film based on polyethylene terephthalate in the machine and transverse directions, cooling the film to the glass transition temperature or lower, and irradiating the film with UV light from at least either of the directions of thickness of the film and a polyester film produced by the above process.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレートを主成分とする未延伸フィルムを長手方向および幅方向に延伸した後、フィルムをガラス転移温度以下に冷却し、その後、フィルムの厚み方向の少なくとも一方向からＵＶ光を照射することを特徴とするポリエステルフィルムの製造方法、およびその製造方法により製造されたポリエステルフィルム。 - 特許庁

A method of forming a multilayer conductive film comprising this polysilicon film 108 comprises a process, wherein the surface of the film 108 is etched back using etching gas containing C and S components and an F component to remove a recessed region generated in the film 108, and a process, wherein a conductive film having a resistance lower relatively than that of the film 108 is formed on the film 108.例文帳に追加

本発明のポリシリコン膜１０８を含む多層導電膜の形成方法は、Ｃ、Ｓ、そしてＦ成分を含むエッチングガスを使用してポリシリコン膜１０８の表面をエッチバックして除去する工程と、ポリシリコン膜上にポリシリコン膜１０８より抵抗が相対的に小さい導電膜形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method for producing 3-hydroxyisoxazole is characterized by comprising (A) a first process for reacting a 3-alkoxy acrylic acid ester with hydroxylamine in a lower alcohol solvent in the presence of an alkali metal alkoxide and then (B) a second process for adding an aromatic solvent to the reaction mixture, carrying out a dealcoholization reaction and neutralizing the resultant substance with an acid.例文帳に追加

本発明の課題は、（Ａ）低級アルコール溶媒中で、3-アルコキシアクリル酸エステルにヒドロキシルアミンを、アルカリ金属アルコキシドの存在下で反応させる第一工程、（Ｂ）次いで、芳香族系溶媒を添加して脱アルコール反応させた後、酸で中和する第二工程、を含んでなることを特徴とする、3-ヒドロキシイソオキサゾールを製造する方法によって解決される。 - 特許庁

When a work W conveyed by a carrier G comes to the lower conveying path Hd through the work conveying path Ha of the pretreating process A, the turning around body for supporting a rail Y achieves 180 degree turn on the face perpendicular to the conveying path and the work conveying path Hd is connected to the work conveying path Hc so that the work W may be fed to the drying process C.例文帳に追加

そして前処理工程Ａのワーク搬路Ｈａを通してキャリアＧで搬送されたワークＷが下方のワーク搬路Ｈｄまで来ると、レール支持反転体Ｙを搬路に対して直交する面内で１８０度反転させ、ワーク搬路Ｈｄを乾燥工程Ｃのワーク搬路Ｈｃに接続してワークＷを乾燥工程Ｃに送り込めるようにする。 - 特許庁

This method for post-treating the carbon nanofiber is characterized by having a transition metal-removing process for heating the crude carbon nanofiber produced from the organic transition metal compound at a lower temperature than the decomposition temperature of the organic transition metal compound, and the method for producing the graphitized carbon nanofiber is characterized by having a process for graphitizing the carbon nanofiber obtained through the post-treating method.例文帳に追加

有機遷移金属化合物を使用して製造された粗カーボンナノファイバーを前記有機遷移金属化合物の分解温度よりも低い温度に加熱する工程を少なくとも有する後処理方法、及び前記後処理方法を経て得られたカーボンナノファイバーを黒鉛化する工程を有することを特徴黒鉛化カーボンナノファイバーの製造方法。 - 特許庁

The cleaning liquid for a semiconductor device substrate is provided which is used after a chemical mechanical polishing process in a semiconductor device manufacturing process and contains a nonionic surfactant represented by general formula (I), an organic acid and polyethylene glycol with a number average molecular weight of 5,000 or less, and has a pH of 5 or lower, and a cleaning method using the cleaning liquid.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄液であって、下記一般式（Ｉ）で表されるノニオン性界面活性剤と有機酸と数平均分子量５０００以下のポリエチレングリコールとを含み、かつ、ｐＨが５以下である半導体デバイス用基板の洗浄液、及びそれを用いた洗浄方法。 - 特許庁

Accordingly, since an individual semiconductor chip 21 on a mounting substrates 22 can be mounted at a temperature lower than that of a conventional method, a processing time of a mounting process can be shortened, and the thermal interaction in the junction process between the adjacent semiconductor chips 21 can be reduced, and thus, the reliability of the junction portion can be improved.例文帳に追加

従って、実装基板２２に対する個々の半導体チップ２１のマウントを従来よりも低温で行うことができるので、マウント工程の処理時間短縮を図ることができるとともに、隣接する半導体チップ２１間での接合工程における熱的な相互作用を低減して接合部の信頼性を高めることができる。 - 特許庁

Prior to Process 1, the core 31 for forming the cooling water passage 10 is prepared from spherical granular sand having a lower coefficient of expansion than ordinary silica sand, and in Process 1, the core 30 is formed in such a condition that the core 31 is set in the jacket forming casting mold in its position mating with the inter-bore wall.例文帳に追加

上記第１工程に先立って、上記冷却水路１０を形成するための水路形成用中子３１を、一般硅砂よりも低膨張率の球状化粒子砂で造形し、第１工程では、水路形成用中子３１を上記ジャケット形成用鋳型のボア間壁対応位置に装着して上記ジャケット用中子３０を造形する。 - 特許庁

A manifold block 2 is molded to be rectangular parallelepiped by forming a process gas input port 3, a purge gas input port 4 and a process gas output port 5 formed on a lower surface of the manifold block 2 on the same straight line by forming a purge gas input passage to communicate the purge gas input port 4 and an input port of a check valve to each other in a V shape.例文帳に追加

パージガス入力ポート４とチェック弁５０の入力ポート５１とを連通させるパージガス入力流路１０をＶ字形に形成することにより、マニホールドブロック２の下面に形成されたプロセスガス入力ポート３、パージガス入力ポート４及びプロセスガス出力ポート５を同一直線上に形成して、マニホールドブロック２を直方体に成形する。 - 特許庁

A dummy pattern, deposited in the lower layer of the integrated circuit and connected to a complementary upper skin bonding pad via metal connection and the metal connection, which has no additional or special process stage, are formed simultaneously while a process stage used for forming a circuit component included in the integrated circuit is advanced.例文帳に追加

集積回路の下層に蒸着されて複数の相補的な上皮ボンディングパッドまで金属連結を介して連結したダミーパターンを含むのであるが、かかるダミーパターンと金属連結とは、追加されたり特別の工程段階がなく、集積回路内に含まれた回路成分を形成するために使われる工程段階が進められる間に同時に形成される。 - 特許庁

In the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit using a multilayered wiring process, the wiring is formed of lower first-layer aluminum wiring 201, and upper second-layer aluminum wiring 202, and through holes 203 which electrically connect the aluminum wirings 201 and 202 to each other are disposed in an array-like (lattice-like) state.例文帳に追加

多層配線プロセスを用いた半導体集積回路の製造工程において、配線を下位層の第１層アルミ配線２０１と上位層の第２層アルミ配線により形成するとともに、この第１層アルミ配線２０１−第２層アルミ配線２０２間を電気的に接続するスルーホール２０３をアレイ状（格子状）に配置する。 - 特許庁

It has a function layer formation process which forms a function layer 302 on an electrode 301 formed on a substrate 300, and a counter-electrode formation process which forms the counter electrode 303 which counters the electrode 301 on both sides of the function layer 302 by vacuum evaporation, then, the upper and lower sides of the substrate 300 are reversed between the both processes.例文帳に追加

基板３００上に形成された電極３０１上に機能層３０２を形成する機能層形成工程と、機能層３０２を挟んで電極３０１に対向する対向電極３０３を蒸着により形成する対向電極形成工程とを有し、両工程の間で、基板３００の上下を反転させる。 - 特許庁

A manufacturing method of a piezoelectric element comprises: a process for forming seed titanium layer by coating Titanium (Ti) at least twice or more on a lower electrode formed on a substrate; and a process for forming a piezoelectric precursor film by coating piezoelectric material on the seed titanium layer, and thereafter calcining the piezoelectric precursor film so as to crystallize, thereby forming a piezoelectric material layer.例文帳に追加

基板上に形成した下電極上にチタン（Ｔｉ）を少なくとも２回以上塗布して種チタン層を形成する工程と、種チタン層上に圧電材料を塗布して圧電体前駆体膜を形成すると共に圧電体前駆体膜を焼成して結晶化させることで圧電体層を形成する工程とを設ける。 - 特許庁

To provide a method for disposing of used activated charcoal having been used for an advanced water-purifying process by producing plant growth culture medium or soil amendment, using the used activated charcoal having been used for the advanced water-purifying process, which has no or a lower degree of defects which a conventional plant growth culture medium or a conventional soil amendment has.例文帳に追加

高度浄水処理工程に用いた使用済み活性炭を用いた、従来の植物育成培地または土壌改良資材がもつ欠点を有しないか、または欠点の程度が低くなった植物育成培地または土壌改良資材を作製し、もって高度浄水処理工程に用いた使用済み活性炭の処理に資すること。 - 特許庁

In an intermediate process where the water content in the laundry is reduced by a prescribed amount by the initial drying process, the laundry is dried till a substantially dried state by defining a second drying temperature lower than the limit temperature, at which the laundry is subjected to the thermal damage, as the air blowing temperature and by defining a second air volume equal to or less than the first air volume.例文帳に追加

中間乾燥工程は、初期乾燥工程により洗濯物中の水分が一定量減少した段階で洗濯物が熱損傷を受ける限界温度よりも低い第２の乾燥温度とし、第１風量と同じかそれ以下の第２風量として該洗濯物が実質的に乾燥状態となるまで乾燥する。 - 特許庁

The half-splitting method for a small-diameter pipe 1 used in a nuclear power plant is constituted of a process semi-automatically sending a small-diameter pipe and making it a flat pipe with a press machine, and a process cutting the both ends in the longitudinal direction of the flat pipe after pressing and separating into upper and lower two plate bodies 4 and side-cut fragments 5.例文帳に追加

小口径配管を半自動送りし、プレス機で偏平管とする工程と、 プレス後の偏平管の長手方向両側端部をシャーリング機で切断して上下２枚の板状体４と側部切断片５とに分離する工程とで原子力発電所で使用された小口径配管１の半割方法は構成されている。 - 特許庁

When the voltage of the 12V power source is lowered from the level LV1 to a lower level LV2, a forcible interruption terminal XNM1 becomes effective because of an action of a backup voltage monitoring circuit and a forcible interruption process is performed (point P8), and the CPU prohibits an access to a RAM after a detection process by a prize ball paying out switch is stopped.例文帳に追加

１２Ｖ電源の電圧がレベルＬＶ１から更に低下しレベルＬＶ２になると、バックアップ電圧監視回路の働きにより強制割り込み端子ＸＮＭＩ端子が有効となり強制割り込み処理が実行され（ポイントＰ８）、ＣＰＵは、賞球払い出しスイッチによる検出処理を停止した後にＲＡＭへのアクセスを禁止する処理を実行する。 - 特許庁

The solution analysis method includes a process for cooling the solution S which is an analyzing target to lower the solubility of the solution S, to make the solute of the solution precipitate in a solvent but also to make the solution S freeze; and a process for irradiating the substance produced by freezing with the terahertz wave, to obtain the data of the transmission or absorption spectrum of the substance.例文帳に追加

分析対象としての溶液Ｓを冷却することにより、この溶液Ｓの溶解度を下げてその溶質を溶媒中に析出させるとともに溶液Ｓを凍結させる工程と、前記凍結を生じた物質にテラヘルツ波を照射してその透過または吸収スペクトルのデータを得る工程と、を有していることを特徴としている。 - 特許庁

This method includes a process to form an optical waveguide base body 17 from a first polymer material having carboxyl groups and a process to diffuse a second material through the surface into the inner part of the optical waveguide base body so that the second material reacts with carboxyl groups to decrease the refractive index of the reacted part lower than the refractive index of the base body.例文帳に追加

カルボキシル基を有する高分子の第１の材料を、光導波路用基材１７として成形する工程と、この光導波路用基材の表面から内部に向かって、カルボキシル基と反応し、この反応部分の屈折率を基材の屈折率より低下させる第２の材料を拡散させる工程とを含んでいる。 - 特許庁

This heat exchange system has lower pressure on the heat medium side than pressure on the process side, includes two heat exchangers or more, joins heat medium used in each heat exchanger with the common pipe 2 through the outlet pipe 1 of each heat exchanger, and has a means for detecting process fluid in heat medium in the outlet pipe 1 and the common pipe 2.例文帳に追加

熱媒体側の圧力がプロセス側の圧力より低く、二基以上の熱交換器を含み、各熱交換器で使用された熱媒体は各熱交換器の出口配管（１）を経て共通の配管（２）に合一されるシステムであって、出口配管（１）及び共通の配管（２）に熱媒体中のプロセス流体を検出する手段を有する熱交換システム。 - 特許庁

The volume data creating means 32 creates a volume data D3 by performing an equalizing process or a thinning process for a projected image data D2 and using projected image data fewer than the normal data, so that the resolution of the output image is equal to the set value, for example, when the resolution of the output image is set to a value lower than the given value.例文帳に追加

ボリュームデータ生成手段３２が、出力画像が設定された解像度となるように、例えば所定解像度より低い低解像度に設定された際には、投影画像データＤ２に対して、平均化処理や間引き処理などを行って、通常のデータ数よりも少ない投影画像データを使用して、ボリュームデータＤ３を生成する。 - 特許庁

When it is manufactured, ions with corrosive properties are replaced with ions with lower corrosive properties by an ion exchanging process replacing the ions by the ion exchanging method in the manufacturing process.例文帳に追加

本発明の処理液の製造法は、色材及び水を含有する記録液と接触した際に、該色材と反応性を有する成分を１種類以上含有する処理液の製造法であってを製造する際に、製造過程でイオン交換法によりイオンを置換するイオン交換法により、腐食性を有するイオンを腐食性のより低いイオンに置換する。 - 特許庁

The method for producing surface-treated titanate pigment has a process for mixing sol-like scaly titanate pigment with a surfactant and a hydrophobicity-imparting agent, freeze-drying and powdering the mixture and a process for stirring the powdered surface-treated titanate pigment in a mixed solution of a lower alcohol and water and carrying out a vacuum heating.例文帳に追加

表面処理チタン酸顔料の製造方法は、ゾル状の鱗片状チタン酸顔料に、界面活性剤と疎水性付与剤とを添加し混合したのち、凍結乾燥を行い粉末化する工程と、粉末化された表面処理チタン酸顔料を低級アルコールと水との混合溶液中で撹拌したのち、真空加熱を行う工程と、を有する。 - 特許庁

The method for production of a C/C composite material 4 includes a process for firing a C/C composite matrix 1 impregnated and/or coated with an amorphous carbon precursor at a temperature lower than that of firing the matrix 1, and a process for forming a chromizing layer 3 on the fired C/C composite matrix 1.例文帳に追加

Ｃ／Ｃコンポジット材４の製造方法であって、母体となるＣ／Ｃコンポジット母体１の上に、アモルファスカーボン前駆体を含浸及び／又は塗布した後、Ｃ／Ｃコンポジット母体１の焼成温度よりも低い温度で焼成する工程と、焼成したＣ／Ｃコンポジット母体１に、クロマイジング層３を形成する工程と、を含むＣ／Ｃコンポジット材の製造方法である。 - 特許庁

This method has an intermediate coating application process 6 applying, to the car body, an intermediate coating material containing foaming particles foaming at a temperature lower than the hardening temperature of the intermediate coating material and finish coating application processes 7 and 8 of applying a finish coating material to the surface of the unhardened intermediate coating film layer applied in the process 6.例文帳に追加

自動車ボディに、中塗り塗料の硬化温度よりも低い温度で発泡する発泡性粒子を含有する中塗り塗料を塗布する中塗り塗料塗布工程６と、中塗り塗料塗布工程で塗布された未硬化の中塗り塗膜層の表面に、上塗り塗料を塗布する上塗り塗料塗布工程７，８とを有する。 - 特許庁

The method of executing the oxidative decomposition treatment of waste water containing the lower alcohol by the wet oxidation method includes: a first wet oxidation treatment process of using air as an oxidizing agent and putting the waste water to a hydrothermal reaction condition; and a second wet oxidation treatment process of using the hydrogen peroxide as the oxidizing agent and putting the waste water to the hydrothermal reaction condition.例文帳に追加

低級アルコール類を含有する廃水を湿式酸化法により酸化分解処理する方法であって、酸化剤として空気を用いて該廃水を水熱反応条件に付す第１の湿式酸化処理工程と、次いで、酸化剤として過酸化水素を用いて該廃水を水熱反応条件に付す第２の湿式酸化処理工程とを包含する。 - 特許庁

This heat exchange system has lower pressure on the heat medium side than pressure on the process side, includes two heat exchangers or more, joins heat medium used in each heat exchanger with the common pipe 2 through the outlet pipe 1 of each heat exchanger, and has a means for detecting process fluid in heat medium in the common pipe 2.例文帳に追加

熱媒体側の圧力がプロセス側の圧力より低く、二基以上の熱交換器を含み、各熱交換器で使用された熱媒体は各熱交換器の出口配管（１）を経て共通の配管（２）に合一されるシステムであって、共通の配管（２）に熱媒体中のプロセス流体を検出する手段を有する熱交換システム。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device, including a forming process of the insulating film, includes heat treatment in an atmosphere of a mixed gas of an inert gas and a nitric oxide gas, as one process of forming the insulating film, wherein nitric oxide gas of 0.5% or higher and 20% or lower, that is diluted by the inert gas, is contained.例文帳に追加

この発明は、絶縁膜の形成工程を含む半導体装置の製造方法において、絶縁膜形成の一工程として、不活性ガスにより希釈された０．５％以上２０％以下の一酸化窒素ガスを含む、不活性ガスと一酸化窒素ガスの混合ガス雰囲気中での熱処理を含む、ことを特徴としている。 - 特許庁

In a pre working process, a straight part 5 inclined at an inclined angle α is formed in the section transferring from a shoulder part 3 to a barrel part 4, in a next grooving process, while abutting a tool 8 on the straight part 5 and regulating, the vertical straight part 5 is formed, further a groove part 7 is formed at the lower end of the straight part.例文帳に追加

前加工工程で、肩部３から胴部４へ移行する部位に、傾斜角αで傾斜した直線部５を形成し、次の溝加工工程で、ツール８を直線部５に当接し規制しながら、垂直な直線部５を形成すると共に、この直線部５の下端に溝部７を形成することを特徴とするスロットショルダータイプのエアゾール缶の製造方法。 - 特許庁

The control part 41 gradually increases or decreases the surface temperature of the heating member 31 by repeating on/off of the energization state to the heat source 33 in each of a temperature rise process C21 in which the surface temperature of the heating member 31 increases toward the upper limit temperature and a temperature drop process C12 in which the surface temperature drops toward the lower limit temperature.例文帳に追加

加熱部材３３の表面温度が上限温度へ向かって上昇する温度上昇過程Ｃ２１と、下限温度へ向かって低下する温度低下過程Ｃ１２とのそれぞれにおいて、制御部４１が、熱源３３への通電状態を繰り返しオン・オフして、加熱部材３１の表面温度を段階的に上昇あるいは低下させる。 - 特許庁

The process for fabricating a capacitor 200 having a lower electrode 210 and a ferroelectric layer 230 comprises a metal layer forming step for forming the lower electrode 210, a step for forming a buffer layer 220 having a lattice constant between those of the lower electrode 210 and the ferroelectric layer 230 and exhibiting ferroelectric characteristics on the lower electrode 210, and a step for forming the ferroelectric layer 230 on the buffer layer 220.例文帳に追加

下部電極２１０及び強誘電体層２３０を有するキャパシタ２００を製造するキャパシタ製造方法であって、下部電極２１０を形成する金属層形成ステップと、下部電極２１０の格子定数と強誘電体層２３０の格子定数との間の格子定数を有する、強誘電体特性を示すバッファ層２２０を、下部電極２１０上に形成するバッファ層形成ステップと、強誘電体層２３０を、バッファ層２２０上に形成する強誘電体層形成ステップとを備えたキャパシタ製造方法。 - 特許庁

To provide a cylinder block cooling structure capable of preventing the deterioration in circularity of a cylinder bore lower part when actually operating an engine, by restraining bore deformation caused when actually operating the engine, without increasing a process when processing a cylinder block.例文帳に追加

シリンダブロックの加工に際して工程の増加をともなうことなく、エンジン実働時に生じるボア変形を抑制することができ、エンジン実働時におけるシリンダボア下部の真円度の悪化を防止することができるシリンダブロックの冷却構造を提供する。 - 特許庁

To provide an MEMS resonator by which a stable oscillation mode and a stable oscillation frequency can be obtained by forming a highly accurate inter-electrode distance between an upper electrode and a lower electrode in a CMOS manufacturing process, and a manufacturing method by which processes can be reduced.例文帳に追加

ＣＭＯＳ製造プロセス工程で高精度な上部電極と下部電極の電極間距離を形成し、安定した振動モードと振動周波数を得られるＭＥＭＳレゾネ−タ及び工程を短縮できる製造方法を提供すること。 - 特許庁

Dust or malodor is removed from air by bringing air driven by an exhaust fan 18 into contact with a waterdrop moving form the center side to the peripheral side in the structure of rotary member 16 in a process that the air is passed through the rotary member 16 from the lower side to the upper side.例文帳に追加

排気ファン１８に駆動された空気が回転部材１６を下から上へ通過する過程で、回転部材１６の組織中を中央側から縁側へ移動する水滴に接触して、空気からほこりや悪臭が除去される。 - 特許庁

To provide an apparatus for planting the bulbs of garlic or the like, which can surely plant the bulbs in a constant direction wherein the rooting bottom portions B and the germinating portions A of the bulbs are placed in the lower and upper directions, respectively, in a planting process without changing the posture of the bulbs.例文帳に追加

ニンニク等の植え付け装置において、植え付け工程における球根の姿勢変化を無くして、確実に発根底部Ｂを下にして出芽部Ａを上にして向きを一定方向にさせ植え付ける球根植え付け装置を提供する。 - 特許庁

To provide an architecture enabling to process data blocks contained in a series of digital pictures encoded according to an encoding technique of a block base using lower transmission capacity during processing.例文帳に追加

本発明は、処理中にデータのより低い伝送容量を使用するブロックベースの符号化技法に従って符号化された一連のディジタル画像に含まれる符号化されたデータブロックを処理することを可能にするアーキテクチャを提供することを目的とする。 - 特許庁

In addition, functions can be separated to the first fixing process part which gives a heat quantity up to the fixing lower limit and the second fixing step part which gives a heat quantity until a desired glossiness is obtained, the paper type correspondency is improved and glossiness desired by a user is also responded.例文帳に追加

また、定着下限まで熱量を与える第１定着工程部、所望の光沢度まで熱量を与える第２定着工程部に機能分離することができ、紙種対応性が向上しユーザが望む光沢度にも対応できる。 - 特許庁

To provide a method for removing dross generated by laser boring during processing of a via hole connecting upper and lower conductor wiring layers by etching which is excellent in dimensional stability and realizes connection reliability in a following process.例文帳に追加

上下の導体配線層を接続するビアホールをレーザー穴あけ加工により加工した際に発生するドロスを、寸法安定性に優れ、後のめっき工程において接続信頼性の得られるエッチングにより除去する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device for pattern correction, with which electrical resistance of a section to be corrected is made lower by forming a correcting layer with uniform film thickness on a defective section of a broken pattern (wire), without repeating operations and with a simple process.例文帳に追加

繰り返し操作をすることなく、簡単な工程で、断線しているパターン（配線）の欠陥部に対して、均一な膜厚の修正層を形成し、修正部の電気抵抗をより低くすることが可能なパターン修正装置を提供する。 - 特許庁

To measure not only the height of outermost layer, but also the height of the upper surface (or lower surface) of the other layers of an inspection object, constituted by forming a transparent or translucent material layer on a material layer, in a single scanning/imaging process.例文帳に追加

一の材料層に透明或いは半透明の材料層が形成されてなる被検物に対し、一回の走査・撮像工程で、その最表層の高さのみならず、それ以外の層の上面（或いは下面）高さをも測定できるようにする。 - 特許庁

The garment guard for shampoo time is formed through the following process: preparing a skirt made of waterproof fabric comprising plastic material or the like, passing a rubber string around the periphery of the upper edge of the skirt; and providing a belt-like core at the periphery of the lower edge of the skirt so as to prevent a bottom garment from getting dirty or wet.例文帳に追加

ビニール材等からなる防水性の生地でスカートを作り、その上端の周縁にゴム紐を通し、下端の周縁には帯状の芯を設ける事により、下半身の衣類の汚れ、濡れを防止する事を特徴とする。 - 特許庁

To provide a long light-emitting device in which a plurality of light-emitting diode units consisting of upper/lower electrode type light-emitting diodes are provided on a long metal die having a substantially U-shaped cross-section, and also to provide its fabrication process.例文帳に追加

本発明は、長尺の断面ほぼコ字状金属製型上に上下電極型発光ダイオード等からなる複数の発光ダイオードユニットが設けられている長尺発光装置および長尺発光装置の製造方法に関するものである。 - 特許庁

Black toner for electrostatic charge development contains a polyester resin and a mold release agent; the polyester resin is a polycondensate of a carboxylic acid component and a polyhydric alcohol component derived from sugar alcohol, and obtained through heating process for heating in the range of 160°C or higher and 280°C or lower in the presence of oxygen.例文帳に追加

カルボン酸成分と糖アルコール由来の多価アルコール成分との重縮合体であって酸素存在下で160℃以上280℃以下に加熱する加熱工程を経て得られたポリエステル樹脂と、離型剤と、を含む静電荷現像用黒色トナー。 - 特許庁

In addition, it has a softening temperature lower than that of conventional lead silicate glass, so that the glazing temperature can be lowered to 800-950°C, and oxidation in a central electrode 3 or a terminal metal fitting 13 hardly occurs even when the glazing is carried out simultaneously with a glass sealing process.例文帳に追加

また、従来の鉛ケイ酸塩ガラス系の釉薬よりも軟化温度が低く、釉焼温度を８００〜９５０℃と低温化でき、ガラスシール工程と同時に釉焼を行う場合も、中心電極３や端子金具１３等に酸化が生じにくい。 - 特許庁