| 例文 |
lower processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1989件
To provide a structure of a solder land which is hard to cause solder peeling and disconnection during manufacturing process or when in use of an apparatus, when a signal line having lower mechanical strength out of a set of signal lines whose ends are cut into equal length is soldered.例文帳に追加
端部が同じ長さに切りそろえられた一組の信号線中、機械的強度の弱い信号線が半田付された際に、製造工程や機器使用時に半田剥がれや断線を起こし難い半田ランド部の構造を提供する。 - 特許庁
In a second process, the vertex portion of the sectional V shape of the square steel pipe 30 is restruck by the upper die and lower die for forming the flat long side, thereby forming the flat long side and producing the square steel pipe 30 of the rectangular shape in section.例文帳に追加
第2の工程では、平坦な長辺に成形するための上型11および下型で、角鋼管30’の断面V字の頂点部がリスライクされて、平坦な長辺に成形され、断面長方形状の角鋼管30’が製造される。 - 特許庁
The crushed garbage is sent to the part between two abrading rollers 6a, 6a vertically located in two stages on the right and left, and between fixed member 6b, 6b disposed at the outside of lower halves thereof and finely crushed in a garbage grinding tank 6 (finely crushing process).例文帳に追加
破砕処理後の生ゴミを生ゴミ磨砕槽6内において上下二段にわたって左右に位置する2つの摩り下ろしローラ6a,6aとそれらの下半分の外側に配置されている固定部材6b,6b間に送り込んで微細化する(微細化処理工程)。 - 特許庁
A base 22 includes a screwing hole 26 for fixing the base 22 to a mold that is a mold form of a basket in a basket manufacturing process, and a tip of the bolt 27 is protruded from the lower surface of the base 22 through the screwing hole 26.例文帳に追加
ベース22には、バスケット製造過程においてベース22をバスケットの型枠であるモールドに固定するためのネジ止め孔26が空けられており、ボルト27はこのネジ止め孔26を貫通して、先端がベース22の下面から突出している。 - 特許庁
To provide a pattern correcting method in which: a correction layer having a uniform film thickness is formed at a defective part of a broken pattern (wiring) in a simple process without repetitive operation; and the electronic resistance of the corrected part is made lower.例文帳に追加
繰り返し操作をすることなく、簡単な工程で、断線しているパターン(配線)の欠陥部に対して、均一な膜厚の修正層を形成し、修正部の電気抵抗をより低くすることが可能なパターン修正方法を提供する。 - 特許庁
To provide a silicon carbide semiconductor device, which can greatly lower an interface level between a silicon carbide substrate and a silicon dioxide film by using a practical process being superior in mass productivity, and which is superior in reliability and electric characteristics as a device.例文帳に追加
量産性に優れた実用的なプロセスを用いて、炭化珪素基板と二酸化珪素膜との間の界面準位を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性と電気特性が優れた炭化珪素半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a lower dielectric constant resin varnish composition for a laminated substrate in which a resin material to be used is lightweight, thin, small-sized, subjected to elaboration and used for preventing the loss and interference of data in a transmission process has excellent electrical properties.例文帳に追加
軽く、薄く、小型で、精密化及び高周波化され、伝送過程においては資料の損失や妨害がないよう使用する樹脂材料は優れた電気特性を持つ積層基板用低誘導電率樹脂ワニス組成物を提供すること。 - 特許庁
According to this method, air heated simultaneously with the ignition of the oven is passed through the pipe 9, and the air at the optimum temperature under this process is ejected slowly from the upper surface of the warming board D for feet to warm from feet to the lower half body, then, the whole body.例文帳に追加
これによってレンジ点火と共に熱くなった空気がパイプ9を通り、その過程で適温になった空気を足元用暖房敷板Dの上面から、ゆるやかに噴き出させ、足元から下半身、そして全身を温めるようにする。 - 特許庁
A process of fixing the upper end of the second pipe material 10 to the lower end of the first pipe material 10 in the state in the substantially straight line is appropriately repeated to join two or more pipe materials 10 in series and thus arrange the vertical pipe 2.例文帳に追加
こうしてほぼ一直線上になった状態において第1の管材10の下端に第2の管材10の上端を固定する工程を適宜繰り返すことにより,2以上の管材10を直列に接合して竪管2を施工する。 - 特許庁
In a process in which an interface including an insulation layer composed of an insulation membrane covering a TFT on a substrate and a flattened membrane, an electrode and pixel separation membrane or the like is formed, a dehydration treatment is carried out in an environment where a dew-point temperature is controlled at -60°C or lower.例文帳に追加
基板上のTFTを覆う絶縁膜と平坦化膜からなる絶縁層や、電極、画素分離膜等を含むインターフェースを形成する工程において、露点温度を−60℃以下に管理した環境下で脱水処理を行う。 - 特許庁
To provide a mounted base board visual inspection device and its visual inspection method allowing both of mounting inspection and soldering inspection by means of a single inspection device so as to improve efficiency of an inspection process and so as to lower an equipment cost.例文帳に追加
単一の検査装置によって実装検査および半田検査が行え、検査工程の効率を向上させると共に設備費用を削減できる実装基板の外観検査装置および外観検査方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The temperature and the transport speed of the wire or twisted wire conductor 9 are controlled to secure a slow cooling process from a temperature 50°C lower than a partial dissolution point to a temperature 20°C higher than it in an oxidizing environment up to 10°C below a condensation temperature.例文帳に追加
線材または撚線導体9は、酸化性雰囲気中で、部分溶解点から50℃低い温度から20℃高い温度未満まで、続く徐冷過程を凝固温度以下10℃まで確保するように温度および搬送速度が制御される。 - 特許庁
The displacement amount of the lower block 11A, namely, the vertical deformation amount of the ram 112, is detected through the output of the position detector 100 by the crimping failure detector B and the detected displacement amount is defined as the specific value in a crimping process.例文帳に追加
位置検出装置100の出力により圧着不良検出装置Bで下ブロック11Aの上下方向の変位量(すなわちラム11の変形量)を検出し、検出された変位量を圧着過程での特性値とする。 - 特許庁
To provide a thin surface-mounted electrolytic which can stably connect a capacitor element with a lower surface electrode provided on an exterior case and reduce failures in characteristics during a manufacturing process, and which has stable characteristics in evaluating long-term reliability.例文帳に追加
コンデンサ素子と外装ケースに設けられた下面電極とを安定的に接続し、製造工程での特性不良を低減でき、且つ長期信頼性評価において特性が安定である表面実装薄型電解コンデンサを提供すること。 - 特許庁
To provide a lid coupling structure with the opening edge parts of an upper and a lower lid set together by their projection and recess sufficiently strong against any external force and capable of generating fixation by a single action without using adhesives or ultrasonic welding process.例文帳に追加
上蓋及び下蓋の開口する縁部分を凹凸構造で組み合わせる構造にすることによって何らかの外力に対して充分強化構造となるばかりか接着剤も超音波熔着も要せずにワンタッチで固定できる蓋結合構造。 - 特許庁
To provide a resistor that can be manufacture at a lower cost by suppressing a cost for cutting substrate and by eliminating complicated conventional production process such as change of a mask due to size classification of the substrate.例文帳に追加
基板切断のコストを大幅に抑えることができるとともに、従来のような基板の寸法分類によるマスク交換などの工程の煩雑さを解消することができ、コスト的にも安価に得られる抵抗器を提供することを目的とする。 - 特許庁
The height is plastically compressed by at least 0.004 mm to be in a flat range (18) without a honing process, and the top part of the waveform is removed to make a bottom part of the valley (17) of the waveform lower than the range by at least 0.001 mm.例文帳に追加
ホーニング加工を行わずに、その高さを平坦領域(18)内に少なくとも0.004mm塑性圧縮して、波形の頂部を除去した後、波形の谷(17)の底部が上記領域よりも少なくとも0.001mmだけ低い高さにする。 - 特許庁
Process to measure engine torque with gradually changing injection timing in vicinities of an upper and a lower limit value of the measurement range is repeated, and the measurement range of injection timing is corrected to a range maintaining a good combustion condition based on the measurement results.例文帳に追加
更に、この計測範囲の上下限値付近で噴射時期を少しずつ変化させてエンジントルクを計測する処理を繰り返し、その計測結果に基づいて噴射時期の計測範囲を燃焼状態が良好となる範囲に修正する。 - 特許庁
When the chromium-containing steel containing chromium in the preset product chromium concentration range is produced, in a decarburizing process applied in a converter, the chromium concentration before charging into the converter, is made to be in the concentration range of lower by 1.0-5.0 mass% than the product chromium concentration.例文帳に追加
予め定める成品クロム濃度範囲でクロムを含有するクロム含有鋼を製造する際、転炉で行う脱炭工程で、転炉装入前のクロム濃度を、成品クロム濃度よりも1.0〜5.0mass%低い濃度範囲としておく。 - 特許庁
In a first determining process S8, the graphite crucible 42 (the Si sample 38) is heated to a first determination temperature not higher than the melting point of the Si sample 38 in an inert gas via a lower electrode member 18 and an upper electrode member 20.例文帳に追加
第一定量工程S8では、下部電極部材18および上部電極部材20を介して、黒鉛るつぼ42(Si試料38)を不活性ガス中においてSi試料38の融点以下の第一定量温度に加熱する。 - 特許庁
The process of forming the through dislocation blocking layer alternately repeats a first step and a second step of performing the growth of the semiconductor film at mutually different growth rates, under a normal pressure and a temperature atmosphere lower than the growth temperature of a device function layer.例文帳に追加
貫通転位遮断層を形成する工程は、常圧且つデバイス機能層の成長温度よりも低い温度雰囲気の下、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第1ステップおよび第2ステップを交互に複数回実施する。 - 特許庁
In this operation, the control circuit operates the washing pump at a lower speed (2,000 rpm) in the number of revolutions than that in the washing process so that the injection force of the washing water from an injection arm is made so weak as to prevent the washing water from infiltrating into the detergent housing part.例文帳に追加
このとき、制御回路は洗浄ポンプの回転数を洗浄行程時よりも低速回転(2000rpm )で運転するので、噴射アームからの洗浄水の噴射力は弱く、洗剤収納部に洗浄水が侵入することはない。 - 特許庁
The transmission information printed at the lower part of the receipt 3 and to be displayed after release of the receipt is formed by skipping a printing process to a base material sheet 10 by patterning of an adhesive layer 7 to be used for pasting the receipt.例文帳に追加
本発明は、受領票3下部に記載された受領票剥離後に表示される伝達情報を、受領票貼り付けに使用する接着層7をパターニングすることにより、基材シート10への印刷工程を省略して形成する。 - 特許庁
The process gas, which passes the hole part 221 to be changed to a spiral state, is heated by a heat radiated from a cylinder 210 and the fins 220 so that a temperature preventing a reaction byproduct from adhering is maintained to the last end of a discharge passage of the lower stream.例文帳に追加
孔部221を通過して螺旋状となったプロセスガスが円筒210およびフィン220から放射される熱により加熱され、反応副生成物の付着を防止する温度が下流の排気流路の終端まで維持されるプロセスガスとする。 - 特許庁
A thin film process that reaction gas is introduced in a vacuum container 3 through a gas feeding system 1, a plasma 6 is generated between upper and lower electrodes 4a and 4b, a thin film is deposited on the surface of a substrate 5, the surface of the substrate 5 is etched and the others are performed is executed.例文帳に追加
真空容器3内にガス供給システム1から反応ガスを導入し、上部電極4aと下部電極4bとの間でプラズマ6を発生させ、基板5の表面に対して薄膜堆積やエッチングなどのプロセスを行う。 - 特許庁
To provide a wiring structure of a semiconductor device and a method of forming the same which prevent a first contact pad from being damaged by a cleaning fluid in the formation of a second contact plug to be connected to the lower electrode of a capacitor in a downstream process.例文帳に追加
後工程における、キャパシタの下部電極と接続されるべき第2コンタクトプラグの形成の際の洗浄液による第1コンタクトパッドの損傷を防止できる、半導体装置の配線構造物及びその形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a commercially advantageous hydrocarbon steam reforming process by using a catalyst with high activity and long service life, and capable of reducing carbon deposit at a lower steam/carbon ratio than using Ni catalyst.例文帳に追加
ニッケル系触媒を使用する場合よりも低いスチーム/カーボン比でカーボンの析出を少なくすることができ、また、高活性で長寿命の触媒を使用することにより、工業的に有利な炭化水素の水蒸気改質方法を提供する。 - 特許庁
In a semiconductor manufacturing process, an organic reflection preventing film provides selectivity for a lower layer and/or minimizes the etching speed in the lateral direction of photoresist of an upper layer which maintains a critical dimension determined by a photo resist.例文帳に追加
半導体製造プロセスであって、このプロセスは、有機反射防止膜が、下層に対して選択性を与え、及び/又は、フォトレジストによって定められるクリティカルディメンジョンを維持する上層のフォトレジストの横方向のエッチング速度を最小化する。 - 特許庁
In the method for producing the optical film containing a lower fatty acid ester of cellulose in which the degree of substitution of the total acyl groups is 2.7 or below, the film is dried by being irradiated with the microwaves in the drying process.例文帳に追加
総アシル基の置換度が2.7以下であるセルロースの低級脂肪酸エステルを含有する光学フィルムの製造方法において、乾燥工程でマイクロ波を照射するフィルム乾燥を行うことを特徴とする光学フィルムの製造方法。 - 特許庁
The method of manufacturing amide compound is for manufacturing the amide compound by reacting the carboxylic acid derivative with the amine, and comprises a process for aging the reaction mixture of the carboxylic acid derivative and the amine at a temperature of their melting points or lower after the reaction.例文帳に追加
カルボン酸誘導体とアミンとを反応させて、アミド化合物を製造する方法であって、反応後に該カルボン酸誘導体及び該アミンの融点以下の温度で、反応混合物を熟成させる工程を含むアミド化合物の製造方法である。 - 特許庁
This washing method comprises a process where, in washing of the water absorbing articles including the synthetic fiber, the articles are treated with an aqueous solution containing a hydrophilic polyester resin and/or a hydrophilic polyurethane resin and then heat treated at 140°C or lower.例文帳に追加
合成繊維を含有する吸水性物品の洗濯において、親水性ポリエステル樹脂及び/または親水性ポリウレタン樹脂を含む水溶液で処理し、次いで140℃以下の温度で熱処理する工程を有することを特徴とする洗濯方法。 - 特許庁
Then, by giving vibration with a vibration generator 4 and making the small diameter particles 11 which permeate lower, fuel regions with uniform density and different compositions in the axial direction can be produced in a single process consisting of packing and vibrating of particle fuel.例文帳に追加
次に、振動発生機3により振動を加えて小粒径粒子11を下部へ浸透させることにより、軸方向の密度は均一で組成が別れている燃料領域を一度の粒子燃料の充填及び振動の工程で製作できる。 - 特許庁
A fixing device 7 that conducts a heating and fixing process of a toner image, is provided for the paper P which passes the transfer device 4, and the heating temperature by the transfer device 4 is set to 40 to 70 [°C] which is lower than the heating temperature of the fixing device 7.例文帳に追加
そして、この転写装置4を経た転写紙Pに対してトナー像の加熱定着処理を施す定着装置7を設け、転写装置4による加熱温度を定着装置7による加熱温度よりも低い40〜70[℃]に設定した。 - 特許庁
Accordingly, the jackpot random number counter and the random number initial value counter are both initialized to values (unfixed values) among 256 values from 0000h to 00FFh according to the values of the lower bites when the initialization process (S114-S115) is executed by RAM.例文帳に追加
これにより、大当たり乱数カウンタ及び乱数初期値カウンタは、RAMの初期化処理(S114〜S115)の実行時に下位バイトの値に応じて、それぞれ0000h〜00FFhの256通りのうちのいずれかの値(不定値)に初期化される。 - 特許庁
To provide a low-temperature fired porcelain composition that is fired at a temperature of 900°C or lower and that has a low dielectric constant and a low dielectric loss at a high frequency area of 16 GHz or more, and to provide a manufacturing process of a low-temperature fired porcelain.例文帳に追加
900℃以下で焼成可能であり、16GHz以上の高周波領域において低い比誘電率と、低い誘電損失を有する低温焼成磁器組成物及び低温焼成磁器の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a process for fabricating a piezoelectric actuator in which sufficient crystallinity is imparted to a piezoelectric film by sintering the piezoelectric film at a high temperature of 700°C-1,200°C, and diffusion of a lower electrode forming material can be prevented.例文帳に追加
高温、例えば、700℃〜1200℃程度の温度で圧電体膜を焼成して、当該圧電体膜に十分な結晶性を付与すると共に、下電極形成材料の拡散を防止できる圧電アクチュエータの製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a process for manufacturing a semiconductor device in which generation of resin bur can be prevented in the clearance between an end side of a substrate other than the end side straddled by the cull side runner of the substrate and the sidewall of a recess in the lower die without reducing the product area.例文帳に追加
製品エリアを小さくすることなく、基板のカル側ランナーがまたがる端辺とは別の端辺と下金型の凹部の側壁との間の隙間に樹脂バリが発生するのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁
The screw 12 is screwed, so as to be abutted onto the lower surface of the electronic component 1 in a process for heating and fusing the thermofusion joint member, as a height adjustment member for keeping a prescribed distance between the electronic component 1 and the mounting substrate 6.例文帳に追加
ネジ12は、電子部品1と実装基板6との間に所定の距離を維持するための高さ調節部材として、熱溶融接合部材を加熱して溶融させる工程において、電子部品1の下面に当接するようねじ込まれる。 - 特許庁
Here, each pixel P has the MIM element 6 which can be manufactured at lower temperature than a transistor, etc., and this MIM element 6 actively drives each pixel electrode 5, so the manufacturing process can be carried out at relatively low temperature.例文帳に追加
本発明によれば、各画素Pがトランジスタ等と比べて低温で作製できるMIM素子6を備え、かかるMIM素子6によって各画素電極5がアクティブ駆動されることから、製造プロセスを比較的低温で行うことが可能となる。 - 特許庁
More specifically, it is possible to reduce HCB content to several hundreds ppm (one company actually reduced it to 500-900ppm) by controlling temperatures in the manufacturing process, and a further reduction by the subsequent adoption of recrystallization refinement is considered to make it possible to further lower HCB concentration to at least 200ppm or less. 例文帳に追加
すなわち、まず、製造プロセスの温度管理等で数百 ppm(ある社の実績で 500~900ppm)程度まで低下が可能であり、さらに、その後の再結晶精製により低減化を行うことにより、少なくとも 200ppm以下は達成可能と考えられる。 - 経済産業省
Each process unit 4 in the apparatus 1 for producing a color filter has a photosensitive drum 41 having a photoreceptor on the periphery thereof, and a developing section for providing a wet color toner to an electrostatic latent image on the photoreceptor in a position opposed to a lower part of the photosensitive drum 41.例文帳に追加
カラーフィルタ製造装置1のプロセスユニット4は、外周に感光体を有する感光ドラム41、および、感光ドラム41の下部に対向して感光体上の静電潜像に湿式のカラーのトナーを付与する現像部を有する。 - 特許庁
Therefore, not only positioning of the patterns is avoided, but also accuracy of the pattern and picture quality of a plasma panel are improved, and further, a manufacturing process is simplified and manufacturing efficiency is improved to lower a consumption volume of production materials, investment on devices and production cost.例文帳に追加
従って、パターンの位置合わせを避けるだけでなく、パターンの精度、およびプラズマパネルの画質を向上させ、さらに製造工程を簡略化し、製造効率を向上させ、生産材料の消費量、装置の投資および生産コストを低減する。 - 特許庁
Hydrogen having entered into the titanium alloy in the carburizing treatment process can be removed by subjecting the titanium alloy which has been subjected to the plasma carburizing treatment after solution heat treating and age hardening to the baking treatment comprising keeping the titanium alloy at a temperature of not lower than 200°C to the lower temperature in the carburizing treatment for 30 min to 10 h.例文帳に追加
溶体化及び時効処理後にプラズマ浸炭処理を施したチタン合金を、プラズマ浸炭処理後に15Pa以下の真空下で、200℃以上時効処理の下限温度の範囲に30分から10時間の範囲の所要時間保持するベーキング処理を実施して、前記浸炭処理過程でチタン合金内に侵入した水素を除去するようにしたのである。 - 特許庁
An animal or a vegetable protein good in amino acid score is hydrolyzed in the presence of a lower alcohol and/or a lower carboxylic acid in the production of a peptide to mass-produce an inexpensive peptide having an amino acid chain length regulated to a specific amino acid chain length of 10-100 in the absence of common salt without requiring a desalting step in the process.例文帳に追加
ペプチドの製造においてアミノ酸スコア良好な、動植物蛋白質を低級アルコールおよび/または低級カルボン酸存在下で加水分解して、平均アミノ酸鎖長10〜100個の特定のアミノ酸鎖長に調整されたペプチドで、食塩が存在せずに、工程中に脱塩工程のいらない、安価で大量にペプチドを得る蛋白質の分解方法。 - 特許庁
This process for producing the wiring boards has a stage of holding and transporting the substrate 10 having the photosensitive material layers 11 and 12 on the front and rear surfaces by means of upper roll group 35 and lower roll group 36 having plural transporting disks 31 and simultaneously developing the photosensitive material layers 11 and 12 of the front and rear surfaces by injecting a developer 40 from upper sprays 37 and lower sprays 38.例文帳に追加
配線基板の製造方法は、上下面に感光材層11,12を有する基板10を、複数の搬送ディスク31を備える上側ロール群35と下側ロール群36とで挟持して搬送させるとともに、上部スプレー37と下部スプレー38とから現像液40を噴射させて、上下面の感光材層11,12を同時に現像する工程を備える。 - 特許庁
This production process comprises reacting a cuprous compound more hardly water-soluble than cuprous chloride, particularly cuprous oxide with a salt of nitrogen-substituted dialkyl dithiocarbamic acid and ammonia gaseous at room temperature or a lower aliphatic amine, or reacting the cuprous compound, an alkali metal salt of nitrogen-substituted dithiocarbamic acid, and ammonia gaseous at room temperature or the salt of a lower aliphatic amine hydrohalide.例文帳に追加
塩化第一銅よりも難水溶性の第一銅化合物、とりわけ亜酸化銅、と窒素置換ジアルキルジチオカルバミン酸の常温で気体のアンモニアまたは低級脂肪族アミン塩と反応させるか、または前記した第一銅化合物と窒素置換ジチオカルバミン酸のアルカリ金属塩、および常温で気体のアンモニアまたは低級脂肪族アミンのハロゲン化水素酸塩を反応させる。 - 特許庁
To provide a method of an effective fluid catalytic cracking of heavy petroleum that exhibits enough an effect of increasing yield of a lower olefine even when an amount of catalyst addition is reduced in a process of fluid catalytic cracking, and a time from starting of catalyst addition till revealing of the effect of the added catalyst on improving the yield of the lower olefin becomes shorter.例文帳に追加
流動接触分解プロセスにおいて、低減された添加触媒供給量においても低級オレフィンの収率向上効果が十分発現され、また添加触媒の供給を開始してから低級オレフィン収率向上効果が発現されるまでに要する時間が短縮される、効率的な重質石油類の流動接触分解方法を提供すること。 - 特許庁
The joining method for cemented carbide is provided with a joining process where cemented carbide members (alloy members) 3 and 5 consisting essentially of tungsten carbide (WC) are joined to the object 6 to be joined directly contacted at the mutual joining faces 3A and 5A in the upper and lower directions by performing pulse conducting while applying pressure between the cemented carbide members 3 and 5 from the upper and lower directions.例文帳に追加
この超硬合金の接合方法は、タングステンカーバイド(WC)を主成分とする超硬合金部材(合金部材)3、5を互いの接合面3A、5Aで上下方向に直接接触させた被接合物6に、上下方向から超硬合金部材3、5間に圧力を加えながらパルス通電を行って接合させる接合工程を備えている方法とした。 - 特許庁
In the molded object manufacturing apparatus 10 equipped with an injection device for injecting a resin material and molds 51 and 52 for molding a molded object, a manufacturing process line 50 for manufacturing the molded object by the molds 51 and 52 using the injection device and an inspection process line 60 for inspecting the manufactured molded object are arranged so as to be distributed to upper and lower stages respectively.例文帳に追加
樹脂材料を射出するための射出装置と、成形体を成形するための金型51,52とが備えられた成形体製造装置10において、射出装置を用いて金型51,52にて成形体を製造する製造工程ライン50と、製造された成形体を検査する検査工程ライン60とが、上段と下段とにそれぞれ振り分けて配置されている。 - 特許庁
The method includes a first process of melting the solder and a second process of keeping the solar cell element for a predetermined period of time at an ambient temperature, which is lower than the melting point of the solder and is higher than the room temperature.例文帳に追加
太陽電池素子の表面に設けられ、且つ出力を外部へ取り出すためのバスバー電極と、前記バスバー電極に半田を介してインターコネクタを接合してなる太陽電池モジュールの製造方法であって、前記半田を溶融する第1工程と、前記半田の溶融温度よりも低く室温よりも高い雰囲気温度で、前記太陽電池素子を所定時間保持する第2工程と、を有するようにした。 - 特許庁
| 例文 |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|