「lower process」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To lower a radiating noise level steadily and reduce a variation in noises caused by adverse effect of frequency diffusion and an apparent image noise in a system, in which a frequency diffusion clock is used as an image process operation of an output of a CCD line sensor.例文帳に追加

ＣＣＤラインセンサ出力の画像処理動作に周波数拡散クロックを用いる装置において、安定的に放射ノイズレベルを低減させ、周波数拡散の副作用として画像に現れるノイズのばらつきをなくし、見かけ上の画像ノイズの低減化を図る。 - 特許庁

By the cooperation of a lower die 1 having a button die 3 having a die hole 3a formed therein and an upper die 2 having a piercing punch 6, the forming of the embossed part E of a panel W and the working of a pierced hole P in a part corresponding to the embossed part E are performed in one process.例文帳に追加

ダイ穴３ａが形成されたボタンダイ３を有する下型１とピアスポンチ６を有する上型２との協働により、パネルＷに対するエンボス部Ｅの成形とそのエンボス部Ｅ相当部でのピアス穴Ｐの加工とを一工程にて行う。 - 特許庁

The part at the base material 2 side of the low refractive index layer 5 functions as a substantial light absorbing layer, so that the V-curve is effectively restrained and these substantially low refractive index layer and light absorbing layer can be formed in one process to lower the manufacturing cost.例文帳に追加

低反射率層５の基材２側の部分は実質的な光吸収層として機能するので、効果的にＶカーブを抑制でき、これら実質的な低反射率層と光吸収層とが一工程で形成されるので、製造コストを低くすることができる。 - 特許庁

A wafer W is rotated by a wafer-rotating section 10, fluoric acid is supplied onto surfaces Wa and Wb of the wafer W as washing liquid from upper and lower nozzles 64 and 14, and the wafer W is cleaned by the fluoric acid (a cleaning process).例文帳に追加

ウエハ回転部１０によってウエハＷが回転させられ、上ノズル６４および下ノズル１４より洗浄液としてのふっ酸がウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給されて、ふっ酸によるウエハＷの洗浄が行われる（洗浄工程）。 - 特許庁

To complete treatment in a process up to dehydration filtration in a weight reduction disposal method, to reduce the risks involved in decontamination treatment and to lower the cost of disposal in relation to the decontamination of contaminated soil containing oleaginous and persistent harmful substances such as dioxins.例文帳に追加

ダイオキシン類の油脂性・難分解性の有害物を含有する汚染土壌の浄化に関し、減量化処分方法における脱水濾過に至る処理過程の処理の高度化を図り、浄化処理リスクの低減化をなし、併せて処分費の低減化をなすこと。 - 特許庁

The process for fabricating a piezoelectric actuator comprises a step for forming an insulating film 25 on a substrate 10, a step for forming a piezoelectric film 13 on the insulating film 25, a step for forming a lower electrode 31 by implanting ions selectively at least into a region of the piezoelectric film 13 becoming the lower electrode, and a step for forming an upper electrode 16 on the piezoelectric film 13 implanted with ions.例文帳に追加

基板１０上に絶縁膜２５を形成する工程と、絶縁膜２５上に圧電体膜１３を形成する工程と、圧電体膜１３の少なくとも下電極となる領域に、イオンを選択的に打ち込んで下電極３１を形成する工程と、イオンが打ち込まれた圧電体膜１３上に、上電極１６を形成する工程を含んでなる圧電アクチュエータの製造方法である。 - 特許庁

In the etching process, the specimen 21 is heated to a temperature not lower than the point where the surface mobility of deposit begins to grow large, which is a reaction product between plasma 40 and the specimen 21 or the product resulting from the sputtering of the resist pattern 30 by plasma 40, and lower than the point where the deposit is firmly fixed on the surface of the specimen 21.例文帳に追加

該エッチング工程は試料２１を加熱し、試料２１の加熱温度は、プラズマ４０と試料２１とが反応してなる反応生成物又はレジストパターン３０がプラズマ４０によりスパッタされてなる生成物が試料２１の表面上に堆積物として堆積する際の堆積物の表面移動度が大きくなり始める温度以上で、且つ堆積物が試料の表面に固着する温度よりも低い温度に設定する。 - 特許庁

The process for fabricating an actuator comprises a step for forming an SOG (Spin-On Glass) film on a zirconium oxide film, a step for etching back the zirconium oxide film on which the SOG film is formed until the zirconium oxide film is planarized, a step for forming a lower electrode on the planarized zirconium oxide film, and a step for forming a piezoelectric film on the lower electrode.例文帳に追加

アクチュエータ装置の製造方法において、アクチュエータ装置の製造方法において、酸化ジルコニウム膜上に、ＳＯＧ膜を形成する工程と、ＳＯＧ膜が積層された酸化ジルコニウム膜を、酸化ジルコニウム膜が平坦になるまでエッチバックする工程と、平坦化された酸化ジルコニウム膜上に下電極を形成する工程と、記下電極上に圧電体膜を形成する工程と、を備える、アクチュエータ装置の製造方法である。 - 特許庁

The process for fabricating an actuator comprises a step for forming a zirconium oxide film on a silicon oxide film, a step for implanting ions of such a metal as exhibiting adhesion to the zirconium oxide film and a lower electrode into the zirconium oxide film, a step for heat treating a layer into which the metal ions are implanted, and a step for forming the lower electrode on the zirconium oxide film into which the metal ions are implanted.例文帳に追加

アクチュエータ装置の製造方法において、酸化シリコン膜上に酸化ジルコニウム膜を形成する工程と、酸化ジルコニウム膜に、酸化ジルコニウム膜と下電極に対して密着性を有する金属をイオン注入する工程と、金属がイオン注入された層を熱処理する工程と、金属がイオン注入された酸化ジルコニウム膜上に下電極を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide an oil cooler for an automatic transmission of an automobile preventing assembly dislocation of an upper tube plate and a lower tube plate while welding embosses to each other in a large area to increase total durability by manufacturing reinforcing plates provided with embosses in another process, and integrally connecting the reinforcing plates to the upper tube plate and the lower tube plate respectively by brazing.例文帳に追加

エンボスを備えた補強板材を別工程で製作して、この補強板材を上部チューブ板と下部チューブ板にブレージング溶接によってそれぞれ一体に結合させることにより、上部チューブ板と下部チューブ板との組立ずれを予防し、同時にエンボスが互いに広い面積で溶接されるようにすることによって全体的な耐久性を増大できる自動車の自動変速機用オイルクーラを提供する。 - 特許庁

Furthermore, a circular folded portion is provided, or a groove of an arcuate, triangular or rectangular section is formed on the lower surface of the casing so that the flatness of the casing and the gap between a diaphragm and a backplate are uniformly maintained against outer pressure applied during a curling process in the processes for manufacturing the variable capacitance microphone.例文帳に追加

また、ケースの下面に円形の折曲部を設けるか、または、円弧形、三角形、四角形の溝を形成して、可変容量マイクロフォンの製造工程におけるカーリング工程中に加わる外圧に対し、ケースの平坦度と振動板と固定電極との間のギャップを一定に維持する。 - 特許庁

To provide a substrate cutting method and a substrate cutting apparatus using this method by which a substrate can be cut off, without requiring a succeeding process, by irradiating the substrate simultaneously with two or more laser beams having different wavelengths and thereby transmitting the laser energy to a lower part of the substrate as well as an upper part.例文帳に追加

波長の異なる二つ以上のレーザービームを基板に同時に照射して、基板の上部だけではなく下部までレーザーエネルギーを伝達することによって、後続工程なしに基板を切断しうる基板切断方法及びこれを用いた基板切断装置を提供する。 - 特許庁

In a pre-amorphous process, an amorphous region is formed in a semiconductor region by performing the ion implantation of a IV group element, or an ion implantation of at least any one of arsenic (As), phosphorous (P), halogen, and inert gas elements, or an ion implantation under the conditions of a low temperature lower than -10°C.例文帳に追加

半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素（Ａｓ），リン（Ｐ），ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか１つのイオン注入、又は−１０℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁

When the heat-sensitive material 1,5-(3-oxopentene)=bis(3-3'-(p-toluensulfonyl)ureido)benzoate is used, the dispersing process is performed after a contained solvent, acetonitrile, is made 1.0 mass% or lower to the total weight for this manufacturing method for the dispersion liquid for the heat-sensitive recording material.例文帳に追加

感熱記録材料１，５−（３−オキソペンチレン）＝ビス（３−３’−（ｐ—トルエンスルホニル）ウレイド）ベンゾエートを用いる際に、含有する溶媒アセトニトリルを全重量に対して１．０質量％以下にした後に、分散処理を行う事を特徴とする感熱記録材料用分散液の製造方法。 - 特許庁

The small article discharge processing device is provided with a small article accepting device 10 for sequentially conducting an accepting process of the small article falling from a discharge port of the container main body reversed by the container reversing means of the container reversing device 9 in a lower proximity of a falling and discharged position.例文帳に追加

又、小物物品排出処理装置は、容器反転装置９の容器反転手段により反転させられた容器本体の排出口から落下する小物物品をその落下排出位置の下方近傍にて順次受入れ処理する小物物品受入装置１０を備えている。 - 特許庁

At the manufacturing of the ink jet recording medium through the coating of a coating liquid on a support, the coating liquid is produced by mixing a pigment particle dispersion and a water-soluble polymer under the condition that the pigment particle dispersion is kept at 50°C or lower during the manufacturing process of the medium.例文帳に追加

支持体上に塗布液を塗布してインクジェット記録用媒体を製造するにあたり、前記塗布液が顔料粒子分散物と水溶性ポリマーが混合されて形成され、該顔料粒子分散物は製造の過程で５０℃以下に保たれたインクジェット記録用媒体の製造方法。 - 特許庁

Thus, the common board molding machine is used for the circuit board 400 and positioning plate 800 and the need for a resin molding process for forming the positioning plate is thereby eliminated to lower the manufacturing cost for the board.例文帳に追加

かかる如く、回路基板４００及び位置決板８００は、共通の基板成形機を用いることにより、且つ、同一材質のコア材を用いることにより、位置決板を製作させるための樹脂成形工程が不要となり、これにより、当該基板の製造コストの低減が図られる。 - 特許庁

To provide a board for inspecting semiconductor devices at a lower cost, which enables stable and highly reliable inspection by restricting generation of noises, even at a high operation frequency in the inspection of electrical characteristics which is one process in the production of semiconductor devices.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、半導体装置製造工程の一工程である電気的特性検査において、高い動作周波数での検査でも、ノイズの発生を抑制し、安定して信頼性の高い検査が行なえる半導体装置検査用基板を安価に提供することである。 - 特許庁

The pattern detection process circuit 3 sends to an LUT circuit, a code corresponding to density information of three pixels in total, namely, a pixel at a main scanning direction position to be recorded in the 600 dpi binary image data, and its upper and lower two pixels, and a vertical scanning shift amount inputted from a vertical scanning registration shift detecting part.例文帳に追加

パターン検出処理回路３は、６００ｄｐｉの２値画像データ内の記録しようとする主走査位置の画素とその上下２画素、あわせて３画素の濃度情報と副走査レジストずれ検出部から入力される副走査シフト量に応じたコードをＬＵＴ回路へ送る。 - 特許庁

On the hold up cam device 23 for applying a pressing force to a lower punch 8a during the extrusion process for the forming product press- formed by the powder forming machine, an anomaly detecting device for detecting an anomaly of the raising movement of the piston cylinder device 23 operating the hold up cam 25 is provided.例文帳に追加

粉末成形機によって加圧成形された成形品の押し出し行程中に下パンチ８ａに加圧力を加えるホールドアップカム装置２３に、ホールドアップカム２５を作動させるピストンシリンダ装置２３の上昇動作の異常を検出する異常検出装置を設けた。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a piezoelectric actuator in which sufficient crystallinity is imparted to a piezoelectric film by sintering the piezoelectric film at a temperature of 700°C or above, preferably 800°C-1,200°C, and diffusion of a lower electrode forming material can be prevented, and to provide a piezoelectric actuator.例文帳に追加

７００℃以上の温度、好適には８００℃〜１２００℃程度の温度で圧電体膜を焼成して、該圧電体膜に十分な結晶性を付与すると共に、下電極形成材料の拡散を防止できる圧電アクチュエータの製造方法及び圧電アクチュエータを提供する。 - 特許庁

To provide an economical, excellently cleanable, highly safe cleaning method for a sintered compact where there is no surface stain and the ooze of cleaning residual oil after drying, drying temperature is lower than that in a water based cleaning agent, and the process from drying to parts cooling can be performed in a short time.例文帳に追加

乾燥後に表面汚れや洗浄残渣油の滲み出しがなく、乾燥温度が水系洗浄剤よりも低く、乾燥から部品冷却までを短時間で行うことができる、経済的で、洗浄性に優れ、安全性が高い、焼結部品の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

In the process, a lower limit guard value efgafxgd for limiting reflection of a learning value is set when catalyst quick warming up control is executed with using the learning value corresponding to light load zone out of learning values of correction value of injection quantity learned for each load zone beforehand.例文帳に追加

当該処理では、予め負荷領域毎に学習される噴射量の補正値の学習値のうち軽負荷領域に対応する学習値を使用して触媒急速暖機制御が行われる場合に、学習値の反映を制限するための下限ガード値ｅｆｇａｆｘｇｄが設定される。 - 特許庁

A voice synthesizing section 7 synthesizes and outputs synthesized signals using the frequency spectrum, that is frequency shifted the frequency spectrum obtained in the section 1 into a lower frequency side by a frequency process controlling section 6, and the sound source signals outputted from the section 5.例文帳に追加

音声合成部７は、上記音声分析部１で得られた周波数スペクトルを周波数処理制御部６で低域側に周波数シフトした周波数スペクトルと音源信号発生部５から出力される音源信号を用いて音声を合成して合成音声信号を出力する。 - 特許庁

By this means, a wiggler electromagnet requiring no large scale machining process, capable of securing a precise gap after the upper and lower magnetic poles 11, 12 are manufactured, applying a fine control, securing an uniform magnetic field and speedily changing the magnetic field can be provided.例文帳に追加

この手段により、大掛かりな機械加工を不要とし、上下磁極鉄心１１、１２製作後のギャップ確保を精度良く行い、簡便な微調整が可能で、電磁石の磁場均一性を確保し、速い磁場の変化をさせることが可能な性能の高いウィグラー電磁石を提供することができる。 - 特許庁

To reduce the number of steps in a manufacture process, to prevent the defect of a contact between a substrate and a lower electrode (first electrode) and a cylinder fall and to improve yield by manufacturing a cylindrical capacitor having a support structure without using an adhesion enhanced layer.例文帳に追加

密着性改善層を用いることなくサポート構造を有するシリンダ型キャパシタを作製することで、製造工程の工程数を削減し、基板と下部電極（第１の電極）とのコンタクト不良及びシリンダ倒れを防止し、歩留まりを向上させることを課題とする。 - 特許庁

In the pressure reducing process, a dummy liquid crystal material 18 which has the same composition with the liquid crystal material 17 to be injected or contains a component having a lower molecular weight than the liquid crystal material 17 to be injected in high concentration and is not to be injected into the cell 15 is arranged in the vacuum tank 12.例文帳に追加

減圧工程において、注入用液晶材料１７と同一組成、又は注入用液晶材料１７より低分子量成分を高濃度に含有し、セル１５内への注入を目的としないダミー液晶材料１８を真空槽１２内に配置する。 - 特許庁

To provide an electronic substrate capable of preventing the increase of connection resistance in a configuration wherein upper and lower conductive patterns wired through an inter-layer insulating film are connected by connection wiring after being formed, and reduing a process cycle time when manufacturing this configuration.例文帳に追加

層間絶縁膜を介して配線された上下の導電パターンが、これらの導電パターン形成後に接続配線によって接続された構成において、接続抵抗の上昇を防止でき、さらにこの構成を製造する際のプロセスタクトタイムの削減が図られる電子基板を提供する。 - 特許庁

To provide an image display device capable of improving a manufacturing yield and high reliability by preventing oxidation of a terminal part in a positive electrode oxidation process of a lower electrode (signal line) constituting a thin-film type electron source, and of increasing the thickness of an interlayer insulation layer formed at the same time.例文帳に追加

薄膜型電子源を構成する下部電極（信号線）の陽極酸化処理における端子部の酸化を防止して、製造歩留まりと、高信頼性を向上し、同時に形成する層間絶縁層の厚膜化を実現した画像表示装置を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device having a high-k film 21 and a gate electrode 24 formed on a silicon substrate 11, annealing treatment 23 is applied to the substrate after formation of the high-k film in a fluorine atmosphere, and thereafter, the process temperature is set to be lower than 600°C.例文帳に追加

シリコン基板１１上にｈｉｇｈ−ｋ膜２１とゲート電極２４を形成する半導体装置の製造方法において、ｈｉｇｈ−ｋ膜形成後にフッ素雰囲気でアニール処理２３を施し、その後のプロセス温度を６００℃以下で行う、半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide an eyelet member-mounting tool and a mounting method for an eyelet terminal by which the eyelet member can be mounted on a support member without deforming it by making the remaining height after caulking lower than the tip thickness of an eyelet part before a caulking process.例文帳に追加

支持部材が変形することなくかしめ残り高さをかしめ加工前のハトメ部先端の肉厚よりも低くしてハトメ部材を支持部材に取り付けることができ、しかも、かしめ残り高さのバラツキも少なくすることができるハトメ部材取付け用工具及びハトメ端子の取付け方法を提供する。 - 特許庁

As a heat treatment process for reducing impact caused by an activator included in a flux 4, a substrate 1 to which electric components 31 and 32 are soldered is heated within the range of a heat treatment temperature from a lower limit temperature Tmin to an upper limit temperature Tmax.例文帳に追加

電気部品３１，３２を半田付けした基板１を、下限温度Ｔｍｉｎ、上限温度Ｔｍａｘの範囲内に設定された熱処理温度の領域内において加熱させることにより、フラックス４に含まれている活性剤による影響を低減させる熱処理工程を実施する。 - 特許庁

The sintered material is compressed in two-way compression system up to a designated density and the compressed material W1 therefrom is further extrusion-forged, being compressed from both sides in extrusion process but reducing pressure in one side lower than the other.例文帳に追加

その焼結体を二方向から圧縮する圧縮工程によって所定密度に圧縮し、そこで得られた圧縮体Ｗ_１をさらに押出工程によって二方向から加圧しつつ一方からの加圧力に対して他方からの加圧力を減少させて押出鍛造する。 - 特許庁

To provide an inkjet recording head capable of performing high-quality printing with an inexpensive process under low temperatures, which keeps an etching sacrifice layer taper-angled to drastically lower the cracking probability in an etching stop layer during the formation of an ink supply port using anisotropic etching, with an improved yield.例文帳に追加

エッチング犠牲層にテーパー角を付けることによって、異方性エッチングを使ったインク供給口形成時のエッチングストップ層の割れの確率が飛躍的に低下して歩留まりが向上し、低温で安価なプロセスを使って高品位な印字が可能なインクジェット記録ヘッドを提供する。 - 特許庁

In the liquid processing device, a liquid processing unit 2 performs liquid-process to a substrate W with a processing liquid, ends of tubes 561, 562 for supplying liquid are connected to the liquid processing unit 2 and other ends are extended to its lower side and supply the processing liquid to the liquid processing unit 2.例文帳に追加

液処理装置１において、液処理ユニット２は、処理液により基板Ｗに対して液処理を行い、給液用配管５６１、５６２は、一端側が液処理ユニット２に接続され、他端側がその下方側に引き回されていて、当該液処理ユニット２に処理液を供給する。 - 特許庁

In a die 31 at the lower side in an intermediate forming process, since the width W1 of the interval at the upper opening end of an inclining restricted surface 311 is largely formed a little rather than the outer diameter size D of the outer periphery 11 of a first rack blank 1, the upper half part of the rack blank 1 has no binding force at the forming time.例文帳に追加

中間成形工程の下側のダイ３１は、傾斜拘束面３１１の上方開口端間の幅Ｗ１が、第１のラック素材１の外周１１の外径寸法Ｄよりも若干大きく形成されているため、ラック素材１の上半分は、成形時の拘束力が無い。 - 特許庁

Driving is controlled so that one of upper and lower ends of the panel is brought into contact with the peripheral wall of the supply opening in a final process of opening and closing motion of the panel to a desired position, a clearance gap part between the panel and the supply opening is sealed to supply the supplied air to the desired direction without leakage.例文帳に追加

パネルを所望の位置に開閉動作させる最終工程で、パネルの上下端のうちいずれか一端を吹出し口の周壁に接触させるよう駆動制御し、パネルと吹出し口との隙間部分をシールして、吹出し空気を所望の方向に漏れなく吹き出させる。 - 特許庁

In addition, a second vertical hole 36 with a larger diameter than the first vertical hole 30 is excavated through a second excavation process where the second vertical hole 36 is excavated from an upper side of the boundary surface 34 between the contaminated layer 20 and an upper layer 18 thereof to the lower side of the boundary surface 28 between the contaminated layer 20 and the impermeable layer 22.例文帳に追加

次に、第２掘削工程により、汚染層２０と汚染層２０の上層１８との境界面３４の上方から、汚染層２０と不透水層２２との境界面２８の下方まで、第１縦穴３０より大径の第２縦穴３６が掘削される。 - 特許庁

Since the lower electrode 102 and the upper electrode 104 have the same potentials, the generation of discharge penetrating the piezoelectric film 103 can be prevented even if a conventional process generating discharge easily, e.g. formation of a protective film covering the upper electrode 104 or the dicing of the substrate, progresses.例文帳に追加

これにより、下部電極１０２と上部電極１０４とが同電位となることから、上部電極１０４を覆う保護膜の形成や基板のダイシング等、従来放電が発生しやすかったプロセスを進めても、圧電膜１０３を貫通する放電が発生することがない。 - 特許庁

In the process of a change in the detected pressure from the prescribed stop pressure P_0 to the prescribed start pressure P_1, the start pressure at the next start is increased when the detected pressure P_2 at a prescribed reference time t_0 is lower than a prescribed reference value.例文帳に追加

上記検出圧力が上記所定の停止圧力Ｐ_０から上記所定の始動圧力Ｐ_１に変化する過程において、所定の基準時刻ｔ_０における上記検出圧力Ｐ_２が所定の基準値よりも低い場合に、次回の始動時の始動圧力が上げられる。 - 特許庁

In the case of larger impact than the predetermined impact, the roof body structure end part 42 arranged at a crushable area 200, the underframe end part 52, the upper doorway frame 76a and the lower doorway frame 76b absorb the impact in the process in which they are collapsed and plastically deformed in a longitudinal direction of the railway vehicle 1.例文帳に追加

所定よりも大きな衝撃の場合、クラッシャブル領域２００に配設される屋根構体端部４２と、台枠端部５２と、上部出入口フレーム７６ａと、下部出入口フレーム７６ｂとが鉄道車両１の長手方向に圧壊・塑性変形する過程において衝撃を吸収する。 - 特許庁

To provide a compound for an organic EL element that can lower a process temperature for manufacture of an organic EL element and have a sufficient light emission luminance and drive lifetime when used as a component of the organic EL element, and the organic EL element using the compound.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の構成材料として用いた場合に、有機ＥＬ素子の作製におけるプロセス温度を低下させることができ、かつ、十分な発光輝度及び駆動寿命が得られる有機ＥＬ素子用化合物、及びこの化合物を用いた有機ＥＬ素子を提供。 - 特許庁

Thus, in the case of forming the wiring of different potential below the external terminal 8 in a semiconductor assembling process, the cracks generated in the insulation film 5 formed between the electrode 4 of an upper layer and the wiring layer 3 of a lower layer by the stress at the time of wire bonding are suppressed.例文帳に追加

このため、半導体組立プロセスにおいて外部端子８下に異電位の配線を有する場合、ワイヤボンド時の応力により発生する上層の電極４と下層の配線層３の層間にある絶縁膜５中に発生するクラックを抑制することが可能である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory device which can suppress an increase in resistance between a contact plug and a lower electrode, and can favorably control the crystal orientation of each layer constituting a ferroelectric capacitor, and to provide a ferroelectric memory device obtained by that process.例文帳に追加

コンタクトプラグと下部電極との間の抵抗上昇を抑えるとともに、強誘電体キャパシタを構成する各層の結晶配向を良好に制御することができる強誘電体メモリ装置の製造方法と、これによって得られる強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for burning a ceramic formed body which can significantly enhance geometry accuracy to thereby minimize or eliminate post processing and minimize production cost by aiming at equal shrinkage in the upper part and the lower part of the formed body in a burning process.例文帳に追加

焼成過程における成形体の上部と下部とでの均等な収縮を図り、それによって形状精度を著しく高めることができ、そのため後加工は最小限でよく、あるいは後加工自体が不要となり、しかも製作コストを低く抑えることができるようにする。 - 特許庁