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off currentの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4098件



例文

A MOS type switch 32 is directly connected with the input side of each scanning electrode 12 as a limiting resister, and the switch 32 is turned on for a selected line and switch 32 is turned off for an unselected line, and thus a change in the state of the liquid crystal is suppressed by reducing a current passed through the unselected line.例文帳に追加

各走査電極12の入力側に制限抵抗としてMOS型スイッチ32を直接接続し、選択ラインは該スイッチ32をオン、非選択ラインは該スイッチ32をオフとし、非選択ラインにおいて流れる電流を減少させて、液晶の状態の変化を抑制する。 - 特許庁

Consequently, the NMOS 42 turns off and the NMOS 40 turns on in the standby mode to prevent a leakage current from the protecting circuit 33 and also to reduce the power consumption during the standby mode by discharging a photocurrent generated by the photodiode 30 to a ground GND.例文帳に追加

そのため、待機時には、NMOS42がオフ状態になると共に、NMOS40がオン状態になり、保護回路33からのリーク電流を防止できると共に、ホトダイオード30に発生した光電流をグランドGNDへ放電することで、待機時の消費電力を低減できる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device with high reliability and high pressure resistance by forming a buffer layer with high resistance for complete suppression of off-leak current while retaining the crystal quality of a compound semiconductor of an upper layer without doping impurities with high resistance during crystal growth of the buffer layer.例文帳に追加

バッファ層の結晶成長時に高抵抗化の不純物をドーピングすることなく上層の化合物半導体の結晶品質を保持するも、バッファ層を高抵抗化してオフリーク電流を確実に抑制し、信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。 - 特許庁

A defect detection circuit 60 monitors a switching signal S4 that instructs on and off of a switching transistor M1 of the DC/DC converter 40 when the driving current Idrv is of, and detects a defective state of the LED string 10 based on the switching signal S4.例文帳に追加

異常検出回路60は、駆動電流Idrvがオフの状態において、DC/DCコンバータ40のスイッチングトランジスタM1のオン、オフを指示するスイッチング信号S4を監視し、当該スイッチング信号S4にもとづいてLEDストリング10の異常状態を検出する。 - 特許庁

例文

To prevent increase of off-current by formation of a defect in junction between a channel formation region and an impurity region in a p-channel type TFT when making structures of TFTs arranged in a display region and a drive circuit of a semiconductor device appropriate in accordance with a function.例文帳に追加

半導体装置の表示領域と駆動回路に設けられたTFTの構造を機能に応じて適切なものとするとき、pチャネル型TFTにおいて、チャネル形成領域と、不純物領域との接合に欠陥が形成され、オフ電流が増加することを防止する。 - 特許庁


例文

The control device 50 determines whether or not the SMRG relay 16 fails, determines temperature rise of the current limit resistance 22, connects the SMRB relay 18 with the SMRP relay 20 and when the engine 34 is started, shuts off the SMRB relay 18 and the SMRP relay 20 to allow evacuation running.例文帳に追加

制御装置50は、SMRGリレー16が故障か否かを判断し、電流制限抵抗22の温度上昇を判断し、SMRBリレー18とSMRPリレー20を接続し、エンジン34が始動したらSMRBリレー18とSMRPリレー20を遮断し、退避走行を行わせる。 - 特許庁

After the lapse of the first setting time T1 after the working machine enters the engine key-off state, in second setting time T2, the current consumption of the dynamic state management controller is controlled to enter standby state to be called from a management part, and controlled to enter the operating state at each first cycle time T3.例文帳に追加

作業機械がエンジンキーオフ状態となってから第1の設定時間T1の経過後、第2の設定時間T2内は、動態管理用コントローラの消費電流を、管理部からの呼出が可能な待機状態に制御するとともに、第1のサイクル時間T3毎に作動状態に制御する。 - 特許庁

When the battery voltage goes down to the threshold V_2 or less being an overdischarge detecting voltage, it is decided that the battery voltage has reached an overdischarge area, a discharge control FET4 is turned off, a control unit 7 is made into a sleep status, and the consumption current in the control unit 7 is reduced.例文帳に追加

電池電圧が過放電検出電圧である閾値V_2以下となった場合には、電池電圧が過放電領域に達したと判断し、放電制御FET4をOFFするとともに制御部7をスリープ状態として制御部7における消費電流を低減させる。 - 特許庁

A control unit 150 generates a drive signal for controlling on/off of switching element Q1 to Q4 so that the control operation for soft switching varies according to an operation state of a converter based on at least one of an input voltage V1, an output voltage V2, and an input current I1.例文帳に追加

制御装置150は、入力電圧V1、出力電圧V2および、入力電流I1の少なくとも1つに基づいて、コンバータの動作状態に応じてソフトスイッチングのための制御動作を可変とするように、スイッチング素子Q1〜Q4のオンオフを制御する駆動信号を生成する。 - 特許庁

例文

To provide a transmission line protective relay that properly controls on/off of an interrupt command output from a main protective relay by identifying whether a follow current interrupting type arc horn is in operation or not, according to a value of a zero-phase voltage, and prevents unnecessary delay and output of the interrupt command.例文帳に追加

零相電圧の値に応じて続流遮断形アークホーンの動作あるいは不動作を識別することにより、主保護リレーから出力される遮断指令の活殺を適切に制御し、遮断指令の不要な遅延や出力を防ぐようにした送電線保護継電装置を提供する。 - 特許庁

例文

To reduce a conduction loss generated on an energizing path of a switching element by making it possible to control the driving timing of the switching element that is turned on after the supply of a current from a DC power supply to a coil is cut off, without providing a resistor on the energizing path of the switching element, in a DC-DC converter.例文帳に追加

DC−DCコンバータにおいて、直流電源からコイルへの通電遮断後にオンされるスイッチング素子の駆動タイミングを、そのスイッチング素子の通電経路上に抵抗を設けることなく制御可能にすることで、その通電経路で生じる導通損失を低減する。 - 特許庁

To provide a light emitting device and an element substrate in which the off-current of a switching transistor is suppressed to be low, the luminance unevenness of a light emitting element between pixels due to variations in the characteristics of a driving transistor is suppressed, even if increase in the capacitance of the capacitor is not contrived.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタのオフ電流を低く抑えたり、容量素子の大容量化を図らずとも、駆動用トランジスタの特性のばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度ムラを抑えることができる発光装置及び素子基板の提案を課題とする。 - 特許庁

Once the control circuit 13 makes the contact point S0 of the shunting circuit 11 turned on and let the current flowing in the semiconductor switch 10 shunt to the shunting circuit 11, afterwards the contact point S0 is maintained ON until the push button switch 34 is set OFF when a plug 5 is pulled out from the DC outlet 1.例文帳に追加

制御回路13は、一旦、分流回路11の接点S0をオンして半導体スイッチ10を流れる電流を分流回路11に分流させると、その後、直流コンセント1からプラグ5を抜く際に押釦スイッチ34がオフするまでは接点S0をオンに維持する。 - 特許庁

An electromagnetic load control apparatus includes: a switching element for switching the on/off of a current to be supplied to an electromagnetic load; a first boosting circuit for boosting a voltage to be applied to the switching element; and a second boosting circuit for further boosting a voltage boosted by the first boosting circuit.例文帳に追加

本発明に係る電磁負荷制御装置は、電磁負荷に供給する電流をON/OFFするスイッチング素子と、スイッチング素子に印加する電圧を第1昇圧回路と、第1昇圧回路が昇圧した電圧をさらに昇圧する第2昇圧回路と、を備える。 - 特許庁

To provide an electrode for a lithium secondary battery which is unlikely to generate pulverization or fall-off from a current collector caused by swelling or contraction of an electrode activator accompanying repeated charging and discharging, and to provide a manufacturing method of the lithium secondary battery which uses this electrode, and which has superior charge/discharge cycle characteristics.例文帳に追加

繰り返し充放電を行った際の電極活物質の膨張・収縮に伴う微粉化や集電体からの脱落が生じにくいリチウム二次電池用電極及びその製造方法と、この電極を用いた、充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

Using an image provided by the digital data file and information which is provided by the digital data file and is correlated to an operation of the display device, the image is displayed on the display device provided with a plurality of pixels having a pixel electrode connected to a switching element whose off-state current is reduced.例文帳に追加

デジタルデータファイルで提供される画像と、デジタルデータファイルで提供される表示装置の動作に関連付けられた情報を用いて、オフ電流が低減されたスイッチング素子に接続された画素電極を有する画素を複数設けた表示装置に、画像を表示すればよい。 - 特許庁

In a case that the loop antenna 15 is in a short-circuited state, i.e., a closed loop, and a main unit 11 is in an off state, while the transceiving operation stops, a current flows in the loop antenna 15 by electromagnetic induction of a surrounding magnetic field, and a magnetic fields is formed so as to cancel the surrounding magnetic field.例文帳に追加

ループアンテナ15が短絡状態すなわち閉ループとなって、本体ユニット11がオフ状態の場合、送受信の動作が停止されるとともに、周囲の磁場の電磁誘導によってループアンテナ15に電流が流れ、周囲の磁場を相殺するような磁場を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a non-volatile memory cell including a write transistor which includes an oxide semiconductor and has small leakage current in an off state between a source and a drain, a read transistor including a semiconductor material different from that of the write transistor, and a capacitor.例文帳に追加

酸化物半導体を用い、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流(オフ電流)が少ない書き込み用トランジスタ、該書き込み用トランジスタと異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ及び容量素子を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Meanwhile, the potential difference between the substrate 3 and negative electrode 4 is detected by a voltage detecting element 11, and the current source 6 is turned off by a control part 12 when the potential difference detected by the element 11 begins to decrease to finish the anodization.例文帳に追加

また、電圧検出部11は、n形単結晶シリコン基板3と負極4との間の電位差を検出し、制御部12は、電圧検出部11により検出した電位差が低下し始めた時点で電流源6をオフさせることにより陽極酸化を終了させる。 - 特許庁

A control method for calculating the oxygen concentration Xi in the food storage space from an integrated value Ai of electric current values flowing in the oxygen concentration adjusting means, and determining a time to switch off (stopping operation) of the oxygen concentration adjusting means on the basis of the relationship between the oxygen concentration and a target oxygen concentration, is used.例文帳に追加

酸素濃度調整手段に流れる電流値の積分値Aiから食品保存空間の酸素濃度Xiを算出し、これと目標酸素濃度との関係から、酸素濃度調整手段off(作動を停止する)とする時期を判断する制御方法を用いる。 - 特許庁

A battery charging circuit includes a power supply circuit 2 being connected via a switching element 4 and a current-limiting resistor 5 to a battery 1 to subject the battery 1 to a trickle charge, and a control circuit 3 turning on and off the switching element 4 on a given duty cycle to subject the battery 1 to the trickle charge using a pulsed charge.例文帳に追加

充電回路は、スイッチング素子4と電流制限抵抗5を介して電池1に接続されて電池1をトリクル充電する電源回路2と、スイッチング素子4を所定のデューティーでオンオフに切り換えて電池1をパルス充電してトリクル充電する制御回路3とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element improving electrical properties of the element by suppressing a leakage current which flows through a memory cell by turning off a drain select transistor, a source select transistor, and a side transistor of an unselected memory cell block when the semiconductor memory element operates.例文帳に追加

本発明は、半導体メモリ素子の動作時、非選択のメモリセルブロックのドレイン選択トランジスタと、ソース選択トランジスタ、及びサイドトランジスタをターンオフさせてメモリセルを通じて流れる漏洩電流を抑制し、素子の電気的特性を改善させる半導体メモリ素子を提供することにある。 - 特許庁

A power ON detector 11 supplies a power source controller 10 with an ON signal when the value of a current quantity flowing on a power source cable 6-1 for supplying power from a cabinet panel 5-1 is not smaller than a prescribed reference value and with an OFF signal when the value is smaller than the prescribed reference value.例文帳に追加

電源ON検知器11は、分電盤5−1からの電源をホストコンピュータ3に供給する電源ケーブル6−1上を流れる電流量の値が所定の基準値以上のときON信号を、所定の基準値より小さいときOFF信号を電源制御器10に供給する。 - 特許庁

When the transistor Tr2 is turned off at a prescribed timing by making an electric current to flow into the U-phase coil from the low-voltage battery 184 side after the transistor Tr2 is turned on, electrical energy stored in the reactance of the U-phase coil flows into the high-voltage battery 194 through a diode D1 and charges the battery 194.例文帳に追加

トランジスタTr2をオンとして、低圧バッテリ184側からU相コイルに電流を流し、所定のタイミングでトランジスタTr2をターンオフすると、U相コイルのリアクタンスに蓄えられた電気エネルギは、ダイオードD1を介して高圧バッテリ194に流れ込み、これを充電する。 - 特許庁

To prevent an erroneous roll call caused by a voltage change with switching, in a gate driving device for a switch element that does not include an inverse bias power source of a gate voltage but includes a buffer transistor for amplifying a gate current and includes a voltage-driven gate terminal for switching turn-on/turn-off gate resistance.例文帳に追加

ゲート電圧の逆バイアス電源を持たず、ゲート電流を増幅するバッファトランジスタを持ち、およびターンオン・ターンオフ時のゲート抵抗を切り替える電圧駆動型のゲート端子を持つスイッチ素子のゲート駆動装置において、スイッチングに伴う電圧変化による誤点呼を防止できるようにする。 - 特許庁

The operating handle 9 of a switch device SW to switch on and off a current carried to the power supply pole insertion holes 26a, 26b of the plug socket part of a plug socket block 1 is exposed to the front surface of the swelled part 8 of a waterproof cover 1 with a transparent rainproof cover 10 of a thermoplastic resin covered on it.例文帳に追加

コンセントブロック1のコンセント部の電源極側差し込み口26a、26bへの通電をオン/オフするスイッチ装置SWの操作ハンドル9を可撓性樹脂からなる透明な防雨カバー10を被せた状態で防水カバー1の膨出部8の前面に露出させている。 - 特許庁

When the load 16 becomes its ordinary state to make the sensed voltage VA of the current sensing resistor 22 not smaller than the reference voltage VR2 of the reference power supply 23, performing the ON/OFF control of the MOSFET 4 for synchronized rectifications by the output signal of the comparison circuit 26, a rectifying operation is performed.例文帳に追加

負荷16が通常状態となり、電流検出用抵抗22の検出電圧V_Aが基準電源23の基準電圧V_R2以上になると、比較回路26の出力信号により同期整流用MOS-FET4がオン・オフ制御され整流動作が行われる。 - 特許庁

The voltage controller 6 is provided with power transistors 61 and 62 which are turned on at such timing as an excitation current is supplied to the field coil 4 from a battery 9, and circumfluence diodes 63 and 64 which regenerate magnetic energy of the field coil 4 on the battery 9 at such timing as the power transistors 61 and 62 are turned off.例文帳に追加

電圧制御装置6は、バッテリ9から界磁巻線4に励磁電流を供給するタイミングでオンされるパワートランジスタ61、62と、これらのパワートランジスタ61、62がオフされるタイミングで界磁巻線4の磁気エネルギーをバッテリ9に回生する環流ダイオード63、64を備える。 - 特許庁

Thus, the voltage of a node N21 is controlled (when the gate voltage of the NMOS 43 is increased, the voltage between the drain electrode and the source electrode is decreased, and the voltage of the node N21 is decreased), and when the NMOS 42 is turned off, the starting circuit 40 and the reference current source 30 are disconnected.例文帳に追加

これにより、ノードN21の電圧が制御(NMOS43のゲート電圧が高くなると、ドレイン電極・ソース電極間電圧が下がってノードN21の電圧が下がる。)し、NMOS42がオフすることで、起動回路40と基準電流源30を切り離す。 - 特許庁

The resonance circuit 15 performs resonance operation before switching elements S3, S4 are each turned off to start discharging the auxiliary capacitors C1, C2, and generates a resonance current that increases the output currents of the switching elements S1, S2 based on the discharge currents of the auxiliary capacitors C1, C2.例文帳に追加

共振回路15は、補助コンデンサC1,C2の放電開始となるスイッチング素子S3,S4の各オフに先立って共振動作し、補助コンデンサC1,C2の放電電流に基づくスイッチング素子S1,S2の出力電流が増大するような共振電流を生じさせる。 - 特許庁

If gate resistance 3 is made sufficiently low in such a state, the collector current of the switching element 9 decreases very quickly, so that a turn-off loss of the switching element 9 is made very small, and a rate of voltage rise is suppressed to be a certain value by an operation of the snubber circuit.例文帳に追加

そこでゲート抵抗3を十分小さくしておけば、スイッチング素子9のコレクタ電流は非常に急速に減少するので、スイッチング素子9のターンオフ損失は非常に小さくすることが可能になり、スナバ回路の作用によって電圧上昇率はある一定の値に抑えることができる。 - 特許庁

The signal level of the signal 13 is determined by the signal 16, and about the block 20 that is made not to operate, power consumption due to a leakage current when a MOS transistor constituting the block 20 is off can be zero by not feeding the power supply VDD2.例文帳に追加

第一の制御信号16によって内部信号13の信号レベルが確定し、動作させない機能ブロック20については第二の電源VDD2を供給しないことにより、機能ブロック20を構成するMOSトランジスタのオフ時のリーク電流による消費電力をゼロにすることができる。 - 特許庁

When the output voltage of a fuel cell stack 3 detected by a voltage detection means 36 drops below a boundary value, a system controller 37 controls so as to heat combustion catalyst of the burner 7 by carrying a current to the heater 41 before the anode off-gas is discharged from a purge valve 27.例文帳に追加

電圧検知手段36が検出した燃料電池スタック3の出力電圧が境界値より低下したとき、アノードオフガスをパージ弁27から排出するのに先だって、ヒータ41に通電して燃焼器7の燃焼触媒を加熱するようにシステムコントローラ37が制御する。 - 特許庁

A power ON detector 12 supplies the controller 10 with an ON signal when the value of a current quantity flowing on a power cable 6-2 for supplying power from a cabinet panel 5-2 is not smaller than a prescribed reference value and with an OFF signal when the value is smaller than the prescribed reference value.例文帳に追加

電源ON検知器12は、分電盤5−2からの電源をホストコンピュータ4に供給する電源ケーブル6−2上を流れる電流量の値が所定の基準値以上のときON信号を、所定の基準値より小さいときOFF信号を電源制御器10に供給する。 - 特許庁

Consequently, elimination of the pull-up transistor 20 can suppress the through current generated in the pull-up transistor 20 and other logic elements in a drive signal generation circuit when the P-channel MOS transistor 1 is turned off in the conventional semiconductor device arising from the pull-up transistor 20.例文帳に追加

その結果、プルアップトランジスタ20を排除したことから、プルアップトランジスタ20に起因する従来の半導体装置において課題であった、Pチャンネル型MOSトランジスタ1のOFF時に駆動信号生成回路内のプルアップトランジスタ20と他の論理素子とに生じる貫通電流を抑制できる。 - 特許庁

When the high-side switching element Tr1 or the low-side switching element Tr2 are turned off, a regenerative current caused by electromagnetic energy accumulated in an inductance element L2 is refluxed via the second diode D2 or the first diode D1, not via the saturable transformer L1.例文帳に追加

ハイサイドのスイッチ素子Tr1またはロウサイドのスイッチ素子Tr2がオフした時に、インダクタンス素子L2に蓄積された電磁エネルギーによる回生電流が可飽和トランスL1を介さずに第2のダイオードD2または第1のダイオードD1を介して還流されるようにする。 - 特許庁

To enable an on/off ratio over a prescribed value to be obtained by controlling a forward current to be inputted to Schottky barrier diodes provided to two circulators respectively and to make it possible to restrain frequency characteristics of amplitude modulation of a high frequency signal from being influenced by an operating environmental temperature.例文帳に追加

2つのサーキュレータにそれぞれ設けられたショットキーバリアダイオードに入力する順方向電流を制御することにより、所定値以上のオン/オフ比が得られ、また高周波信号の振幅変調の周波数特性が使用環境温度に左右されるのを抑制できるものとすること。 - 特許庁

Further, for the bidirectional signal line, the leakage current is prevented by replacing the output tristate buffer of the ON block 40 by the sixth care circuit 6 and inserting the second care circuit 2 in front of the tristate buffer when the bidirectional signal voltage level is made the voltage of the OFF block 41.例文帳に追加

また、双方向信号線については、双方向信号電圧レベルをOFFブロック41の電圧にする場合、ONブロック40の出力トライステートバッファを第6のケア回路6に置換し、トライステートバッファ前に第2のケア回路2を挿入しリーク電流を防止する。 - 特許庁

In this case, since the edge of the output signal LS2OUT of the level shifter LS2 becomes dull compared with the output signal LS1OUT of the level shifter LS1, an element in an output circuit OC1 on/off-controlled by this signal LS2OUT generates an entirely ON period to generate through current.例文帳に追加

ここで、レベルシフタLS2の出力信号LS2OUTは、レベルシフタLS1の出力信号LS1OUTよりもエッジが鈍ってくるため、この信号LS2OUTでオン・オフを制御される出力回路OC1内の素子は、全てオンする期間が発生して貫通電流が生じる。 - 特許庁

An abnormal voltage due to spike noise of an output current IL caused by discharge is detected by abnormal-voltage detectors 100 and 101, and output signals of the abnormal-voltage detectors 100 and 101 are outputted to a drive controller 11 to shut off the AC voltage V3.例文帳に追加

放電に起因して生ずる出力電流ILのスパイクノイズによる異常電圧を異常電圧検出手段100及び101で検出し、異常電圧検出手段100及び101の出力信号を駆動制御手段11に出力し、前記交流電圧V3を遮断する。 - 特許庁

At least one of n drift 22a and a p partition 22b, for example, the p partition 22b in which a current flows in an on-state while being depleted in an off-state is formed by ion implantation, more particularly, by ion implantation in which an accelerating voltage is continuously changed.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化するnドリフト領域22a、p仕切り領域22bのうち少なくとも一方、例えばp仕切り領域22bを、イオン注入、特に加速電圧を連続的に変えたイオン注入で形成する。 - 特許庁

The battery managing device 32 performs a charging pause process for setting a voltage value lower by a predetermined value than a normal charging voltage value without cutting off a power generation by a motor/generator 15 when it is determined that a 36V battery 16 is the overcharging state from the current value of the 36V battery 16.例文帳に追加

バッテリ管理装置32は、36Vバッテリ16の電流値から36Vバッテリ16が過充電状態と判定される場合には、モータ/ジェネレータ15による発電をカットすることなく通常の充電電圧値よりも所定に低い電圧値を設定する充電休止処理を実行する。 - 特許庁

To reduce the size of a circuit part, reduce the packaging area and reduce power consumption by turning on and off the supply voltage to load of a DC stabilizing power supply circuit by a PNP transistor connected between the collector and the base of a controlling NPN transistor to reduce a current flowing through the circuit.例文帳に追加

直流安定化電源回路の負荷への供給電圧のオン/オフを制御用のNPNトランジスタのコレクタ・ベース間に接続したPNPトランジスタで行うことにより、回路に流れる電流の低減を図り、回路部品の小型化、実装面積の低減、消費電力の低減を可能にする。 - 特許庁

This nonaqueous electrolyte secondary battery contains a shut off means isolating between active materials and/or between the active material and a current collector when the inside of the nonaqueous electrolyte secondary battery becomes a prescribed temperature or higher in an active material layer.例文帳に追加

本発明の非水電解液二次電池は、非水電解液二次電池内が所定温度以上となったときに、活物質間及び/又は活物質と集電体との間を孤立化させて電気的に遮断する特性をもつ遮断手段を活物質層に含むことを特徴とする。 - 特許庁

Then while TFT element Q2 is cut off, the TFT element Q3 is turned on to supply a current having the value set to the TFT element Q1 from a voltage source circuit to the organic EL element EL1 through the power supply wiring PW(1), thereby driving the organic EL element EL1.例文帳に追加

その後、TFT素子Q2を遮断したままTFT素子Q3を導通させることにより、TFT素子Q1に設定した値の電流を電圧源回路から電源配線PW(1)を介して有機EL素子EL1に流し、有機EL素子EL1を駆動する。 - 特許庁

When the command signals Sc are set again to an H level while a base current is flowing through the transistor Q21, the base-accumulated charge of the transistors Q21 and Q22 disappears in a short time due to the existence of the resistor R19, a diode D15, and a resistor R20, so that a turn-off time is shortened.例文帳に追加

トランジスタQ21にベース電流が流れている時に指令信号Scが再びHレベルになった場合、抵抗R19、ダイオードD15および抵抗R20の存在によりトランジスタQ21、Q22のベース蓄積電荷が短時間で消滅するので、ターンオフ時間が短くなる。 - 特許庁

When PMOS transistors P1, P2 are in ON, OFF states, the storage terminal Na can be kept at a 'H' state by the PMOS P1, and the storage terminal Nb can be kept logically at a 'L' state by a gate leak current flowing from a gate of the NMOS transistor N2 to a semiconductor substrate.例文帳に追加

PMOSトランジスタP1,P2がON,OFF状態の場合、記憶端子NaはPMOSトランジスタP1によって“H”の状態に、記憶端子NbはNMOSトランジスタN2のゲートから半導体基板に抜けるゲートリーク電流によって論理的に“L”の状態を保つことができる。 - 特許庁

In a driving period Pdrv, the electrooptical element 1 is driven by supplying the driving current Idr corresponding to the voltage set in the write period Pwrt to the gate G0, and the transistor T1 is turned off to electrically disconnect the gate G0 and capacity element C1 from each other.例文帳に追加

駆動期間Pdrvにおいては、ゲートG0に書込期間Pwrtにて設定された電圧に応じた駆動電流Idrの供給によって電気光学素子11が駆動されるとともに、トランジスタT1がオフ状態とされてゲートG0と容量素子C1とが電気的に切り離される。 - 特許庁

When an opening/closing detecting part 219 detects that a folding mobile phone is closed, a control part 203 turns off a case opening/closing switch 235_k connected serially to a key switch 231_k in an operating part 205 to disconnect current caused to flow from a pull-down resistor 242_k to the ground.例文帳に追加

開閉検出部219が折り畳み式の携帯電話機が閉じられたことを検出すると、制御部203は操作部205内のキースイッチ231_kに直列に接続された筐体開閉スイッチ235_kをオフにしてプルダウン抵抗242_kから地気に流れる電流を絶つ。 - 特許庁

例文

The resistance value of a resistor for current restriction for determining the luminance of the lighted indicator light 21a is set larger than that of the fire indicator light 21b, or the on-off duty ratio of the indicator light 21a is set smaller than that of the fire indicator light 21b.例文帳に追加

通電表示灯21aの点灯時の輝度を決定する電流制限用抵抗の抵抗値を、火災表示灯21bのそれよりも大きく設定し、又は、通電表示灯21aの点灯と消灯のデューティ比を火災表示灯21bのそれよりも小さく設定する。 - 特許庁




  
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