「structure-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(195ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a print contact structure of a print wiring board setting connection start time and connection open time of a contact of an edge type socket connector and a print contact by a predetermined sequence and capable of preventing the occurrence of a problem such as improper contact when fitting the contact of the edge type socket connector into the print contact and pulling it out of the print contact.例文帳に追加

本発明は、エッジ形ソケットコネクタの接点とプリントコンタクトとの接続開始時期および接続開放時期を所定のシーケンスによって設定する、プリント配線板のプリントコンタクト構造に関わり、 当該エッジ形ソケットコネクタの接点がプリントコンタクトとの嵌合および抜去時に、接触不良などの問題発生を防止できるプリントコンタクト構造を実現する。 - 特許庁

The electrode structure comprises an n-type GaN substrate 1, and an n-side ohmic electrode 10 including an Al layer 10a formed on the rear surface of the n-type GaN substrate 1, a Pt layer 10b formed to touch the surface of the Al layer 10a, and an Au layer 10c formed on the surface of the Pt layer 10b.例文帳に追加

この電極構造は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面上に形成されたＡｌ層１０ａ、Ａｌ層１０ａの表面に接触するように形成されたＰｔ層１０ｂおよびＰｔ層１０ｂの表面上に形成されたＡｕ層１０ｃを含むｎ側オーミック電極１０とを備えている。 - 特許庁

An asymmetric optical waveguide nitride laser diode structure 400 has an active layer 120 having first and second surfaces, a transition layer 429 which is brought into contact with the first surface of the active layer 120, a p-type clad layer 130 adhered adjacently to the transition layer 429, and an n-type layer 116 which is brought into contact with the second surface of the active layer 120.例文帳に追加

本発明の非対称導波路窒化物レーザダイオード構造４００は、第１及び第２の表面を有する活性層１２０と、活性層の第１の表面と接触する遷移層４２９と、遷移層に隣接して付着されたｐ型クラッド層１３０と、活性層の第２の表面と接触するｎ型層１１６とを有する。 - 特許庁

The hydrotalcite type particle powder is characterized in that an Mg-M-Al-based hydrotalcite type particle which has a core-shell structure in which an Mg-Al-based hydrotalcite particle is made a core particle, and a hydrotalcite layer consisting of aluminum and a divalent metal M is formed on the particle surface, is heat treated at 150-350°C to dehydrate interlayer water.例文帳に追加

Ｍｇ−Ａｌ系ハイドロタルサイト粒子を芯粒子とし、該粒子表面にアルミニウムと２価金属Ｍから構成されるハイドロタルサイト層を形成したコア−シェル構造を有するＭｇ−Ｍ−Ａｌ系ハイドロタルサイト型粒子粉末を１５０℃〜３５０℃で熱処理を行い、層間水を脱水することを特徴とするハイドロタルサイト型粒子粉末である。 - 特許庁

To provide a structure of a feeding terminal which is a compact feeding terminal used in a push-in type socket capable of being installed at a small space, can generate click feeling which can be sufficiently sensed during connection with a power receiving terminal, can hold illumination light via the power receiving terminal, and is most suitable for the push-in type socket.例文帳に追加

小スペースに設置することができる押し込み式のソケットに使用される小型の給電端子であり、受電端子との接続時に十分感知可能なクリック感を生じさせることができ、また、受電端子を介して照明灯の保持が可能な、押し込み式のソケットにとって最適な給電端子の構造を提供する。 - 特許庁

The meta-type wholly aromatic polyamide short fiber is obtained by applying a treating agent to the meta-type wholly aromatic polyamide fiber obtained by the steps of appropriately controlling the ingredients or condition in a coagulation bath to make a compact coagulated form without skin-core structure, plastically drawing the coagulated product in the range of a specific ratio, and then performing a hot drawing step under the specific condition.例文帳に追加

スキンコアを有さず緻密な凝固形態となるよう凝固浴の成分あるいは条件を適宜調節し、特定倍率の範囲内で可塑延伸を行い、さらに、その後の熱延伸工程を特定条件で実施して得られるメタ型全芳香族ポリアミド繊維を用いて、これに処理剤を適用してメタ型全芳香族ポリアミド短繊維を得る。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has, on an N^--type silicon substrate 2 (the drain region), a field clamp diode structure formed by forming an active region 4 as a functional element formation region provided in an inner region and a P^+-type low-resistance region 5 formed at the outermost peripheral portion of the active region 4 that continuously surrounds the active region 4.例文帳に追加

この半導体装置１は、Ｎ^-型のシリコン基板２（ドレイン領域）の上に、内方の領域に設けられた機能素子形成領域であるアクティブ領域４と、アクティブ領域４の最外周部に、アクティブ領域４を取り囲むように連続して形成されたＰ^+型の低抵抗領域５とが形成されてなるフィールドクランプダイオード構造を有している。 - 特許庁

To provide hydrotalcite having core-shell structure in a single particle and both characteristics of Mg-Al hydrotalcite type particles and Zn-Al hydrotalcite type particles, and a resin composition which is excellent in prevention of coloring caused by resin deterioration and excellent in heat resistance when using this hydrotalcite compared to when using a conventional hydrotalcite which is added to a resin composition.例文帳に追加

本発明は、単一粒子内でコアシェル構造を有し、Ｍｇ−Ａｌハイドロタルサイト型粒子とＺｎ−Ａｌハイドロタルサイト型粒子との特徴を兼ね備え、従来の樹脂組成物に添加しているハイドロタルサイトを使用した場合よりも、樹脂劣化による着色防止や耐熱性に優れた樹脂組成物を提供するものである。 - 特許庁

In a thermoelectric conversion module having high productivity and a laminated structure by further forming the electrodes 4 on main surfaces of the semiconductor elements 1 and 2, it is possible to reduce resistance between the p-type semiconductor element 1 and the electrode 4 and between the n-type semiconductor element 2 and the electrode, and thus, there is provided a thermoelectric conversion module having high conversion efficiency.例文帳に追加

生産性の高い、積層体構造の熱電変換モジュールにおいて、さらに半導体素子１，２の主面に電極４を形成することで、ｐ型半導体素子１およびｎ型半導体素子２と電極４との間の抵抗を低減することができ、変換効率の高い熱電変換モジュールを提供することができる。 - 特許庁

This polycarbonate resin composition contains 50-99 mass pts. of (A) polycarbonate resin, and 1-50 mass pts. of (B) super-high molecular weight branched type acrylic copolymer, and a monomer constituting the super-high molecular weight branched type acrylic copolymer (B) includes a (meth)acrylic monomer having flexible structure, in the polycarbonate resin composition.例文帳に追加

（Ａ）ポリカーボネート樹脂５０ないし９９質量部及び（Ｂ）超高分子量分岐型アクリル系共重合体樹脂１ないし５０質量部を含み、前記超高分子量分岐型アクリル系共重合体樹脂（Ｂ）を構成する単量体は、柔軟構造を有する（メタ）アクリル系単量体を含む、ポリカーボネート樹脂組成物である。 - 特許庁

To provide a cylindrical vibration proof device of a novel structure capable of setting mass of a mass member large in a vibration damping device of a damping abutting type, while sufficiently securing the volume and the effective free length of a body rubber elastic body, when restraining surging of the body rubber elastic body by arranging the vibration damping device of the damping abutting type in the cylindrical vibration control device.例文帳に追加

筒型防振装置に減衰当接型の制振装置を設けて本体ゴム弾性体のサージングを抑えるに際して、本体ゴム弾性体のボリュームや有効自由長を十分に確保しつつ、減衰当接型の制振装置におけるマス部材の質量を大きく設定可能とすることの出来る新規な構造の筒型防振装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is constituted in an embedded channel region type transistor that is normally not turned on and has a high hot carrier resistance, a high punch through resistance, or high channel mobility, by optimizing the structure of a buried channel type MIS transistor using a silicon carbide substrate or the plane orientation of the substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板を用いた半導体装置において、埋め込みチャネル型のＭＩＳトランジスターとし、その構造や炭化珪素基板の面方位を最適化することによりノーマリーオンにならず、しかも高いホットキャリア耐性や、高パンスルー耐性、あるいは、高チャネル移動度を有する埋め込みチャネル領域型のトランジスターである半導体装置を提供する。 - 特許庁

This manually lifting type sink has a simple structure by setting two pantograph type jacks at right and left sides between the sink cabinet box body and a floor surface, cooperating the jacks with a link mechanism, and driving the sink cabinet box body by a gas spring with stopper function having a repulsion force equal to the weight of the sink cabinet box body.例文帳に追加

手動昇降式流し台において構造を簡素化する為、流し台キャビネット箱体と床面との間に２個のパンタグラフ式ジャッキをそれぞれ左右両端に設置し、リンク機構を利用して連動させ、流し台キャビネット箱体の重量と釣り合う反発力を有する１個のストッパー機能付きガススプリングで駆動するよう構成されている。 - 特許庁

In a typical embodiment, the semiconductor structure includes: a quaternary material layer using a BAlGaN material system with a first conductivity type formed approximately without phase separation; a quaternary material active layer using a BAlGaN material system approximately without phase separation, and another quaternary material layer using a BAlGaN material system with a reverse conductivity type formed approximately without phase separation.例文帳に追加

典型的な実施形態では、半導体構造は、ほぼ相分離なく形成された第１導電型のBAlGaN材料系を用いた４元材料層と、ほぼ相分離のないBAlGaN材料系を用いた４元材料活性層と、ほぼ相分離なく形成された逆導電型のBAlGaN材料系を用いた別の４元材料層を備えている。 - 特許庁

A simplified structure and lower cost in phase change memory can be achieved by arranging an intermediate layer 20, which contains silicon and at least one kind of element constituting a phase change material, between a recording layer 18 comprising the phase change material and an n^+ type polysilicon film 15 and reducing a contact resistance between the recording layer 18 and the n^+ type polysilicon film 15.例文帳に追加

相変化材料からなる記録層１８とｎ^＋型ポリシリコン膜１５との間に、相変化材料を構成する元素の少なくとも一種とシリコンとを含有する中間層２０を配置し、記録層１８とｎ^＋型ポリシリコン膜１５との接触抵抗を低減することにより、相変化メモリの構造の簡素化と低コスト化を実現する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

In the face sheet, a thermoplastic resin sheet substrate material 1 comprises at least (A) 30-70 wt.% of a polylactic acid type resin, (B) 30-70 wt.% of a polyolefin type resin and (C) 3 to 10 wt.% of a modified laminated silicate, wherein all layers are formed in a co-continuous structure.例文帳に追加

熱可塑性樹脂シート基材１が少なくともポリ乳酸系樹脂とポリオレフィン系樹脂からなり、それぞれが連続層の構造をとる共連続構造であること、（Ａ）ポリ乳酸系樹脂、（Ｂ）ポリオレフィン系樹脂、（Ｃ）変性層状珪酸塩からなり、（Ａ）が３０から７０重量％、（Ｂ）が３０から７０重量％、（Ｃ）が３から１０重量％からなる。 - 特許庁

The configuration recognizing the three-dimensional structure of the extracellular loop in the extracellular domain, the configuration in which the extracellular loop is the extracellular second loop, and the configuration by which natural ligand-specific signal transduction possessed by the histamine receptor type 1 can be promoted by binding with the histamine receptor type 1 are recommended.例文帳に追加

前記細胞外ドメイン内の細胞外ループの立体構造を認識するものである構成、前記細胞外ループが細胞外第２ループである構成、及び、ヒスタミン受容体タイプ１に結合することにより、前記ヒスタミン受容体タイプ１が有するナチュラルリガンド特異的なシグナル伝達を促進することができる構成が推奨される。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a substrate that has an uneven structure on its primary surface; a nitride layer of at least either of polycrystal and non-crystal that is formed on the entire primary surface and in which at least either of a p-type impurity and an n-type impurity is doped; and a nitride semiconductor layer that is provided on the nitride layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられ、ｐ型不純物およびｎ型不純物の少なくともいずれかがドープされた、多結晶および非晶質の少なくともいずれかである窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を備える。 - 特許庁

The module type printer system 2 for printing a sheet comprises a first printer 1 constituted in a satellite type structure of a central first impression cylinder 12 and at least four printing units 13 to 16 disposed on the cylinder 12, a second printer 6, and a coupling unit 114 for coupling the printers 1, 6 for in-line operating.例文帳に追加

枚葉紙の印刷用のモジュール式印刷機システム2は中央の第１の圧胴12とこの中央の第１の圧胴12に配置された少なくとも４つの印刷装置13〜16によってサテライト型構造に構成された第１の印刷機1と、第２の印刷機6と、印刷機1,6をインライン運転のために互いに連結するための連結装置114とを有する。 - 特許庁

To provide a backside electrode type solar cell module having a structure which enables efficient exhaustion of gas to the outside, which is generated by heating air and a composition material that has remained in the interior of the module, in processes for manufacturing the module, even if the solar cell module is the backside electrode type solar cell module, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

裏面電極型の太陽電池モジュールであっても、その製造工程において、モジュールの内部に残っていた空気および構成材料が加熱されることにより発生するガスを効率良く外部に排出することを可能とする構造を備えた、裏面電極型の太陽電池モジュールおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The walkway installation type disaster prevention shelter installed on a walkway in front of a building or the like to protect pedestrians from destructive pieces such as glass and block pieces falling from the building due to an earthquake, comprises a plurality of posts, connection members for connecting the posts, and a guard type ceiling structure, and allows the pedestrians to pass through inside.例文帳に追加

ビルなどの建造物前の歩道に設置されて地震により建造物から落下してくるガラスやブロック片などの破壊片から歩行者を護るための歩道設置型防災シェルターであって、複数の支柱と、支柱同士をつなぐ連結材と、防護型の天井構造とを備え、内部を歩行者が通過できるようになっている。 - 特許庁

To improve the security of a system utilizing a non-contact type data transmitting and receiving body by making a portion of an antenna unit remain on an adherend body side and making the antenna unit itself remain on the adherend body side to cause function destruction and structure destruction of the transmitting and receiving body when the non-contact type data transmitting and receiving body is stripped from the body to be adhered.例文帳に追加

非接触型データ送受信体を被着体から剥ぎ取るときにアンテナユニットの一部が被着体側に残るようにしたり、アンテナユニット自体が被着体側に残るようにして、送受信体の機能破壊や構造破壊を生じさせるようにし、非接触型データ送受信体を利用したシステムのセキュリティを高める。 - 特許庁

In the Gerber type high bridge composed of the unit high bridge comprising a frame structure between a plurality of spans and a beam girder part 1 installed between the unit high bridges, a solution plan is devised so as to reduce the vibration number giving a human being the discomfort feeling by constituting it so as to increase rigidity on the beam girder part 1 by making the beam girder part 1 an arch type.例文帳に追加

複数径間のラーメン構造から成る単位高架橋５０と、単位高架橋間に設置された梁桁部１で構成するゲルバー式高架橋において、梁桁部１をアーチ型にすることで梁桁部１に剛性を増強させるように構成して、人間に不快感を与える振動数を低減させるように解決策を講じている。 - 特許庁

Provided is the winding component which is easily adjusted in inductance to have stable inductance and reduced in leakage magnetic flux by employing a structure configured such that a circumference of a wound drum type magnetic material core 1 is enclosed with a cylindrical sleeve type core 2 made of resin containing magnetic powder and a mixture 3 of soft magnetic metal power and resin is injected into a gap part.例文帳に追加

巻線されたドラム型磁性体コア１の周囲を磁性粉入り樹脂からなる筒状のスリーブ型コア２で囲み、またギャップ部分に軟磁性金属粉末と樹脂との混和物３を注入する構造をとることにより、インダクタンスの調整が容易で安定したインダクタンスが得られ、かつ漏れ磁束を低減した線輪部品を可能にする。 - 特許庁

With the power generator of such a structure, power can be obtained by the Seebeck effect as the P-type thermoelectric conversion member and the N-type thermoelectric conversion member jointed to the cell main body generating power at a temperature higher than the generation starting temperature serve as a thermocouple, so that a higher power generation efficiency is realized.例文帳に追加

かかる構成を有する発電装置では、セル本体による発電に加え、発電開始温度以上の温度で発電を行うセル本体に接合されたＰ型熱電変換部材とＮ型熱電変換部材とが熱電対となって（２次発電手段）、ゼーベック効果で電力を得ることができるから、より高い発電効率を実現できる。 - 特許庁

P^--type semiconductor layers 23 consisting of InP doped in low concentration with Zn, P^+-type semiconductor layers 25 consisting of InP doped in high concentration with Zn, and semiconductor layers 27 consisting of InP doped with Si are stacked sequentially and embedded on both sides of this waveguide structure so as to form a current throttling region.例文帳に追加

この光導波路構造の両側に、Ｚｎを低濃度にドープしたＩｎＰからなるｐ^−型半導体層２３、Ｚｎを高濃度にドープしたＩｎＰからなるｐ^＋型半導体層２５、およびＳｉをドープしたＩｎＰからなるｎ型半導体層２７が順次積層され、埋め込まれ電流狭窄領域を形成している。 - 特許庁

The reflection type spherical aberration correction element 40 includes a buckling type micro-actuator in which vibration plates (diaphragm) having such structure that a piezo thin film 44 is held between electrode films 43 and 45 are laminated on a semiconductor substrate 41, curvature of the reflection plane by the vibration plate is changed by controlling applied voltage to each electrode film 43, 45.例文帳に追加

この反射型球面収差補正素子４０は、半導体基板４１上にピエゾ薄膜４４を電極膜４３、４５で挟んた構造の振動板（ダイアフラム）を積層した座屈型マイクロアクチュエータを含むものであり、各電極膜４３、４５間の印加電圧を制御することで振動板による反射面の曲率を変化させる。 - 特許庁

In the phase transition type recording medium 1 having a multi-layered structure including a plurality of information recording layers 3, 5, the recording layer 5 (or 3) film-formed as a phase transition type information recording layer is irradiated simultaneously with a plurality of laser beams having different wavelengths and thereby initialized by changing the state of the recording layer.例文帳に追加

複数の情報記録層３、５を含む多層構造の相変化型記録媒体１について、相変化型情報記録層として成膜された記録層５（又は記録層３）に対して、異なる波長を有する複数のレーザー光を光源から同時に照射することで、当該記録層の状態を変化させて初期化を行う。 - 特許庁

As a p-type contact layer composed of AlGaN is grown by a MOVPE method as the uppermost layer of the lamination structure of a GaN series semiconductor to be formed on a substrate, ammonia and an inert gas with respect to the GaN semiconductor are introduced into a growing furnace so that a ratio of ammonia is set to 0 to 0.025, while a temperature of the p-type contact layer is dropped.例文帳に追加

基板上に形成するＧａＮ系半導体の積層構造の最上層として、ＡｌＧａＮからなるｐ型コンタクト層をＭＯＶＰＥ法により成長した後、成長炉内にアンモニアと、ＧａＮ系半導体に対して不活性なガスとを、アンモニアの比率が０〜０．０２５となるように導入しながら、ｐ型コンタクト層の降温を行う。 - 特許庁

(vi) When carrying out pressure feeding at a gauge pressure exceeding 200 kPa, as regards the connecting tool set forth in the preceding item, to use those which structure is unlikely to cause disconnection due to the said pressure such as of the screwed-connection type, three-hook connection type, etc., those having three or more bottoms at the part mounted hoses, etc. 例文帳に追加

六　ゲージ圧力二百キロパスカルを超える圧力で圧送を行うときは、前号の接続用具については、ねじ込結合方式、三鈎式結合方式等の方式による接続用具で、ホースを装着する部分に三箇以上の谷を有するもの等当該圧力により離脱するおそれのない構造のものを用いること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The perovskite type ceramic is a ceramic having a perovskite type crystal structure, and obtained by blending reaction raw materials containing at least a metal powder containing a group 4 element having a specific surface of 0.01-2 m^2/g, carbonate of elements including a group 2 element and sodium perchlorate at prescribed ratios respectively and subjecting them to the combustion synthesis at an adiabatic flame temperature of 1,500°C or higher.例文帳に追加

ペロブスカイト型結晶構造を有するセラミックスであって、比表面積が 0.01〜2 m^2/gの４族元素を含む金属粉末と、２族元素を含む元素の炭酸塩と、過塩素酸ナトリウムとを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で配合し、断熱火炎温度が1500℃以上である燃焼合成法により得られる。 - 特許庁

To provide a remote control type drain plug device to which an operation part is attached without forming a step portion such as a flange part between the operation part and its attaching place, the remote control type drain plug device having no structure causing deterioration in cleanability and design; preventing dirt, sewage water and the like from being trapped therein and also exhibiting good cleaning performance; and improving design effects.例文帳に追加

操作部とその取付箇所の間に、フランジ部等の段差部分を生じさせることなく操作部を取り付け、色調・質感の差異や段差など、清掃性や意匠性の悪化を生じさせる構造を無くし、ゴミや、汚水等が溜まり難く、ひいては清掃性が良く、且つ意匠性を良くできる遠隔操作式排水栓装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pilot air type spool valve in structure free to easily restart even when the pilot air type spool valve to be used for a pump, etc., to reciprocate with compressed air as a power source comes to be in a neutral state as especially supply pressure is hard to be in a neutral state at the time of low pressure and working failure of the pump is hard to occur.例文帳に追加

圧縮空気を動力源として往復動するポンプ等に使用するパイロット空気式スプール弁が、特に供給圧力が低圧力時に中立状態になりにくくてポンプの作動不良が発生しにくく、中立状態になっても容易に再起動可能な構造のパイロット空気式スプール弁を提供することを課題としている。 - 特許庁

In the attaching structure for the curved-tube type ceramic made radiant tube 10 wherein fuel is burned in the inside thereof, and the outside thereof is exposed into a furnace 1, and the both ends 11 are held by a pair of holding parts 21 provided on a furnace wall 2, the pair of holding parts 21 is provided on an integral type flange member 20 arranged on the furnace wall 2.例文帳に追加

内部で燃料が燃焼し外部が炉内１に露出されると共に、炉壁２に設けられる一対の保持部２１の夫々に両端部１１が保持される曲管型でセラミックス製のラジアントチューブ１０の取付構造において、一対の保持部２１が、炉壁２に設置される一体型のフランジ部材２０に設けられている。 - 特許庁

(A) The GaN-based LED chip 100 has a translucent substrate 101, and a GaN-based semiconductor layer L formed on the translucent substrate 101 wherein the GaN-based semiconductor layer L has a multilayer structure including an n-type layer 102, a light emitting layer 103, and a p-type layer 104 in this order from the translucent substrate 101 side.例文帳に追加

（Ａ）ＧａＮ系ＬＥＤチップ１００は、透光性基板１０１と、透光性基板１０１上に形成されたＧａＮ系半導体層Ｌとを有し、ＧａＮ系半導体層Ｌは、透光性基板１０１側からｎ型層１０２と、発光層１０３と、ｐ型層１０４とをこの順に含む積層構造を有している。 - 特許庁

To provide a double bearing type fishing reel that can automatically turn the drag lever from the drag-free position to the drag force-generating position, can promptly start winding up the fishing line, when the terminal tackle reaches the bottom or a fish hits and can save the waste time by using a reduced number of parts without large modification of the inner structure of the double bearing type reel.例文帳に追加

両軸受リールの内部構造に大幅な変更を加えることなく、少ない部品点数で、ドラグフリー位置からドラグ力発生位置までのドラグレバーの回動を自動的に行うことができ、仕掛けの棚到達又は魚のヒットと同時にすばやく巻上げを開始できると共に、無駄な時間を省くことができるようにした両軸受リールの提供。 - 特許庁

To provide a sealed type storage battery of which the structure is simple with a small number of parts items constituting a switch mechanism, and which is provided with the switch mechanism superior in reliability of switch operation in the sealed type storage battery with the built-in switch mechanism to control on/off of a charging circuit corresponding to changes of a battery temperature or the inner pressure of the battery.例文帳に追加

電池温度または電池内部の圧力の変化に応じて充電回路のオン・オフを制御するためのスイッチ機構を内蔵する密閉形蓄電池において、前記スイッチ機構を構成する部品点数が少なく構造が簡単で、スイッチ動作の信頼性の高いスイッチ機構を備える密閉形蓄電池を提供する。 - 特許庁

A titanium tetrachloride solution in which, as a Ti-O bonded state decided using an extended X-ray absorption fine structure analysis process, the ratio between the content A of an anatase type bond and the content R of a rutile type bond, A/R is ≤2.2 is used as a raw material solution in the production of the powder of a titanium-based compound oxide by an oxalate process.例文帳に追加

広域Ｘ線吸収端微細構造分析法を用いて決定したＴｉ─Ｏの結合状態として、アナターゼ型結合の含有率Ａとルチル型結合の含有率Ｒの比率Ａ／Ｒが２．２以下である四塩化チタン水溶液を、シュウ酸塩法によるチタン系複合酸化物の粉末製造における原料溶液に使用する。 - 特許庁

To provide a construction technology of a non-embedded type column base capable of more efficiently reinforcing proof stress of a column base section, maintaining good workability having a non-embedded type column base structure and, at the same time, by effectively using a downward region of a base plate while utilizing a special property in terms of strength constituted by combining the base plate with anchor bolts.例文帳に追加

非埋込み型柱脚構造の有する良好な施工性を維持するとともに、その非埋込み型柱脚構造におけるベースプレートとアンカーボルトとの組合わせからなる強度的な特性を活かしながらベースプレートの下方領域を有効利用して、より効率的に柱脚部の耐力を補強し得る非埋込み型柱脚の施工技術を提供する。 - 特許庁

The varnish for forming the liquid crystal alignment layer is formed by making varnish for forming a liquid crystal alignment layer containing a polyamic acid, soluble polyimide, polyamide, polyamideimide or a mixture of two or more polymers out of them and a solvent further contain one or more kinds of T8 type silsesquioxanes with a specified structure, one or more kinds of polymers of the T8 type silsesquioxanes or a mixture of them.例文帳に追加

ポリアミック酸、可溶性ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミドまたはこれらの２つ以上の混合物および溶剤を含有する液晶配向膜形成用ワニスに、さらに特定構造を有するＴ８型シルセスキオキサンの１つ以上、該シルセスキオキサンの重合体の１つ以上またはこれら混合物を含有させて液晶配向膜形成用ワニスとする。 - 特許庁

The photocatalytic coating material relates to improvement of the photocatalytic coating material containing titanium oxide powder and is characterized by the fact that the titanium oxide powder includes an anatase-type crystal structure wherein the interplanar spacing d value of the (101) plane of the anatase-type crystal obtained from the half-width of the diffraction peak of the (101) plane is 3.478 to 3.562Å.例文帳に追加

第１の光触媒塗料は、酸化チタン粉末を含む光触媒塗料の改良であり、その特徴ある構成は、酸化チタン粉末がアナターゼ型結晶構造を含み、アナターゼ型結晶の（１０１）面の回折ピーク半値幅から求めた（１０１）面の面間隔ｄ値が３．４７８Å〜３．５６２Åであるところにある。 - 特許庁

To provide a paper feeding unit and an image forming device equipped with the paper feeding unit capable of realizing a multi-stage combination structure for combining complex type paper feeding units in a plurality of stages, in the complex type paper feeding unit formed by integrating a mechanism section functioning as a paper feeding cassette and a mechanism section functioning as a manual tray.例文帳に追加

給紙カセットとして機能する機構部と、手差しトレイとして機能する機構部とを一体にして構成された複合型給紙ユニットにおいて、この複合型給紙ユニットを複数段組合せ可能とするための新たな複数段組み合わせ構造を実現することができる給紙ユニット及びその給紙ユニットを備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

This glass processing apparatus is characterized in that the breaker 607 is converted into a rotary pressurizing wheel type glass substrate divider from conventional bar type glass substrate divider, so that the structure has both a scriber 602 and a breaker 607 of the glass substrate, and the apparatus can perform both scribing treatment and breaking treatment by one machine.例文帳に追加

ブレイク手段６０７を、従来のバー型ガラス基板分断手段からホイール型の、回転押圧型ガラス基板分断手段にすることを特徴とすることにより、ガラス基板をスクライブする手段６０２と分断する手段６０７の２種類を合わせ持つ構造にすることが出来、１台でスクライブ処理、ブレイク処理の両方を行うことが出来る。 - 特許庁

The drain/drift section 22 of a vertical MOSFET has the first parallel p-n structure constituted by repeatedly and alternately joining layered vertical first n-type regions oriented in the thickness direction of a substrate and layered vertical first p-type regions 22b also oriented in the thickness direction of the substrate to each other at a repeating pitch of P1.例文帳に追加

縦形ＭＯＳＦＥＴのドレイン・ドリフト部２２は、基板の厚み方向に配向する層状縦形の第１のｎ型領域２２ａと基板の厚み方向に配向する層状縦形の第１のｐ型領域２２ｂとを繰り返しピッチＰ１で基板の沿面方向へ交互に繰り返して接合して成る第１の並列ｐｎ構造である。 - 特許庁