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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > subsequent processに関連した英語例文

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subsequent processの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 489



例文

In a subsequent issuance process, the display control chip 4 reads the storage position data 24b from the non-contact IC chip 2, and writes the read storage position data 24b in a memory region of the display control chip 4.例文帳に追加

その後の発行処理において、表示制御用チップ4は非接触ICチップ2から格納位置データ24bを読み込み、読み込んだ格納位置データ24bを表示制御用チップ4のメモリ領域に書き込む。 - 特許庁

To provide a workpiece cutting device which can dramatically simplify processes related to the cutting of a plurality of workpieces connected to a spool/runner and can assume a clear cut surface eliminating the need for a subsequent deburring process or the like.例文帳に追加

スプール・ランナに接続された複数のワークの切断に係る工程を大幅に簡略化できるとともに、綺麗な切断面を得ることができ、その後のバリ取り工程等を不要にできるワーク切断装置を提供する。 - 特許庁

Even if the groove is not perfectly filled by the first insulating film due to the presence of a foreign matter, the groove is perfectly filled by the subsequent formation of the second insulating film after removing the foreign matter by the first CMP process.例文帳に追加

異物の存在によって第1の絶縁膜で溝を完全に埋設できない場合でも、第1のCMP工程により異物を除去し、その後における第2の絶縁膜によって溝を完全に埋設する。 - 特許庁

Therefore, in the second and subsequent transfer processes the returning of the toner can be inhibited and image disturbance that may be caused by decrease in density of the toner normally transferred during the former transfer process can be prevented.例文帳に追加

したがって、2回目以降の転写工程でのトナーの戻り現象を抑制することができ、以前の転写工程で正常に転写されたトナーの濃度低下による画像の乱れを防止することができる。 - 特許庁

例文

In this case, when the color print mode is subsequently performed after the confirmation of the receiving of the subsequent print command, a black developing process can be performed immediately since the black developing device has been located in the developing position.例文帳に追加

ここで、次の印字命令の受取を確認し、次のカラー印字モードを実行する際、すでにブラックの現像器が現像位置に位置しているため、直ちにブラックの現像工程を実行することができる。 - 特許庁


例文

To uniformly deposit chloride to the surface layer of a specimen, and to accurately reproduce corrosion in an actual facility, in a short time, without flushing away chlorides deposited in a subsequent testing process.例文帳に追加

試験体の表層に均一に塩化物を付着することができ、しかも、その後の試験工程において付着させた塩化物を洗い流すことなく、実設備での腐食を精度よく短時間で再現することである。 - 特許庁

The fabrication process involves braiding the hinged legs on a mandrel while retaining loops of filament between the hinged leg portions for subsequent braiding of the trunk portion of the stent or graft.例文帳に追加

この製造過程は、続いて起こるステント又は人工血管の幹部分の編組のために蝶番式脚部分の間にフィラメントのループを保持しながら、マンドレルの上で蝶番式脚部を編組することを伴う。 - 特許庁

In the subsequent mold clamping process (C), the parison 3 is pressed by the molds 10, 20 to begin to increase in its internal pressure and can be continuously brought into contact with the design surfaces of the molds.例文帳に追加

その後の金型締め工程(C)において、金型10、20がパリソン3を押圧するとともに、パリソン3内の圧力が増加し始め、金型意匠面11に対して、パリソン3を連続的に接触させることができる。 - 特許庁

To provide a work support device for presenting work procedures to a worker, which prevents the worker from increasing the work pace of a subsequent process even if there is a delay of work.例文帳に追加

作業手順を作業者に提示する作業支援装置であり、たとえ作業に遅れが生じていても作業者が続く工程の作業ペースを早めることを防止することのできる作業支援装置を提供する。 - 特許庁

例文

In the IS process, the reaction between sulfur dioxide and water is performed on the positive electrode side of a cation exchange membrane and the iodine-involving reaction is performed on the negative electrode side, so that the subsequent separating operation is eliminated to reduce the amounts of recycling iodine and water.例文帳に追加

二酸化イオウと水の反応をカチオン交換膜の正極側、ヨウ素の反応を負極側で分離して行うことで、その後の分離操作を省略し、ヨウ素および水の量を低減させる方法。 - 特許庁

例文

A mark for controlling a manufacturing process is given to a region to which laser beams are not irradiated, the laser beams being for laser scribing for each layer of a peripheral region of a face opposite to a face where a light transmission substrate is deposited, or a side surface; and in the subsequent each manufacturing process, the mark is read and each manufacturing process is controlled by using the read mark.例文帳に追加

透光性基板の成膜される面とは反対側の面の周縁領域または側面の、各層に対するレーザースクライブのためのレーザー光が照射されない領域に、製造工程の管理のためのマークを付し、以後の各製造工程において、前記マークを読取り、読取られたマークを利用して各製造工程の管理を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The invention is provided with a process of recovering a cutter device 3 and its driver 5 while leaving an outer cylinder 2 of the shield machine 1 when the shield machine 1 has reached a structure A to be reached, a process of inserting a subsequent embedded pipe 9 in the left outer cylinder 2, and a process of opening mouth communicated with the embedded pipe 9 in the reached structure.例文帳に追加

本発明は、シールド掘進機1が到達構造物Aに到達した際にシールド掘進機1の外筒2を残置した状態でカッター装置3およびその駆動装置5を回収する工程と、上記残置した外筒2内に後続する埋設管9を内挿する工程と、上記埋設管9と連通状の坑口を到達構造物に開口する工程とを備えるものである。 - 特許庁

To provide an adhesive which does not drop out small pieces in a process for processing into small pieces or the like and also in a process for the subsequent 180 degree bending appearance observation examination, when adhered to an adherend, does not break the adherend, when peeled from the adherend, and does not stain the adherend with a left paste or the like.例文帳に追加

被着体に貼り付けた場合、小片化等の加工時及びその後の180度折り曲げ外観検査工程においても小片が脱落することなく、しかも被着体から剥離する際には被着体を破壊せず、しかも被着体に糊残り等の汚染を生じさせない粘着体を提供する。 - 特許庁

Since the split capacity electrodes 24 and 25 are connected with adjacent diffusion layers 14 and 15 through a first interconnection layer directly above the capacity electrodes, charges generated in the fabrication process subsequent to the process for forming the first interconnection layer can be discharged to the diffusion layer and a capacitive oxidation layer can also be protected against breakdown.例文帳に追加

また、2分割された容量電極24、25を隣接する拡散層14、15に、容量電極すぐ上の第1配線層で接続する構成とするので、第1配線層形成工程以降の製造工程で発生するチャージを拡散層に放電することができ、容量酸化膜の破壊を防ぐことも可能となる。 - 特許庁

This method for producing the emulsified cosmetic containing hydrophobized powder, is characterized by consistently carrying out in one device a process for dispersing non-hydrophobized powder and a powder-coating agent in an oil phase portion with a medium-stirring mill to hydrophobize the powder and the subsequent process for adding an emulsifier and a water phase portion to the obtained dispersion to emulsify the mixture.例文帳に追加

媒体攪拌ミルにより油相部に未疎水化粉体と粉体被覆剤を分散し疎水化する工程と、これに続き乳化剤と水相部を添加し乳化する工程を一つの装置内で一貫して行うことを特徴とする疎水化処理粉体を含む乳化化粧料の製造方法。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibration reed and a manufacturing method of the piezoelectric vibration reed, as well as a piezoelectric vibrator equipped with the piezoelectric vibration reed, an oscillator, an electronic apparatus and a radio wave clock, which can manufacture the piezoelectric vibration reed without a surface defect, suppressing the influence of the surface defect in a previous process to extend over a subsequent process.例文帳に追加

前工程における表面欠陥の影響が後工程に及ぶのを抑制し、表面欠陥のない圧電振動片を製造することができる圧電振動片の製造方法及び圧電振動片、並びに圧電振動片を備えた圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。 - 特許庁

In a process flow to obtain multiple pieces of work block information arranged in an intended order, the process flow editing unit 42 uses an after-the-fact condition for work block information to be processed to set internal state information of the block information to be set which is subsequent to the work block information to be processed.例文帳に追加

工程フロー編集部42は、複数の作業ブロック情報を所望の順序で並べて得られる工程フローにおいて、処理対象作業ブロック情報よりも後続の設定対象ブロック情報の内部状態情報を、当該処理対象ブロック情報の事後条件を用いて設定する。 - 特許庁

The polarization and alignment in the film are automatically performed since a charge distribution is generated in the silica thin film 22 which is being formed by polarity particle irradiation and then the polarizing and aligning process is completed almost at the same time with the end of the film formation of the silica thin film 22 without performing any subsequent polarizing and aligning process such as voltage application.例文帳に追加

極性粒子照射により形成中のシリカ薄膜22中に電荷分布が生じて膜中の分極配向が自動的に行われ、電圧印加などの後発的な分極配向処理をせずに、シリカ薄膜22の成膜終了とほぼ同時に分極配向処理が終了する。 - 特許庁

To provide a printing method and a system thereof capable of adjusting a tact time between a printing process and a subsequent process so that an increase in temporarily storing quantity of a substrate after printing can be reduced, and preventing defective printing when an elapsed time from cleaning a printing member for a printer becomes long.例文帳に追加

印刷後の基板の一時保存量の増加を抑えるように印刷工程とその次工程との間でタクトタイムを調整できるとともに、印刷装置の印刷用部材のクリーニングからの経過時間が長くなったときの印刷不良を防止することができる印刷方法及びそのシステムを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device fabrication method is provided with a process for introducing indium (In) into a channel region of a silicon substrate 1 and a subsequent process for forming a gate oxide film 5 on the silicon substrate 1 by implementing heat treatment at a higher temperature (about 1,000°C) than that at which a viscous flow of the silicon oxide film occurs.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板1のチャネル領域に、インジウム(In)を導入する工程と、その後、シリコン酸化膜の粘性流動が起こる温度以上の温度(約1000℃)で熱処理することによって、シリコン基板1の主表面上にゲート酸化膜5を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

An analysis table updating command execution part after performing a password matching information referring process (step 401) rewrites execution address information for the command in an INS table of a command analysis table into address information of a substitute execution part for the execution inhibited command (step 40) similarity to a normal command process, thereby disabling subsequent execution.例文帳に追加

解析用テーブル更新コマンド実行部は、通常のコマンド処理と同様に、パスワード照合情報参照処理(ステップ401)を行った後、コマンド解析用テーブルのINSテーブル上の当該コマンド用実行アドレス情報を実行禁止コマンド用代替実行部のアドレス情報に書き換え(ステップ402)、以後の実行を不可能にする。 - 特許庁

The manufacturing method has steps (S101, S102) of forming etching grooves XX on boundary lines between semiconductor chips CP from the main surface of a semiconductor wafer WF, for example in a former process, and a back-grinding step (S1042) as a subsequent process of grinding the whole rear surface of the semiconductor wafer WF to the etching grooves XX.例文帳に追加

例えば、前工程プロセスにおいて、半導体ウエハWFの主面から各半導体チップCP間の境界ラインにエッチング溝XXを形成し(S101,S102)、次いで後工程となるバックグラインド工程において、半導体ウエハWFの裏面全体をエッチング溝XXに到達するまで研削する(S1042)。 - 特許庁

To provide a continuous process for producing lower dialkyl carbonates as main product and alkylene glycol as by-product by transesterification of a cyclic alkylene carbonate (e.g. ethylene carbonate or propylene carbonate) with lower alkyl alcohols in the presence of a catalyst and also the required purification of the dialkyl carbonate in a subsequent process step.例文帳に追加

主生成物として低級ジアルキルカーボネートと、副生成物としてアルキレングリコールとを、環式アルキレンカーボネート(例えばエチレンカーボネートまたはプロピレンカーボネート)と低級アルキルアルコールとの触媒の存在下でのエステル交換により製造するための連続法ならびに引き続きのプロセス工程における該ジアルキルカーボネートの精製。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing flash memory devices that prevents a polysilicon layer from being oxidated on the interface of the polysilicon layer and dielectric film in the dielectric film formation process and the subsequent process, by forming a floating-gate polysilicon layer in a laminated structure of doped and undorped polysilicon layers.例文帳に追加

フローティングゲート用ポリシリコン層をドーフトポリシリコン層とアンドーフトポリシリコン層の積層構造で形成することにより、誘電体膜を形成する過程又は他の後続工程でポリシリコン層と誘電体膜の界面でポリシリコン層が酸化することを防止することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises a process for identifying mass of the interested object through the result of the analysis of MALDI imaging mass spectrometry, and a subsequent process for identifying protein, represented by mass of the object concerned by direct elution from the specific area on the object target of the tissue, fractionation and tandem mass spectrometry.例文帳に追加

本方法は、MALDIイメージング質量分析結果の分析によって関心対象の質量を同定する工程、ならびに続いて、組織の関心対象の特定領域からの直接溶出、分画、及びタンデム質量分析によって、該関心対象の質量により表されるタンパク質を同定する工程を含む。 - 特許庁

A correction coefficient is calculated based on a spin speed error, and it is applied to at least one data transfer parameter such as a channel reference frequency or read/write gate activation timing before it is applied to a subsequent data transfer process.例文帳に追加

回転速度エラーに基づいて補正係数を計算し且つ爾後のデータ転送処理に適用する前に、チャンネル基準周波数又は読取/書込ゲート活性化タイミング等の少なくとも1つのデータ転送パラメータに対して適用する。 - 特許庁

To provide a transfer sheet which can form a porous surface roughened layer, exhibiting superior adhesion between a metal film and an inorganic substrate of glass or ceramics, while preventing stripping of the metal film and which can be fired in the subsequent process.例文帳に追加

ガラスやセラミックス等の無機基板と金属膜との密着性に優れ、該金属膜の剥離を防止することができ、後工程の焼成をも可能とする多孔質性の表面粗化層を形成し得る転写シートを提供する。 - 特許庁

A molten resin is injected in a cavity and compressed gas is subsequently introduced into the cavity under pressure and, in a subsequent compressed gas dwelling process, partial compression is applied to a part or the whole of a range wherein the pressure of the compressed gas is transmitted and a compressed gas passage itself.例文帳に追加

キャビティ内に溶融樹脂を射出した後、加圧ガスを圧入し、その後の加圧ガス保圧工程において、加圧ガスの圧力が伝わる範囲の一部もしくは全域、および加圧ガス通路そのものに対し、部分圧縮を行なう。 - 特許庁

To suppress the cracking of a cell in the subsequent process due to the warp of a substrate which occurs after sintering because of difference in the heat-shrink rate between aluminium and silicon by a simple method with high reproducibility while sustaining the output characteristics of a solar cell element.例文帳に追加

太陽電池素子の出力特性を維持しつつ、アルミニウムとシリコンの熱収縮率の違いによって焼成後に発生する基板の反りによる後工程でのセル割れを簡易な方法で再現性よく抑制する。 - 特許庁

When the image processor 2 in process of the print request interrupts the processing due to paper jam, or due to out of toner or paper sheet, the image processor 2 having returned from the power saving mode executes the subsequent processing by proxy.例文帳に追加

プリント要求を処理中の画像処理装置2が用紙のジャムの発生や、トナーや用紙切れにより処理を中断してしまったときは、続きの処理を節電モードから復帰させておいた画像処理装置2に代行させる。 - 特許庁

When a branch instruction is issued and subsequent inputs of the pipeline are in the order of CD'1, CD'2, ..., the decryptor module DE_MD outputs a decrypted code CD1[1] by performing a one-stage pipeline process to CD'1.例文帳に追加

仮に分岐命令が発生し、それ以降パイプラインの入力がCD’1、CD’2、…の順であった場合、DE_MDは、CD’1に対して1段分のパイプライン処理を行って復号化コードCD1[1]を出力する。 - 特許庁

Specifically, in a conventional embedded sticking method, the low hardness of the shank member requires subsequent work for hardening, Thus, the shank member with a sufficient hardness can be obtained without performing this additional hardening process.例文帳に追加

特に、従来の埋設固着法ではシャンク部材の硬度が低いためにその後に加工して硬化させる処理が必要であったが、本発明ではこの加工硬化を行わずに充分硬さのあるシャンク部材を得ることができるようになった。 - 特許庁

To easily form a semiconductor active device in a predetermined region of a semiconductor having a crystalline phase of a big particle size in subsequent processes of a process of obtaining the semiconductor having the crystalline phase of the big particle size from a semiconductor thin film.例文帳に追加

半導体薄膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、粒径の大きな結晶相の半導体の範囲の所定の領域に、容易に半導体能動素子を形成可能とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an image sensor similar to an CMOS image sensor in which contact resistance of a metal pad is reduced and further yield is improved by protecting the metal pad in a subsequent process after forming an opening part of the metal pad.例文帳に追加

金属パッドの開放部を形成した後、後工程で金属パッドを保護して、金属パッドの接触抵抗を減少させ、更に収率を向上させることができるCMOSイメージセンサと同様なイメージセンサの製造方法。 - 特許庁

On the occasion when an insert 1 as the elongated material is carried by the accumulator 10, it is guided continuously to the subsequent process or the like provided on the downstream side of the accumulator 10, via the rollers 21, 31, 22...36 and 50 sequentially.例文帳に追加

そして、長尺材としてのインサート1が前記アキュームレータ10によって搬送される際には、前記ローラ21,31,22・・36,50を順次経てアキュームレータ10の下流側に備えられる次工程等へ連続的に案内される。 - 特許庁

Thus, the abnormality of the chip which cannot be detected until the chip fraction is found on the wafer sheet after the chip is taken out can be easily and surely detected, thereby preventing the defect from flowing to the subsequent process.例文帳に追加

これにより、チップを取り出した後にウェハシートにチップ破片が残ることによってはじめて検出可能となるチップ異常を簡単かつ確実に検出することができ、後工程への不良流出を防止することができる。 - 特許庁

Since the fluctuations of the physical properties of the garbage are equalized by this operation and the reduction of a garbage volume is promoted, it is possible to dispose of the garbage for a short time and an almost specified time although a subsequent biological process requires a small amount of water supply.例文帳に追加

この操作により、生ごみの物性変動は平均化され、しかも減容が進むため、続く生物処理は少量の水分補給は必要であるが、短時間かつほぼ一定の時間での処理が可能となる。 - 特許庁

To provide a coil having a hollow core that prevents damage to a sheet near the end of the inner peripheral end and can require no removing process of an adhesive tape in subsequent machining, and a suitable hollow core for it.例文帳に追加

内周端部付近の板が傷つくのを防止するとともに、後の加工の際に粘着テープの除去処理を不要にできる、といった特徴をもつ中空巻芯つきコイル、およびそのための好ましい中空巻芯などを提供する。 - 特許庁

A tungsten nitride (WN) layer 114 is formed on sidewalls of a tungsten (W) layer 110a for a control gate, and the cross section of the tungsten layer 110a is increased while preventing abnormal oxidization of the tungsten layer 110a in a subsequent annealing process.例文帳に追加

コントロールゲート用タングステン膜(W)110aの側壁にタングステン窒化膜(WN)114を形成し、後続のアニーリング工程時にタングステン膜110aの異常酸化(abnormal oxidation)を防止しながらタングステン膜110aの断面積を増加させる。 - 特許庁

To provide backing paper for wallpaper having high dimensional stability during heating and absorbing moisture, generating a slight scuffing in applying a polyvinyl chloride paste and the like or in a subsequent drying process, and having a moderate paper strength.例文帳に追加

加熱時及び吸湿時における寸法安定性が高く、塩化ビニルペースト等の塗工時、あるいはその後の乾燥工程において毛羽立ちの発生が少ない、適度な紙力を有する壁紙裏打ち紙を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate electrode portion containing a metal which controls oxidation of a metal contained in the gate electrode portion during formation of a film on the side surface thereof and subsequent process.例文帳に追加

メタルを含むゲート電極部を有する半導体装置において、ゲート電極部の側面に形成される膜の形成時およびその後の工程で、ゲート電極部に含まれるメタルの酸化を抑えることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent loss in an SAC nitride film formed on an upper portion of a gate and improve the hump characteristics of a transistor in a planarizing process of an interlayer dielectric for subsequent formation of a contact plug, even if a surface roughness exists on a metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層に表面粗さが存在しても、後続のコンタクトプラグの形成のための層間絶縁膜の平坦化工程の際、ゲートの上部に形成されたSAC窒化膜の損失を防止し、トランジスタのハンプ特性を改善すること。 - 特許庁

The manufacturing processes can be simplified, and the reliability of the inspection process is enhanced, to lower the production costs, and non-detection in the subsequent processes can be minimized, to improve the competitive strength of the manufacturing company.例文帳に追加

本発明によれば、製造工程を簡素化し、検査工程での信頼性を高めて生産原価を減らすことができ、後続工程での未検出を最小化して、製造会社の競争力を向上させることができる。 - 特許庁

A protective film 11 of photosensitive resin is formed at the crystal wafer 5 side end where the crystal wafer 5 is exposed by removing the Cr film 6a and the Au film 6b thus protecting the crystal wafer 5 side end in the subsequent etching process.例文帳に追加

Cr膜6aとAu膜6bを除去することで水晶ウエハー5が露出した水晶ウエハー5側端部には、感光性樹脂からなる保護膜11を形成し、水晶ウエハー5側端部を以降のエッチング工程から保護する。 - 特許庁

In addition, concerning vertical direction of "Production Process", namely production sectors affected from "Ripple Effect", we can see that declines of sectors with the numbers of smaller that 18th of "Miscellaneous Manufacturing Products" are larger than sectors with the numbers of 19th of "Construction" or sectors of subsequent numbers.例文帳に追加

また、「生産工程」では縦方向、つまり「波及効果」を受ける生産部門の、18番の「その他の製造工業製品」よりも番号が上の部門の減少が、19 番の「建設」以下の番号の部門に比べて大きいことが分かる。 - 経済産業省

In the second or subsequent process to transfer the ink to the intermediate transfer body, the position of the marker is detected, and the positioning of the ink transfer position in the backward and forward direction C and the width direction D of the intermediate transfer body is performed on the basis of the marker-position detection result.例文帳に追加

そして、中間転写体への2回目以降のインク転写時に上記マーカの位置を検出して、その検出結果に基づいてインク転写箇所の中間転写体の前後方向Cおよび幅方向Dにおける位置決めを行う。 - 特許庁

To provide a printing management method whereby a printed matter having a properly managed color tone can be obtained by passing an intention to manage the color tone in a first process to subsequent processes, an image data preparation device, and image preparation data.例文帳に追加

前工程での色調管理の意図を後工程に引き継ぐことにより、適切に色調管理された印刷物を得ることができる印刷管理方法、画像データ作成装置および画像作成用データを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a coating agent for a resist pattern, which is excellent in performance (curing performance) of insolubilizing and curing a resist pattern, and allows an insoluble resist pattern which is sufficiently stable against a subsequent exposure process, a developing solution and a positive radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

レジストパターンを不溶化して硬化させる性能(硬化性能)に優れ、その後の露光処理、現像液、及びポジ型感放射線性樹脂組成物に対して十分に安定な不溶化レジストパターンとすることが可能なレジストパターンコーティング剤を提供する。 - 特許庁

In its subsequent process, the plurality of fine projections 28 covered with the conductive film 14 are irradiated with a laser beam one by one to locally remove the desired part of the conductive film 14 located in the top region 28a of each fine projection 28.例文帳に追加

その後工程で、第1導電膜14に覆われた複数の微小突起28に、1つずつ個別にレーザ光を照射して、各微小突起28の頂点領域28aにある第1導電膜14の所望部分を局所的に除去する。 - 特許庁

例文

The method for creating a production plan includes creating data including face adjustment information by which the lot information of units for a subsequent implementation process is pegged to the lot of the plurality of substrates needed for the units, and creating production order plan data based on this face adjustment information.例文帳に追加

そこで、後工程のユニットが必要とする複数基板を最小限の仕掛在庫で、後工程の生産直前に同時に面揃え供給することを可能とする生産計画作成方法及びその装置を提供すること。 - 特許庁




  
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