「substrate level」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

This device is provided with pixel electrodes 108 formed on an element substrate 101, picture signal lines 171 for supplying a picture signal to these pixel electrodes, counter electrodes opposed to these pixel electrodes through optoelectronic material, for example, liquid crystal and correction signal lines 173 for supplying correction signals for canceling level fluctuations of these counter electrodes to these counter electrodes via capacitances.例文帳に追加

素子基板１０１に形成された画素電極１０８と、この画素電極に画像信号を供給するための画像信号線１７１と、画素電極とは、電気光学物質、例えば液晶を介して対向する対向電極と、この対向電極のレベル変動を打ち消すための補正信号を、容量を介して対向電極に供給する補正信号線１７３とを備える。 - 特許庁

This accumulation device is configured by arranging at least a pair of polarizable electrodes with or without a separator, a space between the pair of polarizable electrodes is filled with electolyte, and the structure of a polarizable electrode where carbon nano thin film materials are grown on a conductive substrate with surface density and bulk density whose level is almost identical and different is provided.例文帳に追加

少なくとも一対の分極性電極を、セパレータを介して、またはセパレータを介さずに配置するとともに、その一対の分極性電極間に電解液を充填させてなる蓄電デバイスにおいて、カーボンナノ薄膜材料を同程度および異なった表面密度および嵩密度で、導電性基板上に成長させた分極性電極の構造とする。 - 特許庁

Thus, there is provided an SOI substrate provided with the implanted insulation layer 5 on the bottom surface of the trench 30, the P+type implanted collector layer 6, the Ntype buffer layer 7, the Ntype drift layer 8a and the like which are exposed on the substantially same level plane.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜５上をポリシリコン膜３で被覆し、該ポリシリコン膜３と絶縁膜２を介してＰ型半導体基板１を貼り合わせた後、ダミー半導体基板１６を除去し、略同一平面状に露出するトレンチ３０底面の埋め込み絶縁膜５、Ｐ＋型埋め込みコレクタ層６、Ｎ型バッファ層７、Ｎ型ドリフト層８ａ等を具備するＳＯＩ基板を形成する。 - 特許庁

This measuring method of the kinase inhibitor contained in the biological sample includes a process (a) of bringing the biological sample into contact with the cell for developing the kinase working as the target of the kinase inhibitor, and a process (b) of measuring the substrate of the kinase as the target existing inside the cell and/or the phosphorylation level of kinase on the downstream side of the kinase as the target.例文帳に追加

以下の工程a及びbを含む、生体試料中に含まれるキナーゼ阻害物質の測定方法；（ａ）該生体試料とキナーゼ阻害物質の標的となるキナーゼを発現する細胞とを接触させる工程；（ｂ）該細胞内部に存在する標的となるキナーゼの基質及び／または標的となるキナーゼの下流のキナーゼのリン酸化レベルを測定する工程；等を提供する。 - 特許庁

In a field-enhanced oxide film producing apparatus 1, the tip of a conductive probe 5 is made of a material with a work function around the LUMO level of the organic layer 10 and an oxide film by the field enhanced oxidation is formed on the organic layer 10 arranged between the conductive probe 5 as a cathode and a conductive substrate 2 and an underlayer 3 as an anode.例文帳に追加

電界支援酸化膜作製装置１において、導電性探針５の先端部を、有機層１０のＬＵＭＯ準位付近の仕事関数を有する材料から構成し、陰極である導電性の導電性探針５と、陽極である導電性基板２および下地３との間に配置された有機層１０上に、電界支援酸化による酸化膜を作製する。 - 特許庁

To provide a method/device which can accurately discriminate an edge of a a circuit pattern even when a constant contrast of background faces is not secured between the circuit pattern and a substrate base, when a luminance level is not set as a step-like or pulse-like change at a part equivalent to the edge of the circuit pattern or when the image data include the noise.例文帳に追加

回路パターンと基板基体の背景面間の明暗のコントラストが一定にならない場合、画像データにおける回路パターンの縁辺に相当する部分の輝度レベルがステップ状またはパルス状の変化として得られない場合または画像データにノイズが存在する場合であっても、回路パターンの縁辺を正確に判別することのできる方法およびその判別装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin and compact separator for an electric double layer capacitor that can maintain characteristics required for the separator and electric double layer capacitor characteristics using the separator at a high level, can dry an element at high temperature in manufacture, and can resist high temperature in a reflow furnace when mounting the substrate of the obtained electric double layer capacitor; and to provide the electric double layer capacitor.例文帳に追加

セパレータに要求される諸特性及び該セパレータを用いた電気二重層キャパシタ特性を高いレベルで維持し、製造時における素子の高温での乾燥と、得られた電気二重層キャパシタは基盤実装時のリフロー炉の高温にも耐え、薄くて小型化された電気二重層キャパシタ用セパレータ及び電気二重層キャパシタを提供することを目的とする。 - 特許庁

In a semiconductor device having MIS structure where an electrode is formed on a silicon substrate through an insulating layer, the insulating layer is formed by stacking a Si3N4 film 2 whose band gap for reducing tunnel current by thermally excited electrons is not less than 4.5 eV, and a TiO2 film 3 whose permittivity for reducing tunnel current from the vicinity of a Fermi level is not less than 30.例文帳に追加

シリコン基板上に絶縁層を介して電極を形成したＭＩＳ構造を有する半導体装置において、絶縁層は、熱励起した電子によるトンネル電流を低くするバンドギャップが４．５ｅＶ以上のＳｉ_3 Ｎ_4 膜２と、フェルミ準位近傍からのトンネル電流を低くする誘電率３０以上のＴｉＯ_2 膜３とを積層した構造からなる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device and a manufacturing method of the same, which can improve process yield and reliability by eliminating a level difference between a cell region and a peripheral circuit region of a semiconductor substrate to facilitate and simplify a process, and especially prevent contact not open, attack against a lower structure, and the like.例文帳に追加

半導体基板のセル領域と周辺回路領域との間に段差をなくして、工程を容易かつ単純にしつつ、特に、コンタクトナットオープン（Ｃｏｎｔａｃｔ ｎｏｔ ｏｐｅｎ）、下部構造物に対するアタック（Ａｔｔａｃｋ）などを防止し、工程歩留まり及び信頼性を向上させることができる不揮発性メモリ装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the photoelectric conversion device having the charge retention portion, of an element isolation region in contact with a semiconductor region is disposed in the semiconductor substrate from a reference level including a light reception surface of the photoelectric conversion element up to the depth equal to the semiconductor region or the depth deeper than the semiconductor region when compared with the semiconductor region comprised of the charge retention portion.例文帳に追加

電荷保持部を有する光電変換装置において、電荷保持部を構成する半導体領域に比べて、その半導体領域と接する一部の素子分離領域が、光電変換素子の受光面を含む基準面から半導体基板に、その半導体領域と等しい深さまで、もしくはその半導体領域より深くまで設けられている。 - 特許庁

In this electrode device and manufacturing method of the electrode device, glass that is a catalyst for generating carbon nanotube is formed on the substrate, thereby enabling formation and discrete control of a metallic catalyst in nanometer level, carbon nanotube is generated thereon through discrete control, and metallic coating is applied onto the nanotube, whereby the electric pulse response characteristics is improved.例文帳に追加

本発明は、カーボンナノチューブ生成の触媒となるガラスを基板上に成膜することにより、ナノメートルレベルでの金属触媒の形成および離散性制御を可能にし、その上にカーボンナノチューブを離散制御させながら生成させ、そのナノチューブに金属被覆を施すことで、電気パルス応答特性を向上させたことを特徴とする電極デバイスおよび電極デバイスの製造方法にある。 - 特許庁

The first quantum dot 12 and the second quantum dot 13 varying in sizes are formed on a substrate 11 composed of a conductive crystal and a resonance effect is induced between the quantum levels at which state density functions are equaled to each other, allowing the exciton existing within the first quantum dot 12 to be implanted into the quantum level of the second quantum dot 13.例文帳に追加

導電性の結晶により構成される基板１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第１の量子ドット１２内に存在する励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes: bit lines BL and /BL provided in a layer of the same level above a semiconductor substrate 30; a first variable-resistance element 10 and a first MOSFET 20 which are provided below the bit line BL and are connected in series; and a second variable-resistance element 10 and a second MOSFET 20 which are provided below the bit line /BL and are connected in series.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板３０の上方の同一レベル層に設けられたビット線ＢＬ，／ＢＬと、ビット線ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第１の抵抗変化素子１０及び第１のＭＯＳＦＥＴ２０と、ビット線／ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第２の抵抗変化素子１０及び第２のＭＯＳＦＥＴ２０とを含む。 - 特許庁

The magnetic resistance element 14a mounted on a substrate 14 in a housing member 15 of this magnetic liquid level detection device 10 is faced to the magnet 13 and arranged close to the rotation center of an arm 12, and a discoid magnet holding part 18 for holding the magnet 13 on an arm 12 support member for supporting the arm 12, into which the base end 12b of the arm is inserted.例文帳に追加

磁気式液面検出装置１０のハウジング部材１５内の基板１４に実装された磁気抵抗素子１４ａをマグネット１３と対向させると共にアーム１２の回動中心に近接させて配置し、アーム１２を支持するアーム１２支持部材にマグネット１３を保持し且つアーム１２の基端部１２ｂを挿通する円盤状のマグネット保持部１８を設けた。 - 特許庁

To provide a colored composition for a color filter, which is superior in long-term storage stability, heat resistance and a developing rate and superior in adhesion to a substrate, hardness, solvent resistance and alkali resistance, to provide a color filter having a required retardation value Rth in a thickness direction for a black display of a high level, and to provide a liquid crystal display device improved in oblique visibility.例文帳に追加

長期保存安定性、耐熱性、及び現像速度に優れ、かつ基板との密着性、硬度、耐溶剤性及び耐アルカリ性に優れたカラーフィルタ用着色組成物、高いレベルの黒表示に必要な厚み方向位相差値Ｒｔｈを有するカラーフィルタ、及び斜め視認性を大きく向上させた液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The inverse circulation protection circuit includes a circuit for preventing the body diode of the power switching apparatus from becoming conductive by passing an inverse circulation current to the power switching apparatus by changing the substrate voltage level of a driver output stage in order to make the voltage between both terminals of the body diode on the driver output stage lower than a voltage sufficient for making the body diode conductive on the driver output voltage.例文帳に追加

逆循環保護回路は、ドライバ出力段ボディダイオードの両端間の電圧が、ドライバ出力段ボディダイオードを導通させるのに十分な電圧より低くなるように、ドライバ出力段の基板電圧レベルを変更し、それによって電力スイッチング装置に逆循環電流を通過させ、電力スイッチング装置のボディダイオードが導通することを防ぐための回路を含む。 - 特許庁

A first quantum dot 22 and a second quantum dot 23 which have different sizes are provided on a substrate 21, thereby causing a resonant effect between quantum levels in which status density functions become equal to each other and resonating light emitted on the basis of reverse distribution generated by implanting exciters into the quantum level of the second quantum dot 23 and further performing optical oscillation.例文帳に追加

大きさの異なる第１の量子ドット２２及び第２の量子ドット２３を基板２１上に設けることにより、状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第２の量子ドット２３の量子準位に励起子を注入させることにより生成される反転分布に基づいて放出された光を共振させ、さらに光発振させる。 - 特許庁

In a resume standby mode, when a leak kind determination circuit 7 determines that the component of leak current includes much gate leak and much substrate leak, a VDDR regulator 5 generates a power supply voltage VDDR of a first voltage level which is lower than a power supply voltage VDD and supplies this power supply voltage as a power supply voltage VDDR1 to an SRAM module 12 via a changeover switch 9.例文帳に追加

レジュームスタンバイモードにおいて、リーク種判定回路７はリーク電流の成分がゲートリークと基板リークが多いと判断すると、ＶＤＤＲレギュレータ５は電源電圧ＶＤＤよりも低い第１の電圧レベルの電源電圧ＶＤＤＲを生成し、切り替えスイッチ９を介して、電源電圧ＶＤＤＲ１としてＳＲＡＭモジュール１２に供給する。 - 特許庁

To provide a self-adhesive having excellent antistatic performances, even when the surface protective film and an adherend are attached in a state that air bubbles are intruded between them, so as to prevent contamination (aging bubbles) on the surface of adherend around the air bubbles; and close adhesiveness of such a level that interfacial delamination is hardly caused between the self-adhesive layer and the substrate constituting the self-adhesive film.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、優れた帯電防止性能を有し、表面保護フィルムと被着体との間に気泡が入った状態でそれらを貼付した場合に、前記気泡周辺の被着体表面の汚染（エージングバブル）を防止可能で、かつ、粘着フィルムを構成する支持体と粘着剤層との界面剥離を引き起こさないレベルの密着性を備えた粘着剤を提供することである。 - 特許庁

The semiconductor substrate has an insulating layer formed on a semiconductor wafer and a semiconductor single-crystal layer for forming a device formed on the insulating layer, wherein the interface between the semiconductor single-crystal layer and the insulating layer has a level difference (step) structure consisting of flat surfaces (terraces), each of which is a plane parallel to a crystal plane of the semiconductor single-crystal layer.例文帳に追加

半導体ウェーハ上に絶縁層が形成され、絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層が形成された半導体基板であって、半導体単結晶層と絶縁層の界面が、平坦面（テラス）が半導体単結晶層の結晶面に平行な面で構成される段差（ステップ）構造を有することを特徴とする半導体基板および半導体基板の製造方法。 - 特許庁

This is the electrode device in which glass that becomes a catalyst for generating carbon nanotube is formed on the substrate, thereby, formation and discrete control of a metallic catalyst in nanometer level becomes possible, and carbon nanotube is generated through discrete control, and by performing metallic coating on the nanotube, an electrode device that is improved in electric pulse response characteristics is made, and a manufacturing method for the electrode device is provided.例文帳に追加

本発明は、カーボンナノチューブ生成の触媒となるガラスを基板上に成膜することにより、ナノメートルレベルでの金属触媒の形成および離散性制御を可能にし、その上にカーボンナノチューブを離散制御させながら生成させ、そのナノチューブに金属被覆を施すことで、電気パルス応答特性を向上させたことを特徴とする電極デバイスおよび電極デバイスの製造方法にある。 - 特許庁

To provide a wafer level CSP semiconductor device with the same size as a semiconductor substrate, in which the orientation of a semiconductor device cut into individual pieces and product information can be identified by a mark, indicating the orientation and the product information formable, irrespective of the size, shape and the number of terminals of the device without increasing the number of manufacturing processes, and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板と同サイズのウェハレベルCSPの半導体装置において、半導体装置の寸法、形状及び端子数に関わらず、また製造工程数を増大させること無く形成可能な半導体装置の方向及び製品情報を表示するマークにより、個片に切り離された半導体装置の方向及び製品情報の識別可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In detecting defects in a TFT array on a TFT substrate by applying a voltage to the TFT array and detecting secondary electrons obtained by irradiation with an electron beam, the voltage pattern of applying the voltage to the source and/or the gate of the TFT is set to such characteristics parameters as increase a leak current due to an internal leak in the TFT depending on the voltage level and/or the timing of application.例文帳に追加

ＴＦＴ基板のＴＦＴアレイに対して電圧を印加し、電子線照射により得られる二次電子を検出してＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイの欠陥検出において、ＴＦＴのソースおよび／又はゲートへの電圧を印加する電圧パターンにおいて、電圧値および／又は印加時期によってＴＦＴの内部リークによるリーク電流を増加させる特性パラメータに設定する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a first and second electrodes 6 formed on a semiconductor substrate 2 at a predetermined doping level.例文帳に追加

所定のドーピングレベルの半導体基板２に形成された第１および第２電極６を有する半導体装置１であって、第１および第２電極６は半導体領域５により互いに分離され、第３電極３は半導体領域５の導電性を制御し、第１および第２電極６の少なくとも１つは半導体領域５と整流コンタクトを形成し、整流コンタクトはポテンシャルバリアを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To easily and inexpensively enable a color display of high quality with good white and black level color reproducibility in the electrooptical device which compensates coloration in a STN mode by an optically anisotropic body by forming a tricolored color reflection plate which principally transmits light of R, G and B on a substrate and controlling the position of the maximum reflectance wavelength of the color reflection plate and spectral reflectance ratio of respective colors at the maximum reflectance wavelength.例文帳に追加

基板上にＲ、Ｇ、Ｂの光を主として透過する３色のカラー反射板を形成し、カラー反射板の反射率最大波長の位置と反射率最大波長での各色の分光反射率比を制御する事により、ＳＴＮモードの色付を光学的異方体で補償する電気光学装置の、白、黒レベルの色再現性の良い高品位なカラー表示を容易に、安価に可能にする。 - 特許庁

First and second quantum dots 12 and 13 having different sizes are formed on a substrate 511 made of a conductive crystal to cause a resonance effect between quantum levels when their state density functions become the same, so that excitons excited within the first quantum dot 12 according to the wavelength of light emitted from the illumination optical system 518 are injected to the quantum level of the second quantum dot 13.例文帳に追加

導電性の結晶により構成される基板５１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、照射光学系５１８から照射される光の波長に応じて第１の量子ドット１２内で励起された励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁

To provide a method of efficiently and simply manufacturing a film for optical waveguide that constitutes an optical waveguide, capable of having both an excellent anti-bending characteristic and the decrease in connection loss at a high level, a film for optical waveguide manufactured by the method of manufacturing the film for optical waveguide, to provide an optical waveguide having the film for optical waveguide, to provide an photoelectric consolidated substrate, and to provide an electronic apparatus.例文帳に追加

優れた耐屈曲性と結合損失の低減とを高度に両立し得る光導波路を構成するための光導波路用フィルムを、効率よく簡単に製造可能な光導波路用フィルムの製造方法、かかる光導波路用フィルムの製造方法により製造された光導波路用フィルム、およびかかる光導波路用フィルムを備えた光導波路、光電気混載基板および電子機器を提供すること。 - 特許庁

In the ink jet recording method where an ink containing a cationic polymerizable compound is heated and ejected by ink jet system and that ink is irradiated with an active light beam within 1.0 sec after reaching the substrate to start curing, illuminance of the active light beam is controlled to such a level as cockling does not take place in an ink jet image thus formed when absolute humidity is 0.003%.例文帳に追加

インクジェット方式により、カチオン重合性化合物を含有するインクを加熱して基材上に出射し、該インクが基材に着弾後１．０秒以内に着弾インクに活性光線を照射して硬化を開始するインクジェット記録方法において、絶対湿度が０．００３％のときに、照射する該活性光線の照度を、形成したインクジェット画像にシワが発生しない照度に制御することを特徴とするインクジェット記録方法。 - 特許庁

Reaction structure of carburetion characteristic, catalyst characteristic, and storage gasification in secondary combustion material, combustion material, and similar structure in a device for removing particulate of diesel exhaust gas and gasoline exhaust gas is burnt in a regeneration complete secondary combustion using a catalyst method without being affected by PM removing efficiency, carbon monoxide removing efficiency, hydrocarbon removing efficiency, single substrate specification, sulfur resistance, and affection by sulfur level (not more than 50 ppm).例文帳に追加

ディーゼル排気ガスおよびガソリン排気ガス微粒子除去装置における二次燃焼またはその燃焼類または同異機構体における気化性、触媒化性、貯留ガス化性反応機構体は、ＰＭ消滅効果性、一酸化炭素諸滅効果性、単価水素消滅効果性、単一基質仕様、さらに硫黄耐性および硫黄レベル（５０ｐｐｍ以下）による影響性を受けない触媒法を用いて再生完全二次燃焼を行う。 - 特許庁

The method for separating a semiconductor substrate, with a low-dielectric material deposited thereon, into individual chips comprises a first process wherein a blade using resin as its main binder cuts into the surface covered by a dielectric material at least to a level where the semiconductor material is exposed, and a second process wherein the blade cuts off the exposed semiconductor material.例文帳に追加

低誘電体絶縁材料が半導体物質上に積層された基板を個々のチップに分割する，低誘電体絶縁材料を積層した基板のダイシング方法において；レジンを主結合剤として使用したブレードによって，基板の低誘電体絶縁材料層が積層された面側から，少なくとも半導体物質が露出する深さまで，基板を切削する，第１の工程と；露出した半導体物質を切断する，第２の工程と；を含むことを特徴とする，低誘電体絶縁材料を積層した基板のダイシング方法が提供される。 - 特許庁

The judgement of the pirated optical recording medium is made possible by forming marks whose reproducing signal level is lowered in the optical recording medium prepared by physically transferring the surface shape of the pits and lands of the substrate.例文帳に追加

ピットおよびランドの組み合わせによる主データが記録された基板上にＡｇ_１００−ｘ−ｙＸ_ｘＣｕ_ｙのＡｇ合金膜よりなり、ＸがＴｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒのうち少なくとも１種以上の元素である反射膜が形成され、この反射膜への追記記録副データの記録マーク再生信号レベルは上昇し、上記基板の上記ピットおよびランドの表面形状を物理的に転写して作製した光記録媒体では再生信号レベルが低下するマークを形成することができるようにして海賊版光記録媒体の判定ができるようにする。 - 特許庁

To realize a high image quality, high definition, narrow frame, high efficiency, large screen display panel in which a large glass substrate having relatively low strain point can be employed while enhancing productivity and reducing the cost without requiring an expensive fabrication facility, threshold level can be adjusted easily and high speed operation can be realized through reduction of the resistance.例文帳に追加

高いスイッチング特性と低リーク電流を有するＬＤＤ構造を有するｎＭＯＳ又はｐＭＯＳ又はｃＭＯＳＴＦＴの表示部と、高い駆動能力のｃＭＯＳ又はｎ又はｐＭＯＳＴＦＴ又はこれらの混在からなる周辺回路とを一体化した構成を可能とし、高画質、高精細、狭額縁、高効率、大画面化の表示パネルを実現することができ、しかも歪点が比較的低い大型のガラス基板であっても使用でき、生産性が高く、高価な製造設備が不要であってコストダウンが可能となり、更に、しきい値調整が容易であって低抵抗化による高速動作を可能にすること。 - 特許庁