「substrate level」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a hardenable resin composition meeting requirements of desired transparency, heat resistance, surface hardness and adhesion, having good storage stability and excellent load resistance under heating conditions and permitting formation of a protective film for optical devices having excellent performance of flattening level differences of color filters formed on a substrate.例文帳に追加

所要の透明性、耐熱性、表面硬度、密着性を満たすとともに、保存安定性が良好で、加熱下でも耐荷重性に優れ、また下地基板上に形成されたカラーフィルターの段差を平坦化する性能に優れた光デバイス用保護膜を形成しうる硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A floating block 34 is disposed near a liquid level in a circulating vessel 30 which prepares the coating liquid recovered from a coating vessel immersed with the photoreceptor drum substrate by homogenizing its viscosity, etc., so as to enclose the downflow region formed by a stirring rotor 33 for stirring the coating liquid in the circulating vessel 30.例文帳に追加

感光体ドラム基体が浸漬される塗工槽から回収した塗工液の粘度等を均質化して調製する循環槽３０において、循環槽３０内の塗工液を攪拌する攪拌ロータ３３によって形成される下降流領域を囲むように、フローティングブロック３４を液面近傍に配設する。 - 特許庁

To provide a pre-baking method by which a resin film formed on a substrate can be heat-treated so as not to cause uneven drying, and a device by which the pre-bake method can be realized and a method by which a good liquid crystal display device which does not cause deterioration of display quality level can be manufactured though a pre-baking process.例文帳に追加

基板上に形成された樹脂膜を乾燥むらが生じないように熱処理することができるプリベーク方法およびそのプリベーク方法を具現化できるプリベーク装置並びに表示品位の低下を招かない良好な液晶表示装置をプリベーク工程を経て製造できる方法を提供する。 - 特許庁

The level display pad 5 consists of two layers, i.e. a first layer of a metal layer 5b, formed by plating on a metal layer 5a which is formed simultaneously with the substrate electrode 21 on the wiring board 2, and a second layer 5c, formed on the first layer of metal layer 5b and comprising a material that is to be removed by an organic solvent.例文帳に追加

レベル表示パッド５は、２層からなり、配線基板２の基板電極２１と同時に形成された金属層５ａの上にめっきによって形成された第１層である金属層５ｂと、第１層である金属層５ｂの上に形成され有機溶剤によって除去される材質からなる第２層５ｃからなる。 - 特許庁

To lessen troubles in a photoresist process in the manufacture of an optical MOSFET where a power MOSFET element and a photovoltaic device 4 which drives the element are formed on the same substrate, by a method wherein a level difference made by a polycrystalline Si layer is relaxed when the photovoltaic device 4 is formed of a polycrystalline Si layer.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ素子５とそれを駆動する光起電力装置４とが同一基板上に形成されている光ＭＯＳＦＥＴにおいて、光起電力装置４を多結晶Ｓｉ層１０６ｃで形成する場合に、多結晶Ｓｉ層１０６ｃが作る段差を緩和して、フォトレジスト処理でのトラブルを少なくする。 - 特許庁

A positioning part 2a comprising a level difference or a groove for positioning the optical element 6a embedded in a heat sink 5a is disposed in order to optically couple the optical element 6a and an optical signal input/output part 3a of the optical waveguide 3 with a low loss on a substrate 2 formed with the optical waveguid 3.例文帳に追加

光導波路３が形成された基板２には、光素子６ａと光導波路３の光信号入出力部３ａとを低損失で光学的に結合させるため、ヒートシンク５ａに埋め込まれた光素子６ａの位置決めを行うための段差又は溝からなる位置決め部２ａが設けられている。 - 特許庁

To provide a removing a treatment liquid, a treatment method and a removing device of an organic system fouling on a substrate surface capable of removing even a resist film hardened and denaturalized by high-concentration ion implantation at room temperature and provided with a multi-repeatable treatment capacity using environment-friendliness and ozone regeneration at almost the same level of ethylene carbonate (EC) treatment.例文帳に追加

高濃度イオン注入で硬化変質したレジスト膜すら室温で除去することができ、炭酸エチレン（ＥＣ）処理並みの環境へのやさしさとオゾン再生を用いた多数回繰返し処理能力とを備えた、基板表面上の有機系付着物の除去用処理液と処理方法と除去装置とを提供する。 - 特許庁

A template substrate having a flat surface layer formed substantially in an atomic level with in-plane compression stress applied is obtained by epitaxially forming the surface layer 1b made of AlN by a MOCVD method on a C-face sapphire single crystal base material 1a, and then by heating the laminate at a temperature of 1,300°C or higher.例文帳に追加

Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。 - 特許庁

In the solder joining structure of a wafer level package, there is provided an air pad solder joining structure comprising an air layer formed in a predetermined substrate layer, a connection pad formed in the upper portion of the air layer, and a part of the air layer including in a side face thereof a region passing over an exposed connection pad.例文帳に追加

本発明はウェーハレベルパッケージのハンダ接合構造において、所定の基底層に形成された空気層と、前記空気層の上部に形成された接続パッドとからなり、前記空気層の一部が側面に前記接続パッドを超過して露出された領域を含むことを特徴とする空気パッドハンダ接合構造である。 - 特許庁

To provide a plasma cleaning device in which RIE treatment and PE treatment can be carried out by using only one unit by selectively switching over to the RIE treatment or PE treatment and the difference in plasma treatment level can be made small among substrates and also among spots on one substrate.例文帳に追加

一台でＲＩＥ処理とＰＥ処理とを選択的に切り換えて行うことができるようにしたプラズマ洗浄装置であって、基板間のプラズマ処理の程度の差を小さくすることができるとともに、一つの基板内においてもプラズマ処理の程度の差を小さくすることができるようにしたものを提供する。 - 特許庁

Quantum dots varying in volume are formed on a substrate 711 to generate quantum levels at which state density functions are nearly equaled to each other and a resonance effect is induced between the quantum levels to bond a quantum level of a first quantum dot 712 to quantum levels of a plurality of second quantum dots 713.例文帳に追加

体積が異なる各量子ドットを基板７１１上に形成することにより、状態密度関数がほぼ等しくなる量子準位を作り出し、これらの間で共鳴効果を起こさせることにより、第１の量子ドット７１２の量子準位と、複数の第２の量子ドット７１３の量子準位とを結合させる。 - 特許庁

After a first HTO film 2a is formed on the upper surface of a silicon substrate 1 by a thermal CVD method, a silicon-rich HTO film 2b having a deep trap level is formed by the thermal CVD method under the condition of decelerating the flow rate of an N_2O of process gas for forming this first HTO film 2a.例文帳に追加

シリコン基板１の上面に、熱ＣＶＤ法によって第一のＨＴＯ膜２ａを成膜した後、この第一のＨＴＯ膜２ａを成膜するプロセスガスのうちＮ２ Ｏの流量を削減した条件で熱ＣＶＤ法によって、深いトラップ準位を有するシリコンリッチＨＴＯ膜２ｂを成膜する。 - 特許庁

In the active matrix substrate of the liquid crystal display, among the TFTs of an offset gate structure composing its driving circuits 82 and 83, an offset length of a 12V-driven TFT by level shifters 85 and 89 is set longer than other offset length of 5V-driven TFT offset length to secure its reliability.例文帳に追加

液晶表示装置のアクティブマトリクス基板において、その駆動回路８２、８３を構成するオフセットゲート構造のＴＦＴのうち、レベルシフタ８５、８９で１２Ｖ駆動されるＴＦＴのオフセット長は、その他の５Ｖ駆動されるＴＦＴのオフセット長に比較して長くして、その信頼性を確保してある。 - 特許庁

To display bright and high quality pictures with a high aperture ratio of pixel and a high contrast ratio by reducing alignment defects of a liquid crystal or the like due to difference in level on a substrate surface facing the liquid crystal or the like and due to a lateral electric field in an electrooptical device such as a liquid crystal device.例文帳に追加

液晶装置等の電気光学装置において、液晶等に面する基板上表面の段差に起因する液晶等の配向不良と横電界による液晶等の配向不良とを低減することで、画素の開口率が高く且つ高コントラスト比で明るい高品位の画像表示を行う。 - 特許庁

To provide a resist material, of a chemically amplified type in particular, for use in lithography with a high-energy light source in particular, having a practically sufficient level of etching resistance, excellent in adhesion to a substrate and in affinity with the developing solution, much higher than conventional materials in sensitivity and in resolution performance, and swelling less during the developing process.例文帳に追加

特に高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、実用レベルのエッチング耐性を有し、基板密着性及び現像液親和性に優れ、従来品を大きく上回る感度と解像性を有し、加えて現像時の膨潤の小さいレジスト材料、特に化学増幅型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

The anatase crystal having orientation in the c-axial direction or its thin film is obtained and recovered by using a titania nano-sheet obtained by peeling a layered titanium oxide in nano-level thickness as a starting material, laminating the titania nano-sheet on an optional substrate treated with a cationic polymer solution with controlled thickness and heating.例文帳に追加

層状チタン酸化物をナノレベルの厚さで剥離することによって得られるチタニアナノシートを出発物質とし、このチタニアナノシートをカチオン性ポリマー溶液で処理した任意の基板上に厚さを制御して積層し、加熱し、ｃ軸配向性を有するアナターゼ結晶ないしはその薄膜を得、回収する。 - 特許庁

A high potential gate driving circuit part and a level shift circuit part are provided on the same other conductivity type semiconductor substrate 1, at least one lateral MOSFET is formed in the gate driving circuit part, and an embedded insulating film 3 for parasitic element suppression is provided selectively in a parallel direction on the main surface of the semiconductor substrate at the lower part of the source region 5 and drain region 7 of the lateral MOSFET.例文帳に追加

高電位ゲート駆動回路部と、レベルシフト回路部とを同一の他導電型半導体基板１上に備え、前記ゲート駆動回路部には少なくとも一つの横型ＭＯＳＦＥＴが形成され、前記半導体基板の主面に平行方向に選択的に、かつ前記横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域５およびドレイン領域７の下方に、寄生素子抑制用の埋め込み絶縁膜３を有する高耐圧ＩＣとする。 - 特許庁

A mold for molding integrally a wafer level lens array comprising a substrate and a plurality of lenses arranged on the substrate formed of resin has a pair of die materials for molding and curing the resin by sandwiching the resin and giving energy to the resin where an air discharging hole for discharging air in an interface between a die surface and a resin surface upon molding is formed in at least a die surface contacting with the resin.例文帳に追加

基板部と、該基板部に配列された複数のレンズ部からなるウェハレベルレンズアレイを樹脂で一体に成形するための成形型であって、 該成形型は、前記樹脂を挟み込んでエネルギーを付加することにより該樹脂を成形し硬化させる一対の型部材からなり、該一対の型部材の少なくとも一方の型部材の前記樹脂と接する型面に、成形時に前記型面と前記樹脂との界面に存在する空気を外部に排出するエア抜き孔が設けられている。 - 特許庁

On a TFT substrate which is an active matrix substrate having a common electrode line formed parallel to a scan signal line, in order to eliminate non-uniformity of the level shift of the pixel potential generated at the scan signal fall, each pixel circuit is formed so that the capacity Cdg between the scan signal line and the pixel electrode becomes greater as electrically going farther from the scan signal line drive circuit and going farther from the common electrode line drive circuit.例文帳に追加

走査信号線に平行に共通電極線が形成されるアクティブマトリクス基板であるＴＦＴ基板において走査信号の立ち下がりの際に生じる画素電位のレベルシフトの不均一性を解消すべく、走査信号線駆動回路から電気的に遠ざかるにしたがって、また、共通電極線駆動回路から電気的に遠ざかるにしたがって、走査信号線−画素電極間容量Ｃｇｄが大きくなるように、各画素回路を形成する。 - 特許庁

To provide an antireflection film forming composition, having high power to absorb reflected light and capable of forming an antireflection film which has full resistance, even with respect to a developing solution on which a resist pattern excellent in shape can easily be formed at a high etching rate, even if the antireflection film is made thick and difference in level on a substrate is planarized.例文帳に追加

反射光に対して吸収能が高く、エッチングレートが高く反射防止膜を厚膜にし基板上の段差を平坦化しても形状に優れたレジストパターンが容易に形成でき、かつ現像液に対しても充分な耐性を有する反射防止膜を形成できる反射防止膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

The liquid level sensor disposed on one surface of an insulating substrate 11 is provided with a circuit pattern 17 constituting a half-bridge circuit by being electrically connected to a first thermistor 16 and a second thermistor 18, wherein, either of the first thermistor 16 and the second thermistor 18 is covered with a heat insulator 27.例文帳に追加

本発明の液位センサは、絶縁基板１１の一面に設けられるとともに第１のサーミスタ１６および第２のサーミスタ１８と電気的に接続されることによりハーフブリッジ回路を構成する回路パターン１７を備えるとともに、前記第１のサーミスタ１６と第２のサーミスタ１８のうち、いずれか一方を断熱材２７で覆うようにしたものである。 - 特許庁

To provide a polymeric ultrathin film and a pattern thereof, having little variance in the film thickness and excellent adhesiveness to a substrate, showing sufficient pattern resolution by irradiation exposure to electron beams, short-wavelength exposure light or the like, and having a structure controlled in a nanometer level, and to provide a method for forming a polymeric ultrathin film pattern.例文帳に追加

本発明は、膜厚のバラツキが少なく、かつ基板との密着性に優れ、電子線や短波長の露光光などの照射露光によって十分なパターン解像度を示し、ナノメートルレベルで構造制御された高分子超薄膜およびそのパターン、並びに、高分子超薄膜パターンの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a trench embedding composition excellent in embedding property to a trench (groove) having an opening width of a nanometer level on a substrate surface and a large aspect ratio capable of suppressing the generation of a defect such as a void, and suitable for manufacturing an isolation structure having excellent electrical insulation properties, and to provide a method for manufacturing a trench isolation structure using the composition.例文帳に追加

基板表面上のナノメートルレベルの開口幅を有し、アスペクト比が大きいトレンチ（溝）への埋め込み性に優れ、ボイドなどの欠陥の発生が抑制され、電気的絶縁性に優れたアイソレーション構造を製造するのに好適なトレンチ埋め込み用組成物、および該組成物を用いたトレンチ・アイソレーション構造の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an electrical apparatus where a plurality of LSIs of different operating voltages are disposed on a substrate and are connected, as required, with the finely processed LSIs of a low voltage having the internal voltage and interface voltage being set to the same voltage level and consisting of the plurality of LSIs of different working voltages.例文帳に追加

基板上に動作電圧の異なる複数個のＬＳＩを配置し、これらＬＳＩ間に所要の配線接続を行う電気装置において、微細加工化プロセスを用いた低電圧のＬＳＩに関しては内部電圧及びインターフェース電圧を同じ電圧レベルとし、使用電圧の異なる複数のＬＳＩを用いて構成する電気装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a TEG pattern, and a testing method of a semiconductor element using the pattern capable of confirming a leakage current level generated by erroneously aligned landing to an active region of M1C through silicon substrate data in a viewpoint of an active extension design rule to the M1C in a manufacturing method of a semiconductor device of 90 nm class or below.例文帳に追加

９０ｎｍ級以下の半導体素子の製造において、Ｍ１Ｃのアクティブ領域に対するミスアラインされたランディングによって発生する漏洩電流水準をＭ１Ｃに対するアクティブエクステンションデザインルールの観点でシリコン基板データを通じて確認可能にすることができるテグパターン及びそのパターンを利用した半導体素子検査方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device 1000, which is provided with the device mounting structure, the connection terminals of IC chips (devices) 1030, 1040 arranged on the base substrate 1010 (base body) and piercing electrodes (electrically conductive connection parts) 1010 are electrically connected by connectors 1060, 1070, 1080 having substantially the same heights as those of the level differences that separate the both.例文帳に追加

同デバイス実装構造を具備した半導体装置１０００は、ベース基板１０１０（基体）上に配されたＩＣチップ（デバイス）１０３０，１０４０の接続端子と貫通電極（導電接続部）１０１１とが、両者を隔てる段差と略同一の高さを有するコネクタ１０６０，１０７０，１０８０により電気的に接続されている。 - 特許庁

The cooling efficiency of the polarized light generator can be increased by containing a solution in a region formed of a metal frame, a polarized light generating element array and a translucent substrate, further by arranging a difference in level part in contact with the solution on the frame, by efficiently transferring heat of the heated solution to the frame and by radiating the heat from the frame to the outside.例文帳に追加

金属製の基枠と偏光発生素子アレイと透光性基板とで形成される領域に溶液を収納し、さらには基枠に溶液と接触する段差部を設け、熱せられた溶液の熱を効率よく基枠に伝え、その基枠から外部に放熱することから、偏光発生装置の冷却効率を高められる。 - 特許庁

At the time of laminating a plurality of layers on a semi- insulation substrate and forming a mesa region and the other regions by mesa etching, by selectively stopping the regions other than the mesa region to be etched at the layer of a slow etching speed, a level difference between a mesa step upper part and a mesa step lower part is suppressed and disconnection and narrowing of the gate electrode are prevented.例文帳に追加

半絶縁性基板上に複数の層を積層して、メサエッチングによってメサ領域とメサ領域以外の領域とを形成するときに、エッチングされるメサ領域以外の領域がエッチング速度の遅い層で選択停止することにより、メサ段差上部とメサ段差下部との段差を抑えてゲート電極の断線と狭小化を防止する。 - 特許庁

In this case, the amplifier casing 100 has a form closed with six faces and is formed so that at least three faces can include a curved surface form, and the dielectric substrate 200 is fixed on the base 101, which is one part of the amplifier casing 100, sufficiently reducing a resonance level inside a prescribed reproducing frequency band in comparison with an audio signal to be amplified.例文帳に追加

ここで、アンプ筺体１００は、６つの面で閉じた形状を有し、少なくとも３つの面が曲面形状を含むように形成し、所定の再生周波数帯域内の共振レベルが増幅すべきオーディオ信号に比較して十分に小さいアンプ筺体１００の一部分である底面１０１に誘電体基板２００が固着される。 - 特許庁

This hydrogen sensor for detecting a hydrogen amount, based on the transmission level of light, is provided with a substrate having an n-type semiconductor layer on its surface, and a metal layer provided on the n-type semiconductor layer to form a Schottky junction with the n-type semiconductor, and for absorbing hydrogen to vary the light transmittance.例文帳に追加

本発明の水素センサは、光の透過量により水素量を検出する水素センサであり、表面にｎ型半導体層を有する基板と、該ｎ型半導体層の上に設けられ、前記ｎ型半導体層とショットキ接合を形成し、水素を吸収することにより光の透過率が変化する金属からなる金属層と備えている。 - 特許庁

In a substrate-cleaning processing method, where a semiconductor wafer W is dipped into a processing solution and a cleaning solution for cleaning and processing, the lower part of the wafer W is stopped once, when it comes into contact with the liquid level of pure water L when the semiconductor wafer W subjected to processing with a processing solution is immersed into an overflowing pure water L.例文帳に追加

半導体ウエハＷを垂直状態にして処理液と洗浄液に浸漬して洗浄処理する基板洗浄処理方法において、処理液での処理が終わった半導体ウエハＷを、オーバーフローする純水Ｌに浸漬する際、純水Ｌの液面と半導体ウエハＷの下部とを接触させ一旦停止する。 - 特許庁

To provide a new structure which can improve the characteristic for distributing luminous intensity of a light emitting element using the rear surface of a substrate composed of a gallium nitride compound semiconductor on which a laminated structure containing a light emitting layer is not formed as its main light emitting surface immediately above the element and, at the same time, can maintain the luminous intensity of the element at a high level.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

The system (80) also includes a control subsystem (98) coupled to the laser source (82), the control subsystem (98) configured to synchronize a position of the sample (92) with the pulse duration and energy level in order to selectively remove at least one of a thermal barrier coating, a bond coat and a substrate metal in the sample (92) to form at least one trench (44).例文帳に追加

本システム（８０）はまた、レーザ発生源（８２）に結合された制御サブシステム（９８）を含み、制御サブシステム（９８）は、サンプル（９２）の位置をパルス幅及びエネルギーレベルと同期させて、該サンプル（９２）内の断熱皮膜、ボンディングコート及び基体金属の少なくとも１つを選択的に除去して少なくとも１つのトレンチ（４４）を形成するように構成される。 - 特許庁

An alignment marker used for patterning in repeatedly performing epitaxial growth and ion implantation on a low resistance arsenic-doped silicon substrate by using the multistage epitaxial system is formed as a projection or recess having a level difference which is formed by selectively reducing the thickness of an oxide film provided on a back side opposite to an epitaxial growth side.例文帳に追加

低抵抗砒素ドープシリコン基板に多段エピタキシャル方式によるエピタキシャル成長とイオン注入を繰り返し実施する際にパターニングに用いられるアライメントマーカーを、前記エピタキシャル成長面とは反対側の裏面に設けた酸化膜の膜厚を選択的に減厚して形成した段差からなる凸部又は凹部として形成する。 - 特許庁

To provide a circuit connection material with excellent connection reliability capable of coping with sufficient isolation between adjacent electrodes on the same substrate and sufficient conductivity between opposite electrodes at a high standard level and maintaining suitable isolation and suitable conductivity for a long period.例文帳に追加

同一基板上で隣り合う電極間の十分な絶縁性と対向配置された電極間の十分な導電性とを高水準で両立することができ、かつ良好な絶縁性と良好な導電性とを長期間にわたって維持することが可能である接続信頼性に十分に優れる回路接続材料を提供すること。 - 特許庁

The mouse developing the pathologic symptom is extremely useful as a model animal for the investigation of the pathologic symptom of human IgA nephropathy because the mouse shows high blood IgA level from young state and exhibits high deposition of IgA to the glomerulus with age and the resulting development of glomerulosclerosis caused by the proliferation of mesangial cell and the growth of mesangial substrate.例文帳に追加

本発明に係る病態発現マウスは、若齢時より血中IgAの高値を示し、加齢とともに腎糸球体へのIgAの高度な沈着と、それに伴うメサンギウム細胞の増殖およびメサンギウム基質の増生による糸球体硬化症の進展を呈することから、ヒトIgA腎症の病態研究のためのモデル動物として極めて有用である。 - 特許庁

Color tone levels of defective portions on both the pick-up images are compared by a comparator 102 and it is determined that the defect is present on the flip-chip bonded surface if the color tone level on the pick-up image to the flip-chip bonded surface is higher than that on the pick-up image to the substrate backplane.例文帳に追加

上記両方の撮像画像に存在する欠陥部の色調レベルは比較部１０２によって比較され、フリップチップ接合面に対する撮像画像での色調レベルが基板裏面に対する撮像画像に対する撮像画像での色調レベルよりも高い場合に、該欠陥がフリップチップ接合面に存在するものであると判断される。 - 特許庁

In the semiconductor laser having high COD level and high light emission efficiency; a clad layer 4, adjoining a substrate side of an active layer 5 is doped with diffusion impurities Zn so that the diffusion coefficient of the diffusion impurities becomes large in a portion doped with the diffusion impurities, thereby the impurities are prevented from accumulation in the active layer 5 of the impurities are restrained.例文帳に追加

ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザにおいて、活性層５の基板側に隣接するクラッド層４に、拡散不純物Ｚｎをドーピングさせておくことによって、拡散不純物がドーピングされた部分で、拡散不純物の拡散係数が大きくなり、活性層５への不純物蓄積が抑制される。 - 特許庁

A first quantum dot 22 and a second quantum dot 23 which have different sizes are provided on a substrate 21, thereby causing a resonant effect between quantum levels in which status density functions become equal to each other and amplifying the light to be incident in response to reverse distribution generated by implanting exciters into the quantum level of the second quantum dot 23.例文帳に追加

大きさの異なる第１の量子ドット２２及び第２の量子ドット２３を基板２１上に設けることにより、状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第２の量子ドット２３の量子準位に励起子を注入させることにより生成される反転分布に応じて入力される光を増幅する。 - 特許庁

A resistor 21 able to be trimmed as a termination resistor connected to one terminal of a coupler coupling line is placed on the uppermost dielectric layer 11 and variably adjusting the resistance of the resistor 21 can match the impedance at the switch side even on the occurrence of the deviated lamination of a module substrate while detecting a monitor level in an inspection process after the manufacturing.例文帳に追加

最上層の誘電体層１１に、カプラの結合線路の一端に接続される終端抵抗としてのトリマブル抵抗器２１を配置し、製造後の検査行程においてモニタレベルを検知しながら、その抵抗値を可変調整することでモジュール基板の積層ずれに対しても、スイッチ側におけるインピーダンスのマッチングが図かれる。 - 特許庁

The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond.例文帳に追加

ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、ｐ型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。 - 特許庁

To provide an abrasive and a method of polishing a substrate, which can efficiently perform removal of an excessively formed film layer and planarization of a silicon oxide film and an embedded film of a metal or the like with high-level quality and with easy process control in a recess CMP technology such as for shallow trench isolation formation and for embedded metal wiring formation and in a planarization CMP technology for an interlayer insulation layer.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

The potential of the voltage source VCC is compared with the potential of an LCD power source VLCD, the higher potential is selected as a power source VCCMAX and fed to the substrate potentials of Pch transistors 5, 7, 14 and 16, and a control signal converted into the voltage level of the power source VCCMAX is inputted to the gates of the transistors 5, 7, 14 and 16.例文帳に追加

電圧源ＶＣＣの電位とＬＣＤ電源ＶＬＣＤの電位を比較して高い方を電源ＶＣＣＭＡＸとして選択してＰｃｈトランジスタ５，７，１４，１６の基板電位に供給し、Ｐｃｈトランジスタ５，７，１４，１６のゲートには電源ＶＣＣＭＡＸの電圧レベルに変換した制御信号が入力されるように構成した。 - 特許庁

The present invention provides a surface coating composition comprising a resin system, and a hydrophobic metal oxide, wherein the composition, after application to a substrate, is characterized by (a) a moisture resistance which is retained for at least about 6 months, (b) a resistance to a 50 wt.% ethanol/water solution, and (c) a gloss level of about 50 gloss units or less.例文帳に追加

本発明は樹脂系、および疎水性の金属酸化物を含む表面被覆用組成物であり、該組成物は、基体に付着された後に、（ａ）少なくとも約６ヶ月間、耐湿性、（ｂ）５０wt％エタノール／水溶液に耐性であり、そして（ｃ）光沢度５０以下の光沢レベル、であることを特徴とする組成物を提供する。 - 特許庁

To prevent thermal energy efficiency from degrading while minimizing the area of a heating part for achieving the improved resolution and high picture quality level of recorded data, and prevent damage attributed to a manufacturing process from being inflicted to the heating part, in the substrate for an inkjet head having the heating part for generating a heat energy for discharging an ink in response to current feed.例文帳に追加

通電に応じてインクを吐出するために利用される熱エネルギーを発生する発熱部を有するインクジェットヘッド用基板にあって、記録の高解像化や高画質化等を達成するための発熱部の小面積化を図りながら熱エネルギー効率の低下を防ぐとともに、発熱部が製造工程に起因したダメージを受けないようにする。 - 特許庁